JPH02152013A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH02152013A JPH02152013A JP30654988A JP30654988A JPH02152013A JP H02152013 A JPH02152013 A JP H02152013A JP 30654988 A JP30654988 A JP 30654988A JP 30654988 A JP30654988 A JP 30654988A JP H02152013 A JPH02152013 A JP H02152013A
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- perpendicular magnetic
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、垂直磁気記録方式に用いる垂直磁気記録媒
体の製造方法に関するものである。
体の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
従来より垂直磁気記録媒体としては、例えば刊行物(東
北大通研シンポジュウム pp177〜187(198
2))に示されているように、CoCrを記録層とした
媒体が提案されている。また、その出力を大きくするた
めには、例えば刊行物(第8回日本応用磁気学会学術講
演概要集 14aA−7,P115(1984))に示
されているように、磁気ヘッドの性能にもよるが、媒体
のCoCrの保磁力の垂直方向成分Hclを大きくする
ことが必要である。
北大通研シンポジュウム pp177〜187(198
2))に示されているように、CoCrを記録層とした
媒体が提案されている。また、その出力を大きくするた
めには、例えば刊行物(第8回日本応用磁気学会学術講
演概要集 14aA−7,P115(1984))に示
されているように、磁気ヘッドの性能にもよるが、媒体
のCoCrの保磁力の垂直方向成分Hclを大きくする
ことが必要である。
[発明が解決しようとする課題]
CoCrのHciを増大させるために、従来はCoCr
成膜時、基板を加熱することにより制御していた。
成膜時、基板を加熱することにより制御していた。
しかし固定ディスクで良く用いられるNiPを表面硬化
層とした基板では、このNiPが250℃以上で磁化し
てしまい録再特性に悪影響を与えるという課題があった
。
層とした基板では、このNiPが250℃以上で磁化し
てしまい録再特性に悪影響を与えるという課題があった
。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、従来と比べて低温で大きな出力の垂直磁気記録媒体
の製造方法を得ることを目的とする。
で、従来と比べて低温で大きな出力の垂直磁気記録媒体
の製造方法を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、表面硬化層
を有する基板の上記表面硬化層を平均粗さ400〜10
00スに粗化し、上記基板を加熱して上記表面硬化層に
上記基板とほぼ垂直な方向に磁化容易軸を有するCoC
rで形成された記録層を設けるものである。
を有する基板の上記表面硬化層を平均粗さ400〜10
00スに粗化し、上記基板を加熱して上記表面硬化層に
上記基板とほぼ垂直な方向に磁化容易軸を有するCoC
rで形成された記録層を設けるものである。
[作用]
この発明において1表面硬化層の粗さ形状による誘導磁
気異方性が、CoCrFJのHclの増大に関与してい
ると考えられる。
気異方性が、CoCrFJのHclの増大に関与してい
ると考えられる。
[実施例コ
第1図はこの発明の一実施例による垂直磁気記録媒体の
新面図である。図において、(1)は基板、(2)は粗
化された表面硬化層、(3)はCoCrで形成された記
録層である。
新面図である。図において、(1)は基板、(2)は粗
化された表面硬化層、(3)はCoCrで形成された記
録層である。
実施例
NiPで形成された表面硬化層を、粗さの異なる研磨テ
ープで研磨することにより、その表面粗度を各200,
400,800,800.1000スし、その上に公知
のスパッタリング法によりCoCrNを0.3μm設け
この発明の実施例による垂直磁気記録媒体を得た。なお
、スパッタリング条件は、Ar圧3mm t、orr
、入力電力密度がIW/cn(、ターゲットとしてCo
82Cr18合金を用い成膜時基板温度を、130℃、
150℃、200℃とした。
ープで研磨することにより、その表面粗度を各200,
400,800,800.1000スし、その上に公知
のスパッタリング法によりCoCrNを0.3μm設け
この発明の実施例による垂直磁気記録媒体を得た。なお
、スパッタリング条件は、Ar圧3mm t、orr
、入力電力密度がIW/cn(、ターゲットとしてCo
82Cr18合金を用い成膜時基板温度を、130℃、
150℃、200℃とした。
比較例
表面硬化層が平均粗さ20ス程度のいわゆるポリッシュ
工程を経た基板を用いて、実施例と同様にCo Cr
Nを成膜して垂直磁気記録媒体を得た。この場合成膜時
の基板温度味、120,150,200,250,30
0°Cとした。
工程を経た基板を用いて、実施例と同様にCo Cr
Nを成膜して垂直磁気記録媒体を得た。この場合成膜時
の基板温度味、120,150,200,250,30
0°Cとした。
第2図は、この発明の実施例による垂直磁気記録媒体と
従来例とを比較して示すCoCr成膜時の基板温度13
0,150,200℃の場合の、表面硬化層の表面粗度
(ス)および出力(dB)によるH+4’(Oe)変化
を示す特性図である。図において、(A)、 (B)お
よび(C)は各々成膜時基板温度130.150.20
0℃として得た垂直磁気記録媒体の、表面粗度によるH
cl変化を示す特性、(D)は上記のようにして得た垂
直磁気記録媒体の出力とHclの関係を示す特性である
。
従来例とを比較して示すCoCr成膜時の基板温度13
0,150,200℃の場合の、表面硬化層の表面粗度
(ス)および出力(dB)によるH+4’(Oe)変化
を示す特性図である。図において、(A)、 (B)お
よび(C)は各々成膜時基板温度130.150.20
0℃として得た垂直磁気記録媒体の、表面粗度によるH
cl変化を示す特性、(D)は上記のようにして得た垂
直磁気記録媒体の出力とHclの関係を示す特性である
。
第3図は比較例のNiPの表面粗度20スの基板を用い
た場合の、CoCr成膜時の基板温度(℃)および出力
(dB)によるHcl(Oe)変化を示す特性図である
。
た場合の、CoCr成膜時の基板温度(℃)および出力
(dB)によるHcl(Oe)変化を示す特性図である
。
なお、Hclの測定にはVSMを用い出力の測定にはリ
ングヘッドを用いて、記録密度30KBPIにおける出
力値を相対値で示した。第2図より、表面粗度が400
〜1000スの時には比較例と比べ出力が増大している
ことが解る。一方第3図から、CoCr成膜時成膜時変
板温度して、Hclを増大しても出力はあまり増大しな
い。これはHclを大きくするために成膜時基板温度を
高くしても、表面硬化層のNiPが磁化(250℃)し
て録再特性に悪影響を与える為と考えられる。
ングヘッドを用いて、記録密度30KBPIにおける出
力値を相対値で示した。第2図より、表面粗度が400
〜1000スの時には比較例と比べ出力が増大している
ことが解る。一方第3図から、CoCr成膜時成膜時変
板温度して、Hclを増大しても出力はあまり増大しな
い。これはHclを大きくするために成膜時基板温度を
高くしても、表面硬化層のNiPが磁化(250℃)し
て録再特性に悪影響を与える為と考えられる。
なお、表面硬化層として上記実施例に用いたNiPの代
わりにN1CuPを用いた場合にも上記と同様の特性を
示す。即ち第4図にCoCr成膜時の基板温度120℃
の時の、表面硬化層の表面粗さ(久)によるHcl変化
を示す特性図である。この場合も表面粗さ400〜10
00スで従来よりHclが増大しているのが解る。
わりにN1CuPを用いた場合にも上記と同様の特性を
示す。即ち第4図にCoCr成膜時の基板温度120℃
の時の、表面硬化層の表面粗さ(久)によるHcl変化
を示す特性図である。この場合も表面粗さ400〜10
00スで従来よりHclが増大しているのが解る。
この様に、上記範囲の表面粗さを有する表面硬化層にC
oCr層を設けるとHclが増大するのは、表面硬化層
の種類(NiP、N1CuP)によらず同様の傾向を示
すことから、成膜時の結晶配向に際して何らかの形状効
果が影響していると考えられる。
oCr層を設けるとHclが増大するのは、表面硬化層
の種類(NiP、N1CuP)によらず同様の傾向を示
すことから、成膜時の結晶配向に際して何らかの形状効
果が影響していると考えられる。
[発明の効果]
以上説明したとおり、この発明は表面硬化層を有する基
板の上記表面硬化層を平均粗さ400〜1000久に粗
化し、上記基板を加熱して上記表面硬化層に上記基板と
ほぼ垂直な方向に磁化容易軸を有するCoCrで形成さ
れた記録層を設けることにより、従来と比べて低温で大
きな出力の垂直磁気記録媒体の製造方法を得ることがで
きる。
板の上記表面硬化層を平均粗さ400〜1000久に粗
化し、上記基板を加熱して上記表面硬化層に上記基板と
ほぼ垂直な方向に磁化容易軸を有するCoCrで形成さ
れた記録層を設けることにより、従来と比べて低温で大
きな出力の垂直磁気記録媒体の製造方法を得ることがで
きる。
第1図はこの発明の一実施例による垂直磁気記録媒体の
新面図、第2図はこの発明の実施例による垂直磁気記録
媒体と従来例とを比較して示すCoCr成膜時の基板温
度130,150,200℃の場合の、表面硬化層の表
面粗度(ス)および出力(dB)にょるHCI(Oe)
変化を示す特性図、第3図は比較例のNiPの表面粗度
20スの基板を用いた場合の、 CoCr成膜時の基板
温度(℃)および出力(dB)によるHcl(Oe)変
化を示す特性図、第4図はこの発明の他の実施例による
垂直磁気記録媒体の、表面硬化層の表面粗度によるHc
4変化を示す特性図である。 図において、 (1)は基板、 (2)は粗化された表面 硬化層、(3)はCoCrで形成された記録層である。
新面図、第2図はこの発明の実施例による垂直磁気記録
媒体と従来例とを比較して示すCoCr成膜時の基板温
度130,150,200℃の場合の、表面硬化層の表
面粗度(ス)および出力(dB)にょるHCI(Oe)
変化を示す特性図、第3図は比較例のNiPの表面粗度
20スの基板を用いた場合の、 CoCr成膜時の基板
温度(℃)および出力(dB)によるHcl(Oe)変
化を示す特性図、第4図はこの発明の他の実施例による
垂直磁気記録媒体の、表面硬化層の表面粗度によるHc
4変化を示す特性図である。 図において、 (1)は基板、 (2)は粗化された表面 硬化層、(3)はCoCrで形成された記録層である。
Claims (1)
- 表面硬化層を有する基板の上記表面硬化層を平均粗さ4
00〜1000Åに粗化し、上記基板を加熱して上記表
面硬化層に上記基板とほぼ垂直な方向に磁化容易軸を有
するCoCrで形成された記録層を設ける垂直磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30654988A JPH02152013A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30654988A JPH02152013A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02152013A true JPH02152013A (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=17958377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30654988A Pending JPH02152013A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02152013A (ja) |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP30654988A patent/JPH02152013A/ja active Pending
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