JPH02160697A - 成長方位制御された有機単結晶の製造方法 - Google Patents
成長方位制御された有機単結晶の製造方法Info
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- JPH02160697A JPH02160697A JP31572288A JP31572288A JPH02160697A JP H02160697 A JPH02160697 A JP H02160697A JP 31572288 A JP31572288 A JP 31572288A JP 31572288 A JP31572288 A JP 31572288A JP H02160697 A JPH02160697 A JP H02160697A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は良質かつ成長方位制御された有機単結晶の製造
方法に関するものであり、例えば光学、非線形光学、音
響光学、情報処理、通信分野において好適に用いられる
。
方法に関するものであり、例えば光学、非線形光学、音
響光学、情報処理、通信分野において好適に用いられる
。
［従来の技術］
近年、光学、非線形光学、音響光学、情報処理、通信分
野においては、異方性有機単結晶を使用したいという要
求が強まって来た。このような場合、それぞれの目的に
応じて、特定の形状を持つ結晶の特定方位に特定の結晶
軸が存在すると非常に都合が良い。また、結晶成長の場
所が指定できると更に都合が良い。
野においては、異方性有機単結晶を使用したいという要
求が強まって来た。このような場合、それぞれの目的に
応じて、特定の形状を持つ結晶の特定方位に特定の結晶
軸が存在すると非常に都合が良い。また、結晶成長の場
所が指定できると更に都合が良い。
このような要望に対し、従来の有機化合物の単結晶製造
法には、大別して、 （ア）気相法（昇華法など） （イ）溶融法（ブリッジマン法など） （つ）溶液法 があるが、どれひとつとして有機単結晶の成長場所・成
長方位を意図的に制御し得る製造方法としては、満足な
ものではなく、最も目的に合致し得る単結晶の製造方法
としては、成長させようとする有機化合物の単結晶を種
子結晶として用いる方法が唯一の方法として考えられる
。
法には、大別して、 （ア）気相法（昇華法など） （イ）溶融法（ブリッジマン法など） （つ）溶液法 があるが、どれひとつとして有機単結晶の成長場所・成
長方位を意図的に制御し得る製造方法としては、満足な
ものではなく、最も目的に合致し得る単結晶の製造方法
としては、成長させようとする有機化合物の単結晶を種
子結晶として用いる方法が唯一の方法として考えられる
。
しかしなか、ら１．この方法においても、所望の成長面
を持つ結晶を得て、所望の成長場所に配置することは実
際上困難であった。また、たとえ上記のことが可能であ
っても、種子結晶の溶解、溶融などが非常に精密かつ制
限された結晶成長条件設定の要因となっていた。
を持つ結晶を得て、所望の成長場所に配置することは実
際上困難であった。また、たとえ上記のことが可能であ
っても、種子結晶の溶解、溶融などが非常に精密かつ制
限された結晶成長条件設定の要因となっていた。
一方、無機化合物とりわけ半導体については、ホモ・エ
ピタキシャル成長とへテロ・エピタキシャル成長すなわ
ち異種結晶上に単結晶を成長させるという技術は広く知
られている。
ピタキシャル成長とへテロ・エピタキシャル成長すなわ
ち異種結晶上に単結晶を成長させるという技術は広く知
られている。
しかしながら、半導体のへテロ・エピタキシャル成長に
用いられる種々の基板結晶、例えば５ｉ１ＧａＡｓなど
をそのまま有機化合物の単結晶製造に用いようとしても
、格子定数が違いすぎる、すなわち格子不整合（ミス・
フィツト・ファクター）が大きすぎてヘテロ・エピタキ
シャル成長はおこらないというものであった。
用いられる種々の基板結晶、例えば５ｉ１ＧａＡｓなど
をそのまま有機化合物の単結晶製造に用いようとしても
、格子定数が違いすぎる、すなわち格子不整合（ミス・
フィツト・ファクター）が大きすぎてヘテロ・エピタキ
シャル成長はおこらないというものであった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、前記した従来の方法における種子結晶の溶解
、溶融による制限がなく、有機単結晶の成長場所・成長
方位が簡便にかつ意図的に制御できるといった成長方位
制御された有機単結晶の製造方法を提供することを目的
とする。
、溶融による制限がなく、有機単結晶の成長場所・成長
方位が簡便にかつ意図的に制御できるといった成長方位
制御された有機単結晶の製造方法を提供することを目的
とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を達成するために、本発明は下記の構成を有す
る。
る。
「気相、溶液相、または溶融相からの有機化合物単結晶
の製造法において、ポリジアセチレン誘導体単結晶を共
存させ、該ポリジアセチレン誘導体単結晶の結晶面上に
その結晶面の格子定数と整合する有機化合物単結晶の成
長面を選択的に成長させる工程を含むことを特徴とする
成長方位制御された有機単結晶の製造方法。」 本発明者らは、気相、溶液相、または溶融相からの有機
化合物単結晶の製造法において、非昇華性、非溶解性、
非溶融性のポリジアセチレン誘導体単結晶を共存させる
と、該ポリジアセチレン誘導体単結晶の結晶面上にその
結晶面の格子定数と整合する有機化合物単結晶の成長面
を選択的に成長させることができることを見い出し、本
発明に至った。
の製造法において、ポリジアセチレン誘導体単結晶を共
存させ、該ポリジアセチレン誘導体単結晶の結晶面上に
その結晶面の格子定数と整合する有機化合物単結晶の成
長面を選択的に成長させる工程を含むことを特徴とする
成長方位制御された有機単結晶の製造方法。」 本発明者らは、気相、溶液相、または溶融相からの有機
化合物単結晶の製造法において、非昇華性、非溶解性、
非溶融性のポリジアセチレン誘導体単結晶を共存させる
と、該ポリジアセチレン誘導体単結晶の結晶面上にその
結晶面の格子定数と整合する有機化合物単結晶の成長面
を選択的に成長させることができることを見い出し、本
発明に至った。
本発明でいう、単結晶が有用である有機化合物とは、光
学、非線形光学、音響光学などにおいて有用な有機化合
物であれば何でも良いが、有機非線形光学材料を例にと
って説明すると、２−メチル−４−ニトロアニリン（Ｍ
ＮＡ） 、Ｎ−（４−ニトロフェニル）−Ｌ−プロリノ
ール（ＮＰＰ）、Ｎ−［２−（５−二トロピリジル）］
−］Ｌ−プロリノールＰＮＰ） 、２−アセチルアミノ
−４−ニトロ−Ｎ、 Ｎ−ジメチルアニリン（ＤＡＮ）
、２−（α−メチルベンジルアミノ）−５−ニトロピリ
ジン（ＭＢＡＮＰ） 、４−アミノベンゾフェノン（Ａ
ＢＰ）、４−メチル−７−ジニチルアミノクマリン、４
′−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウ
ム−メトスルフェート（ＤＭＳＭ）、４−一二トロペン
ジリデンー４−メチルアニリン、４′−ニトロベンジリ
デン−３−アセトアミノ−４−メトキシアニリン（ＭＮ
ＢＡ）、４−メトキシ−３−メチル−４′−二トロスチ
ルベン（ＭＭＮＳ） 、４−ブロモ−４′−二トロスチ
ルベンなどの２次非線形光学効果を奏するもの、および
ペリレン／テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）錯体、ペ
リレン／７． ７． ８． ８−テトラシアノキノジメ
タン（ＴＣＮＱ）錯体などの３次非線形光学効果を奏す
るものなどがある。２次非線形光学効果を奏する有機化
合物の他の例は、“Ｎ。
学、非線形光学、音響光学などにおいて有用な有機化合
物であれば何でも良いが、有機非線形光学材料を例にと
って説明すると、２−メチル−４−ニトロアニリン（Ｍ
ＮＡ） 、Ｎ−（４−ニトロフェニル）−Ｌ−プロリノ
ール（ＮＰＰ）、Ｎ−［２−（５−二トロピリジル）］
−］Ｌ−プロリノールＰＮＰ） 、２−アセチルアミノ
−４−ニトロ−Ｎ、 Ｎ−ジメチルアニリン（ＤＡＮ）
、２−（α−メチルベンジルアミノ）−５−ニトロピリ
ジン（ＭＢＡＮＰ） 、４−アミノベンゾフェノン（Ａ
ＢＰ）、４−メチル−７−ジニチルアミノクマリン、４
′−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウ
ム−メトスルフェート（ＤＭＳＭ）、４−一二トロペン
ジリデンー４−メチルアニリン、４′−ニトロベンジリ
デン−３−アセトアミノ−４−メトキシアニリン（ＭＮ
ＢＡ）、４−メトキシ−３−メチル−４′−二トロスチ
ルベン（ＭＭＮＳ） 、４−ブロモ−４′−二トロスチ
ルベンなどの２次非線形光学効果を奏するもの、および
ペリレン／テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）錯体、ペ
リレン／７． ７． ８． ８−テトラシアノキノジメ
タン（ＴＣＮＱ）錯体などの３次非線形光学効果を奏す
るものなどがある。２次非線形光学効果を奏する有機化
合物の他の例は、“Ｎ。
ｎ１ｉｎｅａｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｏ１ｅｃｕｌｅｓ ａｎ
ｄ Ｃｒ７ｓｔａｌｓ’ｅｄ、ｂ７ Ｄ、Ｓ、Ｃｈｅｍ
ｌａ ａｎｄ Ｊ、２７ｓｓ、 Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐ
ｒｅｓｓ、 １９８７． ｖｏｌ、１． Ｃｈａｐｔｅ
ｔＩＩ−３，ｐｐ２２７〜２９６に詳しい。
ｓ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｏ１ｅｃｕｌｅｓ ａｎ
ｄ Ｃｒ７ｓｔａｌｓ’ｅｄ、ｂ７ Ｄ、Ｓ、Ｃｈｅｍ
ｌａ ａｎｄ Ｊ、２７ｓｓ、 Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐ
ｒｅｓｓ、 １９８７． ｖｏｌ、１． Ｃｈａｐｔｅ
ｔＩＩ−３，ｐｐ２２７〜２９６に詳しい。
ポリジアセチレン誘導体単結晶は、種々の格子定数を持
つため、目的の有機化合物単結晶の方位制御成長に好適
なものを容易に選択することができるという特徴を有す
る。さらに、非昇華性、非溶解性、非溶融性であるから
、目的の範囲の使用に際しての制限は殆どない。このよ
うなポリジアセチレン誘導体単結晶の性質を利用するこ
とにより、本発明は達成された。更に、ポリジアセチレ
ン誘導体単結晶の多くは１次元性あるいは２次元性の構
造を持ち、このことに由来して襞間によって平滑かつ新
鮮な結晶面を容易に得ることができるという特長を持つ
。ポリジアセチレン誘導体単結晶は、発明の製造方法を
実施する際に、その製造条件下で、非昇華性または非溶
解性または非溶融性のうち少なくとも１つの性質を有す
るものが好ましく用いられる。ポリジアセチレン誘導体
単結晶としては、数多く知られており（例えば、Ｉｌａ
ｎｓ−Ｊｏａｃｂｉｍ Ｃａｎｔｏｗ Ｅｄ、、’Ｐ
ｏ１７ｄｉａｃｅｔ７１ｅｎｅｓ’Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−
Ｖｅｒｌａｇ、 １９８４） 、例えば、ポリ ［２，
４−ヘキサジイン−１，６−シオールビス（ｐ−１ルエ
ンスルホナート）］ （ＰＴＳ）、ポリ（ヘキサ−２，
４−ジイン−１，６−ジイル ビスフェニルカルバメー
ト）（ＨＤＵ）、ポリ （ドデカ−５゜７−ジイン−１
，１２−ジイル ビスフェニルカルバメート）（ＴＣＤ
Ｕ）、ポリ［１，６−ジ（カルバゾリル）−２，４−ヘ
キサジイン］ （ＤＣＨ）などがある。その格子定数
は、既述の参考文献のｐ、１２４〜１２５に記述されて
いる。
つため、目的の有機化合物単結晶の方位制御成長に好適
なものを容易に選択することができるという特徴を有す
る。さらに、非昇華性、非溶解性、非溶融性であるから
、目的の範囲の使用に際しての制限は殆どない。このよ
うなポリジアセチレン誘導体単結晶の性質を利用するこ
とにより、本発明は達成された。更に、ポリジアセチレ
ン誘導体単結晶の多くは１次元性あるいは２次元性の構
造を持ち、このことに由来して襞間によって平滑かつ新
鮮な結晶面を容易に得ることができるという特長を持つ
。ポリジアセチレン誘導体単結晶は、発明の製造方法を
実施する際に、その製造条件下で、非昇華性または非溶
解性または非溶融性のうち少なくとも１つの性質を有す
るものが好ましく用いられる。ポリジアセチレン誘導体
単結晶としては、数多く知られており（例えば、Ｉｌａ
ｎｓ−Ｊｏａｃｂｉｍ Ｃａｎｔｏｗ Ｅｄ、、’Ｐ
ｏ１７ｄｉａｃｅｔ７１ｅｎｅｓ’Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−
Ｖｅｒｌａｇ、 １９８４） 、例えば、ポリ ［２，
４−ヘキサジイン−１，６−シオールビス（ｐ−１ルエ
ンスルホナート）］ （ＰＴＳ）、ポリ（ヘキサ−２，
４−ジイン−１，６−ジイル ビスフェニルカルバメー
ト）（ＨＤＵ）、ポリ （ドデカ−５゜７−ジイン−１
，１２−ジイル ビスフェニルカルバメート）（ＴＣＤ
Ｕ）、ポリ［１，６−ジ（カルバゾリル）−２，４−ヘ
キサジイン］ （ＤＣＨ）などがある。その格子定数
は、既述の参考文献のｐ、１２４〜１２５に記述されて
いる。
有機化合物のバルク単結晶を得る目的には、溶融法の一
種であるブリッジマン法や溶液結晶法においてポリジア
セチレン誘導体単結晶を、種子結晶の如く使用しても良
いし、薄膜単結晶を得る目的には、基板結晶あるいは種
子結晶として使用しても良い。
種であるブリッジマン法や溶液結晶法においてポリジア
セチレン誘導体単結晶を、種子結晶の如く使用しても良
いし、薄膜単結晶を得る目的には、基板結晶あるいは種
子結晶として使用しても良い。
以上のとおり、有機化合物の目的の結晶成長面に対して
、格子整合の条件を満足するようにポリジアセチレン誘
導体単結晶の結晶面から適切なものを選べば、有機単結
晶の有効な成長方位制御が達成できる。
、格子整合の条件を満足するようにポリジアセチレン誘
導体単結晶の結晶面から適切なものを選べば、有機単結
晶の有効な成長方位制御が達成できる。
［実施例］
以下、ポリ［２，４−ヘキサジイン−１，６−シオール
ービス（ｐ−トルエンスルホナート）］ （ＰＴＳ）
単結晶（００１）襞間面上でのＭＮＢＡ単結晶成長に関
する実施例を用いて説明するが、本発明はこれらの例に
よってなんら限定されることはない。
ービス（ｐ−トルエンスルホナート）］ （ＰＴＳ）
単結晶（００１）襞間面上でのＭＮＢＡ単結晶成長に関
する実施例を用いて説明するが、本発明はこれらの例に
よってなんら限定されることはない。
実施例１
大きな２次非線形光学効果を有する有機材料の４゛−二
トロペンジリデン−３−アセトアミノ−４−メトキシア
ニリン（ＭＮＢＡ）の微結晶５．０ｇを、１００ｍ１の
ジメチルホルムアミド中に溶解し、ＰＴＳの単結晶（単
斜晶系Ｐ２１／ｃ、格子定数ａ＝１４．９９３人、ｂ＝
４．９１０人、ｃ＝１４．９３６人、β＝１１８．１４
°）の（００１）襞間面上に展開し、カバー・グラスで
上から挟んで、室温でスロー・エバポレーションによっ
て結晶化させた。十数時間後には結晶が成長するという
極めて急速な結晶成長条件であったが、ＰＴＳ上に均一
に、しかも透明な黄色結晶が得られた。このＭＮＢＡ結
晶を基板ＰＴＳ単結晶から剥離し、偏光顕微鏡のクロス
・ニコル下で観察することにより単結晶であることがわ
かった。
トロペンジリデン−３−アセトアミノ−４−メトキシア
ニリン（ＭＮＢＡ）の微結晶５．０ｇを、１００ｍ１の
ジメチルホルムアミド中に溶解し、ＰＴＳの単結晶（単
斜晶系Ｐ２１／ｃ、格子定数ａ＝１４．９９３人、ｂ＝
４．９１０人、ｃ＝１４．９３６人、β＝１１８．１４
°）の（００１）襞間面上に展開し、カバー・グラスで
上から挟んで、室温でスロー・エバポレーションによっ
て結晶化させた。十数時間後には結晶が成長するという
極めて急速な結晶成長条件であったが、ＰＴＳ上に均一
に、しかも透明な黄色結晶が得られた。このＭＮＢＡ結
晶を基板ＰＴＳ単結晶から剥離し、偏光顕微鏡のクロス
・ニコル下で観察することにより単結晶であることがわ
かった。
同様な結晶成長を繰返した結果、常に単結晶が得られる
ことが確認された。次に、これらの単結晶をＸ線回折に
よって調べたところ、常にＭＮＢＡ単結晶の（００１）
面がＰＴＳ （００１）襞間面上に成長していることが
わかった。
ことが確認された。次に、これらの単結晶をＸ線回折に
よって調べたところ、常にＭＮＢＡ単結晶の（００１）
面がＰＴＳ （００１）襞間面上に成長していることが
わかった。
ＭＮＢＡ単結晶の（ＯＯ１）面とＰＴＳ （００１）面
のミス・フィツト・ファクターを算出したところ、ａ−
ａ＝（ａはＰＴＳの、ａ′はＭＮＢＡの結晶軸方位）方
位では、−１１，８％、ｂ−ｂ′方位では−９，３％で
あり、共にヘテロ・エピタキシャル成長が可能な限界値
とされる１５％より小さな値となることが確認できた。
のミス・フィツト・ファクターを算出したところ、ａ−
ａ＝（ａはＰＴＳの、ａ′はＭＮＢＡの結晶軸方位）方
位では、−１１，８％、ｂ−ｂ′方位では−９，３％で
あり、共にヘテロ・エピタキシャル成長が可能な限界値
とされる１５％より小さな値となることが確認できた。
実施例２
ＭＮＢＡ数十ｍ数十ｍ力バー・グラスの上に置き、その
上からＰＴＳ単結晶の（００１）襞間面を重ねて、その
ままホット・プレートで２００℃に加熱して１８９℃付
近に融点を持つＭＮＢＡを溶融し、０．１℃／時間未満
の降温速度で徐冷した。室温に冷却後、ＰＴＳ上に透明
な黄色結晶が得られた。実施例１と同様に、ＭＮＢＡ結
晶を基板ＰＴＳ単結晶から剥離し、偏光顕微鏡のクロス
・ニコル下で観察することにより、単結晶であることが
わかった。繰返し同様な結晶成長をさせた結果、上述の
方法によれば常に単結晶が得られることが確認された。
上からＰＴＳ単結晶の（００１）襞間面を重ねて、その
ままホット・プレートで２００℃に加熱して１８９℃付
近に融点を持つＭＮＢＡを溶融し、０．１℃／時間未満
の降温速度で徐冷した。室温に冷却後、ＰＴＳ上に透明
な黄色結晶が得られた。実施例１と同様に、ＭＮＢＡ結
晶を基板ＰＴＳ単結晶から剥離し、偏光顕微鏡のクロス
・ニコル下で観察することにより、単結晶であることが
わかった。繰返し同様な結晶成長をさせた結果、上述の
方法によれば常に単結晶が得られることが確認された。
しかし、ＰＴＳ単結晶の（００１）剪開面をホット・プ
レート側にしてカバー・グラス側から冷却され結晶化が
起こるようにすると殆どの場合単結晶は得られなかった
。
レート側にしてカバー・グラス側から冷却され結晶化が
起こるようにすると殆どの場合単結晶は得られなかった
。
次に、先に得られた単結晶をＸ線回折によって調べたと
ころ、常にＭＮＢＡ単結晶の（００１）面がＰＴＳ （
００１） 襞間面上に成長していることがわかった。
ころ、常にＭＮＢＡ単結晶の（００１）面がＰＴＳ （
００１） 襞間面上に成長していることがわかった。
したがって、溶融法の場合にはＰＴＳ単結晶の（００１
）襞間面側からＭＮＢＡの結晶化が起こるよう温度条件
設定することが重要であることが示された。
）襞間面側からＭＮＢＡの結晶化が起こるよう温度条件
設定することが重要であることが示された。
実施例３
ＭＮＢＡ数十ｍｇを、２枚のスライド−グラス間で溶融
し、融液がスライド・グラスの一方の端でＰＴＳ単結晶
の（００１）襞間面に接触するようにして、襞間プレー
ト状ＰＴＳ単結晶の裏から真鍮製のヒート・シンクをあ
てがうことにより、ＰＴＳ単結晶の（００１）襞間面側
からＭＮＢＡの結晶化が起こるように温度条件の設定を
した。
し、融液がスライド・グラスの一方の端でＰＴＳ単結晶
の（００１）襞間面に接触するようにして、襞間プレー
ト状ＰＴＳ単結晶の裏から真鍮製のヒート・シンクをあ
てがうことにより、ＰＴＳ単結晶の（００１）襞間面側
からＭＮＢＡの結晶化が起こるように温度条件の設定を
した。
室温まで徐冷後、スライド・グラス間に透明な黄色結晶
が得られた。実施例１と同様に、ＭＮＢＡ結晶を偏光顕
微鏡のクロス・ニコル下で観察することにより、単結晶
であることがわかった。繰返し同様に結晶成長させた結
果、上述の方法は常に単結晶が得られることが確認され
た。しかし、この場合にはスライド・グラス間に成長し
たＭＮＢＡ単結晶の広い面は（００１）面ではなく、（
０１０）面であることがＸ線回折によってわかった。
が得られた。実施例１と同様に、ＭＮＢＡ結晶を偏光顕
微鏡のクロス・ニコル下で観察することにより、単結晶
であることがわかった。繰返し同様に結晶成長させた結
果、上述の方法は常に単結晶が得られることが確認され
た。しかし、この場合にはスライド・グラス間に成長し
たＭＮＢＡ単結晶の広い面は（００１）面ではなく、（
０１０）面であることがＸ線回折によってわかった。
この実施例によって、ガラス基板間に再現性良く特定の
成長方位を有する薄膜単結晶が得られることが示された
。
成長方位を有する薄膜単結晶が得られることが示された
。
実施例４
真空蒸着機の抵抗加熱ボートの上にＭＮＢＡ数ｇを置き
、抵抗加熱ボートの上方的３５ｃｍの所にある基板ホー
ルダーに（００１）襞間面を持つＰＴＳ単結晶を取付け
た。約１０−’ Ｔｏｒｔの真空度にして約５人／ｓｅ
ｅのゆっくりした蒸着速度で蒸着した。約５０００人の
堆積膜厚となったところで蒸着を止め、ＰＴＳ単結単結
晶面開面察した。
、抵抗加熱ボートの上方的３５ｃｍの所にある基板ホー
ルダーに（００１）襞間面を持つＰＴＳ単結晶を取付け
た。約１０−’ Ｔｏｒｔの真空度にして約５人／ｓｅ
ｅのゆっくりした蒸着速度で蒸着した。約５０００人の
堆積膜厚となったところで蒸着を止め、ＰＴＳ単結単結
晶面開面察した。
無数の、はぼ−様の大きさ（数μｍ〜数十μｍ）と形状
を持つ微結晶がほぼ同一方向に方位を揃えて生成してい
たが、大きな薄膜単結晶を得ることはできなかった。
を持つ微結晶がほぼ同一方向に方位を揃えて生成してい
たが、大きな薄膜単結晶を得ることはできなかった。
次に、基板であるＰＴＳ単結晶を加熱して温度を約１５
０℃に保って上記と同様の条件下にＭＮＢＡを蒸着した
。約５０００大のＭＮＢＡ堆積膜厚を有するＰＴＳ単結
単結晶面開面察した。ＰＴＳ単結単結晶面開面上ぼ均一
に黄色の透明膜が生成した。実施例１と同様に、このＭ
ＮＢＡ膜を基板ＰＴＳ単結晶から剥離し、偏光顕微鏡の
クロスニコル下で観察して、単結晶であることがわかっ
た。同様な結晶成長を繰返した結果、上述の方法で常に
単結晶が得られることが確認された。
０℃に保って上記と同様の条件下にＭＮＢＡを蒸着した
。約５０００大のＭＮＢＡ堆積膜厚を有するＰＴＳ単結
単結晶面開面察した。ＰＴＳ単結単結晶面開面上ぼ均一
に黄色の透明膜が生成した。実施例１と同様に、このＭ
ＮＢＡ膜を基板ＰＴＳ単結晶から剥離し、偏光顕微鏡の
クロスニコル下で観察して、単結晶であることがわかっ
た。同様な結晶成長を繰返した結果、上述の方法で常に
単結晶が得られることが確認された。
次に得られた単結晶をＸ線回折によって調べたところ、
常にＭＮＢＡ単結晶の（ＯＯ１）面がＰＴＳ （００１
） 襞間面上に成長することがわかった。
常にＭＮＢＡ単結晶の（ＯＯ１）面がＰＴＳ （００１
） 襞間面上に成長することがわかった。
したがって、気相法によってもＭＮＢＡ単結晶を方位制
御してＰＴＳ単結晶の（００１）襞間面上に成長させる
ことができるが、その際基板ＰＴＳの温度設定が重要で
あることが示された。
御してＰＴＳ単結晶の（００１）襞間面上に成長させる
ことができるが、その際基板ＰＴＳの温度設定が重要で
あることが示された。
［発明の効果］
本発明は、ポリジアセチレン誘導体単結晶を成長基板結
晶あるいは種子結晶の如く用いることにより、有機単結
晶の成長場所・成長方位が簡便かつ意図的に制御できる
といった成長方位制御された有機単結晶の製造方法を提
供することができる。
晶あるいは種子結晶の如く用いることにより、有機単結
晶の成長場所・成長方位が簡便かつ意図的に制御できる
といった成長方位制御された有機単結晶の製造方法を提
供することができる。
Claims (2)
- （１）気相、溶液相、または溶融相からの有機化合物単
結晶の製造法において、ポリジアセチレン誘導体単結晶
を共存させ、該ポリジアセチレン誘導体単結晶の結晶面
上にその結晶面の格子定数と整合する有機化合物単結晶
の成長面を選択的に成長させる工程を含むことを特徴と
する成長方位制御された有機単結晶の製造方法。 - （２）有機化合物が非線形光学材料であることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の成長方位制御され
た有機単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31572288A JPH0676280B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 成長方位制御された有機単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31572288A JPH0676280B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 成長方位制御された有機単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02160697A true JPH02160697A (ja) | 1990-06-20 |
| JPH0676280B2 JPH0676280B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=18068750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31572288A Expired - Lifetime JPH0676280B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 成長方位制御された有機単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676280B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016658A1 (en) * | 1990-04-13 | 1991-10-31 | Toray Industries, Inc. | Laminated organic nonlinear optical crystal and production thereof |
| US5385116A (en) * | 1992-03-24 | 1995-01-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing organic crystal film |
| US5751389A (en) * | 1994-09-08 | 1998-05-12 | Sumitomo Chemical Company | Film containing oriented dye, method of manufacturing the same, and polarizer and liquid crystal display unit utilizing the same |
| US6133973A (en) * | 1995-09-08 | 2000-10-17 | Andreatta; Alejandro | Film containing oriented dye, method of manufacturing the same, and polarizer and liquid crystal display unit utilizing the same |
-
1988
- 1988-12-14 JP JP31572288A patent/JPH0676280B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016658A1 (en) * | 1990-04-13 | 1991-10-31 | Toray Industries, Inc. | Laminated organic nonlinear optical crystal and production thereof |
| US5385116A (en) * | 1992-03-24 | 1995-01-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing organic crystal film |
| US5751389A (en) * | 1994-09-08 | 1998-05-12 | Sumitomo Chemical Company | Film containing oriented dye, method of manufacturing the same, and polarizer and liquid crystal display unit utilizing the same |
| US6133973A (en) * | 1995-09-08 | 2000-10-17 | Andreatta; Alejandro | Film containing oriented dye, method of manufacturing the same, and polarizer and liquid crystal display unit utilizing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0676280B2 (ja) | 1994-09-28 |
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