JPH02155248A - Ｔａｂの構造 - Google Patents
Ｔａｂの構造Info
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- JPH02155248A JPH02155248A JP30958488A JP30958488A JPH02155248A JP H02155248 A JPH02155248 A JP H02155248A JP 30958488 A JP30958488 A JP 30958488A JP 30958488 A JP30958488 A JP 30958488A JP H02155248 A JPH02155248 A JP H02155248A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
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- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導体一層テープを用いたＴＡＢの構造に関する
。
。
従来、この種の長尺テープ状態で電気的選別を行うＴＡ
Ｂの構造は、第９図に示すように導体パターン２６に絶
縁性ベーステープ２５により裏打ちを施したものとなっ
ている。２７はレジスト、２８は半導体装置である。
Ｂの構造は、第９図に示すように導体パターン２６に絶
縁性ベーステープ２５により裏打ちを施したものとなっ
ている。２７はレジスト、２８は半導体装置である。
上述した従来のＴＡＢの梢遺は導体に絶縁物を裏打ちし
た構造となっているので、ＴＡＢテープの構造が複雑と
なり、また使用可能最高温度が料理されるという欠点が
ある。
た構造となっているので、ＴＡＢテープの構造が複雑と
なり、また使用可能最高温度が料理されるという欠点が
ある。
本発明の目的は前記課題を解決したＴＡＢの構造を提供
することにある。
することにある。
上述した従来のＴＡＢの構造に対し、本発明は構造も簡
単でしかも耐熱性が高いという相違点を有する。
単でしかも耐熱性が高いという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係るＴＡＢの構造に
おいては、回路動作部に電気的に導通した主バンプ及び
回路動作部から分離独立したダミーバンプを備えた半導
体装置と、インナーリード及びダミーリードを備えた導
体一層テープとを有し、導体一層テープのインナーリー
ド及びダミーリードを半導体装置の主バンプ及びダミー
バンプにそれぞれ結合するとともに、ダミーバンプに結
合された前記ダミーリードのみを前記導体一層テープか
ら切り離したものである。
おいては、回路動作部に電気的に導通した主バンプ及び
回路動作部から分離独立したダミーバンプを備えた半導
体装置と、インナーリード及びダミーリードを備えた導
体一層テープとを有し、導体一層テープのインナーリー
ド及びダミーリードを半導体装置の主バンプ及びダミー
バンプにそれぞれ結合するとともに、ダミーバンプに結
合された前記ダミーリードのみを前記導体一層テープか
ら切り離したものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１ン
第１図は本発明の実施例１を示す分解斜視図である。半
導体装置１は回路パターン２に電気的に導通した主バン
プ３と、装置の作動に無関係のダミーバンプ４とを有し
ている。この主バンプ３及びダミーバンプ４は金を主体
としたバンプで、底面積は１００μｍφ直径、２５μＩ
高さのものである。
導体装置１は回路パターン２に電気的に導通した主バン
プ３と、装置の作動に無関係のダミーバンプ４とを有し
ている。この主バンプ３及びダミーバンプ４は金を主体
としたバンプで、底面積は１００μｍφ直径、２５μＩ
高さのものである。
まなＴＡＢテープ５は、予め主バング３及びダミーバン
プ４の位置に合わせてインナーリード６ａとダミーリー
ド６ｂを形成し、１μｍ厚の金メツキをしたものである
。
プ４の位置に合わせてインナーリード６ａとダミーリー
ド６ｂを形成し、１μｍ厚の金メツキをしたものである
。
これら半導体装置１とＴＡＢテープ５を熱圧着した状態
が第２図である。この状態で各ＩＬＢは４０ｇ以上の接
続強度を有しているが、各リード６ａ、 ６ｂが各々導
通しているので、電気的選別は行えない、そこで、第３
図に示すようにダミーバンプ４に結合されたダミーリー
ド６ｂを除いて、主バンプ３に結合されたインナーリー
ド６ａのみを切断し、インナーリード６ａの各々のリー
ドをテスターに個々に接続することにより半導体装置１
の電気的選別を可能にするとともに、ダミーリード６ｂ
を吊りリードとして該ダミーリード６ｂを介して半導体
装置１を導体一層テープ５に支持させて長尺テープ状態
での搬送を可能にする。
が第２図である。この状態で各ＩＬＢは４０ｇ以上の接
続強度を有しているが、各リード６ａ、 ６ｂが各々導
通しているので、電気的選別は行えない、そこで、第３
図に示すようにダミーバンプ４に結合されたダミーリー
ド６ｂを除いて、主バンプ３に結合されたインナーリー
ド６ａのみを切断し、インナーリード６ａの各々のリー
ドをテスターに個々に接続することにより半導体装置１
の電気的選別を可能にするとともに、ダミーリード６ｂ
を吊りリードとして該ダミーリード６ｂを介して半導体
装置１を導体一層テープ５に支持させて長尺テープ状態
での搬送を可能にする。
そのため、電気的選別を行っている最中も半導体装置１
はダミーバンプ４及びダミーリード６ｂによってＴＡＢ
テーテーとつながっているので、第４図に示す自動ＴＡ
Ｂテープ送り機構付きハンドラーで電気的選別を１リー
ル全自動で行うことが可能になる。すなわち、半導体装
置１を備えた長尺テープ状態のＴＡＢテープ５を対をな
すリール１２．１２間に懸は渡し、搬送装置１４により
ＴＡＢテープ５に送りを与えつつ、各半導体装置１にコ
ンタクトヘッド９を接触させてコンピュータ１３により
演算処理を行い、不良品を不良打抜きパンチ１０でマー
クし電気的選別を行う、１１はスペーサである。
はダミーバンプ４及びダミーリード６ｂによってＴＡＢ
テーテーとつながっているので、第４図に示す自動ＴＡ
Ｂテープ送り機構付きハンドラーで電気的選別を１リー
ル全自動で行うことが可能になる。すなわち、半導体装
置１を備えた長尺テープ状態のＴＡＢテープ５を対をな
すリール１２．１２間に懸は渡し、搬送装置１４により
ＴＡＢテープ５に送りを与えつつ、各半導体装置１にコ
ンタクトヘッド９を接触させてコンピュータ１３により
演算処理を行い、不良品を不良打抜きパンチ１０でマー
クし電気的選別を行う、１１はスペーサである。
（実施例２）
第５図、第６図は本発明の実施例２を示す図である。
半導体装置１５は回路パターン１６に電気的に導通した
主バンプ１７と、装置の作動に無関係のダミーバンプ１
８と、中心部の回路パターンの熱を逃すための伝熱配線
１９を有している。また、ＴＡＢテープ２０はインナー
リード２１ａ、ダミーリード２１ｂ、放熱部２２が一体
に形成しである。
主バンプ１７と、装置の作動に無関係のダミーバンプ１
８と、中心部の回路パターンの熱を逃すための伝熱配線
１９を有している。また、ＴＡＢテープ２０はインナー
リード２１ａ、ダミーリード２１ｂ、放熱部２２が一体
に形成しである。
半導体装置１５とＴＡＢテープ２０を熱圧着ＩＬＢし、
電気的選別ができるようにインナーリード２１ａのみを
切断した状態を第７図に示す。
電気的選別ができるようにインナーリード２１ａのみを
切断した状態を第７図に示す。
選別良品になったＴＡＢは第８図に示すように放熱部２
２を個々に切断することにより、テープ２０の搬送部分
を放熱部２２として利用可能となる１本実施例ではダミ
ーバンプ１８を半導体装置１の放熱のために利用し、か
つ搬送部分を放熱部２２として効率的に利用できるとい
う利点がある。
２を個々に切断することにより、テープ２０の搬送部分
を放熱部２２として利用可能となる１本実施例ではダミ
ーバンプ１８を半導体装置１の放熱のために利用し、か
つ搬送部分を放熱部２２として効率的に利用できるとい
う利点がある。
以上説明したように本発明は半導体装置上に装置の作動
と無関係なダミーバングを設け、それも含めて導体一層
テープにＩＬＢＬ、ダミーバンプとＩＬＢされたリード
を除いて、リードを導体一層テープから切断することに
より、長尺テープ形状で電気的選別を行える効果がある
。
と無関係なダミーバングを設け、それも含めて導体一層
テープにＩＬＢＬ、ダミーバンプとＩＬＢされたリード
を除いて、リードを導体一層テープから切断することに
より、長尺テープ形状で電気的選別を行える効果がある
。
また、ダミーバング及びそれにつながる配線を半導体装
置上の発熱部分付近に配置することにより、半導体装置
の放熱性を上げることができ、しかも、導体一層テープ
上の放熱用パターンをテープ搬送部に掛けて配置するこ
とにより、導体一層テープの効率的利用ができるという
効果がある。
置上の発熱部分付近に配置することにより、半導体装置
の放熱性を上げることができ、しかも、導体一層テープ
上の放熱用パターンをテープ搬送部に掛けて配置するこ
とにより、導体一層テープの効率的利用ができるという
効果がある。
第１図〜第３図は本発明の実施例１を示す斜視図、第４
図はＴＡＢの選別用設備を示す正面図、第５図〜第８図
は本発明の実施例２を示す正面図、第９図は従来のＴＡ
Ｂを示す斜視図である。 、１５・・・半導体装置 ３，１７・・・主バング、
１８・・・ダミーバンプ 、２０・・・導体一層テープ ａ、２１ａ・・・インナーリード ｂ、２１ｂ・・・ダミーリード
図はＴＡＢの選別用設備を示す正面図、第５図〜第８図
は本発明の実施例２を示す正面図、第９図は従来のＴＡ
Ｂを示す斜視図である。 、１５・・・半導体装置 ３，１７・・・主バング、
１８・・・ダミーバンプ 、２０・・・導体一層テープ ａ、２１ａ・・・インナーリード ｂ、２１ｂ・・・ダミーリード
Claims (1)
- （１）回路動作部に電気的に導通した主バンプ及び回路
動作部から分離独立したダミーバンプを備えた半導体装
置と、インナーリード及びダミーリードを備えた導体一
層テープとを有し、導体一層テープのインナーリード及
びダミーリードを半導体装置の主バンプ及びダミーバン
プにそれぞれ結合するとともに、ダミーバンプに結合さ
れた前記ダミーリードのみを前記導体一層テープから切
り離したことを特徴とするＴＡＢの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309584A JP2737963B2 (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Ｔａｂの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309584A JP2737963B2 (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Ｔａｂの構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02155248A true JPH02155248A (ja) | 1990-06-14 |
| JP2737963B2 JP2737963B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=17994793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309584A Expired - Fee Related JP2737963B2 (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Ｔａｂの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737963B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2674681A1 (fr) * | 1991-03-28 | 1992-10-02 | Em Microelectronic Marin Sa | Composant electronique ultramince et procede pour sa fabrication. |
| US7821115B2 (en) | 2005-12-05 | 2010-10-26 | Nec Electronics Corporation | Tape carrier package including a heat dissipation element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245945A (ja) * | 1988-08-06 | 1990-02-15 | Seiko Epson Corp | 回路基板 |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP63309584A patent/JP2737963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245945A (ja) * | 1988-08-06 | 1990-02-15 | Seiko Epson Corp | 回路基板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2674681A1 (fr) * | 1991-03-28 | 1992-10-02 | Em Microelectronic Marin Sa | Composant electronique ultramince et procede pour sa fabrication. |
| US7821115B2 (en) | 2005-12-05 | 2010-10-26 | Nec Electronics Corporation | Tape carrier package including a heat dissipation element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737963B2 (ja) | 1998-04-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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