JPH0215382B2

JPH0215382B2 -

Info

Publication number: JPH0215382B2
Application number: JP59075508A
Authority: JP
Inventors: Kazu Yamanaka; Shigemasa Kawai; Yoshuki Fukumoto
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 1984-04-13
Filing date: 1984-04-13
Publication date: 1990-04-11
Also published as: JPS60219042A

Description

【発明の詳細な説明】

（技術分野）本発明は耐透湿性透明合成樹脂体、特に透明合
成樹脂体基材上に耐透湿性に優れた透明薄膜の設
けられた合成樹脂体に関する。（従来技術）包装材料、特に食品、薬品、化学製品などの包
装に用いられる包装材料は、内容物の変質を防ぐ
ために耐透湿機能をもつていることが必要であ
る。電子工業分野においても防湿性の保護膜を有
するEL素子などが必要である。そのために、従
来は、例えば合成樹脂基材フイルムにアルミニウ
ム箔を貼り合わせてアルミニウム箔の耐透湿特性
を利用することが行われている。この場合の包装
材料は、耐透湿性については優れているが合成樹
脂基材フイルムの透明性が損なわれ内容物を透視
することができない。しかも、フレキシビリテイ
が極端に低減するためピンホールを生じるおそれ
がある。包装材料の別の例としては、それ自体が
耐透湿性を有する塩化ビニリデン系フイルム、フ
ツ素系樹脂フイルム等がある。これらフイルムは
耐透湿性を厳しく要求される用途にはフイルム厚
を厚くしなければならず、製造作業にも種々の問
題が生じる。また、特開昭51−114483号公報にはポリエステ
ルフイルムの表面にアルミニウムを蒸着すること
により防湿性を向上させる試みがなされている。
しかし、アルミ蒸着膜は不透明であるために、こ
れを包装材料に使用したときには内容物を透視す
ることができない。しかも、蒸着されたアルミニ
ウムと基材フイルムとの密着強度も比較的低いた
めその界面において剥離の生じるおそれがある。このような従来の包装材料の欠点を改良すべ
く、例えば特公昭53−12953号公報にはプラスチ
ツク表面にケイ素酸化物を蒸着した透明防湿フイ
ルムが提案されている。しかしながら、ケイ素酸
化物は水と接触すると徐々に溶解するため、これ
を蒸着したフイルムは充分な耐透湿性能を有し得
ない。経時的に性能が劣化するという欠点もあ
る。特開昭54−152089号公報には金属、金属酸化
物および酸化ケイ素を蒸着したポリエステルフイ
ルムが開示されている。この蒸着フイルムは基材
にポリエステルフイルムが用いられたときのみそ
の耐透湿性能を発現しうるにすぎない。電子工業分野においても、近年ますます、EL
素子や太陽電池などに透明でしかも高度の耐透湿
性能を有する合成樹脂体が要求されつつある。（発明の目的）本発明の目的は、極めて優れた耐透湿性を有す
る合成樹脂体を提供することにある。本発明の他
の目的は耐透湿性にバラツキのない透明合成樹脂
体を提供することにある。本発明のさらに他の目
的は、透明性に優れた耐透湿性合成樹脂体を提供
することにある。（発明の構成）本発明の合成樹脂体のベースとなる透明合成樹
脂基材（以下、基材という）としては、例えば、
ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリビニルブチ
ラール、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエ
ステル、ポリアミド、セロハンなどの透明な合成
樹脂体が使用される。これら合成樹脂は、例え
ば、フイルム状、板状、レンズ状などに成形され
る。基材として可撓性フイルムを使用する場合に
は、通常、厚さが５〜300μｍ好ましくは５〜
100μｍのフイルムが用いられる。このようなフ
イルムに金属酸化物などを蒸着する場合には、一
般に、冷却ロールを用いた巻取り工程が必要であ
る。基材フイルムの厚さが過度に薄いと、この巻
取り工程において、しわや亀裂が生じやすくな
る。フイルム厚が300μｍを超えると、柔軟性に
乏しくなり連続巻取りが困難になる。この透明合成樹脂基材上に設けられるマグネシ
ウム酸化物透明薄膜（以下、マグネシウム酸化物
薄膜という）やアモルフアス状透明薄膜（以下、
アモルフアス状薄膜という）は蒸着膜である。こ
こでいうアモルフアス状透明薄膜とは後述の組成
物の蒸着膜であり、かつこの蒸着膜に50Å以上の
大きさの結晶が存在せず、電子線回折でハローパ
ターンのみが観察される状態の透明薄膜をいう。このマグネシウム酸化物薄膜は、例えば、真空
蒸着法、反応蒸着法等により形成される。真空蒸
着法によれば、真空槽内で例えば酸化マグネシウ
ムが電子銃で加熱されて蒸発し蒸着膜を形成す
る。反応蒸着法によれば、真空槽内で金属マグネ
シウムが蒸発し、これが槽内に導入された酸素と
反応してマグネシウム酸化物の蒸着膜を形成す
る。いずれの方法も水などを水蒸気の形で微量導
入することにより、形成される蒸着膜の耐透湿性
を向上させることができる。アモルフアス状薄膜は、二酸化ケイ素、酸化ホ
ウ素及び酸化バリウムと酸化アルミニウムの少な
くとも一方からなる組成物もしくはSiOやSiO₂な
どのケイ素酸化物で形成されており、上記組成物
のモル比が二酸化ケイ素２〜４、酸化ホウ素１〜
２、そして酸化バリウムと酸化アルミニウムとの
総量が0.3〜１のとき、得られる透明合成樹脂体
は耐透湿性に著しく優れる。しかも、その耐透湿
性にバラツキがない。組成物の成分比が上記の値
から外れると層分離を起こしやすくなり、耐透湿
性が低下する。酸化ホウ素が過剰に含まれると形
成される薄膜は耐透湿性に劣る。酸化バリウムと
酸化アルミニウムの合計量が過少であると薄膜は
耐水性に劣る。又、上記組成物に他の金属酸化物
が添加されてもよいが、他の成分として、例え
ば、酸化ナトリウムなどのアルカリ金属酸化物が
多量に含まれるとその親水性のために耐透湿性が
損なわれる。また、真空蒸着を行つて得られる蒸
着薄膜の成分含量にバラツキを生じやすい。上記アモルフアス状薄膜基材表面に形成される
方法としては、スパツタリング法が好ましい。ス
パツタリングの蒸着源として上記組成物を用いる
とほぼ同じ組成のアモルフアス状薄膜が形成され
る。真空蒸着法、イオンプレーテイング法によつ
ても、アモルフアス状薄膜が形成されうる。真空
蒸着法では、一般に、蒸気圧の異なる混合物質を
そのままの組成で薄膜層に形成するのは困難であ
るとされている。しかし、本発明者らは上記組成
物をあらかじめ電気炉で溶融しガラス化して得た
蒸発材を使用し、これを電子銃加熱方式で蒸発さ
せれば、ほぼ同じ組成の蒸着膜が得られることを
確認した。混合物を真空蒸着する時に用いられる
フラツシユ蒸着法によつても、上記の組成の蒸着
膜が形成されうる。本発明の耐透湿性透明合成樹脂体は、基材の少
なくとも片面に上記二種類の蒸着膜が順次もしく
はサンドイツチ状に積層されて形成される。例え
ば、第１図に示すように透明合成樹脂フイルム基
材１の表面にアモルフアス状薄膜２が形成され、
さらにその上にマグネシウム酸化物薄膜３が形成
される。これらアモルフアス状透明薄膜２と酸化
マグネシウム透明薄膜３とが、第２図に示すよう
に、第１図とは逆の順序で形成されていてもよ
い。あるいは、第３図に示すように、二層の酸化
マグネシウム透明薄膜３，３の間にアモルフアス
状薄膜２がサンドイツチ状に配置されてもよい。
三層以上の多層構造に構成すると得られる合成樹
脂体の耐透湿性は飛躍的に向上する。マグネシウム酸化物薄膜をＸ線回折、反射型高
速電子線回折（RHEED）、走査電子顕微鏡など
の手段で観察すると、この薄膜は多結晶構造を有
することがわかる。基材上にマグネシウム酸化物
薄膜を形成しただけでは水の分子はこの結晶の間
を通りぬけてしまい、充分な耐透湿性が得られな
い。アモルフアス状薄膜には結晶が存在してもそ
の結晶粒子は非常に小さい。それゆえ、このアモ
ルフアス状薄膜とマグネシウム酸化物薄膜とを積
層すると、水分子の通過する経路が効果的に遮断
され耐透湿性に極めて優れた合成樹脂体が得られ
る。酸化マグネシウム薄膜がアモルフアス状薄膜の
上に形成されると、酸化マグネシウム薄膜の結晶
粒子の大きさは例えば酸化マグネシウム薄膜がプ
ラスチツク基材上に形成されたときよりもはるか
に小さくなる。そのため、得られる合成樹脂体の
耐透湿性はさらに向上する。例えば厚さ15μｍの
ポリエチレンテレフタレートフイルムを基材とし
これにマグネシウム酸化物の薄膜を形成させると
その透湿度は0.5ｇ／m²・24hrs.である。同基材フ
イルムにアモルフアス状薄膜を形成させるとその
透湿度は1.5ｇ／m²・24hrs.となる。アモルフアス
状薄膜をマグネシウム酸化物薄膜ではさむサンド
イツチ状の三層構造薄膜を基材上に形成するとそ
の透湿度は0.06ｇ／m²・24hrs.という低い値にな
る。本発明の合成樹脂体はこのように透湿度に優れ
るため、各透明薄膜の厚さを後述するように非常
に薄くすることが可能になり、例えば基材がフイ
ルムのときでも蒸着時のフイルムの熱劣化を極小
にすることができ、それによつて生産性が著しく
向上する。基材上に形成される各薄膜はそれぞれの厚さが
100Å以上で、しかもその合計の厚さが200〜5000
Åである。薄膜の厚さが薄すぎると一様な連続膜
が形成され得ない。各薄膜の合計の厚さが5000Å
を越えても薄膜の透明性は損なわれないが、基材
との密着性が悪くなり亀裂や剥離が生じる。基材
がフイルムであるとき、このように各薄膜の合計
が5000Åを越える場合には、得られる合成樹脂体
にはカールの生じるおそれがある。本発明の合成樹脂体をフイルム状の包装材料と
して使用する場合には、この合成樹脂体フイルム
はヒートシール性を有することが好ましい。この
ような合成樹脂体フイルムの作製は、例えば、フ
イルム上のアモルフアス状薄膜またはフイルム上
のマグネシウム酸化物薄膜の上にヒートシール性
を有する合成樹脂フイルムが積層される。ヒート
シール性を有する合成樹脂フイルムを積層するに
は、例えば、接着剤を用いる法（ドライラミネー
ト法）、合成樹脂をフイルム状に溶融押出して基
材に圧着する法（エクストルージヨンラミネート
法）などがある。ドライラミネート法では、合成
樹脂フイルムの種類により使用される接着剤が異
なるが一般にイソシアネート系の接着剤が使われ
る。エクストルージヨンラミネート法において
は、透明薄膜層にアンカー効果を発現するために
通常行われる有機チタネート系、イソシアネート
系、ポリエチレンイミン系などのアンカー剤によ
るアンカー処理が不要となる。それゆえ、従来の
ように有機溶剤を使用する必要がなくなる。製造
作業環境を悪化させることも製品中に有機溶剤が
残存することもなくなる。上記ヒートシール性を
有する合成樹脂フイルムとしては、例えば、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニ
ル共重合体、エチレン系アイオノマーなどが挙げ
られる。このフイルムは透明性を有することはい
うまでもない。（実施例）以下に本発明の実施例について説明する。実施例１ (A) アモルフアス状薄膜の形成：二酸化ケイ素、
酸化ホウ素、酸化バリウムおよび酸化アルミニ
ウムの混合物（モル比３：１：0.67：0.33）を
電気炉で溶融しガラス化し溶融物を得た。厚さ15μｍのポリエチレンテレフタレート
（PET）の透明フイルムを基材として真空槽内
に配置した。槽内をあらかじめ５×10^-5トール
に排気したのち、上記の溶融物を蒸発源として
電子銃加熱方式で蒸発させ、100Å／sec.の成
膜速度で基材上に蒸着した。形成されたアモル
フアス状薄膜の厚さは500Åであり、その組成
をＸ線マイクロアナライザーで分析したところ
蒸発源の組成とほぼ同様であつた。 (B) 酸化マグネシウム薄膜の形成：(A)項で得られ
たアモルフアス状薄膜が形成されたフイルムを
真空槽内に配置した。槽内をあらかじめ５×
10^-5トールに排気したのち、純度99.7％の酸化
マグネシウムを電子ビーム加熱方式により蒸発
させ、水晶発振式モニターで成膜速度が約100
Å／sec.となるように制御しながら基材表面に
蒸着し、第１図に示される耐透湿性透明合成樹
脂体を得た。マグネシウム酸化物薄膜の厚さは
500Åとした。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：得られた合
成樹脂体の透明性を観察した。透湿度をJIS Ｚ
−0208にもとづいて測定した。薄膜の密着性に
ついてはJIS Ｄ−0202にもとづいて試験を行つ
た。その結果を表１に示す。表１においてＧは
アモルフアス状薄膜、Ｍはマグネシウム酸化物
薄膜を示し、かつ基材上に形成される各薄膜の
うち基材上に直接蒸着された薄膜を第１薄膜と
し、この第１薄膜上に蒸着される薄膜を第２薄
膜とし、そして第２薄膜上の薄膜を第３薄膜と
する。透明性の項において、◎は透明性が良好
であることを示す。薄膜の密着性の項におい
て、◎は薄膜と基材との密着性が良好であるこ
とを示す。実施例２ (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し
た。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例１(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成し、第２図
に示される耐透湿性透明合成樹脂体を得た。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。実施例３ (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し
た。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例１(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成した。 (C) 酸化マグネシウム薄膜の形成：(B)項で得られ
たアモルフアス状薄膜上に実施例１(B)項の方法
に準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成し、第
３図に示される耐透湿性透明合成樹脂体を得
た。 (D) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１と
同様である。比較例１実施例１と同質の基材の透湿度をJIS Ｚ−0208
にもとづいて測定した。その結果を表１に示す。比較例２実施例１(A)項と同様の方法で基材上にアモルフ
アス状薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透
明合成樹脂体の評価法は実施例１(C)項と同様であ
る。比較例３実施例１(B)項と同様の方法で基材上にマグネシ
ウム酸化物薄膜のみを形成した。得られた耐透湿
性透明合成樹脂体の評価法は実施例１(C)項と同様
である。比較例４ (A) アモルフアス状薄膜の形成：実施例１(A)項と
同様である。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
アモルフアス状薄膜上に実施例１(A)項の方法に
準じてアモルフアス状薄膜を形成し耐透湿性透
明合成樹脂体を得た。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。比較例５ (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し
た。 (B) 酸化マグネシウム薄膜の形成：(A)項で得られ
た酸化マグネシウム薄膜上に実施例１(B)項の方
法に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し、耐
透湿性透明合成樹脂体を得た。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。

【表】実施例４ (A) アモルフアス状薄膜の形成：純度99.9％の酸
化ケイ素を蒸発源とし、電子ビーム加熱方式で
加熱し1000Åの厚さのアモルフアス状薄膜を形
成したこと以外は実施例１(A)項と同様である。 (B) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１(B)項
と同様である。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。その結果は表２に示す。以下、実施例４〜６、および比較例６〜７の結
果はすべて表２に示す。実施例５ (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し
た。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例４(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成し、耐透湿
性透明合成樹脂体を得た。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。実施例６ (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成
した。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例４(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成した。 (C) 酸化マグネシウム薄膜の形成：(B)項で得られ
たアモルフアス状薄膜上に実施例１(B)項の方法
に準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成し、耐
透湿性透明合成樹脂体を得た。 (D) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。比較例６実施例４(A)項と同様の方法で基材上にアモルフ
アス状薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透
明合成樹脂体の評価法は実施例１(C)項と同様であ
る。比較例７ (A) アモルフアス状薄膜の形成：実施例４(A)項と
同様である。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
アモルフアス状薄膜上に実施例４(A)項の方法に
準じてアモルフアス状薄膜を形成し耐透湿性透
明合成樹脂体を得た。

【表】実施例７ (A) アモルフアス状薄膜の形成：二酸化ケイ素、
酸化ホウ素、酸化バリウムおよび酸化アルミニ
ウムの混合物（モル比４：１：0.89：0.11）を
電気炉で溶融しガラス化し溶融物を得た。得られた溶融物を蒸発源とし、電気ビーム加
熱方式で加熱し500Åの厚さのアモルフアス状
薄膜を形成したこと以外は実施例１(A)項と同様
である。 (B) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１(B)項
と同様である。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。その結果は表３に示す。以下、実施例７〜15の結果はすべて表３に示
す。実施例８ (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し
た。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例７(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成し、耐透湿
性透明合成樹脂体を得た。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。実施例９ (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成
した。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例７(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成した。 (C) 酸化マグネシウム薄膜の形成：(B)項で得られ
たアモルフアス状薄膜上に実施例１(B)項の方法
に準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成し、耐
透湿性透明合成樹脂体を得た。 (D) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。実施例 10 (A) アモルフアス状薄膜の形成：二酸化ケイ素、
酸化ホウ素、酸化バリウムおよび酸化アルミニ
ウムの混合物（モル比2.1：1.2：0.5：0.5）を
電気炉で溶融しガラス化し溶融物を得た。得られた溶融物を蒸発源とし、電子ビーム加
熱方式で加熱し500Åの厚さのアモルフアス状
薄膜を形成したこと以外は実施例１(A)項と同様
である。 (B) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１(B)項
と同様である。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。実施例 11 (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し
た。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例10(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成し、耐透湿
性透明合成樹脂体を得た。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。実施例 12 (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成
した。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例10(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成した。 (C) 酸化マグネシウム薄膜の形成：(B)項で得られ
たアモルフアス状薄膜上に実施例１(B)項の方法
に準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成し、耐
透湿性透明合成樹脂体を得た。 (D) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。実施例 13 (A) アモルフアス状薄膜の形成：二酸化ケイ素、
酸化ホウ素、酸化バリウムおよび酸化アルミニ
ウムの混合物（モル比2.2：0.7：0.3）を電気炉
で溶融しガラス化し溶融物を得た。得られた溶融物を蒸発源とし、電子ビーム加
熱方式で加熱し1000Åの厚さのアモルフアス状
薄膜を形成したこと以外は実施例１(A)項と同様
である。 (B) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１(B)項
と同様である。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。実施例 14 (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し
た。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例13(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成し、耐透湿
性透明合成樹脂体を得た。 (C) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。実施例 15 (A) 酸化マグネシウム薄膜の形成：実施例１と同
様の基材を準備し、この基材上に実施例１(B)項
の方法に準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成
した。 (B) アモルフアス状薄膜の形成：(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例13(A)項の方法
に準じてアモルフアス状薄膜を形成した。 (C) 酸化マグネシウム薄膜の形成：(B)項で得られ
たアモルフアス状薄膜上に実施例１(B)項の方法
に準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成し、耐
透湿性透明合成樹脂体を得た。 (D) 耐透湿性透明合成樹脂体の評価：実施例１(C)
項と同様である。

【表】

【表】（発明の効果）本発明によれば、このように、透明合成樹脂基
材上にマグネシウム酸化物透明薄膜と特定のアモ
ルフアス状透明薄膜とが少なくとも一層ずつ積層
して設けられるため、得られる合成樹脂体は耐透
湿性に著しく優れ、かつ透明性に優れる。しか
も、各合成樹脂体の耐透湿性にはバラツキがな
い。さらに、これら薄膜は、従来技術とは異なつ
て、基材の種類に関係なく形成されるので所望の
素材でかつ所望の形状の耐透湿性合成樹脂体を得
ることができる。基材として透明合成樹脂フイル
ムを用いると従来にない高度な耐透湿性能を有す
る透明性に優れた合成樹脂体フイルムが得られ
る。このような合成樹脂体フイルムは透明でかつ
高防湿性の要求される食品、医薬品、化学薬品な
どの包装材に用いられうる。電子工業分野におけ
るEL素子や太陽電池にも適用されうる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の透明合成樹脂フイルムの一実
施例を示す部分断面図、第２図および第３図はそ
れぞれ多の実施例を示す部分断面図である。１……透明合成樹脂フイルム基材、２……アモ
ルフアス状薄膜、３……マグネシウム酸化物薄
膜。

Claims

【特許請求の範囲】１透明合成樹脂基材の少なくとも片面にマグネ
シウム酸化物透明蒸着薄膜とアモルフアス状透明
蒸着薄膜とが少なくとも一層ずつ積層されてお
り、上記アモルフアス状透明薄膜が、二酸化ケイ
素、酸化ホウ素及び酸化バリウムと酸化アルミニ
ウムの少なくとも一方からなる組成物もしくはケ
イ素酸化物で形成されている耐透湿性透明合成樹
脂体。２組成物のモル比が、二酸化ケイ素が２〜４、
酸化ホウ素が１〜２、酸化バリウムと酸化アルミ
ニウムの総量が0.3〜１である特許請求の範囲第
１項記載の耐透湿性透明合成樹脂体。３透明合成樹脂基材が厚さ５〜300μｍの可撓
性フイルムであり、マグネシウム酸化物透明蒸着
薄膜とアモルフアス状透明蒸着薄膜との厚さの合
計が0.02〜0.5μｍである特許請求の範囲第１項に
記載の耐透湿性透明合成樹脂体。４アモルフアス状透明蒸着薄膜が二層のマグネ
シウム酸化物透明蒸着薄膜によりサンドイツチ状
にはさまれた特許請求の範囲第１項に記載の耐透
湿性透明合成樹脂体。