JPH02161433A - フォトマスク基板 - Google Patents
フォトマスク基板Info
- Publication number
- JPH02161433A JPH02161433A JP63316813A JP31681388A JPH02161433A JP H02161433 A JPH02161433 A JP H02161433A JP 63316813 A JP63316813 A JP 63316813A JP 31681388 A JP31681388 A JP 31681388A JP H02161433 A JPH02161433 A JP H02161433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- chromium film
- resist
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は半導体集積回路の製造に使用するフォトマスク
並びにレチクルに関し。
並びにレチクルに関し。
フォトマスク並びにレチクル上のクロム膜の剥離防止を
目的とし。
目的とし。
フォトマスクの基板上に形成されたクロム膜の基板端面
部分が一様に除去されているように構成する。
部分が一様に除去されているように構成する。
本発明は半導体集積回路の製造に使用されるフォトマス
ク基板等の改良に関する。
ク基板等の改良に関する。
半導体集積回路の高集積化、微細化にともない。
フォトマスクやレチクルのパターン精度と共に微細な傷
や汚れによる歩留りロスを減らすことが要求されている
。
や汚れによる歩留りロスを減らすことが要求されている
。
このため、フォトマスクの基板製造及び使用中の微細金
属片その他のごみによるフォトマスク障害を極力防止す
る必要がある。
属片その他のごみによるフォトマスク障害を極力防止す
る必要がある。
現在、広（使われているフォトマスク及びレチクルのガ
ラス基板上のクロム膜パターンはクロム酸化クロム、或
いはその混合膜で形成されているが、このクロム膜は、
第３図（ａ）に示すように真空蒸着やスパックでガラス
基板８上全面に形成される。
ラス基板上のクロム膜パターンはクロム酸化クロム、或
いはその混合膜で形成されているが、このクロム膜は、
第３図（ａ）に示すように真空蒸着やスパックでガラス
基板８上全面に形成される。
クロム膜９はもともとガラス基板８との密着性は良好で
あるが、クロム膜作成時のガラス表面の汚染等により密
着性が低下し、剥がれ易（なる場合があり、又、フォト
プロセス工程で使用中にも装置への着脱、その他取汲中
に擦れ、打撲等で基板端面より、往々剥離を生ずる。
あるが、クロム膜作成時のガラス表面の汚染等により密
着性が低下し、剥がれ易（なる場合があり、又、フォト
プロセス工程で使用中にも装置への着脱、その他取汲中
に擦れ、打撲等で基板端面より、往々剥離を生ずる。
剥離は、第３図（ｂ）に示すように、ガラス基板８上の
クロム膜９の端面より発生し、剥がれた微小のクロム片
１０がフォトマスクのパターン上に付着して、パターン
を損傷してしまう。
クロム膜９の端面より発生し、剥がれた微小のクロム片
１０がフォトマスクのパターン上に付着して、パターン
を損傷してしまう。
〔発明が解決しようとする課題］
したがって、正常なパターンが形成されず、シリコン素
子のパターニング不良を発生させ、そしてウェハープロ
セスの歩留りを低下させる大きな原因となる問題を生じ
ていた。
子のパターニング不良を発生させ、そしてウェハープロ
セスの歩留りを低下させる大きな原因となる問題を生じ
ていた。
本発明は、フォトマスク及びレチクルのクロム膜の基板
端面部をクロムパターン形成の際の露光現像の段階で、
除去して、基板からのクロム膜の剥がれを生じない方法
を提供することを目的とする。
端面部をクロムパターン形成の際の露光現像の段階で、
除去して、基板からのクロム膜の剥がれを生じない方法
を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理説明図である。
本発明はフォトマスク１において、基板」−に形成され
たクロム膜２の基板端面部分がエツチングにより除去さ
れることによって達成される。
たクロム膜２の基板端面部分がエツチングにより除去さ
れることによって達成される。
本発明では、フォトマスク上のクロム膜の基板端面部が
エツチングで除去されている。
エツチングで除去されている。
従って、基板端面からクロム膜が剥がれてくることがな
く、微細金属片によるパターン損傷の発生が防止され１
歩留りの大幅な向上に繋がる。
く、微細金属片によるパターン損傷の発生が防止され１
歩留りの大幅な向上に繋がる。
第２図は本発明のガラス基板における実施例の説明図で
ある。
ある。
図において、１はフォトマスク、２はクロム膜３はレジ
スト ４は真空チャック、５はスピンナー回転部、６は
スポット光源、７は噴射ノズルである。
スト ４は真空チャック、５はスピンナー回転部、６は
スポット光源、７は噴射ノズルである。
実施例では、フォトマスク１として、クロム膜２を円形
のガラス基板上に蒸着或いはスパッタで約１，０００人
の厚さに形成したものを使用する。
のガラス基板上に蒸着或いはスパッタで約１，０００人
の厚さに形成したものを使用する。
フォトマスク１をスピンナーの真空チャックに装着し、
スピンナーを３．ＯＯＯｒｐｍで高速回転させながら、
ポジ型レジストを約５，０００人の厚さで。
スピンナーを３．ＯＯＯｒｐｍで高速回転させながら、
ポジ型レジストを約５，０００人の厚さで。
クロム膜２の」二にコーティングする。
実施例１では、レジストは通常の工程で乾燥。
９０″Ｃで５分間ベーキングを行った後、所要のマスク
パターンを露光する。
パターンを露光する。
次に、再びスピンナーの真空チャック４に装着し、スピ
ンナーを１１００ｒｐ程度で低速回転しながら、光ファ
イバー、或いはレンズで収束したスポット光源でフォト
マスク基板１の端面部上のクロム膜を数ｍｍの一定幅で
露光する。
ンナーを１１００ｒｐ程度で低速回転しながら、光ファ
イバー、或いはレンズで収束したスポット光源でフォト
マスク基板１の端面部上のクロム膜を数ｍｍの一定幅で
露光する。
その後９通常の工程で、フォトマスク全体の現像とクロ
ムのウェットエツチングを行い、クロム膜２のマスクパ
ターンの形成と同時に、基板端面のクロム膜２のエツチ
ング除去を行う。
ムのウェットエツチングを行い、クロム膜２のマスクパ
ターンの形成と同時に、基板端面のクロム膜２のエツチ
ング除去を行う。
実施例２では、先ず、クロム膜２の上にレジストコーテ
ィング後２通常のフォトリソグラフィの工程でレジスト
の乾燥、ベーキング、露光、現像までを行う。
ィング後２通常のフォトリソグラフィの工程でレジスト
の乾燥、ベーキング、露光、現像までを行う。
その次に、第２図（ｂ）に示すように、再び。
フォトマスク基板１をスピンナーの真空チャック４に装
着し、スピンナーを３．００Ｏｒｐｍ程度で高速回転さ
せながら噴射ノズルよりポジ型レジストの溶剤を前記の
基板端面部のレジスト面に噴射させ噴射溶解を行う。
着し、スピンナーを３．００Ｏｒｐｍ程度で高速回転さ
せながら噴射ノズルよりポジ型レジストの溶剤を前記の
基板端面部のレジスト面に噴射させ噴射溶解を行う。
マスクパターンの現像処理と基板端面部のレジスト除去
の終わったフォトマスク１は、クロム膜全面のウェブ［
・エツチングを行い、マスクパターン形成と同時に、第
１図に示したように、フォトマスク基板端面部のクロム
膜を数ｍｍの一定幅でエンチング除去する。
の終わったフォトマスク１は、クロム膜全面のウェブ［
・エツチングを行い、マスクパターン形成と同時に、第
１図に示したように、フォトマスク基板端面部のクロム
膜を数ｍｍの一定幅でエンチング除去する。
又、フォトマスクやレチクルが角型のガラス基板でば、
基板周囲を数ｍｍの幅で左右−辺づつをスポット光源で
直線露光或いは噴射ノズルで直線溶解し、９０度回転し
て残った辺を同様処理を行った後、エツチング処理を行
う。
基板周囲を数ｍｍの幅で左右−辺づつをスポット光源で
直線露光或いは噴射ノズルで直線溶解し、９０度回転し
て残った辺を同様処理を行った後、エツチング処理を行
う。
〔発明の効果〕
上記のように、基板上のクロム膜の端面を除去処理した
フォトマスク基板は、クロム膜の剥離や磨滅の減少によ
り、防塵効果が上がり、ウェハープロセスのバターニン
グ不良が減少する七ともにフォトマスク及びレチクルの
洗浄効果がアップする。
フォトマスク基板は、クロム膜の剥離や磨滅の減少によ
り、防塵効果が上がり、ウェハープロセスのバターニン
グ不良が減少する七ともにフォトマスク及びレチクルの
洗浄効果がアップする。
７は噴射ノズル。
第１図は本発明の原理説明図。
第２図は本発明の詳細な説明図２
第３図は従来例の説明図
である。
図において。
１はフォトマスク基板。
２はクロム膜。
３はレジスト
４は真空チャック。
５はスピンナー回転軸。
６はスポット光源。
イ史号ｄヒ！フ転
彷９Ｆ：＠ｅ誼明り
第 ３ の
本発明の（粂例の説明２
′＄ ２ ■
Claims (1)
- 基板上に形成されたクロム膜の該基板端面部分が除去さ
れていることを特徴とするフォトマスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316813A JPH02161433A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | フォトマスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316813A JPH02161433A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | フォトマスク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02161433A true JPH02161433A (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=18081205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63316813A Pending JPH02161433A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | フォトマスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02161433A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0433043U (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-18 | ||
| JP2008083194A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスク中間体及びパターンの転写方法 |
-
1988
- 1988-12-14 JP JP63316813A patent/JPH02161433A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0433043U (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-18 | ||
| JP2008083194A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスク中間体及びパターンの転写方法 |
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