JPH04157626A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04157626A JPH04157626A JP28368490A JP28368490A JPH04157626A JP H04157626 A JPH04157626 A JP H04157626A JP 28368490 A JP28368490 A JP 28368490A JP 28368490 A JP28368490 A JP 28368490A JP H04157626 A JPH04157626 A JP H04157626A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、磁気ディスク装置は、記憶容量、アクセス時間、
及びコストの点て優れた記憶装置であるため、パーソナ
ルコンピューターから大型電子計算機まで幅広く使用さ
れている。
及びコストの点て優れた記憶装置であるため、パーソナ
ルコンピューターから大型電子計算機まで幅広く使用さ
れている。
近年、膨大なデータの迅速な処理と計算機の小型化の要
望があり、それに伴って、大容量・高密度を実現する磁
気記録媒体の開発か進められている。このような背景か
ら均一な薄膜を容易に形成することかできるスパッタリ
ング法によって磁性層を形成した磁気記録媒体の開発か
進められている。一般的に磁性層には、Ｃｏ合金系、例
えばＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金薄膜か使用されている。
望があり、それに伴って、大容量・高密度を実現する磁
気記録媒体の開発か進められている。このような背景か
ら均一な薄膜を容易に形成することかできるスパッタリ
ング法によって磁性層を形成した磁気記録媒体の開発か
進められている。一般的に磁性層には、Ｃｏ合金系、例
えばＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金薄膜か使用されている。
従来の磁気記録媒体の製造方法は、アルミニウム合金等
からなる非磁性基板上に無電解Ｎ１−Ｐメツキ等によっ
て非磁性基体層を被着し、この非磁性基体層上にスパッ
タリングによりＣｒ薄膜等からなる非磁性金属下地層を
被着し、その上にＣｏ系合金等からなる磁性層を設けて
、更にその上に保護潤滑層を被覆するものである。
からなる非磁性基板上に無電解Ｎ１−Ｐメツキ等によっ
て非磁性基体層を被着し、この非磁性基体層上にスパッ
タリングによりＣｒ薄膜等からなる非磁性金属下地層を
被着し、その上にＣｏ系合金等からなる磁性層を設けて
、更にその上に保護潤滑層を被覆するものである。
ここで、非磁性基板は、所定の表面粗さ、平行度、及び
平面度に仕上げられている。また、非磁性基板は、表面
を機械的研磨によって鏡面仕上げされており、さらに、
磁気記録装置のヘッドへの吸着防止と磁気特性向上のた
めに、研磨テープにより同心円状に研磨溝を設けるテク
スチャリング処理を施している。
平面度に仕上げられている。また、非磁性基板は、表面
を機械的研磨によって鏡面仕上げされており、さらに、
磁気記録装置のヘッドへの吸着防止と磁気特性向上のた
めに、研磨テープにより同心円状に研磨溝を設けるテク
スチャリング処理を施している。
特開昭６３−４２０２７号公報によれば、ポリッシング
基板は、不規則な方向に研磨痕があるので、磁気記録媒
体の高密度化を目的とし、非磁性金属下地層の層厚を増
し保持力（Ｈｃ）を高くするとモジュレーションか発生
するという問題かあった。この時に発生するモジュレー
ション（ディスクの円周方向の出力変動）を非磁性基体
層へのテクスチャリング処理によって解消している。
基板は、不規則な方向に研磨痕があるので、磁気記録媒
体の高密度化を目的とし、非磁性金属下地層の層厚を増
し保持力（Ｈｃ）を高くするとモジュレーションか発生
するという問題かあった。この時に発生するモジュレー
ション（ディスクの円周方向の出力変動）を非磁性基体
層へのテクスチャリング処理によって解消している。
また、特開昭６３−１９７０３０号公報では、磁気記録
装置のヘットへの吸着防止のために非磁性基体層へ粗い
テクスチャリングを施した後に、充分な磁気異方性を与
えるために細かいテクスチャリングを施して磁気特性を
向上させることを開示している。
装置のヘットへの吸着防止のために非磁性基体層へ粗い
テクスチャリングを施した後に、充分な磁気異方性を与
えるために細かいテクスチャリングを施して磁気特性を
向上させることを開示している。
［発明か解決しようとする課題］
しかしなから、特開昭６３−４２０２７号公報に示すよ
うに、非磁性金属下地層の層厚を増し、かつ、テクスチ
ャリングを施すことによって、ディスクの円周方向の出
力変動であるモジュレーションの発生を防止しつつ保磁
力を高くすることかできるか、シグナルノイス比（Ｓ
／Ｎ）やオーバーライド（０／Ｗ）等の電磁変換特性に
関しては向上されていない。しかも、特開昭６３−１９
７０３０号公報に示すようにテクスチャリングを複数回
施すのはコスト高にもなる欠点を有する。
うに、非磁性金属下地層の層厚を増し、かつ、テクスチ
ャリングを施すことによって、ディスクの円周方向の出
力変動であるモジュレーションの発生を防止しつつ保磁
力を高くすることかできるか、シグナルノイス比（Ｓ
／Ｎ）やオーバーライド（０／Ｗ）等の電磁変換特性に
関しては向上されていない。しかも、特開昭６３−１９
７０３０号公報に示すようにテクスチャリングを複数回
施すのはコスト高にもなる欠点を有する。
また、電子情報通信学会技術研究報告Ｖｏ１．８８Ｎｏ
、３８ ＭＲ８８−２ｒスパッタリング金属薄膜ディス
クの媒体ノイズ」によれば、磁気記録媒体製造工程にお
けるスパッタリング処理においてＡｒカス圧が低いはと
、基板温度か高いはと、製造された磁気記録媒体は、異
方性か大きくなり、媒体ノイズは増加し、この傾向はテ
クスチャリングを施した基板に顕著に現われると述べて
いる。このように、従来のテクスチャリングを施した非
磁性基体層上にスパッタリング法によって非磁性金属下
地層及び磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法によ
るものでは、電磁変換特性を全て満足させるものがなか
った。
、３８ ＭＲ８８−２ｒスパッタリング金属薄膜ディス
クの媒体ノイズ」によれば、磁気記録媒体製造工程にお
けるスパッタリング処理においてＡｒカス圧が低いはと
、基板温度か高いはと、製造された磁気記録媒体は、異
方性か大きくなり、媒体ノイズは増加し、この傾向はテ
クスチャリングを施した基板に顕著に現われると述べて
いる。このように、従来のテクスチャリングを施した非
磁性基体層上にスパッタリング法によって非磁性金属下
地層及び磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法によ
るものでは、電磁変換特性を全て満足させるものがなか
った。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものてあり、電磁
変換特性の優れた磁気記録媒体を容易に製造することが
できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
変換特性の優れた磁気記録媒体を容易に製造することが
できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
［課題を解決するための手段〕
本発明は、非磁性基板上に基板温度か１００〜２８０℃
であり、１０〜１００ｍＴｏｒｒの不活性ガス雰囲気中
で非磁性金属下地層及び磁性層をスパッタリングによっ
て順次積層して形成する工程と、前記磁性層上に保護潤
滑層を形成する工程と、を具備することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法である。なお、基板上に非磁性基
体層を形成することにより非磁性基板を構成してもよい
。
であり、１０〜１００ｍＴｏｒｒの不活性ガス雰囲気中
で非磁性金属下地層及び磁性層をスパッタリングによっ
て順次積層して形成する工程と、前記磁性層上に保護潤
滑層を形成する工程と、を具備することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法である。なお、基板上に非磁性基
体層を形成することにより非磁性基板を構成してもよい
。
ここで、不活性ガス圧と基板加熱温度は、高密度磁気記
録媒体に必要とされる電磁変換特性を実現する薄膜か形
成されるように設定する。即ち、一般に電磁変換特性は
、Ｓ／Ｎか２８ｄＢ以上、０／Ｗか一２７ｄＢ以下、並
びに２Ｆ出力かＱ、５ｍＶ以上か必要と言われている。
録媒体に必要とされる電磁変換特性を実現する薄膜か形
成されるように設定する。即ち、一般に電磁変換特性は
、Ｓ／Ｎか２８ｄＢ以上、０／Ｗか一２７ｄＢ以下、並
びに２Ｆ出力かＱ、５ｍＶ以上か必要と言われている。
そこで目標値をＳ／Ｎか３０ｄＢ、Ｏ／Ｗか一２９ｄＢ
。
。
並びに２Ｆ出力か０．７ｍＶとすると、これは不活性ガ
ス圧１０〜１００ｍＴｏ ｒ ｒ、基板加熱温度１００
〜２８０℃とすることにより達成することかできる。な
お、不活性ガス圧は、スパッタリング時に安定したプラ
ズマか得られ、且つ生産性を考慮して所望の成膜速度か
得られる範囲内のものであり、基板加熱温度は、Ｎ１−
Ｐメツキ等の非磁性基板が磁化しない範囲内であること
は言うまでもない。
ス圧１０〜１００ｍＴｏ ｒ ｒ、基板加熱温度１００
〜２８０℃とすることにより達成することかできる。な
お、不活性ガス圧は、スパッタリング時に安定したプラ
ズマか得られ、且つ生産性を考慮して所望の成膜速度か
得られる範囲内のものであり、基板加熱温度は、Ｎ１−
Ｐメツキ等の非磁性基板が磁化しない範囲内であること
は言うまでもない。
［作用］
本発明に係る磁気記録媒体の製造方法では、非磁性金属
下地層及び磁性層をスパッタリングする際に不活性ガス
圧を１０ないし１００ｍＴｏ ｒ ｒにし、基板を１０
０ないし２８０°Ｃに加熱している。不活性ガス圧を１
０ないし１００ｍＴｏ ｒ ｒにすることによって、被
着された薄膜の異方性か減少するた於テクスチャリング
を施した基板に限らず、不規則な方向に研磨痕かできる
ポリッシング基板でも容易にモンユレＬジョンを防止す
ることかできる。また、基板加熱温度を１００ないし２
８０°Ｃにすることによって、非磁性基板表面の汚染か
除去され、非磁性基板と非磁性金属下地層の密着性か向
上し、さらにＳ／Ｎ、Ｏ／Ｗ、並びに２Ｆ出力か向上す
る。
下地層及び磁性層をスパッタリングする際に不活性ガス
圧を１０ないし１００ｍＴｏ ｒ ｒにし、基板を１０
０ないし２８０°Ｃに加熱している。不活性ガス圧を１
０ないし１００ｍＴｏ ｒ ｒにすることによって、被
着された薄膜の異方性か減少するた於テクスチャリング
を施した基板に限らず、不規則な方向に研磨痕かできる
ポリッシング基板でも容易にモンユレＬジョンを防止す
ることかできる。また、基板加熱温度を１００ないし２
８０°Ｃにすることによって、非磁性基板表面の汚染か
除去され、非磁性基板と非磁性金属下地層の密着性か向
上し、さらにＳ／Ｎ、Ｏ／Ｗ、並びに２Ｆ出力か向上す
る。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の磁気記録媒体の製造方法
について説明する。
について説明する。
実施例１
第１図は本発明に係る製造方法によって得られた磁気記
録媒体の断面図である。
録媒体の断面図である。
アルミニウム合金基板１上に非磁性基体層２として無電
解Ｎ１−Ｐメツキを１５μｍ施し、その表面を平均表面
粗さＲａ＝２０人に鏡面仕上げした。非磁性基体層２上
に直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス圧１０
ｍＴｏ ｒ ｒＸ基板加熱温度１００ ’Ｃの条件下で
、非磁性金属下地層３としてＣｒを厚さ０．１μｍで被
着した。非磁性金属下地層３上に磁性層４として、Ａｒ
ガス圧１０ｍＴｏ ｒ ｒ、基板加熱温度１００°Ｃの
条件下で、Ｃｏ系合金（Ｃｏ’ ３０ａｔ９６Ｎ ｉ
７． ５ａ１％Ｃｒ）を厚さ０１０５μｍで被着し
た。更に、磁性層４上に保護潤滑層５としてカーボンを
厚さ０．０３μｍで被覆して磁気記録媒体（実施例１）
を作成した。
解Ｎ１−Ｐメツキを１５μｍ施し、その表面を平均表面
粗さＲａ＝２０人に鏡面仕上げした。非磁性基体層２上
に直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス圧１０
ｍＴｏ ｒ ｒＸ基板加熱温度１００ ’Ｃの条件下で
、非磁性金属下地層３としてＣｒを厚さ０．１μｍで被
着した。非磁性金属下地層３上に磁性層４として、Ａｒ
ガス圧１０ｍＴｏ ｒ ｒ、基板加熱温度１００°Ｃの
条件下で、Ｃｏ系合金（Ｃｏ’ ３０ａｔ９６Ｎ ｉ
７． ５ａ１％Ｃｒ）を厚さ０１０５μｍで被着し
た。更に、磁性層４上に保護潤滑層５としてカーボンを
厚さ０．０３μｍで被覆して磁気記録媒体（実施例１）
を作成した。
この磁気記録媒体に対して、モジュレーション、Ｓ／Ｎ
、０／Ｗ、及び２Ｆ出力の電磁変換特性、並びに非磁性
基体層と非磁性金属下地層との密着性について評価した
。その結果を第１表に示す。
、０／Ｗ、及び２Ｆ出力の電磁変換特性、並びに非磁性
基体層と非磁性金属下地層との密着性について評価した
。その結果を第１表に示す。
実施例２
基板加熱温度を２８０℃にした以外は、実施例１と同様
にして磁気記録媒体（実施例２）を作成した。この磁気
記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特性及び
密着性を評価した。その結果を第１表に併記する。
にして磁気記録媒体（実施例２）を作成した。この磁気
記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特性及び
密着性を評価した。その結果を第１表に併記する。
実施例３
Ａｒガス圧を１００ｍＴｏｒｒにした以外は、実施例１
と同様にして磁気記録媒体（実施例３）を作成した。こ
の磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特
性及び密着性を評価した。
と同様にして磁気記録媒体（実施例３）を作成した。こ
の磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特
性及び密着性を評価した。
その結果を第１表に併記する。
実施例４
基板加熱温度を２８０℃にし、Ａｒガス圧を１００ｍＴ
ｏ ｒ ｒにした以外は、実施例１と同様にして磁気記
録媒体（実施例４）を作成した。この磁気記録媒体に対
して、実施例１と同様に電磁変換特性及び密着性を評価
した。その結果を第１表に併記する。
ｏ ｒ ｒにした以外は、実施例１と同様にして磁気記
録媒体（実施例４）を作成した。この磁気記録媒体に対
して、実施例１と同様に電磁変換特性及び密着性を評価
した。その結果を第１表に併記する。
実施例ら
非磁性基体層２の表面を鏡面仕上げする代わりに、平均
表面粗さＲａ−６０人にテクスチャリングした以外は、
実施例１と同様にして磁気記録媒体（実施例５）を作成
した。この磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に電
磁変換特性及び密着性を評価した。その結果を第１表に
併記する。
表面粗さＲａ−６０人にテクスチャリングした以外は、
実施例１と同様にして磁気記録媒体（実施例５）を作成
した。この磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に電
磁変換特性及び密着性を評価した。その結果を第１表に
併記する。
実施例６
基板加熱温度を２８０℃にした以外は、実施例５と同様
にして磁気記録媒体（実施例６）を作成した。この磁気
記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特性及び
密着性を評価した。その結果を第１表に併記する。なお
、この磁気記録媒体について、円周方向と半径方向の静
磁気特性を振動試料型磁力計（ＶＳＭ）によって測定し
、それぞれ第２図（Ｃ）、第２図（ｄ）に示した。
にして磁気記録媒体（実施例６）を作成した。この磁気
記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特性及び
密着性を評価した。その結果を第１表に併記する。なお
、この磁気記録媒体について、円周方向と半径方向の静
磁気特性を振動試料型磁力計（ＶＳＭ）によって測定し
、それぞれ第２図（Ｃ）、第２図（ｄ）に示した。
実施例７
Ａｒガス圧を１００ｍＴｏ ｒ ｒにした以外は、実施
例５と同様にして磁気記録媒体（実施例７）を作成した
。この磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変
換特性及び密着性を評価した。
例５と同様にして磁気記録媒体（実施例７）を作成した
。この磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変
換特性及び密着性を評価した。
その結果を第１表に併記する。
実施例８
基板加熱温度を２８０℃にし、Ａｒガス圧を１００ｍＴ
ｏ ｒ ｒにした以外は、実施例５と同様にして磁気記
録媒体（実施例８）を作成した。この磁気記録媒体に対
して、実施例１と同様に電磁変換特性及び密着性を評価
した。その結果を第１表に併記する。なお、この磁気記
録媒体について、円周方向と半径方向の静磁気特性を振
動試料型磁力計（ＶＳＭ）によって測定し、それぞれ第
２図（ａ）、第２図（ｂ）に示した。
ｏ ｒ ｒにした以外は、実施例５と同様にして磁気記
録媒体（実施例８）を作成した。この磁気記録媒体に対
して、実施例１と同様に電磁変換特性及び密着性を評価
した。その結果を第１表に併記する。なお、この磁気記
録媒体について、円周方向と半径方向の静磁気特性を振
動試料型磁力計（ＶＳＭ）によって測定し、それぞれ第
２図（ａ）、第２図（ｂ）に示した。
比較例Ｉ
Ａｒガス圧を５ｍＴｏｒｒにした以外は、実施例１と同
様にして磁気記録媒体（比較例１）を作成した。この磁
気記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特性及
び密着性を評任した。その結果を第１表に併記する。
様にして磁気記録媒体（比較例１）を作成した。この磁
気記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特性及
び密着性を評任した。その結果を第１表に併記する。
比較例２
基板加熱温度を室温にした以外は、実施例１と同様にし
て磁気記録媒体（比較例１）を作成した。
て磁気記録媒体（比較例１）を作成した。
この磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換
特性及び密着性を評価した。その結果を第１表に併記す
る。
特性及び密着性を評価した。その結果を第１表に併記す
る。
比較例３
基板加熱温度を室温にし、Ａｒガス圧を５ｍＴｏｒｒに
した以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体（比較
例３）を作成した。この磁気記録媒体に対して、実施例
１と同様に電磁変換特性及び密着性を評価した。その結
果を第１表に併記する。
した以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体（比較
例３）を作成した。この磁気記録媒体に対して、実施例
１と同様に電磁変換特性及び密着性を評価した。その結
果を第１表に併記する。
比較例４
Ａｒカス圧を５ｍＴｏ ｒ ｒにした以外は、実施例５
と同様にして磁気記録媒体（比較例４）を作成した。こ
の磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特
性及び密着性を評価した。その結果を第１表に併記する
。
と同様にして磁気記録媒体（比較例４）を作成した。こ
の磁気記録媒体に対して、実施例１と同様に電磁変換特
性及び密着性を評価した。その結果を第１表に併記する
。
比較例５
基板加熱温度を室温にした以外は、実施例５と同様にし
て磁気記録媒体（比較例５）を作成した。
て磁気記録媒体（比較例５）を作成した。
この磁気記録媒体に対して、実施例］と同様に電磁変換
特性及び密着性を評価した。その結果を第１表に併記す
る。
特性及び密着性を評価した。その結果を第１表に併記す
る。
比較例６
基板加熱温度を室温にし、Ａｒカス圧を５ｍＴｏｒｒに
した以外は、実施例５と同様にして磁気記録媒体（比較
例６）を作成した。この磁気記録媒体に対して、実施例
１と同様に電磁変換特性及び密着性を評価した。その結
果を第１表に併記する。
した以外は、実施例５と同様にして磁気記録媒体（比較
例６）を作成した。この磁気記録媒体に対して、実施例
１と同様に電磁変換特性及び密着性を評価した。その結
果を第１表に併記する。
第１表から明らかなように、本発明の製造方法によって
得られた磁気記録媒体（実施例１〜８）は、モジュレー
ションの発生がなく、Ｓ／Ｎ。
得られた磁気記録媒体（実施例１〜８）は、モジュレー
ションの発生がなく、Ｓ／Ｎ。
０／Ｗ、２Ｆ出力の電磁変換特性も要求される値を示し
、非磁性基体層と非磁性金属下地層との密着性も良好で
あった。しかも、非磁性基体層に鏡面仕上げ、テクスチ
ャリングのいずれの処理を施したものでも同様の結果か
得られた。これに対して、Ａｒガス圧か本発明の設定範
囲外で得られた磁気記録媒体（比較例１，３．４．６）
は、０／Ｗに関して要求される値か得られず、基板加熱
温度か本発明の設定範囲外で得られた磁気記録媒体（比
較例２．５）は２Ｆ出力に関して要求される値か得られ
なかった。しかも、非磁性基体層に鏡面仕上げを施し、
Ａｒガス圧か本発明の設定範囲外で得られた磁気記録媒
体（比較例１．３）は、モジュレーションも発生した。
、非磁性基体層と非磁性金属下地層との密着性も良好で
あった。しかも、非磁性基体層に鏡面仕上げ、テクスチ
ャリングのいずれの処理を施したものでも同様の結果か
得られた。これに対して、Ａｒガス圧か本発明の設定範
囲外で得られた磁気記録媒体（比較例１，３．４．６）
は、０／Ｗに関して要求される値か得られず、基板加熱
温度か本発明の設定範囲外で得られた磁気記録媒体（比
較例２．５）は２Ｆ出力に関して要求される値か得られ
なかった。しかも、非磁性基体層に鏡面仕上げを施し、
Ａｒガス圧か本発明の設定範囲外で得られた磁気記録媒
体（比較例１．３）は、モジュレーションも発生した。
比較例７
基板加熱温度を２８０℃にし、Ａｒガス圧を２ｍＴｏ
ｒ ｒにした以外は、実施例５と同様にして磁気記録媒
体（比較例７）を作成した。なお、この磁気記録媒体に
ついて、円周方向と半径方向の静磁気特性を振動試料型
磁力計（ＶＳＭ）によって測定し、それぞれ第２図（ｇ
）、第２図（ｈ）に示した。
ｒ ｒにした以外は、実施例５と同様にして磁気記録媒
体（比較例７）を作成した。なお、この磁気記録媒体に
ついて、円周方向と半径方向の静磁気特性を振動試料型
磁力計（ＶＳＭ）によって測定し、それぞれ第２図（ｇ
）、第２図（ｈ）に示した。
比較例８
基板加熱温度を２８０℃にし、Ａ「カス圧を５ｍＴｏ
ｒ ｒにした以外は、実施例５と同様にして磁気記録媒
体（比較例８）を作成した。なお、この磁気記録媒体に
ついて、円周方向と半径方向の静磁気特性を振動試料型
磁力計（ＶＳＭ）によって測定し、それぞれ第２図（ｅ
）、第２図（ｆ）に示した。
ｒ ｒにした以外は、実施例５と同様にして磁気記録媒
体（比較例８）を作成した。なお、この磁気記録媒体に
ついて、円周方向と半径方向の静磁気特性を振動試料型
磁力計（ＶＳＭ）によって測定し、それぞれ第２図（ｅ
）、第２図（ｆ）に示した。
第２図（ａ）〜（ｄ）から明らかなように、本発明の設
定範囲内のＡｒガス圧で製造された磁気記録媒体（実施
例６，８）の静磁気特性はディスク円周方向と半径方向
で異方性か小さい。これに対して、第２図（ｅ）〜（ｈ
）から明らかなように、Ａｒガス圧か本発明の設定範囲
外で得られた磁気記録媒体（比較例７．８）の静磁気特
性はディスク円周方向と半径方向で異方性か太きかつｔ
二。
定範囲内のＡｒガス圧で製造された磁気記録媒体（実施
例６，８）の静磁気特性はディスク円周方向と半径方向
で異方性か小さい。これに対して、第２図（ｅ）〜（ｈ
）から明らかなように、Ａｒガス圧か本発明の設定範囲
外で得られた磁気記録媒体（比較例７．８）の静磁気特
性はディスク円周方向と半径方向で異方性か太きかつｔ
二。
［発明の効果〕
以上説明し叱如く、本発明にかかる磁気記録媒体の製造
方法によれば、テクスチャリングの有無に関係なくモシ
ュレーンヨンの発生を防止することができ、且つ高密度
記録時のＳ／Ｎ、０／Ｗ、２Ｆ出力等の電磁変換特性の
優れた磁気記録媒体を容易に製造することかできるもの
である。
方法によれば、テクスチャリングの有無に関係なくモシ
ュレーンヨンの発生を防止することができ、且つ高密度
記録時のＳ／Ｎ、０／Ｗ、２Ｆ出力等の電磁変換特性の
優れた磁気記録媒体を容易に製造することかできるもの
である。
第１図は、本発明によって得られた磁気記録媒体の断面
図、第２図（ａ）、（ｃ）、（ｅ）。 （ｇ）は、各々実施例及び比較例の磁気記録媒体の円周
方向における静磁気特性を示す特性図、第２図（ｂ）、
（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）は、各々実施例及び比較例の磁
気記録媒体の半径方向における静磁気特性を示す特性図
である。 １・・・アルミニウム合金基板、２・・・非磁性基体層
、３・・・非磁性金属下地層、４・・・磁性層、５・・
保護潤滑層。 実施例８ ＡｒＥＥｌｏｌ）ｍＴｏ＋＋、円周方同第
２１！Ｉ（ａ） 比む例４ ＡｒｒｆｌｏｍＴｏｒｒ、円周方向第２図
（ｃ） 比較例８ＡＴ圧５ｒｎＴｏｒ＋、円周方向第２図（ｅ） 第２図（９） 実ｍｔ１８．Ａｒ圧１００ｍＴｏｒｒ、半径方向第２図
（ｂ） 実ｍ例４ Ａｒ圧１０ｍＴｏｒ ｒ 、 ＄１１方向
業２図（ｄ） 比較例８ Ａｒ圧５ｍＴｏ＋＋、手征方向第 ２ 図
（ｆ） １ 比較例７ ＡＴ圧２ｒｎＴｏｒ＋、半径方向第
２図（ｈ）
図、第２図（ａ）、（ｃ）、（ｅ）。 （ｇ）は、各々実施例及び比較例の磁気記録媒体の円周
方向における静磁気特性を示す特性図、第２図（ｂ）、
（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）は、各々実施例及び比較例の磁
気記録媒体の半径方向における静磁気特性を示す特性図
である。 １・・・アルミニウム合金基板、２・・・非磁性基体層
、３・・・非磁性金属下地層、４・・・磁性層、５・・
保護潤滑層。 実施例８ ＡｒＥＥｌｏｌ）ｍＴｏ＋＋、円周方同第
２１！Ｉ（ａ） 比む例４ ＡｒｒｆｌｏｍＴｏｒｒ、円周方向第２図
（ｃ） 比較例８ＡＴ圧５ｒｎＴｏｒ＋、円周方向第２図（ｅ） 第２図（９） 実ｍｔ１８．Ａｒ圧１００ｍＴｏｒｒ、半径方向第２図
（ｂ） 実ｍ例４ Ａｒ圧１０ｍＴｏｒ ｒ 、 ＄１１方向
業２図（ｄ） 比較例８ Ａｒ圧５ｍＴｏ＋＋、手征方向第 ２ 図
（ｆ） １ 比較例７ ＡＴ圧２ｒｎＴｏｒ＋、半径方向第
２図（ｈ）
Claims (1)
- 非磁性基板上に基板温度が１００〜２８０℃であり、１
０〜１００ｍＴｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で非磁性金
属下地層及び磁性層をスパッタリングによって順次積層
して形成する工程と、前記磁性層上に保護潤滑層を形成
する工程と、を具備することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28368490A JPH04157626A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28368490A JPH04157626A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04157626A true JPH04157626A (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=17668738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28368490A Pending JPH04157626A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04157626A (ja) |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28368490A patent/JPH04157626A/ja active Pending
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