JPH10135480A

JPH10135480A - カラー表示装置とその製造方法およびカラー液晶装置

Info

Publication number: JPH10135480A
Application number: JP23986597A
Authority: JP
Inventors: Mitsutoshi Miyasaka; 光敏宮坂
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1996-09-06
Filing date: 1997-09-04
Publication date: 1998-05-22
Anticipated expiration: 2017-09-04
Also published as: JP4019461B2

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィー工程数を低減すること
で製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し得る
カラー表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】透明基板７１０上にソース線７０５、ド
レイン電極７０８となる線状遮光体７０１、７０１ｋを
形成した後、開口部７１１に色素材７０２を定着させて
カラーフィルターとする。次に、色素材を覆う透明保護
膜７２３を成膜し、その上に多結晶シリコン薄膜７１７
を形成する。そして、画素マトリックス外のソース線端
子を覆うポリイミド膜を形成した後、ゲート絶縁膜７１
９を成膜し、ポリイミド膜を除去する。次に、ゲート絶
縁膜上にゲート線７０７を形成する。本方法におけるフ
ォトリソグラフィー工程は、線状遮光体形成、多結晶シ
リコン薄膜形成、ゲート電極形成、の３工程のみとな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、パーソナ
ルコンピュータ、プロジェクター、ビューファインダー
等の機器に用いられるカラー液晶装置、およびカラー液
晶装置を構成するカラー表示装置とその製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、多結晶シリコン、非晶質シリ
コン等からなる薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，以下、ＴＦＴと記す）やＭ
ＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）
素子等の非線形素子を用いたアクティブマトリックス型
液晶装置が広く知られている。この種の液晶装置、特
に、カラー液晶装置の構成の一例を図２１を用いて説明
する。

【０００３】図２１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１
と対向基板２の間に液晶３が封入されており、ＴＦＴ基
板１にはＴＦＴ４と画素電極５が形成され、対向基板２
にはカラーフィルター６と対向電極７が形成されてい
る。ＴＦＴ４は、ゲート電極８、ゲート絶縁膜９、チャ
ネル領域を有するシリコン薄膜１０、ソース・ドレイン
電極１１、１２から構成されており、ドレイン電極１２
と画素電極５が接続されている。一方、カラーフィルタ
ー６は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の色素材
１３から構成されており、各色素材１３の間には色と色
の隙間を遮光するためのブラックマトリックス１４（Ｂ
ｌａｃｋＭａｔｒｉｘ，以下、ＢＭと記す）が設けら
れている。このカラー液晶装置においては、画素電極５
と対向電極７の間で基板に垂直な方向の電界、いわゆる
縦電界Ｅ１を発生させ、この縦電界Ｅ１によって液晶分
子１５を回転させている。

【０００４】これに対して、特に大型の液晶パネルに適
し、広視野角化を実現することのできる横電界方式、イ
ンプレイン・スイッチング（Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉ
ｔｃｈｉｎｇ，以下、ＩＰＳと記す）と呼ばれる方式の
カラー液晶装置が近年、注目を集めている。図２１
（ｂ）は、ＩＰＳ方式のカラー液晶装置の構成を示すも
のである。

【０００５】ＩＰＳ方式の場合、図２１（ｂ）に示すよ
うに、ＴＦＴ４およびカラーフィルター６の構造は従来
の液晶装置と同じであるが、対向電極１６（共通電極）
がＴＦＴ４と同じ基板１側に形成される点が従来の液晶
装置との構成上の大きな違いである。従来の液晶装置で
は、基板１、２に対して垂直方向の縦電界Ｅ１を使って
液晶分子１５を動かしていた。この縦電界動作モードで
は、液晶分子１５が斜めに立ち上がった状態になると見
る角度によって光学特性が異なるため、視野角が狭めら
れていた。これに対して、ＩＰＳ方式では、ＴＦＴ基板
１上のドレイン電極１２（画素電極）と対向電極１６と
の間でＴＦＴ基板１に平行な横電界Ｅ２を発生させ、こ
の横電界Ｅ２によって長軸がＴＦＴ基板１と平行な方向
に向くように液晶分子１５を回転させる。これにより、
見る角度によって光学特性が変わることがなくなり、ど
の方向から見ても良好な画像を得ることができる。な
お、図２１（ｂ）の例では、対向電極１６がＴＦＴ４の
ゲート電極８と同じ層で形成されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】例えば、図２１（ａ）
に示した従来一般のカラー液晶装置を製造する際には、
ＴＦＴ基板１上のゲート電極８、ゲート絶縁膜９、シリ
コン薄膜１０、画素電極５、ソース・ドレイン電極１
１、１２のパターニングに各１回、計５回のフォトリソ
グラフィー工程が必要であり、対向基板２側のＢＭ１
４、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素材１３の形成等も合わせると、
合計９〜１０回程度のフォトリソグラフィー工程が必要
となる。また、図２１（ｂ）に示したＩＰＳ方式のカラ
ー液晶装置の場合、ＴＦＴ４のゲート電極８と対向電極
１６を１回のフォトリソグラフィー工程で同時に形成す
るが、液晶装置全体ではやはり同じ程度のフォトリソグ
ラフィー工程が必要である。

【０００７】しかしながら、液晶装置製造プロセスにお
けるフォトリソグラフィー工程では高価なフォトマスク
や露光装置等を使用するため、液晶装置の製造コスト中
に占めるフォトリソグラフィー工程の割合は他の工程に
比べて極めて大きいものである。そのため、フォトリソ
グラフィー工程の回数を減らすことは液晶装置の製造コ
スト低減にとって重要な課題である。また、フォトリソ
グラフィー工程の回数が多いとそれだけ欠陥の発生する
確率が高くなり、製品の歩留まりが低下するため、歩留
まり向上の観点からもフォトリソグラフィー工程数の低
減が望まれている。

【０００８】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、従来の製法に比べてフォトリソグラフィー
工程数を低減することで製造コストの低減および歩留ま
りの向上を実現し得るカラー表示装置とその製造方法お
よびカラー液晶装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、本願発明に
先だって、透明基板上にシリコン等の半導体膜からなる
複数の線状遮光体を有し、複数の線状遮光体間の開口部
に色素材を定着して、これを酸化珪素膜等の透明保護膜
で覆い、透明保護膜上にＴＦＴ等の駆動素子を形成した
カラー液晶表示装置を提案している（特願平８−１５２
６９６号）。

【００１０】そこで、本発明は、このカラー液晶表示装
置の構成に基づき、製造プロセスにおけるフォトリソグ
ラフィー工程数の低減を図ったものである。

【００１１】上記の目的を達成するために、本発明の請
求項１に記載のカラー表示装置は、透明基板上に形成さ
れた複数の線状遮光体と、これら複数の線状遮光体間の
開口部に定着された色素材と、該色素材を覆う透明保護
膜と、前記線状遮光体上に設けられた複数の薄膜トラン
ジスタ、を有するカラー表示装置において、前記薄膜ト
ランジスタが、ソース領域およびドレイン領域を有する
半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領域に接続さ
れたソース線と、前記ドレイン領域に接続されたドレイ
ン電極と、ゲート線を具備し、前記ゲート絶縁膜が、前
記透明基板上の一部で取り除かれていることを特徴とす
るものである。

【００１２】また、請求項２に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタ、を有するカラー表示装
置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およ
びドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、
前記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン
領域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、
前記ソース領域がソース側不純物拡散源に接するととも
に、前記ドレイン領域がドレイン側不純物拡散源に接
し、前記ソース側不純物拡散源が前記ソース線の少なく
とも一部を構成していることを特徴とするものである。

【００１３】また、請求項３に記載のカラー表示装置
は、請求項２に記載のカラー表示装置において、前記ソ
ース側不純物拡散源がドナーまたはアクセプターを含有
した半導体膜であり、前記ソース線が該ソース側不純物
拡散源と金属の少なくとも２層からなることを特徴とす
るものである。

【００１４】また、請求項４に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタ、を有するカラー表示装
置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およ
びドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、
前記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン
領域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、
前記ソース領域がソース側不純物拡散源に接するととも
に、前記ドレイン領域がドレイン側不純物拡散源に接
し、前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導
体層の上方に形成されたことを特徴とするものである。

【００１５】また、請求項５に記載のカラー表示装置
は、請求項４に記載のカラー表示装置において、前記ソ
ース側不純物拡散源が前記ソース線の少なくとも一部を
構成し、該ソース線が透明保護膜で埋め込まれたことを
特徴とするものである。

【００１６】また、請求項６に記載のカラー表示装置
は、請求項４または５に記載のカラー表示装置におい
て、前記ドレイン電極が前記ゲート線と同一の層で形成
されたことを特徴とするものである。

【００１７】また、請求項７に記載のカラー表示装置
は、請求項６に記載のカラー表示装置において、保持容
量線が前記ソース線と同一の層で該ソース線と略平行に
形成されたことを特徴とするものである。

【００１８】また、請求項８に記載のカラー表示装置
は、請求項７に記載のカラー表示装置において、前記保
持容量線が共通電極線を兼ね、該共通電極線と前記ドレ
イン電極との間に液晶を駆動するための電圧が印加され
る構成となっていることを特徴とするものである。

【００１９】また、請求項９に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタ、を有するカラー表示装
置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およ
びドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、
前記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン
領域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、
前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の上方に形成されるとともに、前記ドレイン電極が前記
ゲート線と同一の層で形成され、前記ソース線、前記ゲ
ート絶縁膜、前記ドレイン電極で保持容量部が構成され
たことを特徴とするものである。

【００２０】また、請求項１０に記載のカラー表示装置
は、請求項９に記載のカラー表示装置において、自段の
ソース線、ゲート絶縁膜、ドレイン電極からなる保持容
量部の容量と、それに隣接するソース線、ゲート絶縁
膜、ドレイン電極からなる保持容量部の容量が略等しい
ことを特徴とするものである。

【００２１】また、請求項１１に記載のカラー表示装置
は、請求項９または１０に記載のカラー表示装置におい
て、前記ドレイン電極に加えて共通電極線も前記ゲート
線と同一の層で形成され、これらドレイン電極と共通電
極線との間に液晶を駆動するための電圧が印加される構
成となっていることを特徴とするものである。

【００２２】また、請求項１２に記載のカラー表示装置
は、請求項１１に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００２３】また、請求項１３に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタ、を有するカラー表示装
置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およ
びドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、
前記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン
領域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、
前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の上方に形成され、前記ドレイン電極が前記ソース線と
同一の層で形成されたことを特徴とするものである。

【００２４】また、請求項１４に記載のカラー表示装置
は、請求項１３に記載のカラー表示装置において、保持
容量線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレ
イン電極と前記ゲート絶縁膜と前記保持容量線で保持容
量部が構成されたことを特徴とするものである。

【００２５】また、請求項１５に記載のカラー表示装置
は、請求項１４に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００２６】また、請求項１６に記載のカラー表示装置
は、請求項１４に記載のカラー表示装置において、共通
電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレ
イン電極と前記共通電極線との間に液晶を駆動するため
の電圧が印加される構成となっていることを特徴とする
ものである。

【００２７】また、請求項１７に記載のカラー表示装置
は、請求項１６に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００２８】また、請求項１８に記載のカラー表示装置
は、請求項１７に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双方を
兼ねていることを特徴とするものである。

【００２９】また、請求項１９に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタ、を有するカラー表示装
置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およ
びドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、
前記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン
領域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、
前記ソース領域に接するソース線がボロンを含有した金
属からなり、前記半導体層が前記ゲート絶縁膜を介して
前記ゲート線の上方に形成されたことを特徴とするもの
である。

【００３０】また、請求項２０に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタ、を有するカラー表示装
置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およ
びドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、
前記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン
領域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、
前記線状遮光体が撥水性を有する導電膜で形成されると
ともに、前記ソース線を兼ね、前記ゲート線が前記ゲー
ト絶縁膜を介して前記半導体層の上方に形成されたこと
を特徴とするものである。

【００３１】また、請求項２１に記載のカラー表示装置
は、請求項２０に記載のカラー表示装置において、ドナ
ーまたはアクセプターを含有した半導体膜からなる前記
線状遮光体の表面がソース側不純物拡散源を兼ね、前記
ソース領域の下面が前記ソース側不純物拡散源に接して
いることを特徴とするものである。

【００３２】また、請求項２２に記載のカラー表示装置
は、請求項２１に記載のカラー表示装置において、前記
線状遮光体が前記半導体膜と金属の少なくとも２層から
なることを特徴とするものである。

【００３３】また、請求項２３に記載のカラー表示装置
は、請求項２０ないし２２のいずれかに記載のカラー表
示装置において、前記ドレイン電極が前記ゲート線と同
一の層で形成され、前記ソース線と前記ゲート絶縁膜と
前記ドレイン電極で保持容量部が構成されたことを特徴
とするものである。

【００３４】また、請求項２４に記載のカラー表示装置
は、請求項２３に記載のカラー表示装置において、前記
ゲート線と前記ドレイン電極の間の開口部の一部が前記
線状遮光体により遮光されていることを特徴とするもの
である。

【００３５】また、請求項２５に記載のカラー表示装置
は、請求項２３または２４に記載のカラー表示装置にお
いて、前記ドレイン電極に加えて共通電極線も前記ゲー
ト線と同一の層で形成され、これらドレイン電極と共通
電極線との間に液晶を駆動するための電圧が印加される
構成となっていることを特徴とするものである。

【００３６】また、請求項２６に記載のカラー表示装置
は、請求項２５に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００３７】また、請求項２７に記載のカラー表示装置
は、請求項２６に記載のカラー表示装置において、前記
ドレイン電極と前記次段のゲート線との間におけるスイ
ッチング電界方向と異なる方向に電界が生じる個所が前
記線状遮光体により遮光されていることを特徴とするも
のである。

【００３８】また、請求項２８に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタを有するカラー表示装置
において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域および
ドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前
記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前
記線状遮光体が撥水性を有する導電膜で形成されるとと
もに、前記ゲート線を兼ね、前記半導体層が前記ゲート
絶縁膜を介して前記ゲート線を兼ねる線状遮光体の上方
に形成されたことを特徴とするものである。

【００３９】また、請求項２９に記載のカラー表示装置
は、請求項２８に記載のカラー表示装置において、前記
線状遮光体の表面が半導体膜からなることを特徴とする
ものである。

【００４０】また、請求項３０に記載のカラー表示装置
は、請求項２９に記載のカラー表示装置において、前記
半導体膜がドナーまたはアクセプターを含有した半導体
膜であることを特徴とするものである。

【００４１】また、請求項３１に記載のカラー表示装置
は、請求項３０に記載のカラー表示装置において、前記
線状遮光体が前記半導体膜と金属の少なくとも２層から
なることを特徴とするものである。

【００４２】また、請求項３２に記載のカラー表示装置
は、請求項２８ないし３１のいずれかに記載のカラー表
示装置において、前記ドレイン電極が前記ソース線と同
一の層で形成されたことを特徴とするものである。

【００４３】また、請求項３３に記載のカラー表示装置
は、請求項３２に記載のカラー表示装置において、保持
容量線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレ
イン電極と前記ゲート絶縁膜と前記保持容量線で保持容
量部が構成されたことを特徴とするものである。

【００４４】また、請求項３４に記載のカラー表示装置
は、請求項３３に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００４５】また、請求項３５に記載のカラー表示装置
は、請求項３３に記載のカラー表示装置において、共通
電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレ
イン電極と共通電極線との間に液晶を駆動するための電
圧が印加される構成となっていることを特徴とするもの
である。

【００４６】また、請求項３６に記載のカラー表示装置
は、請求項３５に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００４７】また、請求項３７に記載のカラー表示装置
は、請求項３６に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双方を
兼ねていることを特徴とするものである。

【００４８】また、請求項３８に記載のカラー表示装置
は、請求項３２ないし３７のいずれかに記載のカラー表
示装置において、前記ソース線と前記ドレイン電極の間
の開口部の一部が、前記共通電極線により遮光されてい
ることを特徴とするものである。

【００４９】また、請求項３９に記載のカラー表示装置
は、請求項３２ないし３７のいずれかに記載のカラー表
示装置において、前記ソース線と前記ドレイン電極の間
の開口部の一部が、前記次段のゲート線により遮光され
ていることを特徴とするものである。

【００５０】また、請求項４０に記載のカラー表示装置
は、請求項３５ないし３９のいずれかに記載のカラー表
示装置において、前記ゲート線と前記共通電極線の間の
開口部の一部が、前記ソース線または前記ドレイン電極
により遮光されていることを特徴とするものである。

【００５１】また、請求項４１に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタ、を有するカラー表示装
置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およ
びドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、
前記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン
領域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、
前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の上方に形成され、前記ドレイン電極が前記ソース線と
同一の層で形成され、前記ソース線の端部に設けられた
ソース端子上には前記ゲート絶縁膜が形成されていない
ことを特徴とするものである。

【００５２】また、請求項４２に記載のカラー表示装置
は、請求項４１に記載のカラー表示装置において、保持
容量線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレ
イン電極と前記ゲート絶縁膜と前記保持容量線で保持容
量部が構成されたことを特徴とするものである。

【００５３】また、請求項４３に記載のカラー表示装置
は、請求項４２に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００５４】また、請求項４４に記載のカラー表示装置
は、請求項４２に記載のカラー表示装置において、共通
電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレ
イン電極と前記共通電極線との間に液晶を駆動するため
の電圧が印加される構成となっていることを特徴とする
ものである。

【００５５】また、請求項４５に記載のカラー表示装置
は、請求項４４に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００５６】また、請求項４６に記載のカラー表示装置
は、請求項４５に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双方を
兼ねていることを特徴とするものである。

【００５７】また、請求項４７に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタ、を有するカラー表示装
置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およ
びドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、
前記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン
領域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、
前記線状遮光体が撥水性を有する導電膜で形成されると
ともに、前記ソース線を兼ね、前記ゲート線が前記ゲー
ト絶縁膜を介して前記半導体層の上方に形成され、前記
ドレイン電極が前記ソース線と同一の層で形成され、前
記ソース線の端部に設けられたソース端子上には前記ゲ
ート絶縁膜が形成されていないことを特徴とするもので
ある。

【００５８】また、請求項４８に記載のカラー表示装置
は、請求項４７に記載のカラー表示装置において、ドナ
ーまたはアクセプターを含有した半導体膜からなる前記
線状遮光体の表面がソース側不純物拡散源を兼ね、前記
ソース領域の下面が前記ソース側不純物拡散源に接して
いることを特徴とするものである。

【００５９】また、請求項４９に記載のカラー表示装置
は、請求項４８に記載のカラー表示装置において、前記
線状遮光体が前記半導体膜と金属の少なくとも２層から
なることを特徴とするものである。

【００６０】また、請求項５０に記載のカラー表示装置
は、請求項４７ないし４９のいずれかに記載のカラー表
示装置において、保持容量線が前記ゲート線と同一の層
で形成され、前記ドレイン電極と前記ゲート絶縁膜と前
記保持容量線で保持容量部が構成されたことを特徴とす
るものである。

【００６１】また、請求項５１に記載のカラー表示装置
は、請求項５０に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００６２】また、請求項５２に記載のカラー表示装置
は、請求項５０に記載のカラー表示装置において、共通
電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレ
イン電極と前記共通電極線との間に液晶を駆動するため
の電圧が印加される構成となっていることを特徴とする
ものである。

【００６３】また、請求項５３に記載のカラー表示装置
は、請求項５２に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００６４】また、請求項５４に記載のカラー表示装置
は、請求項５３に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双方を
兼ねていることを特徴とするものである。

【００６５】また、請求項５５に記載のカラー表示装置
は、請求項５４に記載のカラー表示装置において、自段
のゲート線と前記次段のゲート線の間の開口部の一部が
前記線状遮光体により遮光されていることを特徴とする
ものである。

【００６６】また、請求項５６に記載のカラー表示装置
は、透明基板上に形成された複数の線状遮光体と、これ
ら複数の線状遮光体間の開口部に定着された色素材と、
該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光体上に設け
られた複数の薄膜トランジスタ、を有するカラー表示装
置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およ
びドレイン領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、
前記ソース領域に接続されたソース線と、前記ドレイン
領域に接続されたドレイン電極と、ゲート線を具備し、
前記線状遮光体が撥水性を有する導電膜で形成されると
ともに、前記ゲート線を兼ね、前記半導体層が前記ゲー
ト絶縁膜を介して前記ゲート線を兼ねる線状遮光体の上
方に形成され、前記ゲート線の端部に設けられたゲート
端子上には前記ゲート絶縁膜が形成されていないことを
特徴とするものである。

【００６７】また、請求項５７に記載のカラー表示装置
は、請求項５６に記載のカラー表示装置において、前記
線状遮光体の表面が半導体膜からなることを特徴とする
ものである。

【００６８】また、請求項５８に記載のカラー表示装置
は、請求項５７に記載のカラー表示装置において、前記
半導体膜がドナーまたはアクセプターを含有した半導体
膜であることを特徴とするものである。

【００６９】また、請求項５９に記載のカラー表示装置
は、請求項５８に記載のカラー表示装置において、前記
線状遮光体が前記半導体膜と金属の少なくとも２層から
なることを特徴とするものである。

【００７０】また、請求項６０に記載のカラー表示装置
は、請求項５６ないし５９のいずれかに記載のカラー表
示装置において、前記ドレイン電極が前記ソース線と同
一の層で形成されたことを特徴とするものである。

【００７１】また、請求項６１に記載のカラー表示装置
は、請求項６０に記載のカラー表示装置において、保持
容量線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレ
イン電極と前記ゲート絶縁膜と前記保持容量線で保持容
量部が構成されたことを特徴とするものである。

【００７２】また、請求項６２に記載のカラー表示装置
は、請求項６１に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００７３】また、請求項６３に記載のカラー表示装置
は、請求項６１に記載のカラー表示装置において、共通
電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレ
イン電極と前記共通電極線との間に液晶を駆動するため
の電圧が印加される構成となっていることを特徴とする
ものである。

【００７４】また、請求項６４に記載のカラー表示装置
は、請求項６３に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特徴と
するものである。

【００７５】また、請求項６５に記載のカラー表示装置
は、請求項６４に記載のカラー表示装置において、次段
のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双方を
兼ねていることを特徴とするものである。

【００７６】また、請求項６６に記載のカラー表示装置
は、請求項６０ないし６５のいずれかに記載のカラー表
示装置において、前記ソース線と前記ドレイン電極の間
の開口部の一部が、前記共通電極線により遮光されてい
ることを特徴とするものである。

【００７７】また、請求項６７に記載のカラー表示装置
は、請求項６０ないし６５のいずれかに記載のカラー表
示装置において、前記ソース線と前記ドレイン電極の間
の開口部の一部が、前記次段のゲート線により遮光され
ていることを特徴とするものである。

【００７８】また、請求項６８に記載のカラー表示装置
は、請求項６３ないし６７のいずれかに記載のカラー表
示装置において、前記ゲート線と前記共通電極線の間の
開口部の一部が、前記ソース線により遮光されているこ
とを特徴とするものである。また、請求項６９に記載の
カラー表示装置の製造方法は、透明基板上に半導体膜を
成膜する半導体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソ
グラフィー、エッチング技術を用いてパターニングする
ことにより複数の線状遮光体を形成する線状遮光体形成
工程と、これら複数の線状遮光体間の開口部に色素材を
定着させる色素材定着工程と、該色素材を覆う透明保護
膜を成膜する透明保護膜成膜工程と、該透明保護膜上に
後でソース線となる第１の導電膜を成膜する第１導電膜
成膜工程と、該第１の導電膜をフォトリソグラフィー、
エッチング技術を用いてパターニングすることによりソ
ース線を形成するソース線形成工程と、該ソース線を埋
め込む埋込透明保護膜を成膜する埋込透明保護膜成膜工
程と、該埋込透明保護膜上に半導体膜を成膜する半導体
膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エ
ッチング技術を用いてパターニングし所定の形状の半導
体層を形成する半導体層形成工程と、該半導体層を覆う
ゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜成膜工程と、該ゲ
ート絶縁膜の一部をフォトリソグラフィー、エッチング
技術を用いて開口することにより前記半導体層に通じる
コンタクト孔を形成するコンタクト孔形成工程と、該コ
ンタクト孔内を含む前記ゲート絶縁膜上に第２の導電膜
を成膜する第２導電膜成膜工程と、該第２の導電膜をフ
ォトリソグラフィー、エッチング技術を用いてパターニ
ングすることによりゲート線およびドレイン電極を形成
するゲート線・ドレイン電極形成工程と、を有すること
を特徴とするものである。

【００７９】また、請求項７０に記載のカラー表示装置
の製造方法は、請求項６９に記載のカラー表示装置の製
造方法において、前記ソース線の表面をドナーまたはア
クセプターを含有した半導体膜で形成して不純物拡散源
とするとともに、該ソース線表面に前記半導体層が直接
接触するようにし、前記不純物拡散源からのドナーまた
はアクセプターの拡散により前記半導体層中にソース領
域を形成することを特徴とするものである。

【００８０】また、請求項７１に記載のカラー表示装置
の製造方法は、透明基板上に半導体膜を成膜する半導体
膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エ
ッチング技術を用いてパターニングすることにより複数
の線状遮光体を形成する線状遮光体形成工程と、これら
複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させる色素
材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透
明保護膜成膜工程と、該透明保護膜上に後でソース線お
よびドレイン電極となる第１の導電膜を成膜する第１導
電膜成膜工程と、該第１の導電膜をフォトリソグラフィ
ー、エッチング技術を用いてパターニングすることによ
りソース線およびドレイン電極を形成するソース線・ド
レイン電極形成工程と、該ソース線およびドレイン電極
を埋め込む埋込透明保護膜を成膜する埋込透明保護膜成
膜工程と、該埋込透明保護膜上に半導体膜を成膜する半
導体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィ
ー、エッチング技術を用いてパターニングし所定の形状
の半導体層を形成する半導体層形成工程と、該半導体層
を覆うゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜成膜工程
と、該ゲート絶縁膜の一部をフォトリソグラフィー、エ
ッチング技術を用いて開口することにより前記ソース線
に通じるコンタクト孔を形成するコンタクト孔形成工程
と、該コンタクト孔内を含む前記ゲート絶縁膜上に第２
の導電膜を成膜する第２導電膜成膜工程と、該第２の導
電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を用いて
パターニングすることによりゲート線を形成するゲート
線形成工程、を有することを特徴とするものである。

【００８１】また、請求項７２に記載のカラー表示装置
の製造方法は、請求項７１に記載のカラー表示装置の製
造方法において、前記ソース線およびドレイン電極の表
面をドナーまたはアクセプターを含有した半導体膜で形
成して不純物拡散源とするとともに、これらソース線お
よびドレイン電極表面に前記半導体層が直接接触するよ
うにし、前記不純物拡散源からのドナーまたはアクセプ
ターの拡散により前記半導体層中にソース領域およびド
レイン領域を形成することを特徴とするものである。

【００８２】また、請求項７３に記載のカラー表示装置
の製造方法は、透明基板上に半導体膜を成膜する半導体
膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エ
ッチング技術を用いてパターニングすることにより複数
の線状遮光体を形成する線状遮光体形成工程と、これら
複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させる色素
材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透
明保護膜成膜工程と、該透明保護膜上に後でゲート線と
なる第１の導電膜を成膜する第１導電膜成膜工程と、該
第１の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術
を用いてパターニングすることによりゲート線を形成す
るソース線形成工程と、該ゲート線を覆うゲート絶縁膜
を成膜するゲート絶縁膜成膜工程と、該ゲート絶縁膜上
に半導体膜を成膜する半導体膜成膜工程と、該半導体膜
をフォトリソグラフィー、エッチング技術を用いてパタ
ーニングし所定の形状の半導体層を形成する半導体層形
成工程と、前記ゲート絶縁膜の一部をフォトリソグラフ
ィー、エッチング技術を用いて開口することにより前記
ゲート線に通じるコンタクト孔を形成するコンタクト孔
形成工程と、該コンタクト孔内を含む前記ゲート絶縁膜
上に第２の導電膜を成膜する第２導電膜成膜工程と、該
第２の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術
を用いてパターニングすることによりソース線およびド
レイン電極を形成するソース線・ドレイン電極形成工
程、を有することを特徴とするものである。

【００８３】また、請求項７４に記載のカラー表示装置
の製造方法は、請求項７３に記載のカラー表示装置の製
造方法において、前記ソース線およびドレイン電極をボ
ロンを含有した金属で形成して不純物拡散源とするとと
もに、これらソース線およびドレイン電極と前記半導体
層が直接接触するようにし、前記不純物拡散源からのボ
ロンの拡散により前記半導体層中にソース領域およびド
レイン領域を形成することを特徴とするものである。

【００８４】また、請求項７５に記載のカラー表示装置
の製造方法は、透明基板上に半導体膜を成膜する半導体
膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エ
ッチング技術を用いてパターニングすることにより少な
くとも一部がソース線を兼ねる複数の線状遮光体を形成
する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体間
の開口部に色素材を定着させる色素材定着工程と、該色
素材を覆う透明保護膜を成膜する透明保護膜成膜工程
と、前記線状遮光体上および透明保護膜上に半導体膜を
成膜する半導体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソ
グラフィー、エッチング技術を用いてパターニングし所
定の形状の半導体層を形成する半導体層形成工程と、該
半導体層を覆うゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜成
膜工程と、該ゲート絶縁膜の一部をフォトリソグラフィ
ー、エッチング技術を用いて開口することにより前記半
導体層に通じるコンタクト孔を形成するコンタクト孔形
成工程と、該コンタクト孔内を含む前記ゲート絶縁膜上
に導電膜を成膜する導電膜成膜工程と、該導電膜をフォ
トリソグラフィー、エッチング技術を用いてパターニン
グすることによりゲート線およびドレイン電極を形成す
るゲート線・ドレイン電極形成工程、を有することを特
徴とするものである。

【００８５】また、請求項７６に記載のカラー表示装置
の製造方法は、請求項７５に記載のカラー表示装置の製
造方法において、前記ソース線の表面をドナーまたはア
クセプターを含有した半導体膜で形成して不純物拡散源
とするとともに、該ソース線表面に前記半導体層が直接
接触するようにし、前記不純物拡散源からのドナーまた
はアクセプターの拡散により前記半導体層中にソース領
域を形成することを特徴とするものである。

【００８６】また、請求項７７に記載のカラー表示装置
の製造方法は、透明基板上に半導体膜を成膜する半導体
膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エ
ッチング技術を用いてパターニングすることにより少な
くとも一部がゲート線を兼ねる複数の線状遮光体を形成
する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体間
の開口部に色素材を定着させる色素材定着工程と、前記
線状遮光体および前記色素材を覆う透明保護膜を成膜す
る透明保護膜成膜工程と、該透明保護膜上に半導体膜を
成膜する半導体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソ
グラフィー、エッチング技術を用いてパターニングし所
定の形状の半導体層を形成する半導体層形成工程と、前
記線状遮光体が画素マトリックス領域外に延びてゲート
線端子となる部分の上の透明保護膜をフォトリソグラフ
ィー、エッチング技術を用いて開口することにより前記
ゲート線端子に通じるコンタクト孔を形成するコンタク
ト孔形成工程と、該コンタクト孔内を含む前記透明保護
膜上に導電膜を成膜する導電膜成膜工程と、該導電膜を
フォトリソグラフィー、エッチング技術を用いてパター
ニングすることによりソース線およびドレイン電極およ
びゲート線端子用パッドを形成するソース線・ドレイン
電極形成工程、を有することを特徴とするものである。

【００８７】また、請求項７８に記載のカラー表示装置
の製造方法は、請求項７７に記載のカラー表示装置の製
造方法において、前記ソース線およびドレイン電極をボ
ロンを含有した金属で形成して不純物拡散源とするとと
もに、これらソース線およびドレイン電極と前記半導体
層が直接接触するようにし、前記不純物拡散源からのボ
ロンの拡散により前記半導体層中にソース領域およびド
レイン領域を形成することを特徴とするものである。

【００８８】また、請求項７９に記載のカラー表示装置
の製造方法は、透明基板上に半導体膜を成膜する半導体
膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エ
ッチング技術を用いてパターニングすることにより複数
の線状遮光体を形成する線状遮光体形成工程と、これら
複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させる色素
材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透
明保護膜成膜工程と、該透明保護膜上に後でソース線ま
たはドレイン電極となる第１の導電膜を成膜する第１導
電膜成膜工程と、該第１の導電膜をフォトリソグラフィ
ー、エッチング技術を用いてパターニングすることによ
りソース線またはドレイン電極を形成するソース線形成
工程と、該ソース線およびドレイン電極を埋め込む埋込
透明保護膜を成膜する埋込透明保護膜成膜工程と、前記
ソース線、ドレイン電極および前記埋込透明保護膜上に
半導体膜を成膜する半導体膜成膜工程と、該半導体膜を
フォトリソグラフィー、エッチング技術を用いてパター
ニングし所定の形状の半導体層を形成する半導体層形成
工程と、前記ソース線が画素マトリックス領域外に延び
てソース線端子となる部分を覆い、次工程でのこの部分
へのゲート絶縁膜の成膜を阻止する阻止膜を形成する阻
止膜形成工程と、前記半導体層および前記線状遮光体を
覆うゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜成膜工程と、
前記阻止膜を除去する阻止膜除去工程と、前記ソース線
端子上および前記ゲート絶縁膜上に第２の導電膜を成膜
する第２導電膜成膜工程と、該第２の導電膜をフォトリ
ソグラフィー、エッチング技術を用いてパターニングす
ることによりゲート電極およびソース線端子用パッドを
形成するゲート電極形成工程、を有することを特徴とす
るものである。

【００８９】また、請求項８０に記載のカラー表示装置
の製造方法は、請求項７９に記載のカラー表示装置の製
造方法において、前記ソース線およびドレイン電極の表
面をドナーまたはアクセプターを含有した半導体膜で形
成して不純物拡散源とするとともに、これらソース線お
よびドレイン電極表面に前記半導体層が直接接触するよ
うにし、前記不純物拡散源からのドナーまたはアクセプ
ターの拡散により前記半導体層中にソース領域およびド
レイン領域を形成することを特徴とするものである。

【００９０】また、請求項８１に記載のカラー表示装置
の製造方法は、透明基板上に半導体膜を成膜する半導体
膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エ
ッチング技術を用いてパターニングすることにより少な
くとも一部がソース線またはドレイン電極を兼ねる複数
の線状遮光体を形成する線状遮光体形成工程と、これら
複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させる色素
材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透
明保護膜成膜工程と、前記線状遮光体上および前記透明
保護膜上に半導体膜を成膜する半導体膜成膜工程と、該
半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を用
いてパターニングし所定の形状の半導体層を形成する半
導体層形成工程と、前記線状遮光体が画素マトリックス
領域外に延びてソース線端子となる部分を覆い、次工程
でのこの部分へのゲート絶縁膜の成膜を阻止する阻止膜
を形成する阻止膜形成工程と、前記半導体層および前記
線状遮光体を覆うゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜
成膜工程と、前記阻止膜を除去する阻止膜除去工程と、
前記ソース線端子上および前記ゲート絶縁膜上に導電膜
を成膜する導電膜成膜工程と、該導電膜をフォトリソグ
ラフィー、エッチング技術を用いてパターニングするこ
とによりゲート電極およびソース線端子用パッドを形成
するゲート電極形成工程、を有することを特徴とするも
のである。

【００９１】また、請求項８２に記載のカラー表示装置
の製造方法は、請求項８１に記載のカラー表示装置の製
造方法において、前記ソース線およびドレイン電極の表
面をドナーまたはアクセプターを含有した半導体膜で形
成して不純物拡散源とするとともに、これらソース線お
よびドレイン電極表面に前記半導体層が直接接触するよ
うにし、前記不純物拡散源からのドナーまたはアクセプ
ターの拡散により前記半導体層中にソース領域およびド
レイン領域を形成することを特徴とするものである。

【００９２】また、請求項８３に記載のカラー表示装置
の製造方法は、透明基板上に半導体膜を成膜する半導体
膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エ
ッチング技術を用いてパターニングすることにより少な
くとも一部がゲート電極を兼ねる複数の線状遮光体を形
成する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体
間の開口部に色素材を定着させる色素材定着工程と、前
記線状遮光体が画素マトリックス領域外に延びてゲート
線端子となる部分を覆い、次工程でのこの部分への透明
保護膜の成膜を阻止する阻止膜を形成する阻止膜形成工
程と、前記線状遮光体および前記色素材を覆う透明保護
膜を成膜する透明保護膜成膜工程と、該透明保護膜上に
半導体膜を成膜する半導体膜成膜工程と、該半導体膜を
フォトリソグラフィー、エッチング技術を用いてパター
ニングし所定の形状の半導体層を形成する半導体層形成
工程と、前記阻止膜を除去する阻止膜除去工程と、前記
ゲート線端子上および前記透明保護膜上に導電膜を成膜
する導電膜成膜工程と、該導電膜をフォトリソグラフィ
ー、エッチング技術を用いてパターニングすることによ
りソース線およびドレイン電極およびゲート線端子用パ
ッドを形成するソース線・ドレイン電極形成工程、を有
することを特徴とするものである。

【００９３】また、請求項８４に記載のカラー表示装置
の製造方法は、請求項８３に記載のカラー表示装置の製
造方法において、前記ソース線およびドレイン電極をボ
ロンを含有した金属で形成して不純物拡散源とするとと
もに、これらソース線およびドレイン電極と前記半導体
層が直接接触するようにし、前記不純物拡散源からのボ
ロンの拡散により前記半導体層中にソース領域およびド
レイン領域を形成することを特徴とするものである。

【００９４】また、請求項８５に記載のカラー液晶装置
は、請求項１ないし６８のいずれかに記載のカラー表示
装置に対向する対向基板が設けられ、前記カラー表示装
置と対向基板との間に液晶が封入されたことを特徴とす
るものである。

【００９５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の９つの実施の形態
について説明する。

【００９６】第１の実施の形態は、５回のフォトリソグ
ラフィー工程を経て製造され、トップゲート型ＴＦＴ、
独立した共通電極線を有する（５フォト、トップゲー
ト、共通電極線独立型の）カラー表示装置、第２の実施
の形態は５フォト、トップゲート、共通電極線兼用型の
カラー表示装置、第３の実施の形態は５フォト、トップ
ゲート、共通電極線兼用型（ソース線とドレイン電極が
同層）のカラー表示装置、第４の実施の形態は５フォ
ト、ボトムゲート型のカラー表示装置、第５の実施の形
態は４フォト、トップゲート、共通電極線兼用型のカラ
ー表示装置、第６の実施の形態は４フォト、ボトムゲー
ト、共通電極線独立型のカラー表示装置、第７の実施の
形態は４フォト、トップゲート、共通電極線兼用型（コ
ンタクト孔無し）のカラー表示装置、第８の実施の形態
は３フォト、トップゲート、共通電極線兼用型のカラー
表示装置、第９の実施の形態は３フォト、ボトムゲー
ト、共通電極線兼用型のカラー表示装置、の例である。
また、以下に示す全ての実施の形態のカラー表示装置
は、ＩＰＳ方式のカラー表示装置の例である。

【００９７】まず、本発明の第１の実施の形態を図１〜
図３を参照して説明する。

【００９８】図１は本実施の形態のカラー表示装置の画
素の部分を示す平面図、図２は同、断面図であり、図中
符号１０１は線状遮光体、１０２は色素材、１０３は透
明保護膜、１０４は埋込透明保護膜、１０５はソース
線、１０６はＴＦＴ、１０７はゲート線、１０８はドレ
イン電極、１０９は共通電極線、である。

【００９９】なお、本実施の形態のカラー表示装置は、
請求項４〜８に記載のカラー表示装置に対応する。

【０１００】図２に示すように、ソーダガラス等の透明
基板１１０上に複数の線状遮光体１０１が設けられてい
る。この線状遮光体１０１は、基板表面に格子状に組ま
れることもあり、可視光の遮光能力を備えて黒く見える
ことから、ブラックマトリックスとも呼ばれる。透明基
板１１０の表面が掘り下げられた複数の線状遮光体１０
１間の開口部１１１は光が透過する部分であり、この開
口部１１１にはＲ、Ｇ、Ｂの各色素材１０２が定着され
ている。これにより、色にじみを防止するＢＭを備えた
カラーフィルターが構成されている。なお、透明基板１
１０の材料としては、ソーダガラスの他に、溶融石英や
無アルカリガラス等を用いてもよい。

【０１０１】本実施の形態において、線状遮光体１０１
は非晶質シリコン膜等の半導体膜で構成されている。こ
の半導体膜の膜厚は、光を完全に遮光するという観点か
ら１μｍ程度以上の膜厚が望ましい。また、半導体膜の
材質としては、シリコンの他、ゲルマニウム、シリコン
−ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素等、種々の材料が用い
られる。さらに、その状態も非晶質、結晶質の他に、こ
れらが混在した混晶質であっても良い。本発明の線状遮
光体１０１に求められる物性としては、膜厚が１〜５μ
ｍ程度に堆積し得ること、その時に充分な遮光能力を備
えていること、３００〜５００℃程度の熱環境に対して
安定であること、アクリルやエタノール等の有機溶剤に
対して安定であること、ガラスとの密着性が良いこと、
等が挙げられる。

【０１０２】複数の線状遮光体１０１と色素材１０２上
には、これらを覆う透明保護膜１０３が設けられてい
る。この透明保護膜１０３としては、酸化珪素膜や窒化
珪素膜等のシリコン含有無機化合物が用いられる。ま
た、透明保護膜１０３の表面は、線状遮光体１０１や色
素材１０２等からなる段差を埋め、充分に平坦化されて
いる。そして、透明保護膜１０３上には、ソース線１０
５および共通電極線１０９が設けられている。なお、共
通電極線１０９は、後述する保持容量線をも兼ねるもの
である。これらソース線１０５と共通電極線１０９は同
一の層で構成されており、本実施の形態の場合、アルミ
ニウム膜１１２とｎ型不純物を含む微結晶シリコン膜１
１３（以下、ｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜と記す、ソース側不純
物拡散源）の積層構造で構成されている。また、ソース
線１０５および共通電極線１０９の間は、埋込透明保護
膜１０４で埋め込まれている。埋込透明保護膜１０４
も、透明保護膜１０３と同様、酸化珪素膜や窒化珪素膜
等のシリコン含有無機化合物が用いられる。

【０１０３】埋込透明保護膜１０４上にはＴＦＴ１０６
が形成されている。このＴＦＴ１０６は、ソース・ドレ
イン領域１１４、１１５、チャネル領域１１６を有する
シリコン薄膜１１７の上方にゲート電極１１８が存在す
るトップゲート型のｎｃｈ−ＴＦＴである。そして、ソ
ース線１０５に接するようにシリコン薄膜１１７が設け
られ、ソース線１０５に接する側のｎ型不純物拡散領域
がソース領域１１４、反対側のｎ型不純物拡散領域がド
レイン領域１１５、ソース−ドレイン領域１１４、１１
５間がチャネル領域１１６となっている。そして、この
シリコン薄膜１１７、埋込透明保護膜１０４、ソース線
１０５、共通電極線１０９等を覆うように酸化珪素膜か
らなるゲート絶縁膜１１９が形成され、ゲート絶縁膜１
１９上にゲート電極１１８が形成されている。また、シ
リコン薄膜１１７のドレイン領域１１５上にあたるゲー
ト絶縁膜１１９の一部にはコンタクト孔１２０が開口さ
れるとともに、ゲート絶縁膜１１９上にドレイン電極１
０８が形成され、ドレイン電極１０８はコンタクト孔１
２０の部分でドレイン領域１１５に接続されている。な
お、ゲート電極１１８とドレイン電極１０８は同一の層
で構成されており、例えばＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ（アルミニ
ウム−シリコン−銅）合金等が用いられる。前述したよ
うに、図１はカラー表示装置における画素マトリックス
内の一つの画素１２１の構成を示す平面図である。この
図に示すように、本実施の形態では、複数の線状遮光体
１０１（図中２点鎖線で示す）は格子状に組まれてお
り、これら線状遮光体１０１間の隣接する開口部１１１
には異なる色の色素材が定着されている。図中横方向に
延びる線状遮光体１０１の上には、画素マトリックス上
の横方向に並ぶ複数のＴＦＴ１０６のゲート電極１１８
からなるゲート線１０７と、矩形状のドレイン電極１０
８の一部が配置されている。また、縦方向に延びる線状
遮光体１０１の上には、ソース線１０５と共通電極線１
０９およびドレイン電極１０８の一部が配置されてい
る。さらに、共通電極線１０９の一部１０９ａは画素１
２１の中央部に延びており、カラー表示装置の動作時に
はドレイン電極１０８と共通電極線１０９ａとの間に液
晶を駆動するための電圧が印加され、いわゆる横電界
（図中矢印Ｅで示す）が発生する構成となっている。

【０１０４】また、画素マトリックスにおいては、複数
のソース線に信号電圧が印加されると同時に複数のゲー
ト線に走査電圧が順次印加されていき、１フィールドの
画面が形成されるが、各ゲート線が非選択状態の場合も
各画素が１フィールド期間にわたって電圧を保持するた
めに保持容量部を必要とする。そこで、本実施の形態の
カラー表示装置では、図２に示すように、共通電極線１
０９は保持容量線を兼ねており、ゲート絶縁膜１１９、
これを挟んで対向する共通電極線１０９、ドレイン電極
１０８で保持容量部が構成されている。

【０１０５】以下、上記構成のカラー表示装置の製造方
法について図２および図３を用いて説明する。図３は、
本実施の形態のカラー表示装置の製造方法を順を追って
示すプロセスフロー図である。なお、本方法は、請求項
６９、７０に記載のカラー表示装置の製造方法に対応す
るものであり、５回のフォトリソグラフィー工程を有す
る例である。

【０１０６】例えばソーダガラスからなる透明基板１１
０上に、ＰＥＣＶＤ法を用いて膜厚３μｍ程度の非晶質
シリコン膜（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−Ｓｉｌｉｃｏｎ，以
下、ａ−Ｓｉと記す、半導体膜）を成膜する（半導体膜
成膜工程）。次に、周知のフォトリソグラフィー技術を
用いて、線状遮光体形成用のフォトレジストパターンを
ａ−Ｓｉ膜上に形成（図３中「ＢＭ形成ホト」と記す）
した後、ＣＤＥ（ＣｈｅｍｉｃａｌＤｒｙＥｔｃｈ
ｉｎｇ）法を用いてａ−Ｓｉ膜のエッチングを行い、線
状遮光体１０１を形成する（線状遮光体形成工程）。さ
らに、透明基板１１０の表面もエッチングにより掘り下
げて、次工程で色素材を定着させるための開口部１１１
を形成する。その後、フォトレジストパターンを除去す
る。

【０１０７】次に、一般のインクジェットプリンタを用
いて、複数の線状遮光体１０１間の開口部１１１内に
Ｒ、Ｇ、Ｂの各インクをそれぞれ注入する。この際に用
いるインクとしては顔料系インク、染料系インクのいず
れも用いることができる。これらインクの成分の多くは
溶媒の水であるが、透明基板１１０は親水性、ａ−Ｓｉ
膜は撥水性という性質を持っているため、インクの表面
が透明基板１１０内に位置するようにインクの量を加減
すると開口部１１１内にインクが保持されやすくなる。
その後、基板全体を加熱してインクを乾燥させることに
より、表面が平坦化された色素材１０２が形成される
（色素材定着工程）。

【０１０８】次に、全面にシリコンを含有した液体を塗
布した後、これを焼結させる（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａ
ｓｓ，以下、ＳＯＧ法と記す）と、線状遮光体１０１と
色素材１０２を覆う酸化珪素膜からなる透明保護膜１０
３が成膜される（透明保護膜成膜工程）。なお、ここで
用いるシリコン含有液体（ＳＯＧ液）としては、例え
ば、ポリシラザン膜（Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌａｚａｎｅ，Ｐ
Ｓ）を用いることができる。その後、スパッタ法を用い
て透明保護膜１０３上の全面にＡｌ膜１１２を成膜し、
ついで、ＰＥＣＶＤ法を用いてｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜１１
３を成膜する（第１導電膜成膜工程）。そして、フォト
リソグラフィー、エッチング法を用いてＡｌ膜１１２、
ｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜１１３を連続的にパターニングする
ことにより、ソース線１０５および共通電極線１０９を
形成する（図３中「ソース線形成ホト」と記す、ソース
線形成工程）。次に、透明保護膜１０３と同様、ＳＯＧ
法を用いて埋込透明保護膜１０４を成膜し、ソース線１
０５および共通電極線１０９を埋め込む（埋込透明保護
膜成膜工程）。その後、埋込透明保護膜１０４の表面を
エッチングし、ｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜１１３の表面を露出
させておく。

【０１０９】次に、ＰＥＣＶＤ法やスパッター法を用い
て全面にａ−Ｓｉ膜を成膜した後（半導体膜成膜工
程）、レーザアニールや急速熱処理等を施してａ−Ｓｉ
膜を多結晶化する。こうして形成された多結晶シリコン
膜をフォトリソグラフィー、エッチング法を用いてパタ
ーニングすることによって、多結晶シリコン薄膜１１７
を形成する（図３中「ｐｏｌｙ−Ｓｉホト」と記す、半
導体層形成工程）。ここまでの工程で多結晶シリコン薄
膜１１７に接触しているソース線１０５のｎ＋ −ｍ−
Ｓｉ膜１１３中のｎ型不純物が多結晶シリコン薄膜１１
７中に拡散することによって、多結晶シリコン薄膜１１
７にソース領域１１４、ドレイン領域１１５が形成され
る。

【０１１０】その後、ＰＥＣＶＤ法を用いて全面に酸化
珪素膜からなるゲート絶縁膜１１９を成膜し（ゲート絶
縁膜成膜工程）、ついで、フォトリソグラフィー、エッ
チング法を用いて多結晶シリコン薄膜１１７のドレイン
領域１１５上にあたるゲート絶縁膜１１９の一部を開口
することにより、ドレイン領域１１５に通じるコンタク
ト孔１２０を形成する（図３中「コンタクトホト」と記
す、コンタクト孔形成工程）。次に、スパッタ法を用い
てコンタクト孔１２０内を含むゲート絶縁膜１１９上の
全面にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を成膜する（第２導電膜成膜
工程）。そして、フォトリソグラフィー、エッチング法
を用いてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜をパターニングすることに
より、ゲート電極１１８およびゲート線１０７、ドレイ
ン電極１０８を形成する（図３中「ゲート線形成ホト」
と記す、ゲート線・ドレイン電極形成工程）。

【０１１１】本実施の形態の方法によれば、フォトリソ
グラフィー工程として、線状遮光体１０１の形成、ソー
ス線１０５および共通電極線１０９の形成、多結晶シリ
コン薄膜１１７の形成、コンタクト孔１２０の形成、ゲ
ート線１０７およびドレイン電極１０８の形成、の５工
程を要するのみでカラーフィルターを備えたカラー表示
装置を製造することが可能となる。したがって、合計９
〜１０回程度のフォトリソグラフィー工程を必要とした
従来の製造方法と比べてフォトリソグラフィー工程の回
数をほぼ半減することができるので、液晶装置の製造コ
ストを大幅に低減することができる。さらに、フォトリ
ソグラフィー工程の回数を減らすことで製品の歩留まり
を向上させることができる。

【０１１２】以下、本発明の第２の実施の形態を図４を
参照して説明する。

【０１１３】図４は本実施の形態のカラー表示装置の画
素の部分を示す平面図であり、図中符号２０１は線状遮
光体、２０５はソース線、２０６はＴＦＴ、２０７はゲ
ート線、２０８はドレイン電極、である。

【０１１４】本実施の形態のカラー表示装置は、請求項
９〜１２に記載のカラー表示装置に対応する。すなわ
ち、第１の実施の形態では、ＩＰＳの対をなすドレイン
電極と異なる層に別個の共通電極線が設けられていたの
に対して、本実施の形態では、ドレイン電極と同層のゲ
ート線が共通電極線を兼ねており、共通電極線を別個に
設けていない点が構成上の相違点である。また、本実施
の形態における線状遮光体、ソース線、ゲート線、ドレ
イン電極、ＴＦＴ等の構成、材料等に関しては、第１の
実施の形態と同様とすることができる。

【０１１５】図４に示すように、本実施の形態では、複
数の線状遮光体２０１は格子状に組まれており、これら
線状遮光体２０１間の隣接する開口部２１１には異なる
色の色素材が定着されている。図中横方向に延びる線状
遮光体２０１の上には、画素マトリックス上の横方向に
並ぶ複数のＴＦＴ２０６のゲート電極２１８からなるゲ
ート線２０７と、略コ字状のドレイン電極２０８の一部
が配置されている。縦方向に延びる線状遮光体２０１の
上には、ソース線２０５およびドレイン電極２０８の一
部が配置されている。また、本カラー表示装置では、図
中上側から下側に向けて画素マトリックス内のゲート線
２０７を走査するものとするが、自段の画素２２１の中
央部に次段の画素（図中下側の画素）のゲート線２２２
の一部２２２ａが延びている。そこで、カラー表示装置
の動作時には自段のドレイン電極２０８と次段のゲート
線２２２との間に液晶を駆動するための電圧が印加さ
れ、横電界Ｅが発生する構成となっている。

【０１１６】上記構成のカラー表示装置の製造方法に関
しては詳細な説明を省略するが、第１の実施の形態と同
様、線状遮光体の形成、ソース線の形成、多結晶シリコ
ン薄膜の形成、コンタクト孔の形成、ゲート電極および
ドレイン電極の形成、の５回のフォトリソグラフィー工
程を要するものである。したがって、本実施の形態にお
いても、製造コストの低減、製品歩留まりの向上、とい
った第１の実施の形態と同様の効果を奏することができ
る。

【０１１７】さらに、本実施の形態の場合、自段のソー
ス線２０５、ゲート絶縁膜、ドレイン電極２０８で構成
される保持容量部２３３の容量と、隣接するソース線２
０５ａ、ゲート絶縁膜、ドレイン電極２０８で構成され
る隣の保持容量部２３３ａの容量がほぼ等しくなるよう
に設計されているので、各ソース線に信号電圧が印加さ
れた際に生じる容量の変動を双方でキャンセルすること
ができる。その結果、このカラー表示装置を液晶装置に
用いた際に画像のちらつきを抑えることができる。

【０１１８】また、本実施の形態の場合、共通電極線を
別個に設ける必要がないため、第１の実施の形態のカラ
ー表示装置に比べて開口率を上げることができる。

【０１１９】第１、第２の実施の形態では、多結晶シリ
コン薄膜のドレイン領域上にコンタクト孔を設け、ゲー
ト線と同層のドレイン電極をこのコンタクト孔を通じて
ドレイン領域に接続した構造の例を示したが、多結晶シ
リコン薄膜の下面に接するソース線と同層のドレイン電
極を埋込透明保護膜に埋め込んだ構造としてもよい。そ
の構造を採用した第３の実施の形態を次に説明する。

【０１２０】図１３は本実施の形態のカラー表示装置の
画素の部分を示す平面図、図１４は同、断面図であり、
図中符号６０１は線状遮光体、６０２は色素材、６０３
は透明保護膜、６０４は埋込透明保護膜、６０５はソー
ス線、６０６はＴＦＴ、６０７はゲート線、６０８はド
レイン電極、である。

【０１２１】なお、本実施の形態のカラー表示装置は、
請求項１３〜１８に記載のカラー表示装置に対応する。

【０１２２】図１４に示すように、ソーダガラス等の透
明基板６１０上にａ−Ｓｉ膜からなる複数の線状遮光体
６０１が設けられている。透明基板６１０の表面が掘り
下げられた複数の線状遮光体６０１間の開口部６１１は
光が透過する部分であり、この開口部６１１にはＲ、
Ｇ、Ｂの各色素材６０２が定着されている。これによ
り、色にじみを防止するＢＭを備えたカラーフィルター
が構成されている。なお、透明基板６１０の材料として
は、ソーダガラスの他に、溶融石英や無アルカリガラス
等を用いてもよい。

【０１２３】複数の線状遮光体６０１と色素材６０２上
には、これらを覆う透明保護膜６０３が設けられてい
る。この透明保護膜６０３としては、酸化珪素膜や窒化
珪素膜等のシリコン含有無機化合物が用いられる。ま
た、透明保護膜６０３の表面は、線状遮光体６０１や色
素材６０２等からなる段差を埋め、充分に平坦化されて
いる。そして、透明保護膜６０３上には、ソース線６０
５およびドレイン電極６０８が設けられている。これら
ソース線６０５とドレイン電極６０８は同一の層で構成
されており、本実施の形態の場合、アルミニウム膜６１
２とｎ型不純物を含むシリコン膜６１３（以下、ｎ＋
−Ｓｉ膜と記す）の積層構造で構成されている。また、
ソース線６０５およびドレイン電極６０８の間は、埋込
透明保護膜６０４で埋め込まれている。埋込透明保護膜
６０４も、透明保護膜６０３と同様、酸化珪素膜や窒化
珪素膜等のシリコン含有無機化合物が用いられる。

【０１２４】埋込透明保護膜６０４上にはＴＦＴ６０６
が形成されている。このＴＦＴ６０６は、ソース・ドレ
イン領域６１４、６１５、チャネル領域６１６を有する
シリコン薄膜６１７の上方にゲート電極６１８が存在す
るトップゲート型のｎｃｈ−ＴＦＴである。そして、ソ
ース線６０５およびドレイン電極６０８に接するように
シリコン薄膜６１７が設けられ、ソース線６０５に接す
る側のｎ型不純物拡散領域がソース領域６１４、ドレイ
ン電極６０８に接する側のｎ型不純物拡散領域がドレイ
ン領域６１５、ソース−ドレイン領域６１４、６１５間
がチャネル領域６１６となっている。そして、このシリ
コン薄膜６１７、埋込透明保護膜６０４、ソース線６０
５、ドレイン電極６０８等を覆うように酸化珪素膜から
なるゲート絶縁膜６１９が形成され、ゲート絶縁膜６１
９上にゲート電極６１８が形成されている。なお、ゲー
ト電極１１８には、例えばＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金等が用
いられる。

【０１２５】また、本実施の形態の場合、画素マトリッ
クス内にコンタクト孔は存在しない。そして、第６の実
施の形態の項で詳細に述べるが、画素マトリックス外部
の端子部分において、ソース線６０５上のゲート絶縁膜
６１９にコンタクト孔が開口され、ソース線端子用パッ
ドが設けられている。

【０１２６】図１３はカラー表示装置における画素マト
リックス内の一つの画素の構成を示す平面図である。こ
の図に示すように、本実施の形態では、複数の線状遮光
体６０１は格子状に組まれており、これら線状遮光体６
０１間の隣接する開口部６１１には異なる色の色素材が
定着されている。図中横方向に延びる線状遮光体６０１
の上には、画素マトリックス上の横方向に並ぶ複数のＴ
ＦＴ６０６のゲート電極６１８からなるゲート線６０７
と、矩形状のドレイン電極６０８の一部が配置されてい
る。また、縦方向に延びる線状遮光体６０１の上には、
ソース線６０５とドレイン電極６０８の一部が配置され
ている。さらに、次段のゲート線６２２の一部は画素６
２１の中央部に延びており、この段の共通電極線を兼ね
ている。したがって、カラー表示装置の動作時にはドレ
イン電極６０８と次段のゲート線６２２との間に液晶を
駆動するための電圧が印加され、いわゆる横電界Ｅが発
生する構成となっている。

【０１２７】また、本実施の形態の場合、次段のゲート
線６２２は共通電極線とともに保持容量線をも兼ねてお
り、ゲート絶縁膜６１９と、これを挟んで対向する次段
のゲート線６２２、ドレイン電極６０８で保持容量部が
構成されている。

【０１２８】上記構成のカラー表示装置の製造方法に関
しては詳細な説明を省略するが、本実施の形態の場合
は、線状遮光体の形成、ソース線およびドレイン電極の
形成、多結晶シリコン薄膜の形成、コンタクト孔の形
成、ゲート電極の形成、の５回のフォトリソグラフィー
工程を要するものである。したがって、本実施の形態に
おいても、製造コストの低減、製品歩留まりの向上、と
いった第１、第２の実施の形態と同様の効果を奏するこ
とができる。なお、本実施の形態のカラー表示装置の製
造方法は、請求項７１、７２に記載の製造方法に対応す
る。

【０１２９】以下、本発明の第４の実施の形態を図５を
参照して説明する。

【０１３０】図５は本実施の形態のカラー表示装置の画
素の部分を示す断面図であり、図中符号３０１、３０１
ｋは線状遮光体、３０２は色素材、３２３は透明保護
膜、３０６はＴＦＴ、３０５はソース線、３０８はドレ
イン電極、である。

【０１３１】なお、本実施の形態のカラー表示装置は、
請求項１９に記載のカラー表示装置に対応する。

【０１３２】図５に示すように、ソーダガラス等の透明
基板３１０上に複数の線状遮光体３０１、３０１ｋが設
けられている。そして、透明基板３１０の表面が掘り下
げられた複数の線状遮光体３０１、３０１ｋ間の開口部
３１１にＲ、Ｇ、Ｂの各色素材３０２が定着され、カラ
ーフィルターが構成されている。なお、透明基板３１０
の材料としては、ソーダガラスの他に、溶融石英や無ア
ルカリガラス等を用いてもよい。また、線状遮光体３０
１、３０１ｋは、例えばａ−Ｓｉ膜で構成されている。
線状遮光体３０１、３０１ｋ上および色素材３０２上に
は、酸化珪素膜や窒化珪素膜等のシリコン含有無機化合
物からなる透明保護膜３２３が設けられ、線状遮光体３
０１、３０１ｋと色素材３０２との間の段差が埋められ
て平坦化されている。

【０１３３】透明保護膜３２３上にＴＦＴ３０６が構成
されている。このＴＦＴ３０６は、ゲート電極が下側に
存在するボトムゲート型のｐｃｈ−ＴＦＴであり、透明
保護膜３２３上に窒化タンタル膜からなるゲート電極３
１８が形成され、そのゲート電極３１８と透明保護膜３
２３表面を覆うゲート絶縁膜３１９が形成されている。
そして、その上に多結晶シリコン薄膜３１７が形成さ
れ、多結晶シリコン薄膜３１７上にボロンを含むＡｌ膜
（以下、Ｂ−Ａｌ膜と記す）からなるソース線３０５お
よびドレイン電極３０８が設けられている。そして、多
結晶シリコン薄膜１７のＢ−Ａｌ膜に接する部分がｐ型
不純物拡散領域となり、それぞれがソース領域３１４、
ドレイン領域３１５となっている。また、共通電極線３
０９がゲート電極３１８と同一の層で形成されている。
なお、第２の実施の形態と同様に、共通電極線を別個に
設けず、次段のゲート線がこの共通電極線３０９を兼ね
る構成としてもよい。そして、カラー表示装置の動作時
にはドレイン電極３０８と共通電極線３０９との間に液
晶を駆動するための電圧が印加され、横電界Ｅが発生す
る構成となっている。

【０１３４】上記構成のカラー表示装置の製造方法に関
しては詳細な説明を省略するが、請求項７３、７４に記
載の製造方法に対応するものである。すなわち、線状遮
光体の形成、ゲート電極の形成、多結晶シリコン薄膜の
形成、ゲート電極へ導通を取るためのコンタクト孔の形
成、ソース線およびドレイン電極の形成、の５回のフォ
トリソグラフィー工程を要するものである。したがっ
て、本実施の形態においても、製造コストの低減、製品
歩留まりの向上、といった第１、第２の実施の形態と同
様の効果を奏することができる。

【０１３５】以下、本発明の第５の実施の形態を図６〜
図８を参照して説明する。

【０１３６】図６は本実施の形態のカラー表示装置の画
素の部分を示す平面図、図７は同、断面図であり、図中
符号４０１、４０１ｋは線状遮光体、４０２は色素材、
４２３は透明保護膜、４０６はＴＦＴ、４０７はゲート
線、４０８はドレイン電極、である。

【０１３７】なお、本実施の形態のカラー表示装置は、
請求項２０〜２７に記載のカラー表示装置に対応する。

【０１３８】図７に示すように、ソーダガラス等の透明
基板４１０上に複数の線状遮光体４０１、４０１ｋが設
けられている。そして、透明基板４１０の表面が掘り下
げられた複数の線状遮光体４０１、４０１ｋ間の開口部
４１１にＲ、Ｇ、Ｂの各色素材４０２が定着され、カラ
ーフィルターが構成されている。なお、透明基板４１０
の材料としては、ソーダガラスの他に、溶融石英や無ア
ルカリガラス等を用いてもよい。また、線状遮光体４０
１、４０１ｋは、例えば窒化タンタル（ＴａＮ）膜４２
４とｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜４１３の積層構造で構成されて
いる。色素材４０２上には、酸化珪素膜や窒化珪素膜等
のシリコン含有無機化合物からなる透明保護膜４２３が
設けられ、線状遮光体４０１、４０１ｋと色素材４０２
との間の段差が埋められて平坦化されている。

【０１３９】線状遮光体４０１、４０１ｋおよび透明保
護膜４２３上にはＴＦＴ４０６が形成されている。この
ＴＦＴ４０６は、トップゲート型ｎｃｈ−ＴＦＴであ
り、線状遮光体４０１、４０１ｋに接するようにシリコ
ン薄膜４１７が設けられ、線状遮光体４０１、４０１ｋ
のｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜４１３に接する部分がｎ型不純物
拡散領域となり、それぞれソース領域４１４、ドレイン
領域４１５となっている。そして、このシリコン薄膜４
１７および線状遮光体４０１、４０１ｋ、透明保護膜４
２３等を覆うように酸化珪素膜からなるゲート絶縁膜４
１９が形成され、ゲート絶縁膜４１９上にゲート電極４
１８が形成されている。また、シリコン薄膜４１７のド
レイン領域４１５上にあたるゲート絶縁膜４１９の一部
にはコンタクト孔４２０が開口されるとともに、ゲート
絶縁膜４１９上にドレイン電極４０８が形成され、ドレ
イン電極４０８はコンタクト孔４２０の部分でドレイン
領域４１５に接続されている。なお、ゲート電極４１８
とドレイン電極４０８は同一の層で構成されており、例
えばＡｌ膜が用いられる。

【０１４０】前述したように、図６はカラー表示装置に
おける画素マトリックス内の一つの画素の構成を示す平
面図である。この図に示すように、複数の線状遮光体４
０１のうち、縦方向に延びる線状遮光体４０１ｋはＴＦ
Ｔ４０６のソース領域４１４に接しており、光を遮光す
るという機能を持つ他に、画素マトリックス上の縦方向
に並ぶ画素を結ぶソース線４０５を兼ねている。一方、
横方向に延びる線状遮光体４０１は、文字通り光を遮光
するという機能のみを持つものである。なお、本実施の
形態の場合、縦方向に延びる線状遮光体４０１ｋがソー
ス線４０５を兼ねるため、横方向に延びる線状遮光体４
０１が縦方向に延びる隣接する２本の線状遮光体４０１
ｋに接触するとソース線４０５同士が短絡してしまうの
で、横方向に延びる線状遮光体４０１と縦方向に延びる
線状遮光体４０１ｋは離して形成する必要がある。すな
わち、本実施の形態における複数の線状遮光体は格子状
ではなく、縦方向に隣接する開口部４１１はわずかな間
隙４２５で縦方向に繋がっている。そのため、本実施の
形態の場合、縦方向に隣接する開口部４１１には異なる
色の色素材４０２を定着させることはできず、カラーフ
ィルターの形態としては縦ストライプ型となる。

【０１４１】また、本実施の形態では、ゲート絶縁膜４
１９と、これを挟んで対向する隣接する段のソース線４
０５、ドレイン電極４０８で保持容量部が構成されてい
る。線状遮光体４０１、４０１ｋ上には、画素マトリッ
クス上の横方向に並ぶ複数のＴＦＴ４０６のゲート電極
４１８からなるゲート線４０７と、ドレイン電極４０８
が配置されている。ここで、自段のドレイン電極４０８
と次段のゲート線４２２はそれぞれ櫛刃状の形状とさ
れ、これらが噛み合うように配置されている。そして、
第２の実施の形態と同様、カラー表示装置の動作時には
自段のドレイン電極４０８と次段のゲート線４２２との
間に液晶を駆動する電圧が印加され、横電界Ｅが発生す
る構成となっている。そして、開口部４１１の大部分に
は図中矢印Ｅで示す方向に横電界Ｅが発生するが、ドレ
イン電極４０８の先端部、または次段のゲート線４２２
の先端部の近傍では、矢印Ｅとは異なる方向、例えば矢
印Ｅ’の方向に横電界が発生する。その場合、この部分
だけ液晶分子の方向が変わり、色むらが発生するため、
色むらを防止するために線状遮光体４０１が設けられて
いる。

【０１４２】以下、上記構成のカラー表示装置の製造方
法について図７および図８を用いて説明する。図８は、
本実施の形態のカラー表示装置の製造方法を順を追って
示すプロセスフロー図である。なお、本方法は、請求項
７５、７６に記載のカラー表示装置の製造方法に対応す
るものであり、４回のフォトリソグラフィー工程を有す
る例である。

【０１４３】例えばソーダガラスからなる透明基板４１
０上に、スパッタ法を用いて膜厚２μｍの窒化タンタル
膜４２４を形成し、続いてＰＥＣＶＤ法を用いて膜厚１
μｍのｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜４１３（半導体膜）を成膜す
る（半導体膜成膜工程）。次に、周知のフォトリソグラ
フィー技術を用いて、線状遮光体４０１、４０１ｋ形成
用のフォトレジストパターンをｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜４１
３上に形成（図８中「ＢＭ兼ソース線形成ホト」と記
す）した後、ＣＤＥ法を用いてｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜４１
３、窒化タンタル膜４２４の連続エッチングを行い、一
部ソース線４０５を兼ねる線状遮光体４０１、４０１ｋ
を形成する（線状遮光体形成工程）。さらに、透明基板
４１０の表面も弗酸を用いたウェットエッチングにより
１μｍ掘り下げて、次工程で色素材を定着させるための
開口部４１１を形成する。その後、フォトレジストパタ
ーンを除去する。

【０１４４】次に、一般のインクジェットプリンタを用
いて複数の線状遮光体４０１、４０１ｋ間の開口部４１
１内にＲ、Ｇ、Ｂの各インクをそれぞれ注入する。この
際に用いるインクとしては顔料系インク、染料系インク
のいずれも用いることができる。その後、基板全体を加
熱してインクを乾燥させることにより、表面が平坦化さ
れた色素材４０２が形成される（色素材定着工程）。

【０１４５】次に、線状遮光体４０１、４０１ｋと色素
材４０２を覆う膜厚１μｍのＰＳＧ膜と膜厚２μｍのイ
ントリンシックのポリシラザン膜の積層膜を成膜した
後、ライトエッチングを行って線状遮光体４０１、４０
１ｋ上の積層膜を除去し、色素材４０２のみを覆う透明
保護膜４２３を形成する（透明保護膜成膜工程）。その
後、ＰＥＣＶＤ法を用いて全面に膜厚５００Åのａ−Ｓ
ｉ膜を成膜した後（半導体膜成膜工程）、レーザアニー
ルを施してａ−Ｓｉ膜を多結晶化する。こうして形成さ
れた多結晶シリコン膜をフォトリソグラフィー、エッチ
ング法を用いてパターニングすることにより、多結晶シ
リコン薄膜４１７を形成する（図８中「ｐｏｌｙ−Ｓｉ
ホト」と記す、半導体層形成工程）。ここまでの工程で
多結晶シリコン薄膜４１７に接触しているｎ＋ −ｍ−
Ｓｉ膜４１３中のｎ型不純物が多結晶シリコン薄膜４１
７中に拡散することによって、多結晶シリコン薄膜４１
７にソース領域４１４、ドレイン領域４１５が形成され
る。

【０１４６】その後、ＰＥＣＶＤ法を用いて全面に膜厚
１２００Åの酸化珪素膜からなるゲート絶縁膜４１９を
成膜し（ゲート絶縁膜成膜工程）、ついで、フォトリソ
グラフィー、エッチング法を用いて多結晶シリコン薄膜
４１７のドレイン領域４１５上にあたるゲート絶縁膜４
１９の一部を開口することにより、ドレイン領域４１５
に通じるコンタクト孔４２０を形成する（図８中「コン
タクトホト」と記す、コンタクト孔形成工程）。次に、
スパッタ法を用いてコンタクト孔４２０内を含むゲート
絶縁膜４１９上の全面に膜厚１μｍのＡｌ膜を成膜する
（導電膜成膜工程）。そして、フォトリソグラフィー、
エッチング法を用いてＡｌ膜をパターニングすることに
より、ゲート線４０７（ゲート電極４１８）およびドレ
イン電極４０８を形成する（図８中「ゲート線形成ホ
ト」と記す、ゲート線・ドレイン電極形成工程）。

【０１４７】本実施の形態の方法では、線状遮光体４０
１ｋがソース線４０５を兼ね、独立した共通電極線をな
くしたことで第１の実施の形態の製造方法に比べてフォ
トリソグラフィー工程が１回減り、線状遮光体４０１、
４０１ｋの形成、多結晶シリコン薄膜４１７の形成、コ
ンタクト孔４２０の形成、ゲート線４０７およびドレイ
ン電極４０８の形成、の４回のフォトリソグラフィー工
程を要するのみでカラー表示装置を製造することが可能
となる。したがって、本実施の形態においては、製造コ
ストの低減、製品歩留まりの向上、といった上記第１〜
第４の実施の形態の効果をより高めることができる。

【０１４８】以下、本発明の第６の実施の形態を図９〜
図１２を参照して説明する。

【０１４９】図９は本実施の形態のカラー表示装置の画
素の部分を示す平面図、図１１は同、断面図であり、図
中符号５０１、５０１ｋは線状遮光体、５０２は色素
材、５２３は透明保護膜、５０６はＴＦＴ、５０５はソ
ース線、５０８はドレイン電極、である。

【０１５０】なお、本実施の形態のカラー表示装置は、
請求項２８〜３２、３５、３８、４０に記載のカラー表
示装置に対応する。

【０１５１】図１１に示すように、ソーダガラス等の透
明基板５１０上に複数の線状遮光体５０１、５０１ｋが
設けられている。そして、透明基板５１０の表面が掘り
下げられた複数の線状遮光体５０１、５０１ｋ間の開口
部５１１にＲ、Ｇ、Ｂの各色素材５０２が定着され、カ
ラーフィルターが構成されている。なお、透明基板５１
０の材料としては、ソーダガラスの他に、溶融石英や無
アルカリガラス等を用いてもよい。また、線状遮光体５
０１、５０１ｋは、例えば窒化タンタル膜５２４とｎ＋
−ｍ−Ｓｉ膜５１３の積層構造で構成されている。線
状遮光体５０１、５０１ｋ上および色素材５０２上に
は、酸化珪素膜や窒化珪素膜等のシリコン含有無機化合
物からなる透明保護膜５２３が設けられ、線状遮光体５
０１、５０１ｋと色素材５０２との間の段差が埋められ
て平坦化されている。

【０１５２】これら線状遮光体５０１、５０１ｋおよび
透明保護膜５２３の一部を含めてＴＦＴ５０６が構成さ
れている。すなわち、このＴＦＴ５０６は、ゲート電極
が下側に存在するボトムゲート型のｐｃｈ−ＴＦＴであ
り、一部の線状遮光体５０１ｋがゲート電極５１８を兼
ね、その線状遮光体５０１ｋ上に位置する透明保護膜５
２３がゲート絶縁膜５１９を兼ねている。そして、その
上に多結晶シリコン薄膜５１７が形成され、多結晶シリ
コン薄膜５１７上にＢ−Ａｌ膜からなるソース線５０５
およびドレイン電極５０８が設けられており、Ｂ−Ａｌ
膜に接する部分がｐ型不純物拡散領域となり、それぞれ
ソース領域５１４、ドレイン領域５１５となっている。
また、他の線状遮光体５０１は共通電極線５０９を兼ね
ている。前述したように、図９はカラー表示装置におけ
る画素マトリックス内の一つの画素の構成を示す平面図
である。この図に示すように、複数の線状遮光体のう
ち、横方向に延びる一つの線状遮光体５０１ｋは、前述
したＴＦＴ５０６のゲート電極５１８を兼ねるものであ
り、したがって、画素マトリックス上の横方向に並ぶ画
素を結ぶゲート線５０７となる。また、横方向に延びる
他の一つの線状遮光体５０１は、共通電極線５０９を兼
ねるものであり、画素５２１の中央部に縦方向に延びる
部分５０９ａを有している。これら線状遮光体５０１、
５０１ｋ上には、画素マトリックス上の縦方向に並ぶ複
数のＴＦＴ５０６のソース線５０５と、略矩形状のドレ
イン電極５０８が配置されている。そして、カラー表示
装置の動作時にはドレイン電極５０８と共通電極線５０
９との間に液晶を駆動するための電圧が印加され、横電
界Ｅが発生する構成となっている。

【０１５３】また、図９に示すように、ソース線５０５
とドレイン電極５０８の間の開口部が共通電極線５０９
によって遮光されるとともに、ゲート線５０７と共通電
極線５０９の間の開口部がソース線５０５またはドレイ
ン電極５０８によって遮光される構成になっており、光
漏れが防止されるようになっている。そして、本実施の
形態では、共通電極線５０９は保持容量線を兼ねてお
り、ゲート絶縁膜５１９と、これを挟んで対向する共通
電極線５０９、ドレイン電極５０８で保持容量部が構成
されている。

【０１５４】また、図１０は画素マトリックス外部の端
子部分を示す図である。ゲート線５０７および共通電極
線５０９の端部はそれぞれ矩形状の端子部５２６、５２
７とされるとともに、その上の透明保護膜５２３にコン
タクト孔５２８、５２９がそれぞれ開口されている。そ
して、共通電極線端子５２７上には、ソース線５０５お
よびドレイン電極５０８と同一の層で形成された共通電
位供給線５３０が設けられ、コンタクト孔５２８の部分
で共通電極線５０９と接続されている。また、ゲート線
端子５２６上には、ソース線５０５およびドレイン電極
５０８と同一の層で形成されたゲート線端子用パッド５
３１が設けられている。

【０１５５】以下、上記構成のカラー表示装置の製造方
法について図１０〜図１２を用いて説明する。図１２
は、本実施の形態のカラー表示装置の製造方法を順を追
って示すプロセスフロー図である。なお、本方法は、請
求項７７、７８に記載のカラー表示装置の製造方法に対
応するものであり、４回のフォトリソグラフィー工程を
有する例である。

【０１５６】例えばソーダガラスからなる透明基板５１
０上に、スパッタ法を用いて膜厚２μｍの窒化タンタル
膜５２４を形成し、続いてＰＥＣＶＤ法を用いて膜厚１
μｍのｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜５１３（半導体膜）を成膜す
る（半導体膜成膜工程）。なお、ここでｎ＋ −ｍ−Ｓ
ｉ膜５１３を成膜するのは線状遮光体に撥水性を持たせ
るためであって、次工程のインク注入工程で制御できる
ならば、必ずしもｎ＋−ｍ−Ｓｉ膜５１３を設ける必要
はない。次に、周知のフォトリソグラフィー技術を用い
て、線状遮光体形成用のフォトレジストパターンをｎ＋
−ｍ−Ｓｉ膜５１３上に形成（図１２中「ＢＭ兼ゲー
ト線形成ホト」と記す）した後、ＣＤＥ法を用いてｎ＋
−ｍ−Ｓｉ膜５１３、窒化タンタル膜５２４の連続エ
ッチングを行い、ゲート電極５１８または共通電極線５
０９を兼ねる線状遮光体５０１、５０１ｋを形成する
（線状遮光体形成工程）。さらに、透明基板５１０の表
面を弗酸を用いたウェットエッチングにより掘り下げ
て、次工程で色素材を定着させるための開口部５１１を
形成する。その後、フォトレジストパターンを除去す
る。

【０１５７】次に、一般のインクジェットプリンタを用
いて、複数の線状遮光体５０１、５０１ｋ間の開口部５
１１内にＲ、Ｇ、Ｂの各インクをそれぞれ注入する。こ
の際に用いるインクとしては顔料系インク、染料系イン
クのいずれも用いることができる。その後、基板全体を
加熱してインクを乾燥させることにより、表面が平坦化
された色素材５０２が形成される（色素材定着工程）。

【０１５８】次に、線状遮光体５０１、５０１ｋと色素
材５０２を覆う膜厚１μｍのＰＳＧ膜と膜厚２μｍのイ
ントリンシックのポリシラザン膜の積層膜を成膜し、線
状遮光体５０１ｋ上にあたる部分がゲート絶縁膜５１９
を兼ねる透明保護膜５２３を形成する（透明保護膜成膜
工程）。その後、ＰＥＣＶＤ法を用いて全面にａ−Ｓｉ
膜を成膜した後（半導体膜成膜工程）、レーザアニール
を施してａ−Ｓｉ膜を多結晶化する。こうして形成され
た多結晶シリコン膜をフォトリソグラフィー、エッチン
グ法を用いてパターニングすることにより、多結晶シリ
コン薄膜５１７を形成する（図１２中「ｐｏｌｙ−Ｓｉ
ホト」と記す、半導体層形成工程）。

【０１５９】その後、フォトリソグラフィー、エッチン
グ法を用いて画素マトリックス外部のゲート線端子５２
６上および共通電極線端子５２７上の透明保護膜５２３
にコンタクト孔５２８、５２９を開口する（図１２中
「コンタクトホト」と記す、コンタクト孔形成工程）。
次に、スパッタ法を用いてコンタクト孔５２８、５２９
内を含む全面に膜厚１μｍのＢ−Ａｌ膜を成膜する（導
電膜成膜工程）。そして、フォトリソグラフィー、エッ
チング法を用いてＢ−Ａｌ膜をパターニングすることに
より、ソース線５０５、ドレイン電極５０８、共通電位
供給線５３０、ゲート線端子用パッド５３１等を形成す
る（図１２中「ソース線・ドレイン電極形成ホト」と記
す、ソース線・ドレイン電極形成工程）。その後、多結
晶シリコン薄膜５１７のＢ−Ａｌ膜に接した部分にボロ
ンが拡散してｐ型不純物拡散領域となり、ソース領域５
１４、ドレイン領域５１５が形成される。

【０１６０】本実施の形態の方法では、線状遮光体５０
１、５０１ｋがゲート線５０７または共通電極線５０９
を兼ねることで第１の実施の形態の製造方法に比べてフ
ォトリソグラフィー工程が１回減り、線状遮光体５０
１、５０１ｋの形成、多結晶シリコン薄膜５１７の形
成、コンタクト孔５２８、５２９の形成、ソース線５０
５およびドレイン電極５０８の形成、の４回のフォトリ
ソグラフィー工程を要するのみでカラー表示装置を製造
することが可能となる。したがって、本実施の形態にお
いても、製造コストの低減、製品歩留まりの向上、とい
った上記第５の実施の形態と同様の効果を奏することが
できる。

【０１６１】なお、第６の実施の形態では、共通電極線
５０９が保持容量線を兼ねるものとしたが、この構成に
代えて、ゲート線５０７と同層、すなわち線状遮光体５
０１、５０１ｋで独立した保持容量線を形成するように
してもよいし、次段のゲート線が保持容量線を兼ねるよ
うにしてもよい。また、ゲート線５０７とは別個に共通
電極線５０９を設けるようにしたが、この構成に代え
て、次段のゲート線が共通電極線を兼ねてもよいし、さ
らに、次段のゲート線が共通電極線と保持容量線の双方
を兼ねる構成としてもよい。なお、これらのカラー表示
装置は、請求項３３、３４、３６、３７、３９に記載の
カラー表示装置に対応する。

【０１６２】以下、本発明の第７の実施の形態を図１
３、図１４を参照して説明する。

【０１６３】図１３は本実施の形態のカラー表示装置の
画素の部分を示す平面図、図１４は同、断面図であり、
図中符号６０１は線状遮光体、６０２は色素材、６０３
は透明保護膜、６０４は埋込透明保護膜、６０５はソー
ス線、６０６はＴＦＴ、６０７はゲート線、６０８はド
レイン電極、である。なお、本実施の形態のカラー表示
装置は、画素の部分の構造に関しては第３の実施の形態
のカラー表示装置と同様である。また、本実施の形態の
カラー表示装置は、請求項４１、４３、４５、４６に記
載のカラー表示装置に対応する。

【０１６４】図１４に示すように、ソーダガラス等の透
明基板６１０上にａ−Ｓｉ膜からなる複数の線状遮光体
６０１が設けられている。透明基板６１０の表面が掘り
下げられた複数の線状遮光体６０１間の開口部６１１は
光が透過する部分であり、この開口部６１１にはＲ、
Ｇ、Ｂの各色素材６０２が定着されている。これによ
り、色にじみを防止するＢＭを備えたカラーフィルター
が構成されている。なお、透明基板６１０の材料として
は、ソーダガラスの他に、溶融石英や無アルカリガラス
等を用いてもよい。

【０１６５】複数の線状遮光体６０１と色素材６０２上
には、これらを覆う透明保護膜６０３が設けられてい
る。この透明保護膜６０３としては、酸化珪素膜や窒化
珪素膜等のシリコン含有無機化合物が用いられる。ま
た、透明保護膜６０３の表面は、線状遮光体６０１や色
素材６０２等からなる段差を埋め、充分に平坦化されて
いる。そして、透明保護膜６０３上には、ソース線６０
５およびドレイン電極６０８が設けられている。これら
ソース線６０５とドレイン電極６０８は同一の層で構成
されており、本実施の形態の場合、アルミニウム膜６１
２とｎ型不純物を含むシリコン膜６１３（以下、ｎ＋
−Ｓｉ膜と記す）の積層構造で構成されている。また、
ソース線６０５およびドレイン電極６０８の間は、埋込
透明保護膜６０４で埋め込まれている。埋込透明保護膜
６０４も、透明保護膜６０３と同様、酸化珪素膜や窒化
珪素膜等のシリコン含有無機化合物が用いられる。

【０１６６】埋込透明保護膜６０４上にはＴＦＴ６０６
が形成されている。このＴＦＴ６０６は、ソース・ドレ
イン領域６１４、６１５、チャネル領域６１６を有する
シリコン薄膜６１７の上方にゲート電極６１８が存在す
るトップゲート型のｎｃｈ−ＴＦＴである。そして、ソ
ース線６０５およびドレイン電極６０８に接するように
シリコン薄膜６１７が設けられ、ソース線６０５に接す
る側のｎ型不純物拡散領域がソース領域６１４、ドレイ
ン電極６０８に接する側のｎ型不純物拡散領域がドレイ
ン領域６１５、ソース−ドレイン領域６１４、６１５間
がチャネル領域６１６となっている。そして、このシリ
コン薄膜６１７、埋込透明保護膜６０４、ソース線６０
５、ドレイン電極６０８等を覆うように酸化珪素膜から
なるゲート絶縁膜６１９が形成され、ゲート絶縁膜６１
９上にゲート電極６１８が形成されている。なお、ゲー
ト電極１１８には、例えばＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金等が用
いられる。

【０１６７】また、本実施の形態の場合、画素マトリッ
クス内にコンタクト孔は存在しない。さらに、第６の実
施の形態の項で述べたような画素マトリックス外の端子
部にもコンタクト孔は存在せず、画素マトリックス外に
延びるソース線の端部に形成されたソース線端子上に、
ゲート電極と同一のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金からなるソー
ス線端子用パッドが直接形成されている（図示略）。

【０１６８】図１３はカラー表示装置における画素マト
リックス内の一つの画素の構成を示す平面図である。こ
の図に示すように、本実施の形態では、複数の線状遮光
体６０１は格子状に組まれており、これら線状遮光体６
０１間の隣接する開口部６１１には異なる色の色素材が
定着されている。図中横方向に延びる線状遮光体６０１
の上には、画素マトリックス上の横方向に並ぶ複数のＴ
ＦＴ６０６のゲート電極６１８からなるゲート線６０７
と、矩形状のドレイン電極６０８の一部が配置されてい
る。また、縦方向に延びる線状遮光体６０１の上には、
ソース線６０５とドレイン電極６０８の一部が配置され
ている。さらに、次段のゲート線６２２の一部は画素６
２１の中央部に延びており、この段の共通電極線を兼ね
ている。したがって、カラー表示装置の動作時にはドレ
イン電極６０８と次段のゲート線６２２との間に液晶を
駆動するための電圧が印加され、いわゆる横電界Ｅが発
生する構成となっている。

【０１６９】また、本実施の形態の場合、次段のゲート
線６２２は共通電極線とともに保持容量線をも兼ねてお
り、ゲート絶縁膜６１９と、これを挟んで対向する次段
のゲート線６２２、ドレイン電極６０８で保持容量部が
構成されている。

【０１７０】上記構成のカラー表示装置の製造方法に関
しては詳細な説明を省略するが、本実施の形態の場合
は、第１の実施の形態と同様、線状遮光体とソース線が
それぞれ別個の層で構成されているので、第５の実施の
形態と比べて線状遮光体形成工程の１回分だけフォトリ
ソグラフィー工程が増える。ただし、このカラー表示装
置にはコンタクト孔が存在しないため、コンタクト孔形
成のフォトリソグラフィー工程１回分が減る。したがっ
て、本実施の形態のカラー表示装置の製造方法は、結果
的には４回のフォトリソグラフィー工程を要するものと
なる。なお、コンタクト孔を形成しない方法に関して
は、次の第８、第９の実施の形態の項で詳述する。

【０１７１】なお、本実施の形態では、次段のゲート線
６２２が共通電極線と保持容量線の双方を兼ねる構成と
したが、ゲート線と同一の層で独立した共通電極線や保
持容量線を設けるようにしてもよい。なお、これらのカ
ラー表示装置は、請求項４２、４４に記載のカラー表示
装置に対応する。

【０１７２】以下、本発明の第８の実施の形態を図１５
〜図１７を参照して説明する。

【０１７３】図１５は本実施の形態のカラー表示装置の
画素の部分を示す平面図、図１６は同、断面図であり、
図中符号７０１、７０１ｋは線状遮光体、７０２は色素
材、７２３は透明保護膜、７０６はＴＦＴ、７０５はソ
ース線、７０７はゲート線、である。

【０１７４】なお、本実施の形態のカラー表示装置は、
請求項４７〜４９、５１、５３、５４、５５に記載のカ
ラー表示装置に対応する。

【０１７５】図１６に示すように、ソーダガラス等から
なる透明基板７１０上に複数の線状遮光体７０１、７０
１ｋが設けられている。そして、透明基板７１０の表面
が掘り下げられた複数の線状遮光体７０１、７０１ｋ間
の開口部７１１にＲ、Ｇ、Ｂの各色素材７０２が定着さ
れ、カラーフィルターが構成されている。なお、透明基
板７１０の材料としては、ソーダガラスの他に、溶融石
英や無アルカリガラス等を用いてもよい。また、線状遮
光体７０１、７０１ｋは、例えば窒化タンタル膜７２４
とｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜７１３の積層構造で構成されてい
る。色素材７０２上には、酸化珪素膜や窒化珪素膜等の
シリコン含有無機化合物からなる透明保護膜７２３が設
けられ、線状遮光体７０１、７０１ｋと色素材７０２と
の間の段差が埋められて平坦化されている。

【０１７６】線状遮光体７０１、７０１ｋおよび透明保
護膜７２３上にはＴＦＴ７０６が形成されている。この
ＴＦＴ７０６は、トップゲート型ｎｃｈ−ＴＦＴであ
り、線状遮光体７０１、７０１ｋに接するようにシリコ
ン薄膜７１７が設けられ、線状遮光体７０１、７０１ｋ
のｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜に接する部分がｎ型不純物拡散領
域となり、それぞれソース領域７１４、ドレイン領域７
１５となっている。本実施の形態において、線状遮光体
７０１はソース線７０５を兼ね、線状遮光体７０１ｋは
ドレイン電極７０８を兼ねている。そして、これらシリ
コン薄膜７１７および線状遮光体７０１、７０１ｋ、透
明保護膜７２３等を覆うように酸化珪素膜からなるゲー
ト絶縁膜７１９が形成され、ゲート絶縁膜７１９上にＡ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜からなるゲート電極７１８が形成され
ている。また、本実施の形態の場合、画素マトリックス
内にコンタクト孔は存在しない。さらに、第６の実施の
形態の項で述べたような画素マトリックス外の端子部に
もコンタクト孔は存在せず、画素マトリックス外に延び
るソース線の端部に形成されたソース線端子上に、ゲー
ト電極と同一のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜からなるソース線端
子用パッドが直接形成されている（図示略）。

【０１７７】図１５はカラー表示装置における画素マト
リックス内の一つの画素の構成を示す平面図である。こ
の図に示すように、複数の線状遮光体のうち、縦方向に
延びる直線状の線状遮光体７０１はソース線７０５を兼
ねるものであり、矩形状の線状遮光体７０１ｋはドレイ
ン電極７０８を兼ねるものである。画素マトリックスの
横方向にはゲート線７０７が延びるとともに、各画素７
２１の中央部には共通電極線を兼ねる次段のゲート線７
２２が延びている。そして、カラー表示装置の動作時に
は自段のドレイン電極７０８と次段のゲート線７２２と
の間に液晶を駆動するための電圧が印加され、横電界Ｅ
が発生する構成となっている。また、各画素７２１の図
中右上の部分に、ソース線７０５、ドレイン電極７０
８、ゲート線７０７のいずれも存在しない領域があり、
この領域には光漏れを防止するための前記線状遮光体７
０１、７０１ｋと同一の層からなる遮光体７０１ａが設
けられている。

【０１７８】また、本実施の形態の場合、次段のゲート
線７２２は共通電極線とともに保持容量線をも兼ねてお
り、ゲート絶縁膜７１９と、これを挟んで対向する次段
のゲート線７２２、ドレイン電極７０８で保持容量部が
構成されている。

【０１７９】以下、上記構成のカラー表示装置の製造方
法について図１６および図１７を用いて説明する。図１
７は、本実施の形態のカラー表示装置の製造方法を順を
追って示すプロセスフロー図である。なお、本方法は、
請求項８１、８２に記載のカラー表示装置の製造方法に
対応するものであり、３回のフォトリソグラフィー工程
を有する例である。

【０１８０】例えばソーダガラスからなる透明基板７１
０上に、スパッタ法を用いて膜厚２μｍ、比抵抗０．３
６Ω／□の窒化タンタル膜７２４を形成し、続いてＰＥ
ＣＶＤ法を用いて膜厚２０００Åのｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜
７１３（半導体膜）を成膜する（半導体膜成膜工程）。
なお、ｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜７１３の膜厚としては、１０
００〜４０００Å程度の範囲とすることができる。また
この後、温度７００℃（基板温度２９０℃）、１秒程度
のＲＴＡアニールを行ってもよい。次に、周知のフォト
リソグラフィー技術を用いて、線状遮光体形成用のフォ
トレジストパターンをｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜７１３上に形
成（図１７中「ＢＭ兼ソース線形成ホト」と記す）した
後、ＣＤＥ法を用いてｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜７１３、窒化
タンタル膜７２４の連続エッチングを行い、ソース線７
０５またはドレイン電極７０８を兼ねる線状遮光体７０
１、７０１ｋを形成する（線状遮光体形成工程）。さら
に、透明基板７１０の表面を１：３０弗酸を用いたウェ
ットエッチングにより２μｍ掘り下げ、次工程で色素材
を定着させるための開口部７１１を形成する。その後、
フォトレジストパターンを除去する。

【０１８１】次に、一般のインクジェットプリンタを用
いて、複数の線状遮光体７０１、７０１ｋ間の開口部７
１１内にＲ、Ｇ、Ｂの各インクをそれぞれ注入する。こ
の際に用いるインクとしては顔料系インク、染料系イン
クのいずれも用いることができる。その後、基板全体を
加熱してインクを乾燥させることにより、表面が平坦化
された色素材７０２が形成される（色素材定着工程）。

【０１８２】次に、線状遮光体７０１、７０１ｋと色素
材７０２を覆う膜厚１μｍのＰＳＧ膜と膜厚１μｍのイ
ントリンシックのポリシラザン膜（ＮＳＧ膜）の積層膜
を成膜した後、温度２００℃のＨ２Ｏ−Ｏ２アニールを
行い、下地のＰＳＧ膜の膜質を改善する。その後、さら
に膜厚２μｍのＮＳＧ膜を成膜した後、温度２５０℃の
Ｈ２Ｏ−Ｏ２アニールを行い、全体で膜厚４μｍの透明
保護膜とする。次に、１：３０弗酸を用いたライトエッ
チングを行って線状遮光体７０１、７０１ｋ上の積層膜
を除去し、色素材７０２上のみを覆う透明保護膜７２３
を形成する（透明保護膜成膜工程）。

【０１８３】次に、温度２９０℃のＰＥＣＶＤ法を用い
て全面に膜厚５００Åのｍ−Ｓｉ膜を成膜した後（半導
体膜成膜工程）、エネルギー２２０ｍＪ／ｃｍ２のＫｒ
Ｆレーザアニールを施してｍ−Ｓｉ膜を多結晶化する。
この際、レーザアニールに加えてＲＴＡアニールを行っ
てもよいし、レーザアニールの代わりにＲＴＡアニール
を行ってもよい。その際、ＲＴＡアニールの条件は、温
度７００℃（基板温度２９０℃）、１秒程度とする。そ
して、こうして形成された多結晶シリコン膜をフォトリ
ソグラフィー、エッチング法を用いてパターニングする
ことにより、多結晶シリコン薄膜７１７を形成する（図
１７中「ｐｏｌｙ−Ｓｉホト」と記す、半導体層形成工
程）。ここまでの工程で多結晶シリコン薄膜７１７に接
触している線状遮光体７０１、７０１ｋのｎ＋ −ｍ−
Ｓｉ膜７１３が不純物拡散源となり、その中のｎ型不純
物が多結晶シリコン薄膜７１７中に拡散することによっ
て、多結晶シリコン薄膜７１７にソース領域７１４、ド
レイン領域７１５が形成される。

【０１８４】次に、画素マトリックス外部のソース線端
子部が形成された領域上にポリイミド膜（阻止膜）を塗
布する。このポリイミド膜は、この領域に次工程のゲー
ト絶縁膜が成膜されるのを阻止するための膜である（阻
止膜形成工程）。ポリイミド膜を塗布する際の具体的な
方法としては、例えばポリイミド溶融液に浸した筆等を
用いて塗布すればよい。そして、温度２９０℃のＴＥＯ
Ｓ−ＰＥＣＶＤ法を用いて、前記ポリイミド膜を形成し
た領域を除いて多結晶シリコン薄膜７１７および線状遮
光体７０１、７０１ｋ、透明保護膜７２３の表面を覆う
酸化珪素膜を成膜し、ゲート絶縁膜７１９とする（ゲー
ト絶縁膜成膜工程）。次に、ポリイミド膜を除去した後
（阻止膜除去工程）、スパッタ法を用いて全面に膜厚１
μｍ、比抵抗３０ｍΩ／□のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を成膜
する（導電膜成膜工程）。そして、フォトリソグラフィ
ー、エッチング法を用いてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜をパター
ニングすることにより、ゲート線７０７、ソース線端子
用パッドを形成する（図１７中「ゲート線形成ホト」と
記す、ゲート線形成工程）。

【０１８５】本実施の形態の方法では、線状遮光体７０
１、７０１ｋがソース線７０５およびドレイン電極７０
８を兼ねることで第１の実施の形態の製造方法に比べて
フォトリソグラフィー工程が１回減り、途中工程に端子
部でのゲート絶縁膜の成膜を阻止するポリイミド膜を用
いたことでコンタクト孔の形成が不要となり、フォトリ
ソグラフィー工程がさらに１回減る。その結果、線状遮
光体７０１、７０１ｋの形成、多結晶シリコン薄膜７１
７の形成、ゲート線７０７の形成、の３回のフォトリソ
グラフィー工程を要するのみでカラー表示装置を製造す
ることが可能となる。したがって、本実施の形態によれ
ば、製造コストの低減、製品歩留まりの向上、といった
上記実施の形態と同様の効果をより高めることができ
る。

【０１８６】さらに、上述したように、全工程を通じて
の処理温度が２９０℃以下であるため、透明基板として
高価な溶融石英基板等を用いることなく、安価なソーダ
ガラスを用いて何ら支障なくカラー表示装置を作製する
ことができる。したがって、フォトリソグラフィー工程
数の低減に加え、ソーダガラスの使用による効果によっ
て、製造コストをより低減することが可能となる。

【０１８７】なお、本実施の形態では、次段のゲート線
７２２が共通電極線と保持容量線の双方を兼ねる構成と
したが、ゲート線と同一の層で独立した共通電極線や保
持容量線を設けるようにしてもよい。これらのカラー表
示装置は、請求項５０、５２に記載のカラー表示装置に
対応する。

【０１８８】以下、本発明の第９の実施の形態を図１８
〜図２０を参照して説明する。

【０１８９】図１８は本実施の形態のカラー表示装置の
画素の部分を示す平面図、図１９は同、断面図であり、
図中符号８０１、８０１ｋは線状遮光体、８０２は色素
材、８２３は透明保護膜、８０６はＴＦＴ、８０５はソ
ース線、８０７はゲート線、である。

【０１９０】なお、本実施の形態のカラー表示装置は、
請求項５６〜６０、６２、６４、６５、６７、３９に記
載のカラー表示装置に対応する。

【０１９１】図１９に示すように、ソーダガラス等から
なる透明基板８１０上に複数の線状遮光体８０１、８０
１ｋが設けられている。そして、透明基板８１０の表面
が掘り下げられた複数の線状遮光体８０１、８０１ｋ間
の開口部８１１にＲ、Ｇ、Ｂの各色素材８０２が定着さ
れ、カラーフィルターが構成されている。なお、透明基
板８１０の材料としては、ソーダガラスの他に、溶融石
英や無アルカリガラス等を用いてもよい。また、線状遮
光体８０１、８０１ｋは、例えば窒化タンタル膜８２４
とｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜８１３の積層構造で構成されてい
る。線状遮光体８０１、８０１ｋ上および色素材８０２
上には、酸化珪素膜や窒化珪素膜等のシリコン含有無機
化合物からなる透明保護膜８２３が設けられ、線状遮光
体８０１、８０１ｋと色素材８０２との間の段差が埋め
られて平坦化されている。

【０１９２】これら線状遮光体８０１および透明保護膜
８２３の一部を含めてＴＦＴ８０６が構成されている。
すなわち、このＴＦＴ８０６はボトムゲート型のｐｃｈ
−ＴＦＴであり、線状遮光体８０１がゲート電極８１８
を兼ね、その線状遮光体８０１上に位置する透明保護膜
８２３がゲート絶縁膜８１９を兼ねており、その上に多
結晶シリコン薄膜８１７が形成されている。そして、多
結晶シリコン薄膜８１７上にＢ−Ａｌ膜からなるソース
線８０５およびドレイン電極８０８が設けられており、
多結晶シリコン薄膜８１７上のＢ−Ａｌ膜に接する部分
がｐ型不純物拡散領域となり、それぞれソース領域８１
４、ドレイン領域８１５となっている。また、本実施の
形態の場合も第８の実施の形態と同様、画素マトリック
ス内および画素マトリックス外の端子部にコンタクト孔
は存在せず、画素マトリックス外に延びるゲート線の端
部に形成されたゲート線端子上に、ソース線、ドレイン
電極と同一のＢ−Ａｌ膜からなるゲート線端子用パッド
が直接形成されている（図示略）。

【０１９３】前述したように、図１８はカラー表示装置
における画素マトリックス内の一つの画素の構成を示す
平面図である。この図に示すように、画素マトリックス
の横方向にはゲート線８０７が延びるとともに、各画素
８２１の中央部には共通電極線を兼ねる次段のゲート線
８２２が延びている。これらゲート線８０７、８２２を
兼ねる線状遮光体８０１、８０１ｋ上には、画素マトリ
ックス上の縦方向に並ぶ複数のＴＦＴ８０６のソース線
８０５と、略矩形状のドレイン電極８０８が配置されて
いる。そして、カラー表示装置の動作時には自段のドレ
イン電極８０８と次段のゲート線８２２との間に液晶を
駆動するための電圧が印加され、横電界Ｅが発生する構
成となっている。

【０１９４】また、本実施の形態の場合、次段のゲート
線８２２は共通電極線とともに保持容量線をも兼ねてお
り、ゲート絶縁膜８１９と、これを挟んで対向する次段
のゲート線８２２、ドレイン電極８０８で保持容量部が
構成されている。さらに、光漏れを防止するために、ソ
ース線８０５やゲート線８２２は本来の機能としては不
要な部分にも延びており、遮光体として機能する。すな
わち、ソース線８０５が、ＩＰＳを構成する自段のゲー
ト線８０７と次段のゲート線８２２との間の開口部を遮
光しており、次段のゲート線８２２が、ソース線８０５
とドレイン電極８０８との間の開口部を遮光している。

【０１９５】以下、上記構成のカラー表示装置の製造方
法について図１９および図２０を用いて説明する。図２
０は、本実施の形態のカラー表示装置の製造方法を順を
追って示すプロセスフロー図である。なお、本方法は、
請求項８３、８４に記載のカラー表示装置の製造方法に
対応するものであり、３回のフォトリソグラフィー工程
を有する例である。

【０１９６】例えばソーダガラスからなる透明基板８１
０上に、スパッタ法を用いて窒化タンタル膜８２４を形
成し、続いてＰＥＣＶＤ法を用いてｎ＋ −ｍ−Ｓｉ膜
８１３（半導体膜）を成膜する（半導体膜成膜工程）。
次に、周知のフォトリソグラフィー技術を用いて線状遮
光体形成用のフォトレジストパターンをｎ＋ −ｍ−Ｓ
ｉ膜８１３上に形成（図２０中「ＢＭ兼ゲート線形成ホ
ト」と記す）した後、ＣＤＥ法を用いてｎ＋ −ｍ−Ｓ
ｉ膜８１３、窒化タンタル膜８２４の連続エッチングを
行い、ゲート線８０７、８２２を兼ねる線状遮光体８０
１、８０１ｋを形成する（線状遮光体形成工程）。さら
に、透明基板８１０の表面を弗酸を用いたウェットエッ
チングにより掘り下げ、次工程で色素材を定着させるた
めの開口部８１１を形成する。その後、フォトレジスト
パターンを除去する。

【０１９７】次に、一般のインクジェットプリンタを用
いて、複数の線状遮光体８０１、８０１ｋ間の開口部８
１１内にＲ、Ｇ、Ｂの各インクをそれぞれ注入する。こ
の際に用いるインクとしては顔料系インク、染料系イン
クのいずれも用いることができる。その後、基板全体を
加熱してインクを乾燥させることにより、表面が平坦化
された色素材８０２が形成される（色素材定着工程）。

【０１９８】次に、画素マトリックス外部のゲート線端
子部が形成された領域上にポリイミド膜（阻止膜）を塗
布する。このポリイミド膜は、この領域に次工程の透明
保護膜が成膜されるのを阻止するための膜である（阻止
膜形成工程）。そして、ポリイミド膜を形成した領域を
除く領域にＳＯＧ膜を成膜し、線状遮光体８０１を覆う
部分がゲート絶縁膜８１９を兼ねる透明保護膜８２３と
する（透明保護膜成膜工程）。その後、ＰＥＣＶＤ法を
用いて、全面にｍ−Ｓｉ膜を成膜した後（半導体膜成膜
工程）、レーザアニールを施してｍ−Ｓｉ膜を多結晶化
する。そして、こうして形成された多結晶シリコン膜を
フォトリソグラフィー、エッチング法を用いてパターニ
ングすることにより、多結晶シリコン薄膜８１７を形成
する（図２０中「ｐｏｌｙ−Ｓｉホト」と記す、半導体
層形成工程）。

【０１９９】次に、ポリイミド膜を除去した（阻止膜除
去工程）後、スパッタ法を用いて全面にＢ−Ａｌ膜を成
膜する（導電膜成膜工程）。そして、フォトリソグラフ
ィー、エッチング法を用いて、Ｂ−Ａｌ膜をパターニン
グすることにより、ソース線８０５、ドレイン電極８０
８、ゲート線端子用パッド等を形成する（図２０中「ソ
ース線形成ホト」と記す、ソース線・ドレイン電極形成
工程）。その後、多結晶シリコン薄膜８１７のＢ−Ａｌ
膜に接した部分にボロンが拡散してｐ型不純物拡散領域
となり、ソース領域８１４、ドレイン領域８１５が形成
される。

【０２００】本実施の形態の方法においても、第８の実
施の形態と同様、線状遮光体８０１、８０１ｋがゲート
線８０７、８２２を兼ねることで第１の実施の形態の製
造方法に比べてフォトリソグラフィー工程が１回減り、
途中工程に端子部での透明保護膜の成膜を阻止するポリ
イミド膜を用いたことでコンタクト孔形成のフォトリソ
グラフィー工程がさらに１回減る。その結果、線状遮光
体８０１、８０１ｋの形成、多結晶シリコン薄膜８１７
の形成、ソース線８０５・ドレイン電極８０８の形成、
の３回のフォトリソグラフィー工程を要するのみでカラ
ー表示装置を製造することが可能となる。したがって、
本実施の形態においても、製造コストの低減、製品歩留
まりの向上、といった第８の実施の形態と同様の効果を
奏することができる。

【０２０１】なお、本実施の形態では、次段のゲート線
８２２が共通電極線と保持容量線の双方を兼ねる構成と
したが、ゲート線と同一の層で独立した共通電極線や保
持容量線を設けるようにしてもよい。また、独立した共
通電極線を設けた場合、ソース線とドレイン電極の間の
開口部を共通電極線で遮光したり、ゲート線と共通電極
線の間の開口部をソース線で遮光したりするとよい。こ
れらのカラー表示装置は、請求項６１、６３、６６、６
８に記載のカラー表示装置に対応する。

【０２０２】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記全ての実施の形態はＩＰＳ方式のカラー表示装
置の例で説明したが、本発明はＩＰＳ方式に限るもので
はなく、ＩＰＳ方式に比べてフォトリソグラフィー工程
は１回増えるものの、対向基板側に共通電極を設けて縦
電界方式のカラー表示装置としてもよい。また、カラー
表示装置を構成する各種の膜の膜厚等の具体的な数値、
各製造工程における具体的な製造条件等に関しては、上
記実施の形態に限らず、適宜設計変更が可能なことは勿
論である。

【０２０３】また、上記全ての実施の形態のカラー表示
装置に対して、これに対向するように対向基板を配置
し、カラー表示装置と対向基板との間に液晶を封入する
ことによりカラー液晶装置を作製することができる。そ
して、そのカラー液晶装置を、例えばパーソナルコンピ
ュータ、プロジェクター、ビューファインダー等の各種
機器に適用することができる。

【０２０４】上述の実施例のカラー表示装置を用いて構
成される電子機器は、図２２に示す表示情報出力源１０
００、表示情報処理回路１００２、表示駆動回路１００
４、液晶パネルなどの表示パネル１００６、クロック発
生回路１００８及び電源回路１０１０を含んで構成され
る。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ、ＲＡＭなどの
メモリ、テレビ信号を同調して出力する同調回路などを
含んで構成され、クロック発生回路１００８からのクロ
ックに基づいて、ビデオ信号などの表示情報を出力す
る。表示情報処理回路１００２は、クロック発生回路１
００８からのクロックに基づいて表示情報を処理して出
力する。この表示情報処理回路１００２は、例えば増幅
・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガ
ンマ補正回路あるいはクランプ回路等を含むことができ
る。表示駆動回路１００４は、走査側駆動回路及びデー
タ側駆動回路を含んで構成され、液晶パネル１００６を
表示駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に電
力を供給する。

【０２０５】このような構成の電子機器として、液晶プ
ロジェクタ、図２3に示すマルチメディア対応のパーソ
ナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワー
クステーション（ＥＷＳ）、図２4に示すページャ、あ
るいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューフ
ァインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、
電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、
ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などを挙げるこ
とができる。

【０２０６】図２3に示すパーソナルコンピュータ１２
００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４
と、液晶表示画面１２０６とを有する。

【０２０７】図２4に示すページャ１３００は、金属製
フレーム１３０２内に、液晶表示基板１３０４、バック
ライト１３０６ａを備えたライトガイド１３０６、回路
基板１３０８、第１，第２のシールド板１３１０，１３
１２、２つの弾性導電体１３１４，１３１６、及びフィ
ルムキャリアテープ１３１８を有する。２つの弾性導電
体１３１４，１３１６及びフィルムキャリアテープ１３
１８は、液晶表示基板１３０４と回路基板１３０８とを
接続するものである。

【０２０８】ここで、液晶表示基板１３０４は、２枚の
透明基板１３０４ａ，１３０４ｂの間に液晶を封入した
もので、これにより少なくともドットマトリクス型の液
晶表示パネルが構成される。一方の透明基板に、図２２
に示す駆動回路１００４、あるいはこれに加えて表示情
報処理回路１００２を形成することができる。液晶表示
基板１３０４に搭載されない回路は、液晶表示基板の外
付け回路とされ、図２５の場合には回路基板１３０８に
搭載できる。

【０２０９】図２4はページャの構成を示すものである
から、液晶表示基板１３０４以外に回路基板１３０８が
必要となるが、電子機器用の一部品として液晶表示装置
が使用される場合であって、透明基板に表示駆動回路な
どが搭載される場合には、その液晶表示装置の最小単位
は液晶表示基板１３０４である。あるいは、液晶表示基
板１３０４を筺体としての金属フレーム１３０２に固定
したものを、電子機器用の一部品である液晶表示装置と
して使用することもできる。さらに、バックライト式の
場合には、金属製フレーム１３０２内に、液晶表示基板
１３０４と、バックライト１３０６ａを備えたライトガ
イド１３０６とを組み込んで、液晶表示装置を構成する
ことができる。

【０２１０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。例えば、本発明は上述の各種の液晶パネル
の駆動に適用されるものに限らず、エレクトロルミネッ
センス、プラズマディスプレー装置にも適用可能であ
る。

【０２１１】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、１枚の透明基板上にカラーフィルターやＴＦＴ
を作り込み、しかも、カラーフィルターの線状遮光体が
ソース線やゲート線等を兼ねる構成としたため、合計９
〜１０回程度のフォトリソグラフィー工程を必要とした
従来の製造方法と比べて製造プロセス中のフォトリソグ
ラフィー工程の回数を３〜５回と大きく減らすことが可
能になる。その結果、カラー液晶装置の製造コストを大
幅に低減できるとともに、製品の歩留まりを向上させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態であるカラー表示
装置の画素を示す平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

【図３】同、カラー表示装置の製造方法を示すプロセ
スフロー図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態であるカラー表示
装置の画素を示す平面図である。

【図５】本発明の第４の実施の形態であるカラー表示
装置の断面図である。

【図６】本発明の第５の実施の形態であるカラー表示
装置の画素を示す平面図である。

【図７】図６の断面図である。

【図８】同、カラー表示装置の製造方法を示すプロセ
スフロー図である。

【図９】本発明の第６の実施の形態であるカラー表示
装置の画素を示す平面図である。

【図１０】同、カラー表示装置の端子部を示す平面図
である。

【図１１】図９の断面図である。

【図１２】同、カラー表示装置の製造方法を示すプロ
セスフロー図である。

【図１３】本発明の第３および第７の実施の形態であ
るカラー表示装置の画素を示す平面図である。

【図１４】図１３の断面図である。

【図１５】本発明の第８の実施の形態であるカラー表
示装置の画素を示す平面図である。

【図１６】図１５の断面図である。

【図１７】同、カラー表示装置の製造方法を示すプロ
セスフロー図である。

【図１８】本発明の第９の実施の形態であるカラー表
示装置の画素を示す平面図である。

【図１９】図１８の断面図である。

【図２０】同、カラー表示装置の製造方法を示すプロ
セスフロー図である。

【図２１】（ａ）縦電界方式、（ｂ）横電界方式（Ｉ
ＰＳ方式）の、従来のカラー液晶装置を示す断面図であ
る。

【図２２】本発明のカラー表示装置を用いた電子機器を
示す図である。

【図２３】本発明のカラー表示装置を用いたパーソナル
コンピュータを示す図である。

【図２４】本発明のカラー表示装置を用いたページャー
を示す図である。

【符号の説明】１０１，２０１，３０１，３０１ｋ，４０１，４０１
ｋ，５０１，５０１ｋ，６０１，７０１，７０１ｋ，８
０１，８０１ｋ線状遮光体１０２，３０２，４０２，５０２，６０２，７０２，８
０２色素材１０３，３２３，４２３，５２３，６０
３，７２３，８２３透明保護膜１０４，６０４埋込透明保護膜１０５，２０５，２０５ａ，３０５，４０５，５０５，
６０５，７０５，８０５ソース線１０６，２０６，３０６，４０６，５０６，６０６，７
０６，８０６薄膜トランジスタ１０７，２０７，３０７，４０７，５０７，６０７，７
０７，８０７ゲート線１０８，２０８，３０８，４０８，５０８，６０８，７
０８，８０８ドレイン電極１０９，３０９，５０９共通電極線１１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０，８
１０透明基板１１１，２１１，３１１，４１１，５１１，６１１，７
１１，８１１開口部１１３，４１３，５１３，６１３，７１３，８１３ｎ
＋−ｍ−Ｓｉ膜（ソース側不純物拡散源）１１４，３１４，４１４，５１４，６１４，７１４，８
１４ソース領域１１５，３１５，４１５，５１５，６１５，７１５，８
１５ドレイン領域１１７，３１７，４１７，５１７，６１７，７１７，８
１７シリコン薄膜（半導体層）１１８，２１８，３１８，４１８，５１８，６１８，７
１８，８１８ゲート電極１２０，４２０，５２８，５２９コンタクト孔１２１，２２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８
２１画素２２２，４２２，６２２，７２２，８２２次段のゲー
ト線２３３，２３３ａ保持容量部４２４，５２４，７２４，８２４窒化タンタル膜（導
電膜）５２６ゲート線端子５３１ゲート線端子用パッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｓ６２６Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に形成された複数の線状遮光
体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着された
色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光
体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有するカ
ラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記ゲート絶縁膜が、前記透明基板上の一部で取り除か
れていることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項２】透明基板上に形成された複数の線状遮光
体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着された
色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光
体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有するカ
ラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記ソース領域がソース側不純物拡散源に接するととも
に、前記ドレイン領域がドレイン側不純物拡散源に接
し、前記ソース側不純物拡散源が前記ソース線の少なくとも
一部を構成していることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項３】請求項２に記載のカラー表示装置におい
て、前記ソース側不純物拡散源がドナーまたはアクセプター
を含有した半導体膜であり、前記ソース線が該ソース側不純物拡散源と金属の少なく
とも２層からなることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項４】透明基板上に形成された複数の線状遮光
体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着された
色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光
体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有するカ
ラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記ソース領域がソース側不純物拡散源に接するととも
に、前記ドレイン領域がドレイン側不純物拡散源に接
し、前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の上方に形成されたことを特徴とするカラー表示装置。
【請求項５】請求項４に記載のカラー表示装置におい
て、前記ソース側不純物拡散源が前記ソース線の少なくとも
一部を構成し、該ソース線が透明保護膜で埋め込まれた
ことを特徴とするカラー表示装置。
【請求項６】請求項４または５に記載のカラー表示装
置において、前記ドレイン電極が前記ゲート線と同一の層で形成され
たことを特徴とするカラー表示装置。
【請求項７】請求項６に記載のカラー表示装置におい
て、保持容量線が前記ソース線と同一の層で該ソース線と略
平行に形成されたことを特徴とするカラー表示装置。
【請求項８】請求項７に記載のカラー表示装置におい
て、前記保持容量線が共通電極線を兼ね、該共通電極線と前
記ドレイン電極との間に液晶を駆動するための電圧が印
加される構成となっていることを特徴とするカラー表示
装置。
【請求項９】透明基板上に形成された複数の線状遮光
体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着された
色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮光
体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有するカ
ラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の上方に形成されるとともに、前記ドレイン電極が前記
ゲート線と同一の層で形成され、前記ソース線、前記ゲート絶縁膜、前記ドレイン電極で
保持容量部が構成されたことを特徴とするカラー表示装
置。
【請求項１０】請求項９に記載のカラー表示装置にお
いて、自段のソース線、ゲート絶縁膜、ドレイン電極からなる
保持容量部の容量と、それに隣接するソース線、ゲート
絶縁膜、ドレイン電極からなる保持容量部の容量が略等
しいことを特徴とするカラー表示装置。
【請求項１１】請求項９または１０に記載のカラー表
示装置において、前記ドレイン電極に加えて共通電極線
も前記ゲート線と同一の層で形成され、これらドレイン
電極と共通電極線との間に液晶を駆動するための電圧が
印加される構成となっていることを特徴とするカラー表
示装置。
【請求項１２】請求項１１に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項１３】透明基板上に形成された複数の線状遮
光体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着され
た色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮
光体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有する
カラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の上方に形成され、前記ドレイン電極が前記ソース線と
同一の層で形成されたことを特徴とするカラー表示装
置。
【請求項１４】請求項１３に記載のカラー表示装置に
おいて、保持容量線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と前記ゲート絶縁膜と前記保持容量線
で保持容量部が構成されたことを特徴とするカラー表示
装置。
【請求項１５】請求項１４に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項１６】請求項１４に記載のカラー表示装置に
おいて、共通電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と前記共通電極線との間に液晶を駆動
するための電圧が印加される構成となっていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項１７】請求項１６に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項１８】請求項１７に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双
方を兼ねていることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項１９】透明基板上に形成された複数の線状遮
光体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着され
た色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮
光体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有する
カラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記ソース領域に接するソース線がボロンを含有した金
属からなり、前記半導体層が前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート線
の上方に形成されたことを特徴とするカラー表示装置。
【請求項２０】透明基板上に形成された複数の線状遮
光体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着され
た色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮
光体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有する
カラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記線状遮光体が撥水性を有する導電膜で形成されると
ともに、前記ソース線を兼ね、前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の上方に形成されたことを特徴とするカラー表示装置。
【請求項２１】請求項２０に記載のカラー表示装置に
おいて、ドナーまたはアクセプターを含有した半導体膜からなる
前記線状遮光体の表面がソース側不純物拡散源を兼ね、前記ソース領域の下面が前記ソース側不純物拡散源に接
していることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項２２】請求項２１に記載のカラー表示装置に
おいて、前記線状遮光体が前記半導体膜と金属の少なくとも２層
からなることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項２３】請求項２０ないし２２のいずれかに記
載のカラー表示装置において、前記ドレイン電極が前記ゲート線と同一の層で形成さ
れ、前記ソース線と前記ゲート絶縁膜と前記ドレイン電極で
保持容量部が構成されたことを特徴とするカラー表示装
置。
【請求項２４】請求項２３に記載のカラー表示装置に
おいて、前記ゲート線と前記ドレイン電極の間の開口部の一部が
前記線状遮光体により遮光されていることを特徴とする
カラー表示装置。
【請求項２５】請求項２３または２４に記載のカラー
表示装置において、前記ドレイン電極に加えて共通電極線も前記ゲート線と
同一の層で形成され、これらドレイン電極と共通電極線
との間に液晶を駆動するための電圧が印加される構成と
なっていることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項２６】請求項２５に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項２７】請求項２６に記載のカラー表示装置に
おいて、前記ドレイン電極と前記次段のゲート線との間における
スイッチング電界方向と異なる方向に電界が生じる個所
が前記線状遮光体により遮光されていることを特徴とす
るカラー表示装置。
【請求項２８】透明基板上に形成された複数の線状遮
光体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着され
た色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮
光体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有する
カラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記線状遮光体が撥水性を有する導電膜で形成されると
ともに、前記ゲート線を兼ね、前記半導体層が前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート線
を兼ねる線状遮光体の上方に形成されたことを特徴とす
るカラー表示装置。
【請求項２９】請求項２８に記載のカラー表示装置に
おいて、前記線状遮光体の表面が半導体膜からなることを特徴と
するカラー表示装置。
【請求項３０】請求項２９に記載のカラー表示装置に
おいて、前記半導体膜がドナーまたはアクセプターを含有した半
導体膜であることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項３１】請求項３０に記載のカラー表示装置に
おいて、前記線状遮光体が前記半導体膜と金属の少なくとも２層
からなることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項３２】請求項２８ないし３１のいずれかに記
載のカラー表示装置において、前記ドレイン電極が前記ソース線と同一の層で形成され
たことを特徴とするカラー表示装置。
【請求項３３】請求項３２に記載のカラー表示装置に
おいて、保持容量線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と前記ゲート絶縁膜と前記保持容量線
で保持容量部が構成されたことを特徴とするカラー表示
装置。
【請求項３４】請求項３３に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項３５】請求項３３に記載のカラー表示装置に
おいて、共通電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と共通電極線との間に液晶を駆動する
ための電圧が印加される構成となっていることを特徴と
するカラー表示装置。
【請求項３６】請求項３５に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項３７】請求項３６に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双
方を兼ねていることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項３８】請求項３２ないし３７のいずれかに記
載のカラー表示装置において、前記ソース線と前記ドレイン電極の間の開口部の一部が
前記共通電極線により遮光されていることを特徴とする
カラー表示装置。
【請求項３９】請求項３２ないし３７のいずれかに記
載のカラー表示装置において、前記ソース線と前記ドレイン電極の間の開口部の一部が
前記次段のゲート線により遮光されていることを特徴と
するカラー表示装置。
【請求項４０】請求項３５ないし３９のいずれかに記
載のカラー表示装置において、前記ゲート線と前記共通電極線の間の開口部の一部が前
記ソース線または前記ドレイン電極により遮光されてい
ることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項４１】透明基板上に形成された複数の線状遮
光体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着され
た色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮
光体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有する
カラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の上方に形成され、前記ドレイン電極が前記ソース線と
同一の層で形成され、前記ソース線の端部に設けられたソース端子上には前記
ゲート絶縁膜が形成されていないことを特徴とするカラ
ー表示装置。
【請求項４２】請求項４１に記載のカラー表示装置に
おいて、保持容量線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と前記ゲート絶縁膜と前記保持容量線
で保持容量部が構成されたことを特徴とするカラー表示
装置。
【請求項４３】請求項４２に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項４４】請求項４２に記載のカラー表示装置に
おいて、共通電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と前記共通電極線との間に液晶を駆動
するための電圧が印加される構成となっていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項４５】請求項４４に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項４６】請求項４５に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双
方を兼ねていることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項４７】透明基板上に形成された複数の線状遮
光体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着され
た色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮
光体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有する
カラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記線状遮光体が撥水性を有する導電膜で形成されると
ともに、前記ソース線を兼ね、前記ゲート線が前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層
の上方に形成され、前記ドレイン電極が前記ソース線と
同一の層で形成され、前記ソース線の端部に設けられたソース端子上には前記
ゲート絶縁膜が形成されていないことを特徴とするカラ
ー表示装置。
【請求項４８】請求項４７に記載のカラー表示装置に
おいて、ドナーまたはアクセプターを含有した半導体膜からなる
前記線状遮光体の表面がソース側不純物拡散源を兼ね、前記ソース領域の下面が前記ソース側不純物拡散源に接
していることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項４９】請求項４８に記載のカラー表示装置に
おいて、前記線状遮光体が前記半導体膜と金属の少なくとも２層
からなることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項５０】請求項４７ないし４９のいずれかに記
載のカラー表示装置において、保持容量線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と前記ゲート絶縁膜と前記保持容量線
で保持容量部が構成されたことを特徴とするカラー表示
装置。
【請求項５１】請求項５０に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項５２】請求項５０に記載のカラー表示装置に
おいて、共通電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と前記共通電極線との間に液晶を駆動
するための電圧が印加される構成となっていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項５３】請求項５２に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項５４】請求項５３に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双
方を兼ねていることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項５５】請求項５４に記載のカラー表示装置に
おいて、自段のゲート線と前記次段のゲート線の間の開口部の一
部が前記線状遮光体により遮光されていることを特徴と
するカラー表示装置。
【請求項５６】透明基板上に形成された複数の線状遮
光体と、これら複数の線状遮光体間の開口部に定着され
た色素材と、該色素材を覆う透明保護膜と、前記線状遮
光体上に設けられた複数の薄膜トランジスタ、を有する
カラー表示装置において、前記薄膜トランジスタが、ソース領域およびドレイン領
域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、前記ソース領
域に接続されたソース線と、前記ドレイン領域に接続さ
れたドレイン電極と、ゲート線を具備し、前記線状遮光体が撥水性を有する導電膜で形成されると
ともに、前記ゲート線を兼ね、前記半導体層が前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート線
を兼ねる線状遮光体の上方に形成され、前記ゲート線の端部に設けられたゲート端子上には前記
ゲート絶縁膜が形成されていないことを特徴とするカラ
ー表示装置。
【請求項５７】請求項５６に記載のカラー表示装置に
おいて、前記線状遮光体の表面が半導体膜からなることを特徴と
するカラー表示装置。
【請求項５８】請求項５７に記載のカラー表示装置に
おいて、前記半導体膜がドナーまたはアクセプターを含有した半
導体膜であることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項５９】請求項５８に記載のカラー表示装置に
おいて、前記線状遮光体が前記半導体膜と金属の少なくとも２層
からなることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項６０】請求項５６ないし５９のいずれかに記
載のカラー表示装置において、前記ドレイン電極が前記ソース線と同一の層で形成され
たことを特徴とするカラー表示装置。
【請求項６１】請求項６０に記載のカラー表示装置に
おいて、保持容量線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と前記ゲート絶縁膜と前記保持容量線
で保持容量部が構成されたことを特徴とするカラー表示
装置。
【請求項６２】請求項６１に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記保持容量線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項６３】請求項６１に記載のカラー表示装置に
おいて、共通電極線が前記ゲート線と同一の層で形成され、前記ドレイン電極と前記共通電極線との間に液晶を駆動
するための電圧が印加される構成となっていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項６４】請求項６３に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線を兼ねていることを特
徴とするカラー表示装置。
【請求項６５】請求項６４に記載のカラー表示装置に
おいて、次段のゲート線が前記共通電極線と前記保持容量線の双
方を兼ねていることを特徴とするカラー表示装置。
【請求項６６】請求項６０ないし６５のいずれかに記
載のカラー表示装置において、前記ソース線と前記ドレイン電極の間の開口部の一部が
前記共通電極線により遮光されていることを特徴とする
カラー表示装置。
【請求項６７】請求項６０ないし６５のいずれかに記
載のカラー表示装置において、前記ソース線と前記ドレイン電極の間の開口部の一部が
前記次段のゲート線により遮光されていることを特徴と
するカラー表示装置。
【請求項６８】請求項６３ないし６７のいずれかに記
載のカラー表示装置において、前記ゲート線と前記共通電極線の間の開口部の一部が前
記ソース線により遮光されていることを特徴とするカラ
ー表示装置。
【請求項６９】透明基板上に半導体膜を成膜する半導
体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、
エッチング技術を用いてパターニングすることにより複
数の線状遮光体を形成する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させ
る色素材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透明保護膜成膜工
程と、該透明保護膜上に後でソース線となる第１の導電膜を成
膜する第１導電膜成膜工程と、該第１の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技
術を用いてパターニングすることによりソース線を形成
するソース線形成工程と、該ソース線を埋め込む埋込透明保護膜を成膜する埋込透
明保護膜成膜工程と、該埋込透明保護膜上に半導体膜を成膜する半導体膜成膜
工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングし所定の形状の半導体層を形成する
半導体層形成工程と、該半導体層を覆うゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜
成膜工程と、該ゲート絶縁膜の一部をフォトリソグラフィー、エッチ
ング技術を用いて開口することにより前記半導体層に通
じるコンタクト孔を形成するコンタクト孔形成工程と、該コンタクト孔内を含む前記ゲート絶縁膜上に第２の導
電膜を成膜する第２導電膜成膜工程と、該第２の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技
術を用いてパターニングすることによりゲート線および
ドレイン電極を形成するゲート線・ドレイン電極形成工
程、を有することを特徴とするカラー表示装置の製造方
法。
【請求項７０】請求項６９に記載のカラー表示装置の
製造方法において、前記ソース線の表面をドナーまたはアクセプターを含有
した半導体膜で形成して不純物拡散源とするとともに、
該ソース線表面に前記半導体層が直接接触するように
し、前記不純物拡散源からのドナーまたはアクセプターの拡
散により前記半導体層中にソース領域を形成することを
特徴とするカラー表示装置の製造方法。
【請求項７１】透明基板上に半導体膜を成膜する半導
体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングすることにより複数の線状遮光体を
形成する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させ
る色素材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透明保護膜成膜工
程と、該透明保護膜上に後でソース線およびドレイン電極とな
る第１の導電膜を成膜する第１導電膜成膜工程と、該第１の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技
術を用いてパターニングすることによりソース線および
ドレイン電極を形成するソース線・ドレイン電極形成工
程と、該ソース線およびドレイン電極を埋め込む埋込透明保護
膜を成膜する埋込透明保護膜成膜工程と、該埋込透明保護膜上に半導体膜を成膜する半導体膜成膜
工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングし所定の形状の半導体層を形成する
半導体層形成工程と、該半導体層を覆うゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜
成膜工程と、該ゲート絶縁膜の一部をフォトリソグラフィー、エッチ
ング技術を用いて開口することにより前記ソース線に通
じるコンタクト孔を形成するコンタクト孔形成工程と、該コンタクト孔内を含む前記ゲート絶縁膜上に第２の導
電膜を成膜する第２導電膜成膜工程と、該第２の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技
術を用いてパターニングすることによりゲート線を形成
するゲート線形成工程、を有することを特徴とするカラ
ー表示装置の製造方法。
【請求項７２】請求項７１に記載のカラー表示装置の
製造方法において、前記ソース線およびドレイン電極の表面をドナーまたは
アクセプターを含有した半導体膜で形成して不純物拡散
源とするとともに、これらソース線およびドレイン電極
表面に前記半導体層が直接接触するようにし、前記不純物拡散源からのドナーまたはアクセプターの拡
散により前記半導体層中にソース領域およびドレイン領
域を形成することを特徴とするカラー表示装置の製造方
法。
【請求項７３】透明基板上に半導体膜を成膜する半導
体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、
エッチング技術を用いてパターニングすることにより複
数の線状遮光体を形成する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させ
る色素材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透明保護膜成膜工
程と、該透明保護膜上に後でゲート線となる第１の導電膜を成
膜する第１導電膜成膜工程と、該第１の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技
術を用いてパターニングすることによりゲート線を形成
するソース線形成工程と、該ゲート線を覆うゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜
成膜工程と、該ゲート絶縁膜上に半導体膜を成膜する半導体膜成膜工
程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングし所定の形状の半導体層を形成する
半導体層形成工程と、前記ゲート絶縁膜の一部をフォトリソグラフィー、エッ
チング技術を用いて開口することにより前記ゲート線に
通じるコンタクト孔を形成するコンタクト孔形成工程
と、該コンタクト孔内を含む前記ゲート絶縁膜上に第２の導
電膜を成膜する第２導電膜成膜工程と、該第２の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技
術を用いてパターニングすることによりソース線および
ドレイン電極を形成するソース線・ドレイン電極形成工
程、を有することを特徴とするカラー表示装置の製造方
法。
【請求項７４】請求項７３に記載のカラー表示装置の
製造方法において、前記ソース線およびドレイン電極をボロンを含有した金
属で形成して不純物拡散源とするとともに、これらソー
ス線およびドレイン電極と前記半導体層が直接接触する
ようにし、前記不純物拡散源からのボロンの拡散により前記半導体
層中にソース領域およびドレイン領域を形成することを
特徴とするカラー表示装置の製造方法。
【請求項７５】透明基板上に半導体膜を成膜する半導
体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、
エッチング技術を用いてパターニングすることにより少
なくとも一部がソース線を兼ねる複数の線状遮光体を形
成する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させ
る色素材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透明保護膜成膜工
程と、前記線状遮光体上および透明保護膜上に半導体膜を成膜
する半導体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングし所定の形状の半導体層を形成する
半導体層形成工程と、該半導体層を覆うゲート絶縁膜を成膜するゲート絶縁膜
成膜工程と、該ゲート絶縁膜の一部をフォトリソグラフィー、エッチ
ング技術を用いて開口することにより前記半導体層に通
じるコンタクト孔を形成するコンタクト孔形成工程と、該コンタクト孔内を含む前記ゲート絶縁膜上に導電膜を
成膜する導電膜成膜工程と、該導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を用
いてパターニングすることによりゲート線およびドレイ
ン電極を形成するゲート線・ドレイン電極形成工程、を
有することを特徴とするカラー表示装置の製造方法。
【請求項７６】請求項７５に記載のカラー表示装置の
製造方法において、前記ソース線の表面をドナーまたはアクセプターを含有
した半導体膜で形成して不純物拡散源とするとともに、
該ソース線表面に前記半導体層が直接接触するように
し、前記不純物拡散源からのドナーまたはアクセプターの拡
散により前記半導体層中にソース領域を形成することを
特徴とするカラー表示装置の製造方法。
【請求項７７】透明基板上に半導体膜を成膜する半導
体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングすることにより少なくとも一部がゲ
ート線を兼ねる複数の線状遮光体を形成する線状遮光体
形成工程と、これら複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させ
る色素材定着工程と、前記線状遮光体および前記色素材を覆う透明保護膜を成
膜する透明保護膜成膜工程と、該透明保護膜上に半導体膜を成膜する半導体膜成膜工程
と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングし所定の形状の半導体層を形成する
半導体層形成工程と、前記線状遮光体が画素マトリックス領域外に延びてゲー
ト線端子となる部分の上の透明保護膜をフォトリソグラ
フィー、エッチング技術を用いて開口することにより前
記ゲート線端子に通じるコンタクト孔を形成するコンタ
クト孔形成工程と、該コンタクト孔内を含む前記透明保護膜上に導電膜を成
膜する導電膜成膜工程と、該導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を用
いてパターニングすることによりソース線およびドレイ
ン電極およびゲート線端子用パッドを形成するソース線
・ドレイン電極形成工程、を有することを特徴とするカ
ラー表示装置の製造方法。
【請求項７８】請求項７７に記載のカラー表示装置の
製造方法において、前記ソース線およびドレイン電極をボロンを含有した金
属で形成して不純物拡散源とするとともに、これらソー
ス線およびドレイン電極と前記半導体層が直接接触する
ようにし、前記不純物拡散源からのボロンの拡散により前記半導体
層中にソース領域およびドレイン領域を形成することを
特徴とするカラー表示装置の製造方法。
【請求項７９】透明基板上に半導体膜を成膜する半導
体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、
エッチング技術を用いてパターニングすることにより複
数の線状遮光体を形成する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させ
る色素材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透明保護膜成膜工
程と、該透明保護膜上に後でソース線またはドレイン電極とな
る第１の導電膜を成膜する第１導電膜成膜工程と、該第１の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技
術を用いてパターニングすることによりソース線または
ドレイン電極を形成するソース線形成工程と、該ソース線およびドレイン電極を埋め込む埋込透明保護
膜を成膜する埋込透明保護膜成膜工程と、前記ソース線、ドレイン電極および前記埋込透明保護膜
上に半導体膜を成膜する半導体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングし所定の形状の半導体層を形成する
半導体層形成工程と、前記ソース線が画素マトリックス領域外に延びてソース
線端子となる部分を覆い、次工程でのこの部分へのゲー
ト絶縁膜の成膜を阻止する阻止膜を形成する阻止膜形成
工程と、前記半導体層および前記線状遮光体を覆うゲート絶縁膜
を成膜するゲート絶縁膜成膜工程と、前記阻止膜を除去する阻止膜除去工程と、前記ソース線端子上および前記ゲート絶縁膜上に第２の
導電膜を成膜する第２導電膜成膜工程と、該第２の導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技
術を用いてパターニングすることによりゲート電極およ
びソース線端子用パッドを形成するゲート電極形成工
程、を有することを特徴とするカラー表示装置の製造方
法。
【請求項８０】請求項７９に記載のカラー表示装置の
製造方法において、前記ソース線およびドレイン電極の表面をドナーまたは
アクセプターを含有した半導体膜で形成して不純物拡散
源とするとともに、これらソース線およびドレイン電極
表面に前記半導体層が直接接触するようにし、前記不純物拡散源からのドナーまたはアクセプターの拡
散により前記半導体層中にソース領域およびドレイン領
域を形成することを特徴とするカラー表示装置の製造方
法。
【請求項８１】透明基板上に半導体膜を成膜する半導
体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、
エッチング技術を用いてパターニングすることにより少
なくとも一部がソース線またはドレイン電極を兼ねる複
数の線状遮光体を形成する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させ
る色素材定着工程と、該色素材を覆う透明保護膜を成膜する透明保護膜成膜工
程と、前記線状遮光体上および前記透明保護膜上に半導体膜を
成膜する半導体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングし所定の形状の半導体層を形成する
半導体層形成工程と、前記線状遮光体が画素マトリックス領域外に延びてソー
ス線端子となる部分を覆い、次工程でのこの部分へのゲ
ート絶縁膜の成膜を阻止する阻止膜を形成する阻止膜形
成工程と、前記半導体層および前記線状遮光体を覆うゲート絶縁膜
を成膜するゲート絶縁膜成膜工程と、前記阻止膜を除去する阻止膜除去工程と、前記ソース線端子上および前記ゲート絶縁膜上に導電膜
を成膜する導電膜成膜工程と、該導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を用
いてパターニングすることによりゲート電極およびソー
ス線端子用パッドを形成するゲート電極形成工程、を有
することを特徴とするカラー表示装置の製造方法。
【請求項８２】請求項８１に記載のカラー表示装置の
製造方法において、前記ソース線およびドレイン電極の表面をドナーまたは
アクセプターを含有した半導体膜で形成して不純物拡散
源とするとともに、これらソース線およびドレイン電極
表面に前記半導体層が直接接触するようにし、前記不純物拡散源からのドナーまたはアクセプターの拡
散により前記半導体層中にソース領域およびドレイン領
域を形成することを特徴とするカラー表示装置の製造方
法。
【請求項８３】透明基板上に半導体膜を成膜する半導
体膜成膜工程と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、
エッチング技術を用いてパターニングすることにより少
なくとも一部がゲート電極を兼ねる複数の線状遮光体を
形成する線状遮光体形成工程と、これら複数の線状遮光体間の開口部に色素材を定着させ
る色素材定着工程と、前記線状遮光体が画素マトリックス領域外に延びてゲー
ト線端子となる部分を覆い、次工程でのこの部分への透
明保護膜の成膜を阻止する阻止膜を形成する阻止膜形成
工程と、前記線状遮光体および前記色素材を覆う透明保護膜を成
膜する透明保護膜成膜工程と、該透明保護膜上に半導体膜を成膜する半導体膜成膜工程
と、該半導体膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を
用いてパターニングし所定の形状の半導体層を形成する
半導体層形成工程と、前記阻止膜を除去する阻止膜除去工程と、前記ゲート線端子上および前記透明保護膜上に導電膜を
成膜する導電膜成膜工程と、該導電膜をフォトリソグラフィー、エッチング技術を用
いてパターニングすることによりソース線およびドレイ
ン電極およびゲート線端子用パッドを形成するソース線
・ドレイン電極形成工程、を有することを特徴とするカ
ラー表示装置の製造方法。
【請求項８４】請求項８３に記載のカラー表示装置の
製造方法において、前記ソース線およびドレイン電極をボロンを含有した金
属で形成して不純物拡散源とするとともに、これらソー
ス線およびドレイン電極と前記半導体層が直接接触する
ようにし、前記不純物拡散源からのボロンの拡散により前記半導体
層中にソース領域およびドレイン領域を形成することを
特徴とするカラー表示装置の製造方法。
【請求項８５】請求項１ないし６８のいずれかに記載
のカラー表示装置に対向する対向基板が設けられ、前記
カラー表示装置と対向基板との間に液晶が封入されたこ
とを特徴とするカラー液晶装置。