JPH02154508A - 増幅回路 - Google Patents

増幅回路

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JPH02154508A
JPH02154508A JP63308413A JP30841388A JPH02154508A JP H02154508 A JPH02154508 A JP H02154508A JP 63308413 A JP63308413 A JP 63308413A JP 30841388 A JP30841388 A JP 30841388A JP H02154508 A JPH02154508 A JP H02154508A
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transistor
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pnp
emitter
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Takashi Morimoto
隆志 森本
Takashi Satomura
里村 隆
Junzo Ono
小野 順造
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 皮栗上■丑朋分互 本発明は増幅回路に関するものであり、より特定的には
増幅用トランジスタ(エミッタフォロワを含む)のベー
ス電流をキャンセルする手段を備える増幅回路に関する
。
玄米■技街 例えば、コンデンサ等の電圧をトランジスタのベースに
印加する場合、ベース電流が流れるので、コンデンサが
放電し、印加電圧が下がるという問題が生しる。そのた
め、印加電圧を一定に保つべくトランジスタのベース電
流を補償する手段が設けられる。このような手段を備え
た増幅回路の従来例を第3図に示し、説明する。同図に
おいて、(01)はエミッタフォロワ型をなす増幅用ト
ランジスタであり、該トランジスタ(Q、)のベースは
入力端子(1)に接続され、エミッタは出力端子(2)
に、そしてコレクタは電源ライン(3)に接続される。
そして、更にエミッタと接地点間に定電流源トランジス
タ(0□)と抵抗(R2)が順次接続される。この定電
流源トランジスタ(Q2)はトランジスタ(Fit)(
[18)と抵抗(R4) (R5) (R6)よりなる
回路で駆動されるが、該定電流源トランジスタ(Q2)
と同一の構成でもう1つの定電流源トランジスタ(03
)が図示の如く設けられ、この定電流源トランジスタ(
03)の工ミッタは抵抗(R2)を介して接地ライン(
4)に接続され、コレクタはトランジスタ(口、)のエ
ミッタに接続される。
次に、トランジスタ([14)のコレクタは電源ライン
(3)に接続され、ベースは2つのPNP )ランジス
ク(QS)(O6)のベースに接続されている。PNP
トランジスタ(口、)のコレクタは、そのベースに、ま
たエミッタは抵抗(R3)を介して電源ライン(3)に
接続されている。一方、PNP l−ランジスタ(0、
)のエミッタも抵抗(R7)を介して電源ライン(3)
に接続され、コレクタは入力端子(1)〔従って、トラ
ンジスタ(Q、)のベース〕に接続されている。
今、この回路でPNP )ランジスク(O5)([16
)のコレクタ電流をIcとし、電流増幅率をh FEP
としたとき、PNP )ランジスタ(O5)(O6)の
ベース電流は、それぞれr c / h□、となる。従
って、トランジスタ(O4)のベースに流れ込む電流I
 RNAはPNP l−ランジスク(口、)(口、)の
ベース電流の和にPNP トランジスタ(O6)のコレ
クタ電流ICを加えたものであるから、 となる。
一方、R,=R2とした場合、トランジスタ(0,)と
(口、)は定電流源トランジスタ(口2)(口、)に対
しては同一の条件となるので、定電流源トランジスタ(
口2)によってトランジスタ(口、)のベースにも■。
+21c/hFtrが流れると考えてよい。一方、PN
P)ランジスタ(Q、)からはICが流れ込んでいる。
従って、トランジスタ(0,)の余分なベース電流成分
は、  FEP となる。
が  じようとする 上述のように、従来の回路では2Ic/httpの電流
は依然としてトランジスタ(シ)のベースに流れる。そ
して、この電流は入力端子(1)から流れてくることに
なる。従って、入力端子(1)にコンデンサを接続して
該コンデンサから定電圧を印加するようにした場合には
、コンデンサが徐々に放電して、その電圧値が下がって
いくことになる。
入力端子(1)に電源電圧を抵抗分圧することによって
形成した定電圧をトランジスタのベースへ印加するよう
にした場合にも、その抵抗に2IC/hpゆ、なる電流
が流れると、その定電圧がオフセットしてしまう。
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、増
幅用トランジスタの不要なベース電流を可及的に低減で
きるようにした新規な増幅回路を提供することを目的と
する。
課題を解゛するための手段 上記の目的を達成するため本発明の増幅回路は、エミッ
タに定電流源が接続されたNPN型の第1トランジスタ
と、ベースが前記第1トランジスタのベースと共通に入
力端子に接続されたPNP型の第2トランジスタと、前
記定電流源に関係した定電流を流すNPN型の第3トラ
ンジスタと、該第3トランジスタとベース同士が接続さ
れると共にエミッタが電源ラインに接続されコレクタが
前記第2トランジスタのエミッタに接続されたPNP型
の第4トランジスタと、前記第1トランジスタから出力
を取り出す手段とから構成されている。
昨−里 このような構成によると、増幅用の第1トランジスタの
ベースに流れる不所望な電流はNPN トランジスタの
ベース電流をPNP )ランジスタの電流増幅率で除算
した値となるので、従来のようにPNP )ランジスタ
のコレクタ電流(しかも2倍のコレクタ電流)を電流増
幅率で除算したものに比し、約172になる。
尖」L炭 本発明を実施した第1回において第3図の従来例と同一
部分には同一の符号を付して重複説明を省略する。本実
施例では、第3図におけるPNPトランジスタ(06)
と抵抗(R3)を削除し、その代りにPNPトランジス
タ(口、)を図示のように挿入している。即ち、このP
NP トランジスタ(09)のべ−スはトランジスタ(
口、)のベースと共に入力端子(1)に接続され、エミ
ッタはPNP )ランジスタ(Q5)のコレクタに接続
されている。そして、PNPトランジスタ(Q、)のコ
レクタは接地ライン(4)に接続されている。
今、定電流源トランジスタ(Q2)(Q。)が同一でR
−R2とすると、トランジスタ(シ)と(04)のエミ
ッタ電流は等しくなる。このエミッタ電流を1.とする
と、トランジスタ(口、)と(04)のベース電流II
は、 となる。但し、h FENはNPN )ランジスクの電
流増幅率である。次に、PNP l−ランジスク(05
)のコレクタ電流IC3は、 I C3−1++NX h FEP となる。但し、h FEPはPNP トランジスタの電
流増幅率である。そして、PNP トランジスタの(0
,)のベース電流IB9は、 1+N=IBN  1+19          ・・
・・・・■となる。この結果から分かるようにキャンセ
ルされない電流はNPN I−ランジスタのベース電流
(従って小さな電流)を(1+hyar)で除算したも
のであるから、上記従来例の場合に比し約172になる
。即ち、従来例のIBMは既述したように2I C/ 
h FEPであるが、これは以下のように変形できる。
まず より であるから −InNゞ 2+hr+:、     °゛゛°゛■■
式及び0式でh FEPは50〜100であるから(1
十hptr)と(2+hFEP)は略同−とみなすこと
ができる。従って、0式は0式に対し略1/2である。
トランジスタのh FEPは限られた値範囲で、前記の
如く例えば50〜100位の値となる。従って、本実施
例の場合、従来例に比し遥かにIINは小さくなるが、
それでも完全に零ではない。これを殆ど零にすることも
可能であり、それは例えば抵抗(III) (RZ)を
アンバランスにすることである。即ち、R2<R1にす
ると、IINは一層小さくなり、殆ど零になると考えて
よい。これは観念的に0式でIBMが等測的に小さくな
ったと考えれば分り易いであろう。即ち、R2<R1に
よりトランジスタ(Q3)を流れる定電流に比し、トラ
ンジスタ(n+)を流れる定電流が小さくなり、その分
、トランジスタ([11)のベース電流も小さくなるか
らである。
第2図は本発明の他の実施例であり、ここではトランジ
スタ(Q4)のエミッタをトランジスタ(口、)のコレ
クタに接続することによって定電流源用トランジスタ(
Q3)を1つ省略しているが、この場合にも、トランジ
スタ(Ql)のベースに流れる不所望な電流は小さくな
る。尚、第2図でトランジスタ(シ)のコレクタから出
力を取り出すように出力端子(2)を接続しているが、
第1図と同様にエミッタから取り出すように修正しても
よいことはいうまでもない。
発明の効果 以上の通り本発明によれば、増幅用トランジスタのベー
スに流れる不所望な電流を非常に小さくできるので、例
えば該トランジスタのベースに接続されるバイアス電圧
源の電圧変動を招来しない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施した増幅回路の回路図であり、第
2図は本発明の他の実施例の回路図である。第3図は従
来例の回路図である。 (1)−入力端子、(2)−出力端子 (シ)−雪〜ランジスタ(第1トランジスタ)(0□)
一定電流源I・ランジスタ。 (o4)−−−)ランジスタ(第3トランジスタ)。 (0,) PNP l−ランジスタ(第4 トランジスタ) (0,) PNP )ランジスタ(第2 トランジスタ)。 出 願 人 シ ャープ株式会社 代 理 人

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エミッタに定電流源が接続されたNPN型の第1
    トランジスタと、ベースが前記第1トランジスタのベー
    スと共通に入力端子に接続されたPNP型の第2トラン
    ジスタと、前記定電流源に関係した定電流を流すNPN
    型の第3トランジスタと、該第3トランジスタとベース
    同士が接続されると共にエミッタが電源ラインに接続さ
    れコレクタが前記第2トランジスタのエミッタに接続さ
    れたPNP型の第4トランジスタと、前記第1トランジ
    スタから出力を取り出す手段と、から成る増幅回路。
JP63308413A 1988-12-06 1988-12-06 増幅回路 Expired - Fee Related JPH0693583B2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58200610A (ja) * 1982-05-18 1983-11-22 Sony Corp 高入力インピーダンス回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS58200610A (ja) * 1982-05-18 1983-11-22 Sony Corp 高入力インピーダンス回路

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