JPH02165123A - 反射型液晶表示デバイス - Google Patents
反射型液晶表示デバイスInfo
- Publication number
- JPH02165123A JPH02165123A JP63321176A JP32117688A JPH02165123A JP H02165123 A JPH02165123 A JP H02165123A JP 63321176 A JP63321176 A JP 63321176A JP 32117688 A JP32117688 A JP 32117688A JP H02165123 A JPH02165123 A JP H02165123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- reflective
- reflective liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プロジェクション表示デバイスに利用するア
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関する
ものである。
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関する
ものである。
従来の技術
近年、アクティブ素子を利用した液晶表示デバイスはポ
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
以下に従来の反射型液晶表示デバイスについて説明する
。
。
第２図は従来の反射型液晶表示デバイスの断面図であり
、ｌは絶縁基板、２は配線電極、３はスイッチング素子
、４は絶縁体層、５は反射画素１ま橿、６は液晶層、７
は対向共通電極、８は対向透明基板である。
、ｌは絶縁基板、２は配線電極、３はスイッチング素子
、４は絶縁体層、５は反射画素１ま橿、６は液晶層、７
は対向共通電極、８は対向透明基板である。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスについ
て、以下その動作について説明する。
て、以下その動作について説明する。
まず、スイッチング素子３がオン状態になると反射画素
電極５に電流が流れる。これにより、反射画素電極５と
対向共通電極７に挟まれた液晶層６に電圧が印加され、
液晶が動作する。このとき、表示を見やすくするための
光は対向透明電極側から照射され、反射画素電極５で入
射光は反射される。ここで、光は液晶層６を通る際に偏
光され、偏光されなかった画素との間にコントラストの
差が生じ、画素が得られる。
電極５に電流が流れる。これにより、反射画素電極５と
対向共通電極７に挟まれた液晶層６に電圧が印加され、
液晶が動作する。このとき、表示を見やすくするための
光は対向透明電極側から照射され、反射画素電極５で入
射光は反射される。ここで、光は液晶層６を通る際に偏
光され、偏光されなかった画素との間にコントラストの
差が生じ、画素が得られる。
発明が解決しようとするｔＪ、Ｂ
しかしながら上記の従来の構成では、光が液晶層側から
反射電極間の絶縁層を通って絶縁基板との界面ａで反射
が起こり、ＴＰＴ内部に進入する。
反射電極間の絶縁層を通って絶縁基板との界面ａで反射
が起こり、ＴＰＴ内部に進入する。
第３図は光の進入経路についての説明図である。
このためスイッチング素子に光が作用して、スイッチン
グ素子を構成する半導体層の電気抵抗を減少させる（光
伝導）、これにより画素電極と対向共通電極とに蓄えら
れた電荷がスイッチング素子を通して漏れ、結果的に液
晶の配向が変化してコントラストの低下をもたらすとい
う欠点を有していた。
グ素子を構成する半導体層の電気抵抗を減少させる（光
伝導）、これにより画素電極と対向共通電極とに蓄えら
れた電荷がスイッチング素子を通して漏れ、結果的に液
晶の配向が変化してコントラストの低下をもたらすとい
う欠点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するものでデイスプレ
ィ画面のコントラスト低下を解消することができる反射
型液晶表示デバイスを提供することを目的とする。
ィ画面のコントラスト低下を解消することができる反射
型液晶表示デバイスを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の反射型液晶表示デバ
イスは、スイッチング素子を具備した基板側の絶縁基板
と絶縁体層またはスイッチング素子の界面に設けられた
光透過係数の高い物質からなる反射防止膜から構成され
ている。
イスは、スイッチング素子を具備した基板側の絶縁基板
と絶縁体層またはスイッチング素子の界面に設けられた
光透過係数の高い物質からなる反射防止膜から構成され
ている。
作用
この構成によって、反射電極間の絶縁層からアレイ内部
に進入した光が絶縁基板と絶縁体層との界面で反射せず
、絶縁基板へと透過していく、このためスイッチング素
子の光伝導が原因となる漏れ電流を防ぐことができる。
に進入した光が絶縁基板と絶縁体層との界面で反射せず
、絶縁基板へと透過していく、このためスイッチング素
子の光伝導が原因となる漏れ電流を防ぐことができる。
実施例
以下本発明の一実施例の反射型液晶表示デバイスについ
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの断面構造を示すものである。第１図において、１
１は絶縁基板としてガラス基板、１２は配線電極、１３
はスイッチング素子としてＴＰＴおよび補助容量、１４
は絶縁体層として非晶質窒化ケイ素膜、１５は反射画素
電極、１６は液晶層、１７は対向共通電極として、スパ
ッタにより成膜されたＩＴＯであり、１日は対向透明基
板としてガラス基板、１９は電子ビーム蒸着法によって
形成された酸化ケイ素膜層である。
イスの断面構造を示すものである。第１図において、１
１は絶縁基板としてガラス基板、１２は配線電極、１３
はスイッチング素子としてＴＰＴおよび補助容量、１４
は絶縁体層として非晶質窒化ケイ素膜、１５は反射画素
電極、１６は液晶層、１７は対向共通電極として、スパ
ッタにより成膜されたＩＴＯであり、１日は対向透明基
板としてガラス基板、１９は電子ビーム蒸着法によって
形成された酸化ケイ素膜層である。
さらに、補助容量は配線電極１２上に形成されている。
以上のように構成された反射形液晶表示デバイスについ
て１．その動作は従来例の動作と同様である。
て１．その動作は従来例の動作と同様である。
以上のように本実施例によれば、ガラス基板と非晶質窒
化ケイ素膜層との間に酸化ケイ素膜層を設けることによ
り、光がガラス基板側・＼透過していく、すなわち、光
のＴＦＴ側内部への進入を抑えることができ、スイッチ
ング素子の光伝導による漏れｔｌｔ流を防ぐことができ
る。
化ケイ素膜層との間に酸化ケイ素膜層を設けることによ
り、光がガラス基板側・＼透過していく、すなわち、光
のＴＦＴ側内部への進入を抑えることができ、スイッチ
ング素子の光伝導による漏れｔｌｔ流を防ぐことができ
る。
なお、反射防止膜として酸化ケイ素膜という酸化物を用
いたが、透過率が高く、絶縁性のよい有機物でもよい。
いたが、透過率が高く、絶縁性のよい有機物でもよい。
発明の効果
以上のように本発明は反射形液晶表示デバイスにおいて
、反射画素電極が形成されている絶縁基板と絶縁体層ま
たはスイッチング素子との界面に光の反射を防止するた
めの物質からなる反射防止膜を形成することにより、液
晶層側から絶縁層を通ってアレイ内部へ進入した光が絶
縁基板と絶縁体層の界面で反射せずに、絶縁基板側へ透
過していり、シたがって、スイッチング素子が光伝導に
より抵抗が下がることによる漏れ電流を防ぐことができ
、コントラストの優れた反射型液晶表示デバイスを実現
できるものである。
、反射画素電極が形成されている絶縁基板と絶縁体層ま
たはスイッチング素子との界面に光の反射を防止するた
めの物質からなる反射防止膜を形成することにより、液
晶層側から絶縁層を通ってアレイ内部へ進入した光が絶
縁基板と絶縁体層の界面で反射せずに、絶縁基板側へ透
過していり、シたがって、スイッチング素子が光伝導に
より抵抗が下がることによる漏れ電流を防ぐことができ
、コントラストの優れた反射型液晶表示デバイスを実現
できるものである。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの断面図、第２図は従来の反射型液晶表示デバイス
を示す断面図、第３図は従来の反射型液晶デバイスにお
ける光の進入経路についての説明図である。 １１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・配線電
極、１３・・・・・・ＴＦＴ、１４・・・・・・非晶質
窒化ケイ素膜層、１５・・・・・反射画素電極、１６・
・・・・・液晶層、１７・・・・・・対向共通電極、１
８・・・・・・対向ガラス基板、１９・・・・・・酸化
ケイ素膜層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１１−−１
′ラス■石死 Ｉｔ−−配蛾貧罹 ｌ３−ＴＦＴｕＪＴｐ畑家ｔ ４− ・・’ｊ ＦＡ Ｙ ｆｋ ケ４ ｊ ７１Ｉ！
’１ｆｌＬ−文丁件１ｒラヌ屡石（ ｌｑ−ＮＪニア（Ｊ ＦＪ＊Ａ
イスの断面図、第２図は従来の反射型液晶表示デバイス
を示す断面図、第３図は従来の反射型液晶デバイスにお
ける光の進入経路についての説明図である。 １１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・配線電
極、１３・・・・・・ＴＦＴ、１４・・・・・・非晶質
窒化ケイ素膜層、１５・・・・・反射画素電極、１６・
・・・・・液晶層、１７・・・・・・対向共通電極、１
８・・・・・・対向ガラス基板、１９・・・・・・酸化
ケイ素膜層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１１−−１
′ラス■石死 Ｉｔ−−配蛾貧罹 ｌ３−ＴＦＴｕＪＴｐ畑家ｔ ４− ・・’ｊ ＦＡ Ｙ ｆｋ ケ４ ｊ ７１Ｉ！
’１ｆｌＬ−文丁件１ｒラヌ屡石（ ｌｑ−ＮＪニア（Ｊ ＦＪ＊Ａ
Claims (4)
- （１）液晶を表示させるためにマトリックス上に配列さ
れている反射画素電極群と、前記画素電極に信号を供給
するためのスイッチング素子群とを具備した基板と、液
晶を介して一定の間隔を有して前記基板と対向し、共通
電極を有している基板とで構成されており、前記反射画
素電極が形成されている絶縁基板と絶縁体層またはスイ
ッチング素子との界面に光の反射を防止するための物質
からなる反射防止膜とを備えたことを特徴とする反射型
液晶表示デバイス。 - （２）スイッチング素子が薄膜トランジスタ、ダイオー
ド、非線形スイッチング素子で形成されていることを特
徴とする請求項（１）記載の反射型液晶表示デバイス。 - （３）スイッチング素子が各画素に複数形成されている
ことを特徴とする請求項（２）記載の反射型液晶表示デ
バイス。 - （４）反射画素電極群の各表示画素に補助容量が形成さ
れていることを特徴とする請求項（１）記載の反射型液
晶表示デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63321176A JPH02165123A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 反射型液晶表示デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63321176A JPH02165123A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 反射型液晶表示デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165123A true JPH02165123A (ja) | 1990-06-26 |
Family
ID=18129641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63321176A Pending JPH02165123A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 反射型液晶表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02165123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100433115C (zh) * | 2002-02-07 | 2008-11-12 | Nec液晶技术株式会社 | 有效防止色彩不规则性的液晶显示设备 |
| JP2014029530A (ja) * | 1996-10-22 | 2014-02-13 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル用基板、液晶パネル、電子機器及び投射型表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139787A (en) * | 1981-02-24 | 1982-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Reflection type matrix display device |
| JPS63243902A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用カラ−フイルタ− |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63321176A patent/JPH02165123A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139787A (en) * | 1981-02-24 | 1982-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Reflection type matrix display device |
| JPS63243902A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用カラ−フイルタ− |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014029530A (ja) * | 1996-10-22 | 2014-02-13 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル用基板、液晶パネル、電子機器及び投射型表示装置 |
| CN100433115C (zh) * | 2002-02-07 | 2008-11-12 | Nec液晶技术株式会社 | 有效防止色彩不规则性的液晶显示设备 |
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