JPH02163901A - 抵抗器及びその製造方法 - Google Patents
抵抗器及びその製造方法Info
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- JPH02163901A JPH02163901A JP63317813A JP31781388A JPH02163901A JP H02163901 A JPH02163901 A JP H02163901A JP 63317813 A JP63317813 A JP 63317813A JP 31781388 A JP31781388 A JP 31781388A JP H02163901 A JPH02163901 A JP H02163901A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気回路に採用される抵抗器に関し、特に周
波数特性の悪化を回避して信頼性を向上できるとともに
、製造コストを低減できるようにした抵抗器の構造及び
その製造方法に関する。
波数特性の悪化を回避して信頼性を向上できるとともに
、製造コストを低減できるようにした抵抗器の構造及び
その製造方法に関する。
C従来の技術〕
従来、円柱状のチップ型抵抗器として、第5図に示す構
造のものがある。この抵抗器2oは、例えば絶縁性セラ
ミックスからなる円柱状のムライト素子2Iの外表面に
戻素皮Hり、あるいは金属皮膜からなる抵抗11122
を被覆し、該素子2)の両端面に上記抵抗膜22に接続
される金属キャンプ23を冠着するとともに、該キャッ
プ23を除く上記抵抗膜22の上面に絶縁膜24を外装
して構成されている。このような抵抗器20においては
、従来から、所望の抵抗値が得られるように、上記抵抗
[22をトリミングするようにしている。このトリミン
グは、上記ムライト素子2)にキャンプ23を装着した
後、該両キャップ23にIff抗測定器を接続し、抵抗
値を測定しながら上記ムライト素子2)を回転させ、こ
の状態でレーザ又はラバーディスクにより抵抗膜22を
トリミングして、つまり螺線状の痕跡部25を形成する
ことによって所望の抵抗値を得るものである。しかる後
、上記抵抗膜22の上面に絶縁nり24を被覆して完成
させる。
造のものがある。この抵抗器2oは、例えば絶縁性セラ
ミックスからなる円柱状のムライト素子2Iの外表面に
戻素皮Hり、あるいは金属皮膜からなる抵抗11122
を被覆し、該素子2)の両端面に上記抵抗膜22に接続
される金属キャンプ23を冠着するとともに、該キャッ
プ23を除く上記抵抗膜22の上面に絶縁膜24を外装
して構成されている。このような抵抗器20においては
、従来から、所望の抵抗値が得られるように、上記抵抗
[22をトリミングするようにしている。このトリミン
グは、上記ムライト素子2)にキャンプ23を装着した
後、該両キャップ23にIff抗測定器を接続し、抵抗
値を測定しながら上記ムライト素子2)を回転させ、こ
の状態でレーザ又はラバーディスクにより抵抗膜22を
トリミングして、つまり螺線状の痕跡部25を形成する
ことによって所望の抵抗値を得るものである。しかる後
、上記抵抗膜22の上面に絶縁nり24を被覆して完成
させる。
しかしながら、上記従来の抵抗器20は以下の問題点が
ある。
ある。
上記従来のレーザあるいはラバーディスクで抵抗膜22
をトリミングする方法は、ムライト素子2)を回転させ
ながら抵抗1122を削る方法であることから、この抵
抗膜22は螺線状の痕跡部25によってスパイラル状と
なり、これによりインダクタンス、及び線間容量が発生
し、その結果、周波数特性が悪化する。
をトリミングする方法は、ムライト素子2)を回転させ
ながら抵抗1122を削る方法であることから、この抵
抗膜22は螺線状の痕跡部25によってスパイラル状と
なり、これによりインダクタンス、及び線間容量が発生
し、その結果、周波数特性が悪化する。
また、上記抵抗器20は非常に単価が安い部品であるこ
とから、製造コストの低減が要請されているが、上述の
ように従来の製造方法は、1個づつムライト素子2)を
回転させながら抵抗値の調整を行う方法であることから
生産性が低く、しかも上記抵抗膜22を保護するために
絶縁膜24を被覆するという工程が必要なことから、結
局コスト低減の要請に応えられない。
とから、製造コストの低減が要請されているが、上述の
ように従来の製造方法は、1個づつムライト素子2)を
回転させながら抵抗値の調整を行う方法であることから
生産性が低く、しかも上記抵抗膜22を保護するために
絶縁膜24を被覆するという工程が必要なことから、結
局コスト低減の要請に応えられない。
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、トリミングによる周波数特性の悪化を防止でき
、しかも絶縁膜の外装を不要にできるとともに、トリミ
ング工程をマルチ化して生産性を向上できる抵抗器及び
その製造方法1を提供することを目的としている。
もので、トリミングによる周波数特性の悪化を防止でき
、しかも絶縁膜の外装を不要にできるとともに、トリミ
ング工程をマルチ化して生産性を向上できる抵抗器及び
その製造方法1を提供することを目的としている。
(問題点を解決するための手段〕
本願第1項の発明は、筒状の絶縁体の内yR面に抵抗膜
を形成するとともに、両端面に端子電極を形成し、上記
抵抗膜にサンドプラストによる抵抗(J! ill整用
痕跡部を形成したことを特徴とする抵抗器である。
を形成するとともに、両端面に端子電極を形成し、上記
抵抗膜にサンドプラストによる抵抗(J! ill整用
痕跡部を形成したことを特徴とする抵抗器である。
ここで、上記端子電極は、例えば電解メツキ法により金
属皮膜を形成することにより、及び金属キャンプを装着
することによって実現できる。また、上記痕跡部は、抵
抗(tI調整用トリミング痕であり、抵抗膜に砥粒を吹
きつける方法、つまりサンドプラスト法によって形成さ
れたものである。
属皮膜を形成することにより、及び金属キャンプを装着
することによって実現できる。また、上記痕跡部は、抵
抗(tI調整用トリミング痕であり、抵抗膜に砥粒を吹
きつける方法、つまりサンドプラスト法によって形成さ
れたものである。
また、本願第2項の発明は、上記抵抗器の製造方法であ
って、上記絶縁体の抵抗膜をサンドプラスト法によりト
リミングして所望の抵抗値を得るようにしたことを特徴
としている。
って、上記絶縁体の抵抗膜をサンドプラスト法によりト
リミングして所望の抵抗値を得るようにしたことを特徴
としている。
上記サンドプラスト法とは、例えば圧縮空気に粒度の小
さいアルミナ等を混入させ、これをブラストノズルから
噴射させて、抵抗膜を削る方法である。
さいアルミナ等を混入させ、これをブラストノズルから
噴射させて、抵抗膜を削る方法である。
(作用〕
本願第1項の発明に係る抵抗器によれば、筒状の絶縁体
の内周面に抵抗膜を形成し、該抵抗膜にサンドプラスト
による痕跡部(トリミング部)を形成したので、上記抵
抗膜は多数の砥粒が吹きつけられてなる梨地状となって
おり、つまり従来のようなスパイラル状ではないから、
インダクタンスや線間キャパシタンスの発生による周波
数特性の悪化を回避できる。また、上記抵抗膜を絶縁体
製筒体の内面に形成したので、従来のような絶縁膜によ
る外装を不要にでき、それだけコストを低減できる。
の内周面に抵抗膜を形成し、該抵抗膜にサンドプラスト
による痕跡部(トリミング部)を形成したので、上記抵
抗膜は多数の砥粒が吹きつけられてなる梨地状となって
おり、つまり従来のようなスパイラル状ではないから、
インダクタンスや線間キャパシタンスの発生による周波
数特性の悪化を回避できる。また、上記抵抗膜を絶縁体
製筒体の内面に形成したので、従来のような絶縁膜によ
る外装を不要にでき、それだけコストを低減できる。
また、第2項の発明による製造方法は、サンドプラスト
法により抵抗膜をトリミングする方法であるので、この
トリミング工程は、多数の絶縁体を固定し、砥粒を吹き
つけることにより各抵抗膜に同時に痕跡部を形成するこ
とができ、つまりトリミングのマルチ化が実現でき、従
来の1個づつ回転させながらトリミングする場合に比べ
、生産性を向上でき、その結果製造コストの低減の要請
に応えられる。
法により抵抗膜をトリミングする方法であるので、この
トリミング工程は、多数の絶縁体を固定し、砥粒を吹き
つけることにより各抵抗膜に同時に痕跡部を形成するこ
とができ、つまりトリミングのマルチ化が実現でき、従
来の1個づつ回転させながらトリミングする場合に比べ
、生産性を向上でき、その結果製造コストの低減の要請
に応えられる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第1図は本願第1項の発明の一実!例による抵抗器を説
明するための図である。
明するための図である。
図において、lは本実施例の円筒型抵抗器であり、これ
は絶縁性セラミックスからなる筒状の絶縁体2の内周面
2a1両端面2b、2b及び外周縁2cの端部に金属皮
膜からなる抵抗膜3を形成して構成されている。また、
上記抵抗膜3の両端面2b、2b及び外周縁部2C上に
は導電性メツキからなる端子電極4が形成されている。
は絶縁性セラミックスからなる筒状の絶縁体2の内周面
2a1両端面2b、2b及び外周縁2cの端部に金属皮
膜からなる抵抗膜3を形成して構成されている。また、
上記抵抗膜3の両端面2b、2b及び外周縁部2C上に
は導電性メツキからなる端子電極4が形成されている。
さらに、上記抵抗膜3の内周部分にはサンドプラストに
よる梨地状の痕跡部5が形成されている。この痕跡部5
は上記抵抗膜3に圧縮空気とともに砥粒を吹きつけて形
成されたものであり、これにより所望の抵抗値が得られ
ている。さらにまた、上記絶縁体2の内周両端には絶縁
性封止材6が充填されている。
よる梨地状の痕跡部5が形成されている。この痕跡部5
は上記抵抗膜3に圧縮空気とともに砥粒を吹きつけて形
成されたものであり、これにより所望の抵抗値が得られ
ている。さらにまた、上記絶縁体2の内周両端には絶縁
性封止材6が充填されている。
第2図ないし第4図は本願第2項の発明の一実施例によ
る上記抵抗n1の製造方法について説明するための図で
ある。
る上記抵抗n1の製造方法について説明するための図で
ある。
■ まず、絶縁性セラミックスからなる円筒状の絶縁体
2の外周面の両端を除く部分に、メンキレジスト膜を塗
布する6次に、湿式メツキあるいは気相メツキ等により
上記絶縁体2の表面に金属皮膜を形成する。すると上記
レジスト膜を除く部分、即ち上記絶縁体2の内周面2a
5両端面2b2b及び外周縁部2Cに抵抗膜3が被覆さ
れる(第2図参照)、なお、この抵抗膜3は、Ni。
2の外周面の両端を除く部分に、メンキレジスト膜を塗
布する6次に、湿式メツキあるいは気相メツキ等により
上記絶縁体2の表面に金属皮膜を形成する。すると上記
レジスト膜を除く部分、即ち上記絶縁体2の内周面2a
5両端面2b2b及び外周縁部2Cに抵抗膜3が被覆さ
れる(第2図参照)、なお、この抵抗膜3は、Ni。
Cr、 Fe、 Mn、 W、 S i等を単独ある
いはこれらを組み合わせて形成する。
いはこれらを組み合わせて形成する。
■ 次に、上記絶縁体2をシリコンゴムプレート10に
挿着する。このゴムプレート10には、4000〜60
00個の挿入孔10aが形成されており、この各挿入孔
10a内に上記絶縁体40両端面2b部分を上5上面か
ら露出させた状態で挿入する。
挿着する。このゴムプレート10には、4000〜60
00個の挿入孔10aが形成されており、この各挿入孔
10a内に上記絶縁体40両端面2b部分を上5上面か
ら露出させた状態で挿入する。
そして、上記絶縁体2のゴムプレート10の下面から突
出した部分を電・両液11中に浸漬するとともに、上面
から突出した絶縁体2部分にブラシ電極12を接触させ
、電解メツキを行う、これにより、上記電解液11に浸
漬された抵抗膜3上に端子電極4が形成見る(第3図(
al参照)1次に、上記ゴムプレート10の表、裏を反
転させて反対側の抵抗膜3上に同様の方法にて端子電8
i4を形成する(第3図(bl参照)、なお、上記端子
電極4はCu、 Ni、 Sn、はんだを1種類以上の
組み合わせて形成する。
出した部分を電・両液11中に浸漬するとともに、上面
から突出した絶縁体2部分にブラシ電極12を接触させ
、電解メツキを行う、これにより、上記電解液11に浸
漬された抵抗膜3上に端子電極4が形成見る(第3図(
al参照)1次に、上記ゴムプレート10の表、裏を反
転させて反対側の抵抗膜3上に同様の方法にて端子電8
i4を形成する(第3図(bl参照)、なお、上記端子
電極4はCu、 Ni、 Sn、はんだを1種類以上の
組み合わせて形成する。
■ 次に、上記絶縁体2をゴムプレート10に挿着した
状態で、サンドプラスト法によりトリミングを行い抵抗
値の調整を行う (第4図(5)参照)。
状態で、サンドプラスト法によりトリミングを行い抵抗
値の調整を行う (第4図(5)参照)。
このトリミングに採用されるサンドプラスト装置13は
、砥粒と圧縮空気とが混合された投射剤9を噴射するプ
ラストノズル14と、上記絶縁体2の抵抗値を検出する
抵抗測定メータ15と、酸メータ15からの測定値が所
望の抵抗値になったときオフ信号を出力するコンパレー
タ16と、該オフ信号が入力されたとき上記投射剤9の
噴射を停止させるサンドプラストコントローラ17とか
ら構成されている(第4図中)参照)。
、砥粒と圧縮空気とが混合された投射剤9を噴射するプ
ラストノズル14と、上記絶縁体2の抵抗値を検出する
抵抗測定メータ15と、酸メータ15からの測定値が所
望の抵抗値になったときオフ信号を出力するコンパレー
タ16と、該オフ信号が入力されたとき上記投射剤9の
噴射を停止させるサンドプラストコントローラ17とか
ら構成されている(第4図中)参照)。
そして、上記各絶縁体2の筒内を臨むようにプラストノ
ズルI4の先端を位置させるとともに、両端子を橿4に
抵抗測定メーター15を接続し、サンドプラスト装置1
3をオンする。すると、プラストノズル14から吹きつ
けられる投射剤9により抵抗膜3が削られ、該抵抗膜3
に痕跡部5が形成される。即ち、この痕跡部5が多いほ
ど抵抗値が大きくなり、上記検出抵抗値が所定の抵抗値
になったところで投射剤9の噴射を止める。
ズルI4の先端を位置させるとともに、両端子を橿4に
抵抗測定メーター15を接続し、サンドプラスト装置1
3をオンする。すると、プラストノズル14から吹きつ
けられる投射剤9により抵抗膜3が削られ、該抵抗膜3
に痕跡部5が形成される。即ち、この痕跡部5が多いほ
ど抵抗値が大きくなり、上記検出抵抗値が所定の抵抗値
になったところで投射剤9の噴射を止める。
ここで、上記投射剤9に採用される砥粒には、アルミナ
、グリーンカーボランダム等が考えられ、これらの粒度
は#300〜700の範囲内が望ましい。
、グリーンカーボランダム等が考えられ、これらの粒度
は#300〜700の範囲内が望ましい。
■ 次に、上記絶縁体2の筒内に絶縁性樹脂からなる封
止剤6を充填する。なお、この封止剤6には収縮率の小
さい主情が高分子のエポキシ剤を採用するのが好ましい
、最後に、上記絶縁体2の外周面に抵抗値を表示するカ
ラーコードをマーキングする。これにより本実施例の抵
抗器1が製造される(第1図参照)。
止剤6を充填する。なお、この封止剤6には収縮率の小
さい主情が高分子のエポキシ剤を採用するのが好ましい
、最後に、上記絶縁体2の外周面に抵抗値を表示するカ
ラーコードをマーキングする。これにより本実施例の抵
抗器1が製造される(第1図参照)。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例の抵抗器1によれば、抵抗11113にサンド
プラストによる痕跡部5を形成して所望の抵抗値を得る
ようにしたので、つまり多数の砥粒を吹きつけて痕跡部
5を形成する方法であるから、従来のようなj圧抗膜が
スパイラル状になることはなく、従ってインダクタンス
やキャパシタンスの発生を防止でき、高周波特性を向上
でき、品質の休転性に優れた部品が得られる。
プラストによる痕跡部5を形成して所望の抵抗値を得る
ようにしたので、つまり多数の砥粒を吹きつけて痕跡部
5を形成する方法であるから、従来のようなj圧抗膜が
スパイラル状になることはなく、従ってインダクタンス
やキャパシタンスの発生を防止でき、高周波特性を向上
でき、品質の休転性に優れた部品が得られる。
また、本実施例では、筒状の絶縁体2の内周面に抵抗膜
3を形成したので、従来の絶縁膜の外装を不要にでき、
その分製造コストを低減できる。
3を形成したので、従来の絶縁膜の外装を不要にでき、
その分製造コストを低減できる。
さらに、本実施例の製造方法によれば、ゴムプレート1
0に数十個の絶縁体2を詰め込んでおき、これをサンド
プラストするようにしたので、多数の絶縁体2を同時に
トリミングして抵抗値の調整を行うことができ、従来の
1個づつ絶縁体を回転させて調整していた場合に比べ、
生産性を大幅に向上でき、その結果製造コストを低減で
き、安価な抵抗器を供給できる。
0に数十個の絶縁体2を詰め込んでおき、これをサンド
プラストするようにしたので、多数の絶縁体2を同時に
トリミングして抵抗値の調整を行うことができ、従来の
1個づつ絶縁体を回転させて調整していた場合に比べ、
生産性を大幅に向上でき、その結果製造コストを低減で
き、安価な抵抗器を供給できる。
なお、上記実施例では、端子電極4を電解メツキにより
形成した場合を例にとって説明したが、本発明は絶縁体
2の両端面に、リード線が接続された金属キャンプを冠
着してなるアキシャルタイプにも適用できる。
形成した場合を例にとって説明したが、本発明は絶縁体
2の両端面に、リード線が接続された金属キャンプを冠
着してなるアキシャルタイプにも適用できる。
また、上記実施例では抵抗膜3を金属皮膜により形成し
た場合を例にとったが、この抵抗膜は勿論カーボン系の
炭素皮膜で形成してもよい。
た場合を例にとったが、この抵抗膜は勿論カーボン系の
炭素皮膜で形成してもよい。
さらに、上記実施例では円筒杖の絶縁体を例にとったが
、本発明の絶縁体は筒状であればどのような形状でもよ
く、例えば角筒状でも勿論よい。
、本発明の絶縁体は筒状であればどのような形状でもよ
く、例えば角筒状でも勿論よい。
以上のように本願第1項の発明に係る抵抗器によれば、
筒状の絶縁体の内周面に抵抗膜を形成し、該抵抗膜にサ
ンドプラストによる痕跡部を形成するようにしたので、
また、第2項の発明に係る製造方法では、上記抵抗膜を
サンドプラスト法によりトリミングして所望の抵抗値を
得るようにしたので、周波数特性の悪化を回避して高周
波特性を向上できる効果があるとともに、外装工程を省
略でき、かつトリミング工程をマルチ化でき、生産性を
向上できる効果がある。
筒状の絶縁体の内周面に抵抗膜を形成し、該抵抗膜にサ
ンドプラストによる痕跡部を形成するようにしたので、
また、第2項の発明に係る製造方法では、上記抵抗膜を
サンドプラスト法によりトリミングして所望の抵抗値を
得るようにしたので、周波数特性の悪化を回避して高周
波特性を向上できる効果があるとともに、外装工程を省
略でき、かつトリミング工程をマルチ化でき、生産性を
向上できる効果がある。
第1図は本願第1項の発明の一実施例による抵抗器を説
明するための断面図、第2図ないし第4図は本願第2項
の発明による上記抵抗器の製造方法を説明するための図
であり、第2図はその断面図、第3図+a+はその端子
電極を形成する工程を示す概略図、第3図(b)はその
端子電極を形成した状態を示す断面図、第4図1a)及
び第4図山)はそれぞれサンドプラスト法により抵抗膜
をトリミングする工程を示す概略構成図、第5図は従来
の抵抗器を示す一部断面図である。 図において、1は抵抗器、2は絶縁体、2bは絶縁体の
端面、3は抵抗膜、4は端子を橿、5は痕跡部である。 第1因 第4図 第5図
明するための断面図、第2図ないし第4図は本願第2項
の発明による上記抵抗器の製造方法を説明するための図
であり、第2図はその断面図、第3図+a+はその端子
電極を形成する工程を示す概略図、第3図(b)はその
端子電極を形成した状態を示す断面図、第4図1a)及
び第4図山)はそれぞれサンドプラスト法により抵抗膜
をトリミングする工程を示す概略構成図、第5図は従来
の抵抗器を示す一部断面図である。 図において、1は抵抗器、2は絶縁体、2bは絶縁体の
端面、3は抵抗膜、4は端子を橿、5は痕跡部である。 第1因 第4図 第5図
Claims (2)
- (1)筒状の絶縁体の内周面に抵抗膜を形成し、該絶縁
体の両端面に上記抵抗膜に接続された端子電極を形成し
てなり、上記抵抗膜にサンドプラストによる抵抗値調整
用痕跡部が形成されていることを特徴とする抵抗器。 - (2)筒状の絶縁体の内周面に抵抗膜を形成し、該絶縁
体の両端面に上記抵抗膜に接続された端子電極を形成し
、しかる後サンドプラスト法により上記抵抗膜をトリミ
ングして所望の抵抗値を得るようにしたことを特徴とす
る抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63317813A JPH02163901A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 抵抗器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63317813A JPH02163901A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 抵抗器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02163901A true JPH02163901A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=18092331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63317813A Pending JPH02163901A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 抵抗器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02163901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2656355A4 (en) * | 2010-10-27 | 2014-09-17 | Services Petroliers Schlumberger | CERAMIC THICK-LAYER RESISTANT INSULATORS FOR SEALED HIGH VOLTAGE TUBE ELECTRODES |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP63317813A patent/JPH02163901A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2656355A4 (en) * | 2010-10-27 | 2014-09-17 | Services Petroliers Schlumberger | CERAMIC THICK-LAYER RESISTANT INSULATORS FOR SEALED HIGH VOLTAGE TUBE ELECTRODES |
| US9384932B2 (en) | 2010-10-27 | 2016-07-05 | Schlumberger Technology Corporation | Thick-film resistorized ceramic insulators for sealed high voltage tube electrodes |
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