JPH02163949A - 半導体搭載用基板 - Google Patents
半導体搭載用基板Info
- Publication number
- JPH02163949A JPH02163949A JP63319224A JP31922488A JPH02163949A JP H02163949 A JPH02163949 A JP H02163949A JP 63319224 A JP63319224 A JP 63319224A JP 31922488 A JP31922488 A JP 31922488A JP H02163949 A JPH02163949 A JP H02163949A
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- JP
- Japan
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- conductor pattern
- semiconductor
- semiconductor element
- terminal part
- conductor
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/737—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a laterally-adjacent lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、rC等の各種半導体素子を搭載するために用
いられる半導体搭載用基板に関し、詳しくは搭載した半
導体素子を外部へ接続するための導体ピンを備えたPG
A方式の半導体搭載用基板に関する。
いられる半導体搭載用基板に関し、詳しくは搭載した半
導体素子を外部へ接続するための導体ピンを備えたPG
A方式の半導体搭載用基板に関する。
(従来の技術)
従来、例えばtC等の半導体素子を搭載するために用い
られる半導体搭載用基板としては、第2図に示すような
S語のものが知られている。この半導体搭載用基&(+
00)は、基材(110)に形成された導体パターン(
l N )と、この導体パターン(Ill)に接続され
た導体ピン(112)とを備えており、搭載した寥導体
素子(30)の電極バッドr:ll)と導体パターン(
Ill)の接続用端子部(113)とをボンデインタワ
イヤー(32)で接続することにより導体ピン(112
)を介してt導体素子(30)を外部へ接続するように
なっている。このように導体ピン(+12)を介して半
導体素子(30)を外部へ接続する所謂PGA方式の半
導体搭載用基板(100)にあっては1例えばマザーボ
ード(40)等に搭載する場合、マザーボート(40)
の導通孔(41)に導体ピン(112)を嵌入して半l
(付けすることにより、搭載し・た半導体素子(30)
とマザーボート(40)とを電気的及び機械的に4a統
することかできるようになっており、また半導体素子(
コ0)が破損した場合等には、半田を11I融させなが
ら導体ピン(122)をマザーボート(40)の導通孔
(41)から抜き外すことによって、半導体塔載用基板
(Ion)ごと容易に取り換えができるようになってい
る。
られる半導体搭載用基板としては、第2図に示すような
S語のものが知られている。この半導体搭載用基&(+
00)は、基材(110)に形成された導体パターン(
l N )と、この導体パターン(Ill)に接続され
た導体ピン(112)とを備えており、搭載した寥導体
素子(30)の電極バッドr:ll)と導体パターン(
Ill)の接続用端子部(113)とをボンデインタワ
イヤー(32)で接続することにより導体ピン(112
)を介してt導体素子(30)を外部へ接続するように
なっている。このように導体ピン(+12)を介して半
導体素子(30)を外部へ接続する所謂PGA方式の半
導体搭載用基板(100)にあっては1例えばマザーボ
ード(40)等に搭載する場合、マザーボート(40)
の導通孔(41)に導体ピン(112)を嵌入して半l
(付けすることにより、搭載し・た半導体素子(30)
とマザーボート(40)とを電気的及び機械的に4a統
することかできるようになっており、また半導体素子(
コ0)が破損した場合等には、半田を11I融させなが
ら導体ピン(122)をマザーボート(40)の導通孔
(41)から抜き外すことによって、半導体塔載用基板
(Ion)ごと容易に取り換えができるようになってい
る。
また、このような半導体塔載用基板(10口)にあって
は、半導体妻子(30)からの放熱によって半導体搭載
用基板(100)が膨張し、マザーボート(40)との
間に歪が生しても、この歪を導体ピン(■2)が吸収す
るため、歪による断線や半導体搭載用基板(IOTI)
及びマザーボート(40)の破損が防(1−されるよう
になっている。
は、半導体妻子(30)からの放熱によって半導体搭載
用基板(100)が膨張し、マザーボート(40)との
間に歪が生しても、この歪を導体ピン(■2)が吸収す
るため、歪による断線や半導体搭載用基板(IOTI)
及びマザーボート(40)の破損が防(1−されるよう
になっている。
(発IJ1が解決しようとする課題)
しかしながら、従来の半導体塔載用基板(100)にあ
っては、p5載する半導体素子(30)の電極バラ1’
(:ll)の数か増加するとともに、電極バッド(3
I)のピッチか狭くなると、1!極バツト(31)と接
続用端子(11,3)とを接続するためのワイヤーボン
ディングに長時間を要するようになるばかりか、M度の
高いボンディング装置が必要となり、半導体素子(30
)をV>蔵するための設備コストが高くなるという問題
があった。
っては、p5載する半導体素子(30)の電極バラ1’
(:ll)の数か増加するとともに、電極バッド(3
I)のピッチか狭くなると、1!極バツト(31)と接
続用端子(11,3)とを接続するためのワイヤーボン
ディングに長時間を要するようになるばかりか、M度の
高いボンディング装置が必要となり、半導体素子(30
)をV>蔵するための設備コストが高くなるという問題
があった。
本発明は以−Eのような実情に鑑みてなされたものであ
り、その目的は1g藏する半導体素子の電極バッド数が
増加するとともに、電極バットピッチが狭くなっても、
¥を極バ・ントと導体パターンの接続用端子部とを短時
間で接続することができる半導体搭載用基板を提供する
ことにある。
り、その目的は1g藏する半導体素子の電極バッド数が
増加するとともに、電極バットピッチが狭くなっても、
¥を極バ・ントと導体パターンの接続用端子部とを短時
間で接続することができる半導体搭載用基板を提供する
ことにある。
(課題を解決するための手段)
以上のような課題を解決するために本発明の採った手段
は、第1図に示すように。
は、第1図に示すように。
r基材(10)に形成された導体パターン(II)と。
この導体パターン(11)に接続された導体ピン(12
)とを有する半導体搭載用基板であって。
)とを有する半導体搭載用基板であって。
匍記導体パターン(11)の接続用端子部(13)に4
を導体素子(30)がボンディングされるフィルムキャ
リア(ZO)のアウターリード(22)を直接ボンディ
ングしたことを特徴とする半導体it用基板(1)j である。
を導体素子(30)がボンディングされるフィルムキャ
リア(ZO)のアウターリード(22)を直接ボンディ
ングしたことを特徴とする半導体it用基板(1)j である。
すなわち1本発明に係る半導体塔載用基板(1)は、半
導体素子(30)を直接搭載し、搭載した半導体素子(
30)のTt電極バッド3I)と導体パターン(11)
の接続用端子部(1コ)とをワイヤーボンディングによ
って接続するのではなく、半導体素子(30)の電極バ
ー7ド(31)か直接ボンディングされるインナーリー
ド(21)を備えたフィルムキャリア(20)のアウタ
ーリード(22)を導体パターン(11)の接続用端子
部(+、ff)に直接ボンディングすることにより5搭
載する半導体素子(コロ)の電極バッド(31)と導体
パターン(11)の接続用端子部(1コ)とをフィルム
キャリア(20)を介して接続するようにした半導体搭
載用基板(1)である。
導体素子(30)を直接搭載し、搭載した半導体素子(
30)のTt電極バッド3I)と導体パターン(11)
の接続用端子部(1コ)とをワイヤーボンディングによ
って接続するのではなく、半導体素子(30)の電極バ
ー7ド(31)か直接ボンディングされるインナーリー
ド(21)を備えたフィルムキャリア(20)のアウタ
ーリード(22)を導体パターン(11)の接続用端子
部(+、ff)に直接ボンディングすることにより5搭
載する半導体素子(コロ)の電極バッド(31)と導体
パターン(11)の接続用端子部(1コ)とをフィルム
キャリア(20)を介して接続するようにした半導体搭
載用基板(1)である。
(発明の作用)
本発明がト述のような手段を採ることにより、以ドに示
すような作用かある。
すような作用かある。
本発明に係る半導体塔載用基板(1)にあっては、搭載
する半導体素子(30)の電極バッド(31)がフィル
ムキャリア(20)のインナーリート(21)に直接ボ
ンディングされるようになっているため、ワイヤーボン
ディングが不要となり、短時間で容易に半導体妻子(3
0)を搭載することができるようになっている。また、
同様にフィルムキャリア(20)のアウターリード(2
2)と導体パターン(11)の接続用端子部(I3)と
の接続においてもワイヤーボンディングが不要となり、
短時間で容易に接続することがてきるようになっている
。
する半導体素子(30)の電極バッド(31)がフィル
ムキャリア(20)のインナーリート(21)に直接ボ
ンディングされるようになっているため、ワイヤーボン
ディングが不要となり、短時間で容易に半導体妻子(3
0)を搭載することができるようになっている。また、
同様にフィルムキャリア(20)のアウターリード(2
2)と導体パターン(11)の接続用端子部(I3)と
の接続においてもワイヤーボンディングが不要となり、
短時間で容易に接続することがてきるようになっている
。
なお、巾にワイヤーボンディングを不要にするのであれ
ば、第3図に示すように、フィルムキャリア(120)
を直接マザーボー)’ (40)等へ搭載することも考
えられるが、この場合には半導体装置(30)が破損し
た場合等にマザーボート(40)より取り外すのが困難
なばかりか、取り外しの際マザーボート(40)が破損
する恐れがある。また、半導体素子(30)からの放熱
によってフィルムキャリア(+20)か膨彊した場合、
フィルムキャリア(120)とマザーボート(40)と
の間の歪によって、断線したりフィルムキャリア(12
0)が破損する恐れがある。
ば、第3図に示すように、フィルムキャリア(120)
を直接マザーボー)’ (40)等へ搭載することも考
えられるが、この場合には半導体装置(30)が破損し
た場合等にマザーボート(40)より取り外すのが困難
なばかりか、取り外しの際マザーボート(40)が破損
する恐れがある。また、半導体素子(30)からの放熱
によってフィルムキャリア(+20)か膨彊した場合、
フィルムキャリア(120)とマザーボート(40)と
の間の歪によって、断線したりフィルムキャリア(12
0)が破損する恐れがある。
また、このような半導体搭載用基板(1)に搭載された
半導体素子(30)は、電極バッド(コ1)→フィルム
キャリア(20)のインナーリート(21)→アウター
リード(22)→導体パターン(11)の接続用端子部
(1コ)→導体ピン(12)を介してマザーボード(4
0)等へ接続されるようになっている。
半導体素子(30)は、電極バッド(コ1)→フィルム
キャリア(20)のインナーリート(21)→アウター
リード(22)→導体パターン(11)の接続用端子部
(1コ)→導体ピン(12)を介してマザーボード(4
0)等へ接続されるようになっている。
(実施例)
以下、図面に示す実施例に従って本発明の詳細な説明す
る。
る。
第1図に示すように1本発明に係る半導体搭載用基板(
1)は、導体パターン(11)を外層及び内層に形成し
た基材(10)と、この基材(10)の導体パターン(
II)に接続用端子部(13)を介して接続されるフィ
ルムキャリア(20)とからなっている、なお、本発明
にあっては、基材(10)及び導体パターンHt)の材
質や形状等は特に限定されない。
1)は、導体パターン(11)を外層及び内層に形成し
た基材(10)と、この基材(10)の導体パターン(
II)に接続用端子部(13)を介して接続されるフィ
ルムキャリア(20)とからなっている、なお、本発明
にあっては、基材(10)及び導体パターンHt)の材
質や形状等は特に限定されない。
基材(lO)には、導体パターン(11)に接続された
複数の導通孔(14)が設けてあり、この導通孔(14
)に導体ピン(12)の一端を嵌入して半田付けするこ
とにより、基材(10)と導体ピン(12)を電気的及
び機械的に一体化しである。導体パターン(11)の−
端には、この導体パターン(11)上に半田めっきを施
してなる接続用端子部(13)がフィルムキャリア(2
0)のアウターリード(22)と同じ数だけ設けである
。なお、接続用端子ff1(+、:I)は、導体パター
ン(11)ヒにめっきを施すことにより形成したものの
他、導体パターン(11)の端部をそのまま接続用端子
部(13)としたものであってもよい。この接続用端子
部(+3)にアクタ−ソート(22)が重なるようフィ
ルムキャリア(20)を位置決めした後、接続用端子部
(13)にアウターリード(22)を直接ボンディング
し、基材(10)とフィルムキャリア(20)を一体止
することにより本発明に係る半導体搭載用基板(1)を
形成した。
複数の導通孔(14)が設けてあり、この導通孔(14
)に導体ピン(12)の一端を嵌入して半田付けするこ
とにより、基材(10)と導体ピン(12)を電気的及
び機械的に一体化しである。導体パターン(11)の−
端には、この導体パターン(11)上に半田めっきを施
してなる接続用端子部(13)がフィルムキャリア(2
0)のアウターリード(22)と同じ数だけ設けである
。なお、接続用端子ff1(+、:I)は、導体パター
ン(11)ヒにめっきを施すことにより形成したものの
他、導体パターン(11)の端部をそのまま接続用端子
部(13)としたものであってもよい。この接続用端子
部(+3)にアクタ−ソート(22)が重なるようフィ
ルムキャリア(20)を位置決めした後、接続用端子部
(13)にアウターリード(22)を直接ボンディング
し、基材(10)とフィルムキャリア(20)を一体止
することにより本発明に係る半導体搭載用基板(1)を
形成した。
フィルムキャリア(20)のインナーリート(21)に
、半導体素子(30)のi1!極バット(31)を直接
ボンディングし、半導体素子(30)を半導体搭載用基
板(1)に搭載した。この半導体素子(30)の搭載は
、フィルムキャリア(20)と基材(10)を−・体止
する前であっても後であってもよい。
、半導体素子(30)のi1!極バット(31)を直接
ボンディングし、半導体素子(30)を半導体搭載用基
板(1)に搭載した。この半導体素子(30)の搭載は
、フィルムキャリア(20)と基材(10)を−・体止
する前であっても後であってもよい。
木実流側にあっては、半導体素子(30)からの放熱を
効率よく放出するための放熱部材(15)、半導体素子
(30)及びその周囲を樹脂封止するためのダム枠(I
6〕が設けられているがこれらは特に必要とされない。
効率よく放出するための放熱部材(15)、半導体素子
(30)及びその周囲を樹脂封止するためのダム枠(I
6〕が設けられているがこれらは特に必要とされない。
半導体搭載用基板(1)に搭載した半導体素子(3υ)
は、電極バウド(31)→フィルムキャリア(20)の
インナーワード(21)→アウターリード(22)→導
体パターン(11)の接続用端子(13)→導体ピン(
12)を介してマザーボート(40)へ接続される。
は、電極バウド(31)→フィルムキャリア(20)の
インナーワード(21)→アウターリード(22)→導
体パターン(11)の接続用端子(13)→導体ピン(
12)を介してマザーボート(40)へ接続される。
(発明の効果)
以上のように本発明に係る半導体P&藏用基板は、r基
材に形成された導体パターンと、この導体パターンと電
気的に接続された導体ピンとを有する半導体搭載用基板
であって、前記導体パターンの接続用端子部に、半導体
素子がボンデインクされるフィルムキャリアのアウター
リードを直接ボンディングしたこと」にその特徴があり
、これにより、半導体素子の電極バッドと導体パターン
の接続用端子部との接続に、従来のようにワイヤーボン
ディングを行なう必要がなくなり、フィルムキャリアに
半導体素子を搭載するための既存の設備を利用して短時
間で容易に半導体素子を塔数することができる。また、
従来のPGA方式の半導体#&截用基板では困難とされ
ていた。電極バットピッチが100μm以下、電極バッ
ド数が300以Eの半導体素子のW?載が可能となった
。
材に形成された導体パターンと、この導体パターンと電
気的に接続された導体ピンとを有する半導体搭載用基板
であって、前記導体パターンの接続用端子部に、半導体
素子がボンデインクされるフィルムキャリアのアウター
リードを直接ボンディングしたこと」にその特徴があり
、これにより、半導体素子の電極バッドと導体パターン
の接続用端子部との接続に、従来のようにワイヤーボン
ディングを行なう必要がなくなり、フィルムキャリアに
半導体素子を搭載するための既存の設備を利用して短時
間で容易に半導体素子を塔数することができる。また、
従来のPGA方式の半導体#&截用基板では困難とされ
ていた。電極バットピッチが100μm以下、電極バッ
ド数が300以Eの半導体素子のW?載が可能となった
。
さらには、従来のPGA方式の半導体Nk截用基板同様
、マザーボート等への着脱が容易に行なえ、また半導体
素子からの放熱によって半導体g載用基板が膨張し、マ
ザーボートとの間に歪が生じても、この歪を導体ピンで
吸収することができ、歪による断線や半導体搭載用基板
及びマザーボートの破損を防1Fすることができる。
、マザーボート等への着脱が容易に行なえ、また半導体
素子からの放熱によって半導体g載用基板が膨張し、マ
ザーボートとの間に歪が生じても、この歪を導体ピンで
吸収することができ、歪による断線や半導体搭載用基板
及びマザーボートの破損を防1Fすることができる。
第1図は本発明に係る半導体搭載用基板を示す断面図、
第21A及び第3図は従来の半導体搭載用基板を示す断
面図である。 符号の説明 l・・・半導体搭載用基板、10・・・基材、11・・
・導体パターン、 12・・・導体ピン、13・・・接
続用端子部、■4・・・導通孔、15・・・放熱部材、
16・−・ダム枠、20・・・フィルムキャリア、 2
1−・・インナーリート、22・・・アウターリード、
30・・・半導体素子、31−・・電極パット、32・
・・ボンディングワイヤー、40・・・マザーボート、
41・・・導通孔。 以 上
第21A及び第3図は従来の半導体搭載用基板を示す断
面図である。 符号の説明 l・・・半導体搭載用基板、10・・・基材、11・・
・導体パターン、 12・・・導体ピン、13・・・接
続用端子部、■4・・・導通孔、15・・・放熱部材、
16・−・ダム枠、20・・・フィルムキャリア、 2
1−・・インナーリート、22・・・アウターリード、
30・・・半導体素子、31−・・電極パット、32・
・・ボンディングワイヤー、40・・・マザーボート、
41・・・導通孔。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基材に形成された導体パターンと、この導体パターンに
接続された導体ピンとを有する半導体搭載用基板であっ
て、 前記導体パターンの接続用端子部に、半導体素子がボン
ディングされるフィルムキャリアのアウターリードを直
接ボンディングしたことを特徴とする半導体搭載用基板
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319224A JPH02163949A (ja) | 1988-12-17 | 1988-12-17 | 半導体搭載用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319224A JPH02163949A (ja) | 1988-12-17 | 1988-12-17 | 半導体搭載用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02163949A true JPH02163949A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=18107791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63319224A Pending JPH02163949A (ja) | 1988-12-17 | 1988-12-17 | 半導体搭載用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02163949A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796562A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-15 | Nec Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
| JPS5831546A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-17 JP JP63319224A patent/JPH02163949A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796562A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-15 | Nec Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
| JPS5831546A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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