JPS63288004A - 膜面垂直磁気異方性膜の製造方法 - Google Patents
膜面垂直磁気異方性膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS63288004A JPS63288004A JP62124517A JP12451787A JPS63288004A JP S63288004 A JPS63288004 A JP S63288004A JP 62124517 A JP62124517 A JP 62124517A JP 12451787 A JP12451787 A JP 12451787A JP S63288004 A JPS63288004 A JP S63288004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- anisotropy
- magnetic
- protrusions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、膜面垂直磁気異方性膜の製法に関するもので
ある。
ある。
従来の技術
通常の磁性材料を薄膜の磁気記録材料として利用しよう
とするとき、磁化が膜面に垂直になっていると都合が良
い場合が多い。これは垂直磁気記録では面内磁気記録に
比べて記録密度が向上するからであり、光磁気記録では
、ｐｏｌａｒ Ｋｅｒｌ＋宋が）り用できるからである
。強磁性体薄膜において、磁化が膜面に垂直に立つ条件
は、Ｋｌ＞２πＭｓ’である（参考文献口木応用物Ｊ！
［！学会誌１０１７（１９８６））。ここで、Ｋｌは垂
直磁気異方性エネルギー、Ｍｓは飽和磁化である。この
に上を与えるものとしては、薄膜特有の円柱構造による
形状異方性、磁歪を通しての応力誘起磁気異方性、原子
対の方向性秩序によるｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｏｒｄ
ｅｒ ％気異方性などが考えられている。しかし、リベ
ての磁気材料が顕茗な垂直磁気異方性を持つわ＋Ｊでは
ない。最も一般的な磁性材料である鉄や巨人なにｅｒｒ
回転角を持つＰｔＭｎＳｂ合金などは、通常は垂直磁気
異方性を持たない。このため、垂直方向に磁化を有する
薄膜を作製することは、これらの材料ではむずかしかっ
た。
とするとき、磁化が膜面に垂直になっていると都合が良
い場合が多い。これは垂直磁気記録では面内磁気記録に
比べて記録密度が向上するからであり、光磁気記録では
、ｐｏｌａｒ Ｋｅｒｌ＋宋が）り用できるからである
。強磁性体薄膜において、磁化が膜面に垂直に立つ条件
は、Ｋｌ＞２πＭｓ’である（参考文献口木応用物Ｊ！
［！学会誌１０１７（１９８６））。ここで、Ｋｌは垂
直磁気異方性エネルギー、Ｍｓは飽和磁化である。この
に上を与えるものとしては、薄膜特有の円柱構造による
形状異方性、磁歪を通しての応力誘起磁気異方性、原子
対の方向性秩序によるｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｏｒｄ
ｅｒ ％気異方性などが考えられている。しかし、リベ
ての磁気材料が顕茗な垂直磁気異方性を持つわ＋Ｊでは
ない。最も一般的な磁性材料である鉄や巨人なにｅｒｒ
回転角を持つＰｔＭｎＳｂ合金などは、通常は垂直磁気
異方性を持たない。このため、垂直方向に磁化を有する
薄膜を作製することは、これらの材料ではむずかしかっ
た。
発明が解決しようとする問題点
たとえばＰｔＭｎＳｂ合金などは、Ｍ（Ｊｏｉｎ結品塁
板に中相の配向膜を成長させることができる。
板に中相の配向膜を成長させることができる。
このとき、単結晶基板面を（ｉｏｏ）面に選ぶと、Ｆｅ
、ＰｔＭｎＳｂ、Ｑｏ、Ｃ０Ｆｅ２Ｏ４では（１００）
配向膜が得られる。このうちＦｅとｐ ｔ Ｍ ｎ ３
ｂは、（１００）軸カ磁化容易軸テアルが、材料自体
の結晶磁気異方性が小さいために垂直（む低置方性は小
さい。
、ＰｔＭｎＳｂ、Ｑｏ、Ｃ０Ｆｅ２Ｏ４では（１００）
配向膜が得られる。このうちＦｅとｐ ｔ Ｍ ｎ ３
ｂは、（１００）軸カ磁化容易軸テアルが、材料自体
の結晶磁気異方性が小さいために垂直（む低置方性は小
さい。
本発明は、このような結晶磁気異方性が元々小さく、垂
直磁化膜が作りにくい磁性材料においてｂ、形状磁気異
方性の効果を強めることによって、筒中に垂直磁気異方
性膜を得ることのできる膜面垂直磁気異方性膜の製造方
法を提供することを目的とするものである。
直磁化膜が作りにくい磁性材料においてｂ、形状磁気異
方性の効果を強めることによって、筒中に垂直磁気異方
性膜を得ることのできる膜面垂直磁気異方性膜の製造方
法を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために木光明は、表面に微細突起
を林立させた基板を使って、その（１１１１突起上に磁
性原子の微細性を成長させるものである。
を林立させた基板を使って、その（１１１１突起上に磁
性原子の微細性を成長させるものである。
特に基板として１ｔ１結晶を用い、ｍ細突起上に結晶軸
の配向した結晶柱を周囲と磁気的に絶縁して成長させる
ようにするものである。さらには、微１１突起の大きさ
は形状磁気異方性の効果を十分に高めるように、直径が
１０μｍ以下、高さ０．５μｍ以上であることが望まし
いものである。
の配向した結晶柱を周囲と磁気的に絶縁して成長させる
ようにするものである。さらには、微１１突起の大きさ
は形状磁気異方性の効果を十分に高めるように、直径が
１０μｍ以下、高さ０．５μｍ以上であることが望まし
いものである。
作用
上記構成により、たとえばＰｔＭｎＳｂ合金を例にとる
と、フッ酸を主体としたエツチング溶液を用いてＭＣＪ
Ｏ中結晶基板上に微細突起を林立させて作製し、基板温
度を制御してＰｔ、Ｍｎ。
と、フッ酸を主体としたエツチング溶液を用いてＭＣＪ
Ｏ中結晶基板上に微細突起を林立させて作製し、基板温
度を制御してＰｔ、Ｍｎ。
ｓｂを同時にスパッタし、ＰｔＭｎＳｂのＣ１ｂ結晶相
を１ビタキシヤル成長させる。このとき、スパッタ原子
のランダムな侵入方向とｙＩｉ細突起の射影効果のため
に、突起の高さ方向の成長が促進され、柱状構造がます
ます顕著となる。しかもこのとき、形成された結晶柱は
原子の堆積が相当進んでも、スパッタ原子は突起間の部
分に侵入しにくく、周囲の結晶柱群とは磁気的に絶縁さ
れたものとなる。このために個々の結晶柱は強い形状磁
気異方性を持つようになり、全体として薄膜に大きなＩ
直磁気異方性が生れるようになる。このような効果は、
単結晶基板のｇｌ朝突起が１０μｍ以下、高さ０．５μ
ｍ以上で特に顕著となり、この範囲からずれても、ある
程度の効果はある。このようにして、磁性材料として通
常の１ｆｆｌＦ２のままでは垂直磁化成分のない「ｅや
ＰｔＭｎＳｂ合金も、著しい垂直磁気異方性が生まれる
ことが確認された。
を１ビタキシヤル成長させる。このとき、スパッタ原子
のランダムな侵入方向とｙＩｉ細突起の射影効果のため
に、突起の高さ方向の成長が促進され、柱状構造がます
ます顕著となる。しかもこのとき、形成された結晶柱は
原子の堆積が相当進んでも、スパッタ原子は突起間の部
分に侵入しにくく、周囲の結晶柱群とは磁気的に絶縁さ
れたものとなる。このために個々の結晶柱は強い形状磁
気異方性を持つようになり、全体として薄膜に大きなＩ
直磁気異方性が生れるようになる。このような効果は、
単結晶基板のｇｌ朝突起が１０μｍ以下、高さ０．５μ
ｍ以上で特に顕著となり、この範囲からずれても、ある
程度の効果はある。このようにして、磁性材料として通
常の１ｆｆｌＦ２のままでは垂直磁化成分のない「ｅや
ＰｔＭｎＳｂ合金も、著しい垂直磁気異方性が生まれる
ことが確認された。
実施例
以下木光明の一実施例を図面に基づいて説明”する。
本発明の一実施例では、ＰｔＭｎＳｂ合金を用いた例に
ついて詳細に説明する。まず、濃度比が水：＆ｒｌ酸：
フッ酸＝３０：１：１のエツチング溶液中に、Ｍす０単
結品基板を室温において４８時間浸した。この処理によ
り、第１図に示すｆｖｌｏｌ板１の上に、径０．５μｍ
１高さ１μｍ程度の微細突起２が林立して生じた。八ｒ
とフレオンガスとの混合ガス中でスパッタエツチングを
行うと同様にエッヂされるが、効果は比較的弱い。この
ようにして（Ｉｌ＋突起２が形成されたＭｇ０ｕ板３を
用い、３元ＤＣスパッタ装置を用いて成膜する。
ついて詳細に説明する。まず、濃度比が水：＆ｒｌ酸：
フッ酸＝３０：１：１のエツチング溶液中に、Ｍす０単
結品基板を室温において４８時間浸した。この処理によ
り、第１図に示すｆｖｌｏｌ板１の上に、径０．５μｍ
１高さ１μｍ程度の微細突起２が林立して生じた。八ｒ
とフレオンガスとの混合ガス中でスパッタエツチングを
行うと同様にエッヂされるが、効果は比較的弱い。この
ようにして（Ｉｌ＋突起２が形成されたＭｇ０ｕ板３を
用い、３元ＤＣスパッタ装置を用いて成膜する。
第２図は上記成膜に使用される３元ＤＣスパッタ装置を
示す、第２図において６は微細突起が形成されたＭｇｏ
基板３を加熱するヒータ、７はＰｔ、Ｍｎ、Ｓｂの金属
ターゲット、８は金属ターゲット７を駆動する電源、９
はスパッタガス、１０は排気ガスである。この装置では
３個の金属ターゲット７が同時にスパッタされるので、
個々の電源８のターゲット消費電力を変化させてやれば
、簡単に合金膜の組成を変化させることができる。
示す、第２図において６は微細突起が形成されたＭｇｏ
基板３を加熱するヒータ、７はＰｔ、Ｍｎ、Ｓｂの金属
ターゲット、８は金属ターゲット７を駆動する電源、９
はスパッタガス、１０は排気ガスである。この装置では
３個の金属ターゲット７が同時にスパッタされるので、
個々の電源８のターゲット消費電力を変化させてやれば
、簡単に合金膜の組成を変化させることができる。
また、基板ホルダー（図示せず）を回転させる必要がな
いので、ヒータ６によって、エピタキシトル成長に最適
の基板温度を選択できる。以前の胡究により、ｐｔ、
Ｍｎおよびｓｂのスパッタレートを約１＝１：１になる
ようにして、基板温度を５００℃に保てば、ＰｔＭｎＳ
ｂのＣ１ｂ結晶相のみがＭｇ０Ｗ板３の上にエピタキシ
ャル成長することがすでにわかっているので、第２図に
おいてもこれと同様に基板湿度を５００℃、スパッタレ
ート１：１：１に設定する。
いので、ヒータ６によって、エピタキシトル成長に最適
の基板温度を選択できる。以前の胡究により、ｐｔ、
Ｍｎおよびｓｂのスパッタレートを約１＝１：１になる
ようにして、基板温度を５００℃に保てば、ＰｔＭｎＳ
ｂのＣ１ｂ結晶相のみがＭｇ０Ｗ板３の上にエピタキシ
ャル成長することがすでにわかっているので、第２図に
おいてもこれと同様に基板湿度を５００℃、スパッタレ
ート１：１：１に設定する。
第１図において、上記のように基板３の面上に３梯類の
スパッタ原子４が飛来して来るが、スパッタガス９の△
ｒ原子と衝突して散乱されるので方向がランダムになり
、基板３の表面に対して斜め入射するスパッタ原子４が
増加する。それらの＋Ｊ？？ ？’は微細突起２に邪魔
され、その影の部分すなわち突起２と突起２の間の部分
には侵入しにくくなる。この結末、微躇１突起２の頂上
の部分だけがますます成長しやすくなり、まわりから孤
立したＰｔＭｎＳｂの結晶柱５が林立するようになる。
スパッタ原子４が飛来して来るが、スパッタガス９の△
ｒ原子と衝突して散乱されるので方向がランダムになり
、基板３の表面に対して斜め入射するスパッタ原子４が
増加する。それらの＋Ｊ？？ ？’は微細突起２に邪魔
され、その影の部分すなわち突起２と突起２の間の部分
には侵入しにくくなる。この結末、微躇１突起２の頂上
の部分だけがますます成長しやすくなり、まわりから孤
立したＰｔＭｎＳｂの結晶柱５が林立するようになる。
成膜は約１０分間おこなわれ、平均の膜の厚さは約１０
００人程度であると相定される。このようにして作製さ
れた膜は表面での光の乱反射のために灰色となってＪ３
す、表面加工なしのＭｇＯ基板を使ったＩｔや膜の暗青
色と全く異っている。面内ｔ′ｊ内の電気抵抗率は４０
０μΩ・α程度で同じ厚さのＰｔＭｎＳｂｇ）に比べて
異常に大さい。光学顕微鏡で表面観察を行うと、直径約
０．５μＩｒＬ程度の結晶柱が観察できる。この薄膜の
Ｘａ回折パターンを見ると、電気抵抗率や表面色が異な
るにもかかわらず、ＰｔＭｎＳｂのＣ１相が成長してい
ることがわかる。
００人程度であると相定される。このようにして作製さ
れた膜は表面での光の乱反射のために灰色となってＪ３
す、表面加工なしのＭｇＯ基板を使ったＩｔや膜の暗青
色と全く異っている。面内ｔ′ｊ内の電気抵抗率は４０
０μΩ・α程度で同じ厚さのＰｔＭｎＳｂｇ）に比べて
異常に大さい。光学顕微鏡で表面観察を行うと、直径約
０．５μＩｒＬ程度の結晶柱が観察できる。この薄膜の
Ｘａ回折パターンを見ると、電気抵抗率や表面色が異な
るにもかかわらず、ＰｔＭｎＳｂのＣ１相が成長してい
ることがわかる。
こうして得られた磁化曲線を第３図（ａ＞に示す。比較
のため表面加工なしのＭｑＯ基板を用いて作製したｐｔ
ｌｙｌｎ３ｂ膜の…化曲線を第３図（ｂ）（ｃ）に示す
。すなわち、第３図（ａ）は本光明による表面加工をし
た基板を用いた場合のｐｔＭｎ３ｂ膜の膜面垂直方向の
磁化曲線を示し、第３図（ｂ）は表面加工なしのＭ ｇ
ＯＬｔ板を用いた時のｐｔＭｎ３ｂ膜の面内方向の（丑
化曲腺を示し、第３図（Ｃ）は第３図（ｂ）と同様の場
合の膜面垂直方向の磁化曲線を示す。
のため表面加工なしのＭｑＯ基板を用いて作製したｐｔ
ｌｙｌｎ３ｂ膜の…化曲線を第３図（ｂ）（ｃ）に示す
。すなわち、第３図（ａ）は本光明による表面加工をし
た基板を用いた場合のｐｔＭｎ３ｂ膜の膜面垂直方向の
磁化曲線を示し、第３図（ｂ）は表面加工なしのＭ ｇ
ＯＬｔ板を用いた時のｐｔＭｎ３ｂ膜の面内方向の（丑
化曲腺を示し、第３図（Ｃ）は第３図（ｂ）と同様の場
合の膜面垂直方向の磁化曲線を示す。
第３図（Ｃ）から明らかなように、表面加ＴなしのＭｇ
ｘｉ板を用いた場合には、有限の膜面垂直磁気異方性が
存在するが、膜面垂直磁気安方性は弱い。本発明で得ら
れたｐ ｔ Ｍ ｎ ３ ｂ膜においては、第３図（ａ
）から明らかなように、垂直磁気異方性が非常に改善さ
れている。第３図（ａ）では、 ト１ｅ （保持力） ＝２２０（Ｏｅ）Ｍｒ（残留磁
化） ＝ ２００（ｅＩＩｕ ／ｃｃ）トＩＫ （異
方性磁場）＝４ｋＯｅ Ｍｓ（Ｕ和磁化） ＝ ４５０ｅｎｕ ／ｃｃとなって
いる。これは加工なしの基板を用いて作製した第３図（
Ｃ）の躾に比較してＭｒは約５倍、Ｈｅは約１．５倍、
１１には約半分となり、帳面１直磁気異方性は大巾に増
加している。これは、躾の配向性に鈍感であるところか
ら、形状磁気異方性の効果が主な役ｖ１を果たし、全体
として薄膜に大きな垂直磁気賃方性が生まれるようにな
ったと思われる。これと同等の効果が磁性材料として「
ｅ。
ｘｉ板を用いた場合には、有限の膜面垂直磁気異方性が
存在するが、膜面垂直磁気安方性は弱い。本発明で得ら
れたｐ ｔ Ｍ ｎ ３ ｂ膜においては、第３図（ａ
）から明らかなように、垂直磁気異方性が非常に改善さ
れている。第３図（ａ）では、 ト１ｅ （保持力） ＝２２０（Ｏｅ）Ｍｒ（残留磁
化） ＝ ２００（ｅＩＩｕ ／ｃｃ）トＩＫ （異
方性磁場）＝４ｋＯｅ Ｍｓ（Ｕ和磁化） ＝ ４５０ｅｎｕ ／ｃｃとなって
いる。これは加工なしの基板を用いて作製した第３図（
Ｃ）の躾に比較してＭｒは約５倍、Ｈｅは約１．５倍、
１１には約半分となり、帳面１直磁気異方性は大巾に増
加している。これは、躾の配向性に鈍感であるところか
ら、形状磁気異方性の効果が主な役ｖ１を果たし、全体
として薄膜に大きな垂直磁気賃方性が生まれるようにな
ったと思われる。これと同等の効果が磁性材料として「
ｅ。
Ｃｏ、ＣｏＦｅ２Ｏ４などのフェライトにＪ３いても観
測された。
測された。
また、この効果は、単結晶基板としてＳｉ。
ＮａＣ１，Ｔｉ、Ｗ、サフｊ・イヤ、ＣａＦ２゜Ｂｅｄ
、ＳｒＴ ｒａｏ３ 、ＬｉＴａＯ３などの単結晶でも
見られる。
、ＳｒＴ ｒａｏ３ 、ＬｉＴａＯ３などの単結晶でも
見られる。
ｆＫお、上記実施例では、スパッタリング法について説
明したが、蒸着法などの他のａ膜形成法を用いることも
可能である。
明したが、蒸着法などの他のａ膜形成法を用いることも
可能である。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、比較的命中なプロ
セスで、通常の薄脱では垂直磁気異方性を持たない磁性
材料でも、形状磁気異方性の効果により垂直磁化膜とす
ることが可能となり、垂直磁気記録媒体ｊＪよび光磁気
メモリーの応用に大きく寄与するものである。
セスで、通常の薄脱では垂直磁気異方性を持たない磁性
材料でも、形状磁気異方性の効果により垂直磁化膜とす
ることが可能となり、垂直磁気記録媒体ｊＪよび光磁気
メモリーの応用に大きく寄与するものである。
第１図は本発明の一実施例を示すエピタキシセル成長過
程の模式断面図、第２図は木光明に使用するスパッタ装
置の概略構成を示す断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）はそ
れぞれ本発明の一実施例の方法により形成した場合のＰ
ｔＭｎＳｂ膜の膜面垂直方向の磁化曲線図、および表面
加工なしのＭＱＯ基板を用いたＰ ｔ Ｍ ｒｒ Ｓ
ｂ膜の面内方向の磁化曲線図、ならびに第３図（ｂ）と
同様の場合の膜面垂直方向の磁化曲線図である。 １・・・ＭｑＯ基板、２・・・微細突起、３・・・Ｖ＆
組突起が形成されたＭ（１１０基板、４・・・スパッタ
原子、５・・・結晶柱、７・・・金属ターゲット、８・
・・電源、９・・・スパッタガス。 代理人 森 木 ｉ 弘 第１図 ／ −−−Ｍ２Ｏ耘 ２−・胸 ３− 徴綽起６端威怪にり４表 ４−、ｕで４峙 ５−軸紡
程の模式断面図、第２図は木光明に使用するスパッタ装
置の概略構成を示す断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）はそ
れぞれ本発明の一実施例の方法により形成した場合のＰ
ｔＭｎＳｂ膜の膜面垂直方向の磁化曲線図、および表面
加工なしのＭＱＯ基板を用いたＰ ｔ Ｍ ｒｒ Ｓ
ｂ膜の面内方向の磁化曲線図、ならびに第３図（ｂ）と
同様の場合の膜面垂直方向の磁化曲線図である。 １・・・ＭｑＯ基板、２・・・微細突起、３・・・Ｖ＆
組突起が形成されたＭ（１１０基板、４・・・スパッタ
原子、５・・・結晶柱、７・・・金属ターゲット、８・
・・電源、９・・・スパッタガス。 代理人 森 木 ｉ 弘 第１図 ／ −−−Ｍ２Ｏ耘 ２−・胸 ３− 徴綽起６端威怪にり４表 ４−、ｕで４峙 ５−軸紡
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、表面に微細突起を林立させた基板を用い、その微細
突起上に磁性原子を堆積させる膜面垂直磁気異方性膜の
製造方法。 ２、基板として単結晶を用い、磁性原子を微細突起上に
堆積させて配向性膜を得る特許請求の範囲第１項記載の
膜面垂直磁気異方性膜の製造方法。 ３、単結晶基板の微細突起の大きさを直径１０μｍ以下
、高さ０．５μｍ以上にした特許請求の範囲第２項記載
の膜面垂直磁気異方性膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124517A JPS63288004A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 膜面垂直磁気異方性膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124517A JPS63288004A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 膜面垂直磁気異方性膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63288004A true JPS63288004A (ja) | 1988-11-25 |
Family
ID=14887436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124517A Pending JPS63288004A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 膜面垂直磁気異方性膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63288004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994019508A1 (en) * | 1993-02-19 | 1994-09-01 | Conner Peripherals, Inc. | System for sputtering compositions onto a substrate |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62124517A patent/JPS63288004A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994019508A1 (en) * | 1993-02-19 | 1994-09-01 | Conner Peripherals, Inc. | System for sputtering compositions onto a substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4202932A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH07193298A (ja) | 磁気抵抗材料を用いた機器およびその製造方法 | |
| JPS63288004A (ja) | 膜面垂直磁気異方性膜の製造方法 | |
| JPH0454367B2 (ja) | ||
| EP0007755B1 (en) | Method for producing a magnetic recording medium and magnetic recording medium so produced | |
| JPH0418023B2 (ja) | ||
| JPH05315135A (ja) | Ｃｏ／Ｎｉ人工格子膜、磁気抵抗素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体およびＣｏ／Ｎｉ人工格子膜の製造方法 | |
| JP2636860B2 (ja) | 光磁気記録用薄膜の製造方法 | |
| Hoshi et al. | Dependence of magnetic properties of Co‐Pt films on sputtering conditions | |
| JPS6126939A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0618135B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| Sosniak | Magnetic Properties of Sputtered Single‐Crystal Films of Terbium Orthoferrite | |
| JPH0214895A (ja) | 極微細柱状晶構造薄膜 | |
| JPH0337724B2 (ja) | ||
| JPH056254B2 (ja) | ||
| JPS61110328A (ja) | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JPH05101385A (ja) | 円周方向に揃つた磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS58137134A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0544728B2 (ja) | ||
| JPS6015818A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| US4997675A (en) | Production of magnetic recording media for perpendicular recording | |
| JPH0215440A (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH02236815A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS63228443A (ja) | 光磁気記録材料の製造方法 | |
| JPS6311659A (ja) | 磁気光学材料 |