JPH02157286A - 塩素化珪素化合物の製造方法 - Google Patents
塩素化珪素化合物の製造方法Info
- Publication number
- JPH02157286A JPH02157286A JP63311535A JP31153588A JPH02157286A JP H02157286 A JPH02157286 A JP H02157286A JP 63311535 A JP63311535 A JP 63311535A JP 31153588 A JP31153588 A JP 31153588A JP H02157286 A JPH02157286 A JP H02157286A
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- JP
- Japan
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- compound
- silicon
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- chlorinated silicon
- chlorinated
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、塩素化珪素化合物の製造方法に関する。
塩素化珪素化合物は、有機珪素化合物の製造あるいは有
機珪素からなる基を含む化合物の製造に活性の高い原料
として広(用いられている。
機珪素からなる基を含む化合物の製造に活性の高い原料
として広(用いられている。
塩素化珪素化合物の製造方法のひとつとして、水素化珪
素化合物に塩素ガスを反応させて塩素化珪素化合物を得
る方法が知られている。しかし、水素化珪素化合物がC
−H結合をもつ場合、その分子中のC−H結合の塩素化
が同時に起り、副生成物が生成して、目的とする塩素化
珪素化合物の収率が低下するという欠点があった。また
、副生成物は精留によっても分離が難しく、高純度の塩
素化珪素化合物が得られないという欠点もあった。
素化合物に塩素ガスを反応させて塩素化珪素化合物を得
る方法が知られている。しかし、水素化珪素化合物がC
−H結合をもつ場合、その分子中のC−H結合の塩素化
が同時に起り、副生成物が生成して、目的とする塩素化
珪素化合物の収率が低下するという欠点があった。また
、副生成物は精留によっても分離が難しく、高純度の塩
素化珪素化合物が得られないという欠点もあった。
本発明は、上記従来技術のもっている欠点を解決しよう
とするものであり、珪素原子に直結した塩素原子を有す
る有機珪素化合物を高収率かつ高純度に製造する方法を
提供するものである。
とするものであり、珪素原子に直結した塩素原子を有す
る有機珪素化合物を高収率かつ高純度に製造する方法を
提供するものである。
既に、本発明者らは、従来技術のもつ欠点を解決する方
法として、珪素原子に直結した水素原子を有する有機珪
素化合物と塩素とを反応させることにより、塩素化珪素
化合物を製造するに際して、有機硫黄化合物又は、有機
酸素化合物又は、金属ハロゲン化物の存在下で行なう方
法を見出している。
法として、珪素原子に直結した水素原子を有する有機珪
素化合物と塩素とを反応させることにより、塩素化珪素
化合物を製造するに際して、有機硫黄化合物又は、有機
酸素化合物又は、金属ハロゲン化物の存在下で行なう方
法を見出している。
さらに、本発明者らは、この研究に鋭意取り組んだ結果
、芳香族化合物が有機硫黄化合物及び有機酸素化合物及
び金属ハロゲン化物と同等な効果をもっていることを新
たに見出した。
、芳香族化合物が有機硫黄化合物及び有機酸素化合物及
び金属ハロゲン化物と同等な効果をもっていることを新
たに見出した。
即ち、本発明の方法は、珪素原子に直結した水素原子を
有する有機珪素化合物と塩素とを反応させることにより
塩素化珪素化合物を製造するに際して、芳香族化合物の
存在下で行なうことを特徴としている。
有する有機珪素化合物と塩素とを反応させることにより
塩素化珪素化合物を製造するに際して、芳香族化合物の
存在下で行なうことを特徴としている。
本発明で用いられる珪素原子に直結した水素原子を有す
る有機珪素化合物としては、 II l Me Me Me Me Me MeSiCl z、MezSiCII 、EtzSil
l、EtSiClt l+ EtzSiHz+Et3
SiH,、−PrSill、 、1−Pr5ill
t−Pr5ill、 、1−BuSill。
る有機珪素化合物としては、 II l Me Me Me Me Me MeSiCl z、MezSiCII 、EtzSil
l、EtSiClt l+ EtzSiHz+Et3
SiH,、−PrSill、 、1−Pr5ill
t−Pr5ill、 、1−BuSill。
こに、Meはメチル基、Etはエチル基、Prはプロピ
ル基、Buはブチル基、phはフェニル基を表す。)本
発明で利用できる芳香族化合物としては、l Ph、P、 PhzSiCl z、 Ph1SiC1、
Ph、l5nC1等が例示される。
ル基、Buはブチル基、phはフェニル基を表す。)本
発明で利用できる芳香族化合物としては、l Ph、P、 PhzSiCl z、 Ph1SiC1、
Ph、l5nC1等が例示される。
使用する芳香族化合物の量は、必要以上の添加は経済的
ではないので、原料の水素化珪素化合物に対して0.0
1〜10重量%、好ましくは0.05〜1重量%である
。
ではないので、原料の水素化珪素化合物に対して0.0
1〜10重量%、好ましくは0.05〜1重量%である
。
溶媒は四塩化炭素などの塩素化溶媒で良く、その使用量
は原料の水素化珪素化合物に対して重量にして0.1〜
100倍、好ましくは0.5〜10倍である。
は原料の水素化珪素化合物に対して重量にして0.1〜
100倍、好ましくは0.5〜10倍である。
反応温度は一70〜50℃、好ましくは一30〜30℃
の範囲である。この温度範囲で水素化珪素化合物に対し
て塩素を当量(モル)以上1.5倍当量(モル)以下反
応させれば、副生成物が発生することもなく、反応終了
後溶媒を留去したのら、残留分を蒸留精製することより
目的とする塩素化珪素化合物を純度99%以上のものと
して得ることができる。
の範囲である。この温度範囲で水素化珪素化合物に対し
て塩素を当量(モル)以上1.5倍当量(モル)以下反
応させれば、副生成物が発生することもなく、反応終了
後溶媒を留去したのら、残留分を蒸留精製することより
目的とする塩素化珪素化合物を純度99%以上のものと
して得ることができる。
本発明の方法によれば、芳香族化合物の共存下で珪素原
子に直結した水素原子を有する有機珪素化合物に塩素を
反応させることにより、副生成物の生成もほとんどなく
、目的とする塩素化珪素化合物を収率よく合成できるが
、反応機構的には、芳香族化合物の芳香環上に塩素を拘
束して反応に関与させるため、C−H基よりもS i
−II 7Jを優先的に攻撃するものと考えられる。
子に直結した水素原子を有する有機珪素化合物に塩素を
反応させることにより、副生成物の生成もほとんどなく
、目的とする塩素化珪素化合物を収率よく合成できるが
、反応機構的には、芳香族化合物の芳香環上に塩素を拘
束して反応に関与させるため、C−H基よりもS i
−II 7Jを優先的に攻撃するものと考えられる。
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例1
terL−ブチルメチルクロロシラン137g (1,
00モル)と四塩化炭素270gとメシチレンクロロシ
ランの0.5wt%)の混合物の中に塩素カス71g(
1,00モル)を温度O℃にて2時間かけて吹き込み反
応させ、反応終了後四塩化炭素を常圧にて加熱し留去し
た後、残留物を蒸留塔を用いて精製し、沸点135〜1
36℃でtert−ブチルメチルジクロロシラン170
gを得た。(収率99%)このとき、 C1h C1I□CI C1li CSi CN −−−−−・−−
−−−−−(A)C1l、 (:、1 C1h 1 CIl、 C1 等の副生成物はなかった。
00モル)と四塩化炭素270gとメシチレンクロロシ
ランの0.5wt%)の混合物の中に塩素カス71g(
1,00モル)を温度O℃にて2時間かけて吹き込み反
応させ、反応終了後四塩化炭素を常圧にて加熱し留去し
た後、残留物を蒸留塔を用いて精製し、沸点135〜1
36℃でtert−ブチルメチルジクロロシラン170
gを得た。(収率99%)このとき、 C1h C1I□CI C1li CSi CN −−−−−・−−
−−−−−(A)C1l、 (:、1 C1h 1 CIl、 C1 等の副生成物はなかった。
比較例1
実施例1においてメシチレンを入れずに同様の条件下で
実験を行なった処、ter t−ブチルメチルジクロロ
シランは得られたが、上記(A)、 CB)及び(C
)の副生成物が次の割合で含まれていた。
実験を行なった処、ter t−ブチルメチルジクロロ
シランは得られたが、上記(A)、 CB)及び(C
)の副生成物が次の割合で含まれていた。
(A) −−−−−−−・−・−1,1%〔B〕 −
・−−一−−・−−−−−12,6%(C)−−−・−
・−・−−−−−1,3%実施例2〜5 ter t−ブチルメチルクロロシラン137g (1
,00モル)と塩素ガスとを第1表に示した通りの条件
下で反応させた後、溶媒の四塩化炭素を留去し、実施例
1と同様にして沸点135〜136℃でter t−ブ
チルメチルジクロロシランを第1表に示す収率で得た。
・−−一−−・−−−−−12,6%(C)−−−・−
・−・−−−−−1,3%実施例2〜5 ter t−ブチルメチルクロロシラン137g (1
,00モル)と塩素ガスとを第1表に示した通りの条件
下で反応させた後、溶媒の四塩化炭素を留去し、実施例
1と同様にして沸点135〜136℃でter t−ブ
チルメチルジクロロシランを第1表に示す収率で得た。
この実施例からも、芳香族化合物を使用した場合、副生
成物(A)、 CB)及び(C)が全く生成しないこ
とが判る。
成物(A)、 CB)及び(C)が全く生成しないこ
とが判る。
実施例6
トリエチルシラン174g(1,50モル)と四1.2
2g()リエチJレジランの0.7賀t%)の混合物の
中に塩素ガス106g(1,50モル)を温度10°C
にて2時間かけて吹き込み反応させ、反応終了後、四塩
化炭素を常圧にて加熱し留去した後、残留物を蒸留塔を
用いて精製し、沸点144〜145℃でトリエチルクロ
ロシラン224gを得た(収率99%)このとき、 CICtIts C1h Cll Si C1−・−・−・・−C
D)C,H5 Cz ll 5 C1−CI、−CIl□−5i −CI −−−−
−・−−−−−−−−−(E)zHs CH。
2g()リエチJレジランの0.7賀t%)の混合物の
中に塩素ガス106g(1,50モル)を温度10°C
にて2時間かけて吹き込み反応させ、反応終了後、四塩
化炭素を常圧にて加熱し留去した後、残留物を蒸留塔を
用いて精製し、沸点144〜145℃でトリエチルクロ
ロシラン224gを得た(収率99%)このとき、 CICtIts C1h Cll Si C1−・−・−・・−C
D)C,H5 Cz ll 5 C1−CI、−CIl□−5i −CI −−−−
−・−−−−−−−−−(E)zHs CH。
CH−fl
(/!−CH2−CHz−5i −C1−−−−−−
−−−−−(F)C,lIS 等の副生成物の発生はなかった。
−−−−−(F)C,lIS 等の副生成物の発生はなかった。
比較例2
実施例6において、アントラセンを入れずに、同様の条
件下で実験を行なった処、トリエチルクロロシランは得
られたが、上記CD)、 (E)及びCF)の副生成
物が次の割合で含まれていた。
件下で実験を行なった処、トリエチルクロロシランは得
られたが、上記CD)、 (E)及びCF)の副生成
物が次の割合で含まれていた。
〔D〕 −・−・−−−−−−−−2,8%(E)
−−−−−−−−−・−2,5%(F) −−−−−
−一・−2,1%実施例7 tert−ブチルジメチルシラン267g(2,30モ
ル)と四塩化炭素670gとジフェニルランの1.0w
t%)の混合物の中に塩素ガス163g(2,30モル
)を温度20℃にて2時間30分かけて吹き込み反応さ
せ、反応終了後、四塩化炭素を常圧にて加熱し留去した
後、残留物を蒸留塔を用いて精製し、沸点124〜12
6℃でtert −ブチルジメチルクロロシラン340
gを得た(収率98%)このとき、 Cll3 CL CH3 CH3CH3 等の副生成物の発生はおこらなかった。
−−−−−−−−−・−2,5%(F) −−−−−
−一・−2,1%実施例7 tert−ブチルジメチルシラン267g(2,30モ
ル)と四塩化炭素670gとジフェニルランの1.0w
t%)の混合物の中に塩素ガス163g(2,30モル
)を温度20℃にて2時間30分かけて吹き込み反応さ
せ、反応終了後、四塩化炭素を常圧にて加熱し留去した
後、残留物を蒸留塔を用いて精製し、沸点124〜12
6℃でtert −ブチルジメチルクロロシラン340
gを得た(収率98%)このとき、 Cll3 CL CH3 CH3CH3 等の副生成物の発生はおこらなかった。
比較例3
実施例7において、ジフェニルを入れずに、同様の条件
下で実験を行なった処、ter t−ブチルジメチルク
ロロシランは得られたが上記〔G〕。
下で実験を行なった処、ter t−ブチルジメチルク
ロロシランは得られたが上記〔G〕。
(H)及び(1)の副生成物が次の割合で含まれていた
。
。
CG) −−−m−−−−−−−−1,9%(H)
−−−−−−−−1,5% (1)−−−−−〜−−1.7% 実施例8 1.1.3.3−テトラメチルジシロキサン268g(
2,00モル)と四塩化炭素540gと塩化トリフェニ
ルすずI’tl:+5nCj! 0.80g (1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサンの0.3wt%
)の混合物の中に、塩素ガス291g(4,10モル)
を温度−5℃にて3時間かけて吹き込み反応させ、反応
終了後、四塩化炭素を常圧にて加熱し留去した後、残留
物を蒸留塔を用いて精製し、沸点137〜138℃で1
.1.3.3−テトラメチル−1,3−ジクロロジシロ
キサン397gを得た。(収率98%)このとき、 C11□Cβ C113 Cβ−5i O5i C11’ (J) C11゜ C11□Cβ C1l□(JCe −5i
−0−5i−CI−〔K )C1h
C11J CIl□C7! CI+3(J! −5i
−0−5i−C1−(L)CIl□l!
C113 等の副生成物の発生はおこっていなかった。
−−−−−−−−1,5% (1)−−−−−〜−−1.7% 実施例8 1.1.3.3−テトラメチルジシロキサン268g(
2,00モル)と四塩化炭素540gと塩化トリフェニ
ルすずI’tl:+5nCj! 0.80g (1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサンの0.3wt%
)の混合物の中に、塩素ガス291g(4,10モル)
を温度−5℃にて3時間かけて吹き込み反応させ、反応
終了後、四塩化炭素を常圧にて加熱し留去した後、残留
物を蒸留塔を用いて精製し、沸点137〜138℃で1
.1.3.3−テトラメチル−1,3−ジクロロジシロ
キサン397gを得た。(収率98%)このとき、 C11□Cβ C113 Cβ−5i O5i C11’ (J) C11゜ C11□Cβ C1l□(JCe −5i
−0−5i−CI−〔K )C1h
C11J CIl□C7! CI+3(J! −5i
−0−5i−C1−(L)CIl□l!
C113 等の副生成物の発生はおこっていなかった。
比較例4
実施例8において、塩化トリフェニルずずを入れずに、
同様の条件下で実験を行なった処、1.1,3.3−テ
トラメチル−■、3−ジクロロジシロキサンは得られた
が、上記(J)、 (K)、 (L)の副生成物が
次の割合で含まれていた。
同様の条件下で実験を行なった処、1.1,3.3−テ
トラメチル−■、3−ジクロロジシロキサンは得られた
が、上記(J)、 (K)、 (L)の副生成物が
次の割合で含まれていた。
Claims (1)
- 珪素原子に直結した水素原子を有する有機珪素化合物と
塩素とを芳香族化合物の存在下に反応させることを特徴
とする塩素化珪素化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311535A JPH02157286A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 塩素化珪素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311535A JPH02157286A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 塩素化珪素化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02157286A true JPH02157286A (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=18018411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63311535A Pending JPH02157286A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 塩素化珪素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02157286A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6357592A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | tert−ブチルジメチルクロロシランの製造方法 |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP63311535A patent/JPH02157286A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6357592A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | tert−ブチルジメチルクロロシランの製造方法 |
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