JPS60219042A - 耐透湿性透明合成樹脂体 - Google Patents
耐透湿性透明合成樹脂体Info
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- JPS60219042A JPS60219042A JP7550884A JP7550884A JPS60219042A JP S60219042 A JPS60219042 A JP S60219042A JP 7550884 A JP7550884 A JP 7550884A JP 7550884 A JP7550884 A JP 7550884A JP S60219042 A JPS60219042 A JP S60219042A
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- Japan
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- synthetic resin
- resin body
- film
- amorphous
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は耐透湿性合成樹脂体、特に透明合成樹脂体基材
上に耐透湿性に優れた透明薄膜の設けられた合成樹脂体
に関する。
上に耐透湿性に優れた透明薄膜の設けられた合成樹脂体
に関する。
(従来技術)
包装材料、特に食品、薬品、化学製品などの包装に用い
られる包装材料は、内容物の変質を防ぐために耐透湿機
能をもっていることが必要である。
られる包装材料は、内容物の変質を防ぐために耐透湿機
能をもっていることが必要である。
電子工業分野においても防湿性の保護膜を有するEL素
子などが必要である。そのために、従来は例えば合成樹
脂基材フィルムにアルミニウム箔を貼り合わせてアルミ
ニウム箔の耐透湿特性を利用することが行われている。
子などが必要である。そのために、従来は例えば合成樹
脂基材フィルムにアルミニウム箔を貼り合わせてアルミ
ニウム箔の耐透湿特性を利用することが行われている。
この場合の包装材料は。
耐透湿性については優れているが合成樹脂基材フィルム
の透明性が損なわれ内容物を透視することができない。
の透明性が損なわれ内容物を透視することができない。
しかも、フレキシビリティが極端に低減するためピンホ
ールを生じるおそれがある。
ールを生じるおそれがある。
包装材料の別の例としては、それ自体が耐透湿性を有す
る塩化ビニリデン系・フッ素系樹脂フィルムがある。こ
れらフィルムは耐透湿性を厳しく要求される用途にはフ
ィルム厚を厚くしなければならず、製造作業にも種々の
問題が生じる。
る塩化ビニリデン系・フッ素系樹脂フィルムがある。こ
れらフィルムは耐透湿性を厳しく要求される用途にはフ
ィルム厚を厚くしなければならず、製造作業にも種々の
問題が生じる。
また、特開昭51−114483号公報にはポリエステ
ルフィルムの表面にアルミニウムを蒸着することにより
防湿性を向上させる試みがなされている。
ルフィルムの表面にアルミニウムを蒸着することにより
防湿性を向上させる試みがなされている。
しかし、アルミ蒸着膜は不透明であるために、これを包
装材料に使用したときには内容物を透視することができ
ない。しかも、蒸着されたアルミニウムと基材フィルム
との密着強度も比較的低いためその界面において剥離の
生じるおそれがある。
装材料に使用したときには内容物を透視することができ
ない。しかも、蒸着されたアルミニウムと基材フィルム
との密着強度も比較的低いためその界面において剥離の
生じるおそれがある。
このような従来の包装材料の欠点を改良すべく。
例えば特公昭53−12953号公報にはプラスチック
表面にケイ素酸化物を蒸着した透明防湿フィルムが提案
されている。しかしながら、ケイ素酸化物は水と接触す
ると徐々に溶解するなめ、これを蒸着したフィルムは充
分な耐透湿性能を存し得ない。
表面にケイ素酸化物を蒸着した透明防湿フィルムが提案
されている。しかしながら、ケイ素酸化物は水と接触す
ると徐々に溶解するなめ、これを蒸着したフィルムは充
分な耐透湿性能を存し得ない。
経時的に性能が劣化するという欠点もある。特開昭54
−15208’9号公報には金属、金属酸化物および酸
化ケイ素を蒸着したポリエステルフィルムが開示されて
いる。この蒸着フィルムは基材にポリエステルフィルム
が用いられたときのみその耐透湿性能を発現しうるにす
ぎない。
−15208’9号公報には金属、金属酸化物および酸
化ケイ素を蒸着したポリエステルフィルムが開示されて
いる。この蒸着フィルムは基材にポリエステルフィルム
が用いられたときのみその耐透湿性能を発現しうるにす
ぎない。
電子工業分野においても、近年ますます、EL素子や太
陽電池などに透明でしかも高度の耐透湿性能を有する合
成樹脂体が要求されつつある。
陽電池などに透明でしかも高度の耐透湿性能を有する合
成樹脂体が要求されつつある。
(発明の目的)
本発明の目的は、極めて優れた耐透湿性を有する合成樹
脂体を提供することにある。本発明の他の目的は耐透湿
性にバラツキのない透明合成樹脂体を提供することにあ
る。本発明のさらに他の目的は、透明性に優れた耐透湿
性合成樹脂体を提供することにある。
脂体を提供することにある。本発明の他の目的は耐透湿
性にバラツキのない透明合成樹脂体を提供することにあ
る。本発明のさらに他の目的は、透明性に優れた耐透湿
性合成樹脂体を提供することにある。
(発明の構成)
本発明は1合成樹脂基材表面にマグネシウム酸化物薄膜
とともにアモルファス状透明薄膜が設けられると、水分
の透過が極度に抑制され耐透湿性に優れた合成樹脂体が
得られるとの発明者の知見にもとづいて完成された。そ
れゆえ本発明の防湿性透明合成樹脂体は透明合成樹脂基
材の少なくとも片面にマグネシウム酸化物透明薄膜とア
モルファス状透明薄膜とが少なくとも一層ずつ積層され
。
とともにアモルファス状透明薄膜が設けられると、水分
の透過が極度に抑制され耐透湿性に優れた合成樹脂体が
得られるとの発明者の知見にもとづいて完成された。そ
れゆえ本発明の防湿性透明合成樹脂体は透明合成樹脂基
材の少なくとも片面にマグネシウム酸化物透明薄膜とア
モルファス状透明薄膜とが少なくとも一層ずつ積層され
。
そのことにより上記目的が達成される。
本発明の合成樹脂体のベースとなる透明合成樹脂基材(
以下、基材という)としては2例えば。
以下、基材という)としては2例えば。
ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリビニルブチラール
、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリ
アミド、セロハンなどの透明な合成樹脂体が使用される
。これら合成樹脂は2例えば。
、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリ
アミド、セロハンなどの透明な合成樹脂体が使用される
。これら合成樹脂は2例えば。
フィルム状、板状、レンズ状などに成形される。
基材として可撓性フィルムを使用する場合には。
通常、厚さが5〜3ooμm好ましくは5〜1oo、c
Imのフィルムが用いられる。このようなフィルムに金
属酸化物などを蒸着する場合には、一般に、冷却ロール
を用いた巻取り工程が必要である。基材フィルムの厚さ
が過度に薄いと、この巻取り工程において、しわや亀裂
が生じゃすくなる。フィルム厚が300 μmを超える
と、柔軟性に乏しくなり連続巻取りが困難になる。
Imのフィルムが用いられる。このようなフィルムに金
属酸化物などを蒸着する場合には、一般に、冷却ロール
を用いた巻取り工程が必要である。基材フィルムの厚さ
が過度に薄いと、この巻取り工程において、しわや亀裂
が生じゃすくなる。フィルム厚が300 μmを超える
と、柔軟性に乏しくなり連続巻取りが困難になる。
この透明合成樹脂基村上に設けられるマグネシウム酸化
物透明薄膜(以下、マグネシウム酸化物薄膜という)や
アモルファス状透明薄膜(以下。
物透明薄膜(以下、マグネシウム酸化物薄膜という)や
アモルファス状透明薄膜(以下。
アモルファス状薄膜という)は蒸着膜である。ここでい
うアモルファス状透明薄膜とは後述の組成物の蒸着膜で
あり、かつこの蒸着膜に50八昼上の大きさの結晶が存
在せず、電子線回折でハローパターンのみが観察される
状態の透明薄膜をいう。
うアモルファス状透明薄膜とは後述の組成物の蒸着膜で
あり、かつこの蒸着膜に50八昼上の大きさの結晶が存
在せず、電子線回折でハローパターンのみが観察される
状態の透明薄膜をいう。
このマグネシウム酸化物薄膜は3例えば1反応蒸着法に
より形成される。真空蒸着法によれば。
より形成される。真空蒸着法によれば。
真空槽内で例えば酸化マグネシウムが電子銃で加熱され
て蒸発し蒸着膜を形成する。反応蒸着法によれば、真空
槽内で金属マグネシウムが蒸発し。
て蒸発し蒸着膜を形成する。反応蒸着法によれば、真空
槽内で金属マグネシウムが蒸発し。
これが槽内に導入された酸素と反応してマグネシウム酸
化物の蒸着膜を形成する。いずれの方法も水などを水蒸
気の形で微量導入することにより。
化物の蒸着膜を形成する。いずれの方法も水などを水蒸
気の形で微量導入することにより。
形成される蒸着膜の耐透湿性を向上させることができる
。
。
基材上にアモルファス状薄膜を形成する組成物は、主と
して、 SiOや5i(hなどのケイ素酸化物。
して、 SiOや5i(hなどのケイ素酸化物。
酸化ホウ素、酸化バリウムおよび酸化アルミニウムのう
ちの少なくとも一種を含有する。この組成物が特に、二
酸化ケイ素と酸化ホウ素に加えて。
ちの少なくとも一種を含有する。この組成物が特に、二
酸化ケイ素と酸化ホウ素に加えて。
酸化バリウムおよび/もしくは酸化アルミニウムを含有
し、かつそのモル比が二酸化ケイ素2〜4゜酸化ホウ素
1〜2.そして酸化バリウムと酸化アルミニウムとの総
量が0.3〜1のとき、得られる透明合成樹脂体は耐透
湿性に著しく優れる。しかも、その耐透湿性にバラツキ
がない。組成物の成分比が上記の値から外れると層分離
を起こしやすくなり、耐透湿性が低下する。酸化ホウ素
が過剰に含まれると形成される薄膜は耐透湿性に劣る。
し、かつそのモル比が二酸化ケイ素2〜4゜酸化ホウ素
1〜2.そして酸化バリウムと酸化アルミニウムとの総
量が0.3〜1のとき、得られる透明合成樹脂体は耐透
湿性に著しく優れる。しかも、その耐透湿性にバラツキ
がない。組成物の成分比が上記の値から外れると層分離
を起こしやすくなり、耐透湿性が低下する。酸化ホウ素
が過剰に含まれると形成される薄膜は耐透湿性に劣る。
酸化バリウムと酸化アルミニウムの合計量が過少である
と薄膜は耐水性に劣る。アモルファス状透明薄膜は上記
の成分に特定される必要はなく、それ以外の成分を含有
していても本発明の目的は達成される。しかし、これら
他の成分として1例えば、酸化ナトリウムなどのアルカ
リ金属酸化物が多量に含まれるとその親水性のために耐
透湿性が損なわれる。また、真空蒸着を行って得られる
蒸着薄膜の成分含量にバラツキを生じやすい。
と薄膜は耐水性に劣る。アモルファス状透明薄膜は上記
の成分に特定される必要はなく、それ以外の成分を含有
していても本発明の目的は達成される。しかし、これら
他の成分として1例えば、酸化ナトリウムなどのアルカ
リ金属酸化物が多量に含まれるとその親水性のために耐
透湿性が損なわれる。また、真空蒸着を行って得られる
蒸着薄膜の成分含量にバラツキを生じやすい。
上記アモルファス状薄膜基材表面に形成される方法とし
ては、スパッタリング法が好ましい。スパッタリングの
蒸着源として上記組成物を用いるとほぼ同じ組成のアモ
ルファス状薄膜が形成される。真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法によっても、アモルファス状薄膜が形成さ
れうる。真空蒸着法では、一般に、蒸気圧の異なる混合
物質をそのままの組成で薄膜層に形成するのは困難であ
るとされている。しかし2本発明者らは上記組成物をあ
らかじめ電気炉で溶融しガラス化して得た蒸発材を使用
し、これを電子銃加熱方式で蒸発させれば、はぼ同じ組
成の蒸着膜が得られることを確認した。混合物を真空蒸
着膜する時に用いられるフラッシュ蒸着法によっても、
上記の組成の蒸着膜が形成されうる 本発明の耐透湿性透明合成樹脂体は、基材の少なくとも
片面に上記二種類の蒸着膜が順次もしくはサンドインチ
状に積層されて形成される。例えば、第1図に示すよう
に透明合成樹脂フィルム基材1の表面にアモルファス状
薄膜2が形成され。
ては、スパッタリング法が好ましい。スパッタリングの
蒸着源として上記組成物を用いるとほぼ同じ組成のアモ
ルファス状薄膜が形成される。真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法によっても、アモルファス状薄膜が形成さ
れうる。真空蒸着法では、一般に、蒸気圧の異なる混合
物質をそのままの組成で薄膜層に形成するのは困難であ
るとされている。しかし2本発明者らは上記組成物をあ
らかじめ電気炉で溶融しガラス化して得た蒸発材を使用
し、これを電子銃加熱方式で蒸発させれば、はぼ同じ組
成の蒸着膜が得られることを確認した。混合物を真空蒸
着膜する時に用いられるフラッシュ蒸着法によっても、
上記の組成の蒸着膜が形成されうる 本発明の耐透湿性透明合成樹脂体は、基材の少なくとも
片面に上記二種類の蒸着膜が順次もしくはサンドインチ
状に積層されて形成される。例えば、第1図に示すよう
に透明合成樹脂フィルム基材1の表面にアモルファス状
薄膜2が形成され。
さらにその上にマグネシウム酸化物薄膜3が形成される
。これらアモルファス状透明薄膜2とマグネシウム酸化
物薄膜3とが、第2図に示すように。
。これらアモルファス状透明薄膜2とマグネシウム酸化
物薄膜3とが、第2図に示すように。
第1図とは逆の順序で形成されていてもよい。あるいは
、第3図に示すように、二層のマグネシウム酸化物薄膜
3.3の間にアモルファス状薄膜2力サンドインチ状に
配置されてもよい。三層以上の多層構造に構成すると得
られる合成樹脂体の耐透湿性は飛躍的に向上する。
、第3図に示すように、二層のマグネシウム酸化物薄膜
3.3の間にアモルファス状薄膜2力サンドインチ状に
配置されてもよい。三層以上の多層構造に構成すると得
られる合成樹脂体の耐透湿性は飛躍的に向上する。
マグネシウム酸化物薄膜をX線回折9及射型高速電子線
回折(RHEED)、走査電子顕微鏡などの手段で観察
すると、この薄膜は多結晶構造を有することがわかる。
回折(RHEED)、走査電子顕微鏡などの手段で観察
すると、この薄膜は多結晶構造を有することがわかる。
基材上にマグネシウム酸化物薄膜を形成しただけでは水
の分子はこの結晶の間を通りぬけてしまい、充分な耐透
湿性が得られない。アモルファス状薄膜には結晶が存在
してもその結晶粒子は非常に小さい。それゆえ、このア
モルファス状薄膜とマグネシウム酸化物薄膜とを積層す
ると、水分子の通過する経路が効果的に遮断され耐透湿
性に極めて優れた合成樹脂体が得られる。
の分子はこの結晶の間を通りぬけてしまい、充分な耐透
湿性が得られない。アモルファス状薄膜には結晶が存在
してもその結晶粒子は非常に小さい。それゆえ、このア
モルファス状薄膜とマグネシウム酸化物薄膜とを積層す
ると、水分子の通過する経路が効果的に遮断され耐透湿
性に極めて優れた合成樹脂体が得られる。
マグネシウム酸化物薄膜がアモルファス状薄膜の上に形
成されると、マグネシウム酸化物薄膜の結晶粒子の大き
さは例えばマグネシウム酸化物薄膜がプラスチック基材
上に形成されたときよりもはるかに小さくなる。そのた
め、得られる合成樹脂体の耐透湿性はさらに向上する。
成されると、マグネシウム酸化物薄膜の結晶粒子の大き
さは例えばマグネシウム酸化物薄膜がプラスチック基材
上に形成されたときよりもはるかに小さくなる。そのた
め、得られる合成樹脂体の耐透湿性はさらに向上する。
例えば厚さ15μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを基材としこれにマグネシウム酸化物の薄膜を形成
させるとその透湿度は0.5g/n(・24hrs、で
ある。
ルムを基材としこれにマグネシウム酸化物の薄膜を形成
させるとその透湿度は0.5g/n(・24hrs、で
ある。
同基材フィルムにアモルファス状薄膜を形成させるとそ
の透湿度は1.5g/rd・24hrs、となる。アモ
ルファス状薄膜をマグネシウム酸化物薄膜ではさむサン
ドインチ状の三層構造薄膜を基材上に形成するとその透
湿度は0.06 g / rd・24hrs、という低
い値になる。
の透湿度は1.5g/rd・24hrs、となる。アモ
ルファス状薄膜をマグネシウム酸化物薄膜ではさむサン
ドインチ状の三層構造薄膜を基材上に形成するとその透
湿度は0.06 g / rd・24hrs、という低
い値になる。
本発明の合成樹脂体はこのように透湿度に優れるため、
各透明薄膜の厚さを後述するように非常に薄くすること
が可能になり9例えば基材がフィルムのときでも蒸着時
のフィルムの熱劣化を極小にすることができ、それによ
って生産性が著しく向上する。
各透明薄膜の厚さを後述するように非常に薄くすること
が可能になり9例えば基材がフィルムのときでも蒸着時
のフィルムの熱劣化を極小にすることができ、それによ
って生産性が著しく向上する。
基材上に形成される各薄膜はそれぞれの厚さが100Å
以上で、しかもその合計の厚さが200〜5000人で
ある。薄膜の厚さが薄すぎると一様な連続膜が形成され
得ない。 各薄膜の合計の厚さが5000人を越えても
薄膜の透明性は損なわれないが。
以上で、しかもその合計の厚さが200〜5000人で
ある。薄膜の厚さが薄すぎると一様な連続膜が形成され
得ない。 各薄膜の合計の厚さが5000人を越えても
薄膜の透明性は損なわれないが。
基材との密着性が悪くなり亀裂や剥離が生じる。
基材がフィルムであるとき、このように各薄膜の合計が
5000人越える場合には、得られる合成樹脂体にはカ
ールの生じるおそれがある。
5000人越える場合には、得られる合成樹脂体にはカ
ールの生じるおそれがある。
本発明の合成樹脂体をフィルム状の包装材料として使用
する場合には、この合成樹脂体フィルムはヒートシール
性を有することが好ましい。このような合成樹脂体フィ
ルムの作製は1例えば、フィルム上のアモルファス状薄
膜またはフィルム上のマグネシウム酸化物薄膜の上にヒ
ートシール性を有する合成樹脂フィルムが積層される。
する場合には、この合成樹脂体フィルムはヒートシール
性を有することが好ましい。このような合成樹脂体フィ
ルムの作製は1例えば、フィルム上のアモルファス状薄
膜またはフィルム上のマグネシウム酸化物薄膜の上にヒ
ートシール性を有する合成樹脂フィルムが積層される。
ヒートシール性を有する合成樹脂フィルムを積層するに
は1例えば、接着剤を用いる法(ドライラミネート法)
1合成樹脂をフィルム状に溶融押出して基材に圧着する
法(エクストルージョンラミネート法)などがある。ド
ライラミネート法では2合成樹脂フィルムの種類により
使用される接着剤が異なるが一般にイソシアネート系の
接着剤が使われる。エクストルージョンラミネート法に
おいては。
は1例えば、接着剤を用いる法(ドライラミネート法)
1合成樹脂をフィルム状に溶融押出して基材に圧着する
法(エクストルージョンラミネート法)などがある。ド
ライラミネート法では2合成樹脂フィルムの種類により
使用される接着剤が異なるが一般にイソシアネート系の
接着剤が使われる。エクストルージョンラミネート法に
おいては。
透明薄膜層にアンカー効果を発現するために通常行われ
る有機チタネート系、イソシアネート系。
る有機チタネート系、イソシアネート系。
ポリエチレンイミン系などのアンカー剤によるアンカー
処理が不要となる。それゆえ、従来のように有機溶剤を
使用する必要がなくなる。製造作業環境を悪化させるこ
とも製品中に有機溶剤が残存することもなくなる。上記
ヒートシール性を有する合成樹脂フィルムとしては9例
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・酢酸
ビニル共重合体、エチレン系アイオノマーなどが挙げら
れる。このフィルムは透明性を有することはいうまでも
ない。
処理が不要となる。それゆえ、従来のように有機溶剤を
使用する必要がなくなる。製造作業環境を悪化させるこ
とも製品中に有機溶剤が残存することもなくなる。上記
ヒートシール性を有する合成樹脂フィルムとしては9例
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・酢酸
ビニル共重合体、エチレン系アイオノマーなどが挙げら
れる。このフィルムは透明性を有することはいうまでも
ない。
(実施例)
以下に本発明の実施例について説明する。
実施例1
(A)アモルファス状薄膜の形成二二酸化ケイ素、酸化
ホウ素、酸化バリウムおよび酸化アルミニウムの混合物
(モル比3 : 1 : 0.67 : 0.33)を
電気炉で溶融しガラス化し溶融物を得た。
ホウ素、酸化バリウムおよび酸化アルミニウムの混合物
(モル比3 : 1 : 0.67 : 0.33)を
電気炉で溶融しガラス化し溶融物を得た。
厚さ15μmのポリエチレンテレフタレート(PET)
の透明フィルムを基材として真空槽内に配置した。槽内
をあらがじめ5 Xl0−5トールに排気したのち、上
記の溶融物を蒸発源として電子銃加熱方式で蒸発させ、
ioo人/sec、の成膜速度で基材上に蒸着した。形
成されたアモルファス状薄膜の厚さは500人であり、
その組成をX&51マイクロアナライザーで分析したと
ころ蒸発源の組成とほぼ同様であった。
の透明フィルムを基材として真空槽内に配置した。槽内
をあらがじめ5 Xl0−5トールに排気したのち、上
記の溶融物を蒸発源として電子銃加熱方式で蒸発させ、
ioo人/sec、の成膜速度で基材上に蒸着した。形
成されたアモルファス状薄膜の厚さは500人であり、
その組成をX&51マイクロアナライザーで分析したと
ころ蒸発源の組成とほぼ同様であった。
(B)酸化マグネシウム薄膜の形成: (A)項で得ら
れたアモルファス状薄膜が形成されたフィルムを真空槽
内に配置した。槽内をあらかじめ5Xl0−’)−ルに
排気したのち、純度99.7%の酸化マグネシウムを電
子ビーム加熱方式により蒸発させ、水晶発振式モニター
で成膜速度が約100人/sec、となるように制御し
ながら基材表面に蒸着し第1図に示される耐透湿性透明
合成樹脂体を得たマグネシウム酸化物薄膜の厚さは50
0人とした。
れたアモルファス状薄膜が形成されたフィルムを真空槽
内に配置した。槽内をあらかじめ5Xl0−’)−ルに
排気したのち、純度99.7%の酸化マグネシウムを電
子ビーム加熱方式により蒸発させ、水晶発振式モニター
で成膜速度が約100人/sec、となるように制御し
ながら基材表面に蒸着し第1図に示される耐透湿性透明
合成樹脂体を得たマグネシウム酸化物薄膜の厚さは50
0人とした。
(C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:得られた合成樹
脂体の透明性を観察した。透湿度をJISZ−0208
にもとづいて測定した。薄膜の密着性についてはJIS
’ D=0202にもとづいて試験を行った。その結果
を表1に示す。表1においてGはアモルファス状薄膜2
Mはマグネシウム酸化物薄膜を示し。
脂体の透明性を観察した。透湿度をJISZ−0208
にもとづいて測定した。薄膜の密着性についてはJIS
’ D=0202にもとづいて試験を行った。その結果
を表1に示す。表1においてGはアモルファス状薄膜2
Mはマグネシウム酸化物薄膜を示し。
かつ基材上に形成される各薄膜のうち基材上に直接蒸着
された薄膜を第1薄膜とし、この第1薄膜上に蒸着され
る薄膜を第2薄膜とし、そして第2薄膜上の薄膜を第3
薄膜とする。透明性の項において、■は透明性が良好で
あることを示す。薄膜の密着性の項において、◎は薄膜
と基材との密着性が良好であることを示す。
された薄膜を第1薄膜とし、この第1薄膜上に蒸着され
る薄膜を第2薄膜とし、そして第2薄膜上の薄膜を第3
薄膜とする。透明性の項において、■は透明性が良好で
あることを示す。薄膜の密着性の項において、◎は薄膜
と基材との密着性が良好であることを示す。
1隻炭1
(λ)酸化マグネシウム薄膜の形成:実施例1と同様の
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じて酸化マグネシウム薄膜を形成した。
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じて酸化マグネシウム薄膜を形成した。
(B)アモルファス状薄膜の形成:(A)項で得られた
酸化マグネシウム薄膜上に実施例1 (A)項の方法に
準じてアモルファス状薄膜を形成し。
酸化マグネシウム薄膜上に実施例1 (A)項の方法に
準じてアモルファス状薄膜を形成し。
第2図に示される耐透湿性透明合成樹脂体を得た。
(C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例1 (C
)項と同様である。
)項と同様である。
太旌開ユ
(A)酸化マグネシウム薄膜の形成:実施例1と同様の
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じて酸化マグネシウム薄膜を形成した。
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じて酸化マグネシウム薄膜を形成した。
(B)アモルファス状薄膜の形成: (A)項で得られ
た酸化マグネシウム薄膜上に実施例1 (A)項の方法
に準じてアモルファス状薄膜を形成した。
た酸化マグネシウム薄膜上に実施例1 (A)項の方法
に準じてアモルファス状薄膜を形成した。
(C)酸化マグネシウム薄膜の形成: (B)項で得ら
れたアモルファス状薄膜上に実施例1 (B)項の方法
に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し。
れたアモルファス状薄膜上に実施例1 (B)項の方法
に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し。
第3図に示される耐透湿性透明合成樹脂体を得た。
(D)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例■と同様
である。
である。
苅較炎上
実施例1と同質の基材の透湿度をJIS Z−0208
にもとづいて測定した。その結果を表1に示す。
にもとづいて測定した。その結果を表1に示す。
ル較炎て
実施例1 (A)項と同様の方法で基材上にアモルファ
ス状薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透明合成樹
脂体の評価法は実施例1 (C)項と同様である。
ス状薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透明合成樹
脂体の評価法は実施例1 (C)項と同様である。
比較例3
実施例1 (B)項と同様の方法で基材上にマグネシウ
ム酸化物薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透明合
成樹脂体の評価法は実施例1 (C)項と同様である。
ム酸化物薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透明合
成樹脂体の評価法は実施例1 (C)項と同様である。
ル較炭土
(A)アモルファス状薄膜の形成:実施例1(A)項と
同様である。
同様である。
(B)アモルファス状薄膜の形成: (A)項で得られ
たアモルファス状薄膜上に実施例】 (A)項の方法に
準じてアモルファス状薄膜を形成し耐透湿性透明合成樹
脂体を得た。
たアモルファス状薄膜上に実施例】 (A)項の方法に
準じてアモルファス状薄膜を形成し耐透湿性透明合成樹
脂体を得た。
(C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例1 (C
)項と同様である。
)項と同様である。
比較例5
(A)酸化マグネシウム薄膜の形成:実施例1と同様の
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じて酸化マグネシウム薄膜を形成した。
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じて酸化マグネシウム薄膜を形成した。
(B)#化マグネシウム薄膜の形成: (A)項で得ら
れた酸化マグネシウム薄膜上に実施例1(B)項の方法
に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し、耐透湿性透明
合成樹脂体を得た。
れた酸化マグネシウム薄膜上に実施例1(B)項の方法
に準じて酸化マグネシウム薄膜を形成し、耐透湿性透明
合成樹脂体を得た。
(C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例1 (C
)項と同様である。
)項と同様である。
実施例4
<A)アモルファス状薄膜の形成:純度99,9%の酸
化ケイ素を蒸発源とし、電子ビーム加熱方式で加熱し1
000人の厚さのアモルファス状薄膜を形成したこと以
外は実施例1 (A)項と同様である。
化ケイ素を蒸発源とし、電子ビーム加熱方式で加熱し1
000人の厚さのアモルファス状薄膜を形成したこと以
外は実施例1 (A)項と同様である。
(B)酸化マグネシウム薄膜の形成:実施例1(B)項
と同様である。
と同様である。
(C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例1 (C
)項と同様である。その結果は表2に示す。
)項と同様である。その結果は表2に示す。
以下、実施例4〜6.および比較例6〜7の結果はすべ
て表2に示す。
て表2に示す。
実施例5
(A)酸化マグネシウム)W膜の形成:実施例1と同様
の基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法
に準じて酸化マグネシウム菌膜を形成した。
の基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法
に準じて酸化マグネシウム菌膜を形成した。
(B)アモルファス状薄膜の形成: (A)項で得られ
た酸化マグネシウム薄膜上に実施例4(A)項の方法に
準じてアモルファス状薄膜を形成し。
た酸化マグネシウム薄膜上に実施例4(A)項の方法に
準じてアモルファス状薄膜を形成し。
耐透湿性透明合成樹脂体を得た。
(C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例1 (C
)項と同様である。
)項と同様である。
犬旌桝立
(A)酸化マグネシウム薄膜の形成:実施例1と同様の
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成した。
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成した。
(、B)アモルファス状薄膜の形成= (A)項で得ら
れた酸化マグネシウム薄膜上に実施例4(A)項の方法
に準じてアモルファス状薄膜を形成した。
れた酸化マグネシウム薄膜上に実施例4(A)項の方法
に準じてアモルファス状薄膜を形成した。
(C) 酸化マグネシウム薄膜の形成:(B)項で得ら
れたアモルファス状薄膜上に実施例1 (B)項の方法
に準してマグネシウム酸化物薄膜を形成し、耐透湿性透
明合成樹脂体を得た。
れたアモルファス状薄膜上に実施例1 (B)項の方法
に準してマグネシウム酸化物薄膜を形成し、耐透湿性透
明合成樹脂体を得た。
(D)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例1 (C
)項と同様である。
)項と同様である。
ル較炎を
実施例4 (A)項と同様の方法で基材上にアモルファ
ス状薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透明合成樹
脂体の評価法は実施例1 (C)項と同様である。
ス状薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透明合成樹
脂体の評価法は実施例1 (C)項と同様である。
ル較炎工
(A)アモルファス状薄膜の形成:実施例4(A)項と
同様である。
同様である。
(B)アモルファス状薄膜の形成: (A)項で得られ
たアモルファス状薄膜上に実施例4(A)項の方法に準
じてアモルファス状薄膜を形成し耐透湿性透明合成樹脂
体を得た。
たアモルファス状薄膜上に実施例4(A)項の方法に準
じてアモルファス状薄膜を形成し耐透湿性透明合成樹脂
体を得た。
(以下余白)
去jf!1N7
(A)アモルファス状薄膜の形成:純度99.9%の酸
化アルミニウムを蒸発源とし、電子ビーム加熱方式で加
熱し1000人の厚さのアモルファス状薄膜を形成した
こと以外は実施例1 (A)項と同様である。
化アルミニウムを蒸発源とし、電子ビーム加熱方式で加
熱し1000人の厚さのアモルファス状薄膜を形成した
こと以外は実施例1 (A)項と同様である。
(B)酸化マグネシウム薄膜の形成:実施例1(B)項
と同様である。
と同様である。
(C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例1と同様
である。その結果は表3に示す。以下。
である。その結果は表3に示す。以下。
実施例7〜9および比較例8〜9の結果はすべて表3に
示す。
示す。
去旅炭工
(A)酸化マグネシウム薄膜の形成:実施例1と同様の
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じて酸化マグネシウム薄膜を形成した。
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じて酸化マグネシウム薄膜を形成した。
(B)アモルファス状薄膜の形成= (A)項で得られ
た酸化マグネシウム薄膜上に実施例7 (A)項の方法
に準じてアモルファス状薄膜を形成し。
た酸化マグネシウム薄膜上に実施例7 (A)項の方法
に準じてアモルファス状薄膜を形成し。
耐透湿性透明合成樹脂体を得た。
(C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価;実施例1 (C
)項と同様である。
)項と同様である。
大旌拠主
(A)酸化マグネシウム薄膜の形成:実施例1と同様の
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成した。
基材を準備し、この基材上に実施例1(B)項の方法に
準じてマグネシウム酸化物薄膜を形成した。
(B)アモルファス状薄膜の形成: (A)項で得られ
た酸化マグネシウム薄膜上に実施例7 (A)項の方法
に準じてアモルファス状薄膜を形成し。
た酸化マグネシウム薄膜上に実施例7 (A)項の方法
に準じてアモルファス状薄膜を形成し。
耐透湿性透明合成樹脂体を得た。
(C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例1 (C
)項と同様である。
)項と同様である。
北較桝l
実施例7(A)項と同様の方法で基材上にアモルファス
状薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透明合成樹脂
体の評価法は実施例1 (C)項と同様である。
状薄膜のみを形成した。得られた耐透湿性透明合成樹脂
体の評価法は実施例1 (C)項と同様である。
比較例9
(A)アモルファス状薄膜の形成:実施例7(A)項と
同様である。
同様である。
(B)アモルファス状薄膜の形成: (A)項で得られ
たアモルファス状薄膜上に実施例7(A)項の方法に準
じてアモルファス状薄膜を形成し。
たアモルファス状薄膜上に実施例7(A)項の方法に準
じてアモルファス状薄膜を形成し。
耐透湿性透明合成樹脂体を得た。
<C)耐透湿性透明合成樹脂体の評価:実施例1 (C
)項と同様である。
)項と同様である。
(以下余白)
(発明の効果)
本発明によれば、このように、透明合成樹脂基材上にマ
グネシウム酸化物透明薄膜とアモルファス状透明薄膜と
が少なくとも一層ずつ積層して設けられるため、得られ
る合成樹脂体は耐透湿性に著しく優れ、かつ透明性に優
れる。しかも、各合成樹脂体の耐透湿性にはバラツキが
ない。さらに。
グネシウム酸化物透明薄膜とアモルファス状透明薄膜と
が少なくとも一層ずつ積層して設けられるため、得られ
る合成樹脂体は耐透湿性に著しく優れ、かつ透明性に優
れる。しかも、各合成樹脂体の耐透湿性にはバラツキが
ない。さらに。
これら薄膜は、従来技術とは異なって、基材の種類に関
係なく形成されるので所望の素材でかつ所望の形状の耐
透湿性合成樹脂体を得ることができる。基材として透明
合成樹脂フィルムを用いると従来にない高度な耐透湿性
能を有する透明性に優れた合成樹脂体フィルムが得られ
る。このような合成樹脂体フィルムは透明でかつ高防湿
性の要求される食品、医薬品、化学薬品などの包装材に
用いられうる。電子工業分野におけるEL素子や太陽電
池にも適用されうる。
係なく形成されるので所望の素材でかつ所望の形状の耐
透湿性合成樹脂体を得ることができる。基材として透明
合成樹脂フィルムを用いると従来にない高度な耐透湿性
能を有する透明性に優れた合成樹脂体フィルムが得られ
る。このような合成樹脂体フィルムは透明でかつ高防湿
性の要求される食品、医薬品、化学薬品などの包装材に
用いられうる。電子工業分野におけるEL素子や太陽電
池にも適用されうる。
第1図は本発明の透明合成樹脂フィルムの一実施例を示
す部分断面図、第2図および第3図はそれぞれ他の実施
例を示す部分断面図である。 ■・・・透明合成樹脂フィルム基材、2・・・アモルフ
ァス状薄膜、3・・・マグネシウム酸化物薄膜。 以上 出願人 積木化学工業・・株式会社 第1図 第2図 第3図
す部分断面図、第2図および第3図はそれぞれ他の実施
例を示す部分断面図である。 ■・・・透明合成樹脂フィルム基材、2・・・アモルフ
ァス状薄膜、3・・・マグネシウム酸化物薄膜。 以上 出願人 積木化学工業・・株式会社 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透明合成樹脂基材の少なくとも片面にマグネシウム
酸化物透明薄膜とアモルファス状透明薄膜とが少なくと
も一層ずつ積層された耐透湿性透明合成樹脂体。 2、前記アモルファス状透明薄膜が主としてケイ素酸化
物でなる組成物で形成される特許請求の範囲第1項に記
載の合成樹脂体。 3、前記アモルファス状透明薄膜が主として酸化アルミ
ニウムでなる組成物で形成される特許請求の範囲第1項
に記載の合成樹脂体。 4、前記アモルファス状透明薄膜が主として二酸化ケイ
素、酸化ホウ素および酸化バリウムでなる組成物で形成
される特許請求の範囲第1項に記載の合成樹脂体。 5、前記アモルファス状透明薄膜が主として二酸化ケイ
素、酸化ホウ素および酸化アルミニウムでなる組成物で
形成される特許請求の範囲第1項に記載の合成樹脂体。 6、前記アモルファス状透明薄膜が主として二酸化ケイ
素、酸化ホウ素、酸化バリウムおよび酸化アルミニウム
でなる組成物で形成される特許請求の範囲第1項に記載
の合成樹脂体。 7、前記アモルファス状透明薄膜を形成する組成物のモ
ル比は二酸化ケイ素が2〜4.酸化ホウ素が1〜2.そ
して酸化バリウムと酸化アルミニウムの総量が0.3〜
1である特許請求の範囲第4項、第5項もしくは第6項
に記載の合成樹脂体。 8、前記透明合成樹脂基材が厚さ5〜300μmの可撓
性フィルムであり、前記マグネシウム酸化物透明薄膜と
前記アモルファス状透明薄膜との厚さの合計が0.02
〜0.5μmである特許請求の範囲第1項に記載の合成
樹脂体。 9、前記マグネシウム酸化物透明薄膜と前記アモルファ
ス状透明薄膜とがそれぞれ蒸着膜である特許請求の範囲
第1項に記載の合成樹脂体。 10、前記アモルファス状透明薄膜が二層の前記マグネ
シウム酸化物透明薄膜によりサンドインチ状にはさまれ
た特許請求の範囲第1項に記載の合成樹脂体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7550884A JPS60219042A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 耐透湿性透明合成樹脂体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7550884A JPS60219042A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 耐透湿性透明合成樹脂体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219042A true JPS60219042A (ja) | 1985-11-01 |
| JPH0215382B2 JPH0215382B2 (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=13578248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7550884A Granted JPS60219042A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 耐透湿性透明合成樹脂体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219042A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62196139A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-29 | 東レ株式会社 | 透明導電性フイルム |
| JPS62196140A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-29 | 東レ株式会社 | 透明導電フイルム |
| JPS6465253A (en) * | 1987-05-29 | 1989-03-10 | Orient Watch Co Ltd | Surface coated molded material and its production |
| JPH01176069A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 蒸着フィルム |
| WO2003077607A1 (en) * | 2002-03-13 | 2003-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic luminescence device and its production method |
| WO2006036393A3 (en) * | 2004-09-23 | 2006-10-05 | 3M Innovative Properties Co | Protected polymeric film |
| US7342356B2 (en) | 2004-09-23 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer |
| JPWO2020137992A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2021-11-18 | Agc株式会社 | 撥水撥油層付き基材、蒸着材料および撥水撥油層付き基材の製造方法 |
| WO2025249177A1 (ja) * | 2024-05-28 | 2025-12-04 | Dic株式会社 | ガスバリア性フィルム及び包装体 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08523U (ja) * | 1995-09-04 | 1996-03-22 | 鐘紡株式会社 | 郵送用カード付き容器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4950081A (ja) * | 1972-09-13 | 1974-05-15 | ||
| JPS523418U (ja) * | 1975-06-24 | 1977-01-11 | ||
| JPS6049934A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-19 | 積水化学工業株式会社 | 防湿性を有する透明プラスチック |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP7550884A patent/JPS60219042A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4950081A (ja) * | 1972-09-13 | 1974-05-15 | ||
| JPS523418U (ja) * | 1975-06-24 | 1977-01-11 | ||
| JPS6049934A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-19 | 積水化学工業株式会社 | 防湿性を有する透明プラスチック |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62196139A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-29 | 東レ株式会社 | 透明導電性フイルム |
| JPS62196140A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-29 | 東レ株式会社 | 透明導電フイルム |
| JPS6465253A (en) * | 1987-05-29 | 1989-03-10 | Orient Watch Co Ltd | Surface coated molded material and its production |
| JPH01176069A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 蒸着フィルム |
| WO2003077607A1 (en) * | 2002-03-13 | 2003-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic luminescence device and its production method |
| WO2006036393A3 (en) * | 2004-09-23 | 2006-10-05 | 3M Innovative Properties Co | Protected polymeric film |
| US7342356B2 (en) | 2004-09-23 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer |
| JP2008513256A (ja) * | 2004-09-23 | 2008-05-01 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 保護されたポリマーフィルム |
| US7468211B2 (en) | 2004-09-23 | 2008-12-23 | 3M Innovative Properties Company | Protected polymeric film |
| JPWO2020137992A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2021-11-18 | Agc株式会社 | 撥水撥油層付き基材、蒸着材料および撥水撥油層付き基材の製造方法 |
| WO2025249177A1 (ja) * | 2024-05-28 | 2025-12-04 | Dic株式会社 | ガスバリア性フィルム及び包装体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0215382B2 (ja) | 1990-04-11 |
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