JPH021816A - 投影型表示装置 - Google Patents
投影型表示装置Info
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- JPH021816A JPH021816A JP63142696A JP14269688A JPH021816A JP H021816 A JPH021816 A JP H021816A JP 63142696 A JP63142696 A JP 63142696A JP 14269688 A JP14269688 A JP 14269688A JP H021816 A JPH021816 A JP H021816A
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- display
- crystal display
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、表示明度を向上した液晶表示装置に関し、さ
らに詳しくは、カメラのファインダ表示やテレビジョン
などの投影型表示に要求される、表示明度を向上した高
精細マトリックス型液晶表示装置に関する。
らに詳しくは、カメラのファインダ表示やテレビジョン
などの投影型表示に要求される、表示明度を向上した高
精細マトリックス型液晶表示装置に関する。
従来の技術
従来から、液晶の電気光学効果を画素表示に利用した表
示装置として液晶表示パオ・ルが開発されている。この
液晶表示パネルは、基本的には、ドツト・マトリックス
状に配列された多数の画素電極と、それに印加された電
圧に応じて入射光を光学変調する液晶層とから成る。
示装置として液晶表示パオ・ルが開発されている。この
液晶表示パネルは、基本的には、ドツト・マトリックス
状に配列された多数の画素電極と、それに印加された電
圧に応じて入射光を光学変調する液晶層とから成る。
液晶表示バオ、ルの動IYモードには、前記液晶層とし
て封入する液晶の種類あるいは電気光学的性質の差異に
応じて、ツイステッドネ・マチイック(以下、rTN」
と略す)モード、スーパーツ・fステッド本マチイック
く以下、rSTNJと略す)モード、ゲスト・ホス)−
(以下、r Q HJと略す)モード、ダイナミックス
キャッタリング・モード(以下、rDSMJと略す)、
相転移モードなどの多くのモードが開発されている。そ
れらの液晶層と画素電極とから成る個々の表示画素を個
別に制御する方式に関しても、以下各方式についての説
明が行われるように、(1)単純マトリックス方式、〈
2)多重マトリックス方式、(3)非線形二端子素子を
f付加した方式、(4)スイッチング三端子素子を付加
した方式などがある。しかし上述のいずれの方式につい
ても、表示の明度を低下させる原因が存在する。理想的
な表示状態として、表示が行われるバ主ル全面積につい
て明度が−(、πである場3を想定して、表示領域グ)
″全面積Sに対する、表示領域の全面VLSと1七示に
寄与しない部分の面積Nとの差5−N(以下、[全画素
の有効面積E」という)の比を開口¥=Pとして次式の
ように定義するならば、表示の開口率Pの低下はほぼ表
示明度の低下に等しいと考えることができる。
て封入する液晶の種類あるいは電気光学的性質の差異に
応じて、ツイステッドネ・マチイック(以下、rTN」
と略す)モード、スーパーツ・fステッド本マチイック
く以下、rSTNJと略す)モード、ゲスト・ホス)−
(以下、r Q HJと略す)モード、ダイナミックス
キャッタリング・モード(以下、rDSMJと略す)、
相転移モードなどの多くのモードが開発されている。そ
れらの液晶層と画素電極とから成る個々の表示画素を個
別に制御する方式に関しても、以下各方式についての説
明が行われるように、(1)単純マトリックス方式、〈
2)多重マトリックス方式、(3)非線形二端子素子を
f付加した方式、(4)スイッチング三端子素子を付加
した方式などがある。しかし上述のいずれの方式につい
ても、表示の明度を低下させる原因が存在する。理想的
な表示状態として、表示が行われるバ主ル全面積につい
て明度が−(、πである場3を想定して、表示領域グ)
″全面積Sに対する、表示領域の全面VLSと1七示に
寄与しない部分の面積Nとの差5−N(以下、[全画素
の有効面積E」という)の比を開口¥=Pとして次式の
ように定義するならば、表示の開口率Pの低下はほぼ表
示明度の低下に等しいと考えることができる。
P=E/’S、E=S−N ・・ (
1)P=1−N/S ・
・・ (2)P、開口率 E:全画素の有効面積 S:表示領域の全面積 N1表示に寄与しない部分の面積 したがって、第1式を変形した第2式からも判るように
、表示領域の全面fISに対する表示に寄与しない部分
の面積Nの比N/Sが増大すると開口率Pは低下、すな
わち、表示明度も低下することになる。
1)P=1−N/S ・
・・ (2)P、開口率 E:全画素の有効面積 S:表示領域の全面積 N1表示に寄与しない部分の面積 したがって、第1式を変形した第2式からも判るように
、表示領域の全面fISに対する表示に寄与しない部分
の面積Nの比N/Sが増大すると開口率Pは低下、すな
わち、表示明度も低下することになる。
以下、画素を個別に制御する方式に従って、開口率Pが
どのような原因によって低下し、表示明度が低下するか
を説明する。
どのような原因によって低下し、表示明度が低下するか
を説明する。
(1)単純マトリックス方式
二枚の基板のそれぞれに帯状の平行電極群を列設し、そ
れらが基板間で直交するように基板を貼りなわせて液晶
を注入しバ木ルを構成する。一方の行電極く走査電極)
にはj:憤次、行選択信号が印加される。他方の列’1
11H[(信号電極)には行選択信号と同期して画像信
号が印加される。したがって、行電極と列TL極の交点
が画素となり、画電極に扶まれた)α晶が両者の電位差
に応答して画素苺に光学的変調を受けることとなる。
れらが基板間で直交するように基板を貼りなわせて液晶
を注入しバ木ルを構成する。一方の行電極く走査電極)
にはj:憤次、行選択信号が印加される。他方の列’1
11H[(信号電極)には行選択信号と同期して画像信
号が印加される。したがって、行電極と列TL極の交点
が画素となり、画電極に扶まれた)α晶が両者の電位差
に応答して画素苺に光学的変調を受けることとなる。
液晶は強誘電性のものを除いては一般に実効値に応答す
る特性を有し、急峻なしきい値特性をムたないことから
各画素は電気的に独立していないためにクロス1−一り
が生じてしまう。したがって、クロストーク・マージン
に対するダイナミック・レンジの点から走査線数をあま
り大きく設定することはできない。しかし、その範囲内
で画素ビツヂを小さくして、微細なマトリックスを構成
した場きてショート防止のため非電極部の面積を多く収
った賜きや特に透明導電膜の代わりに金属配線によって
走査電極を構成した場6には、その部分に表示のための
光源光が入射しても不活性もしくは不透明であるために
表示に寄与することはなく、これらによって前記開口率
の低下が生じる。
る特性を有し、急峻なしきい値特性をムたないことから
各画素は電気的に独立していないためにクロス1−一り
が生じてしまう。したがって、クロストーク・マージン
に対するダイナミック・レンジの点から走査線数をあま
り大きく設定することはできない。しかし、その範囲内
で画素ビツヂを小さくして、微細なマトリックスを構成
した場きてショート防止のため非電極部の面積を多く収
った賜きや特に透明導電膜の代わりに金属配線によって
走査電極を構成した場6には、その部分に表示のための
光源光が入射しても不活性もしくは不透明であるために
表示に寄与することはなく、これらによって前記開口率
の低下が生じる。
(2)多重7トリツクス方式
これは単純マトリックス方式の電極を変形する二とによ
って、走査電極の数を減らした分だけ信号電極の数を増
し、全画素数の減少を防いだものである。このような多
重マトリックス方式な用いると、各画素に加えられる電
圧のデユーティ比(duty ratio)が大きくな
るので、鮮明な画像が得られやすくなる。その半面多重
マトリックス方式では、電極の形状が複雑になり配線抵
抗が高くなり易い。そのため、透明導電膜だけでは配線
抵抗が充分低く抑えることができない場合には金属配線
が併用される、電極の形状が複雑になると、画素電極周
囲のブランクあるいはギャップといった間隙の割かが増
加し、また金属配線を併用することによって、表示面積
のうちの表示に寄与しない部分あるいは不透明部分の割
6が増加し、これによって開口率は低下する。
って、走査電極の数を減らした分だけ信号電極の数を増
し、全画素数の減少を防いだものである。このような多
重マトリックス方式な用いると、各画素に加えられる電
圧のデユーティ比(duty ratio)が大きくな
るので、鮮明な画像が得られやすくなる。その半面多重
マトリックス方式では、電極の形状が複雑になり配線抵
抗が高くなり易い。そのため、透明導電膜だけでは配線
抵抗が充分低く抑えることができない場合には金属配線
が併用される、電極の形状が複雑になると、画素電極周
囲のブランクあるいはギャップといった間隙の割かが増
加し、また金属配線を併用することによって、表示面積
のうちの表示に寄与しない部分あるいは不透明部分の割
6が増加し、これによって開口率は低下する。
(3)非線形二端子素子を付加した方式これは画素間の
クロスト−りを抑制するために、各画素の信号電極と走
査電極との間にバリスタ、M I M (Metal
In5ulntor Metal ) 、バックトウバ
ックダイオード(tlack Lo Back Dio
de )などの非線形素子を付加したものである。非線
形素子をけIJ。
クロスト−りを抑制するために、各画素の信号電極と走
査電極との間にバリスタ、M I M (Metal
In5ulntor Metal ) 、バックトウバ
ックダイオード(tlack Lo Back Dio
de )などの非線形素子を付加したものである。非線
形素子をけIJ。
することによってクロストークを抑えることは可能であ
るが、非線形素子’;−(=f加する領域を画素とは別
に設けなければならないため、そグ)分だけ表示に用い
ることができる面積は減少し、これによって開口率の低
下が生じる。
るが、非線形素子’;−(=f加する領域を画素とは別
に設けなければならないため、そグ)分だけ表示に用い
ることができる面積は減少し、これによって開口率の低
下が生じる。
(4)スイッチング三端子素子を付加した方式上述した
ように、ダイオードなどの非線形素子を画素の信号電極
と走査電極との間に付加することによってクロストーク
はある程度防止できるが、−mには画素へのパルス印加
後の電圧の減衰が速く、液晶の充分なコントラス■・が
得られないのが現状である。そこで、ダイオードなどの
非線形素子の代わりに、画素電極と信号電極と走゛査電
隋とにスイッチングトランジスタを付加して、このスイ
ッチングトランジスタを用いて各画素を個別に駆動する
方式がある。画素電極の選択期間中に液晶に駆動電圧が
印加されるとコンデンサとしての液晶J何と必要に応じ
て並設された蓄積コンデンサも同時に充電され、それが
画素電極の非iH択期間中には液晶グ)励起状聾を持続
させる。液晶白木ら容量性グ)工1荷であり、その時定
数が駆動の繰り遅し周期に比べて充分大きい場合には、
M Vlコンデンサを省略することができる。ス・fノ
チングトランジスタとしては、薄膜ト・ランジスタ(T
hinFil+n TransiStor、以下、TP
Tと略記する)、またはシリコン・ウェハ上に回路を形
成したMOS< Metal 0xide 5enic
onductor)型電界効果トランジスタ(M OS
−F E T )や、サファイヤ基板上にシリコン回
路が形成されたS OS (*1licon onsa
ppbire)素子などが用いられる。この方式は、ク
ロストークがなく、池の走査電極を走査しているときで
も液晶の励起状官を持続することができるのて画素密度
を高めることができる。また、信号電圧の強弱による中
間調表示も容易である。しかし、前述の非線形素子をf
付加した方式と同様に、画素とは別にスイッチングトラ
ンジスタや蓄積コンデンサをf十加する領域を設けなけ
ればならないため、その分だけ表示に用いることが可能
な画素の有効面積が減少し開口率が低下する。
ように、ダイオードなどの非線形素子を画素の信号電極
と走査電極との間に付加することによってクロストーク
はある程度防止できるが、−mには画素へのパルス印加
後の電圧の減衰が速く、液晶の充分なコントラス■・が
得られないのが現状である。そこで、ダイオードなどの
非線形素子の代わりに、画素電極と信号電極と走゛査電
隋とにスイッチングトランジスタを付加して、このスイ
ッチングトランジスタを用いて各画素を個別に駆動する
方式がある。画素電極の選択期間中に液晶に駆動電圧が
印加されるとコンデンサとしての液晶J何と必要に応じ
て並設された蓄積コンデンサも同時に充電され、それが
画素電極の非iH択期間中には液晶グ)励起状聾を持続
させる。液晶白木ら容量性グ)工1荷であり、その時定
数が駆動の繰り遅し周期に比べて充分大きい場合には、
M Vlコンデンサを省略することができる。ス・fノ
チングトランジスタとしては、薄膜ト・ランジスタ(T
hinFil+n TransiStor、以下、TP
Tと略記する)、またはシリコン・ウェハ上に回路を形
成したMOS< Metal 0xide 5enic
onductor)型電界効果トランジスタ(M OS
−F E T )や、サファイヤ基板上にシリコン回
路が形成されたS OS (*1licon onsa
ppbire)素子などが用いられる。この方式は、ク
ロストークがなく、池の走査電極を走査しているときで
も液晶の励起状官を持続することができるのて画素密度
を高めることができる。また、信号電圧の強弱による中
間調表示も容易である。しかし、前述の非線形素子をf
付加した方式と同様に、画素とは別にスイッチングトラ
ンジスタや蓄積コンデンサをf十加する領域を設けなけ
ればならないため、その分だけ表示に用いることが可能
な画素の有効面積が減少し開口率が低下する。
液晶表示パネルのうちでも特にカラー液晶に示バ木ルで
は、たとえば着色表示の色として加法三原色を設定すれ
ば、入射光のスペクトル中で三原色中の一色のスペクト
ル領域しか利用されず、残りの成分は着色手段によって
吸収される。さらに、偏光板を使用する液晶動作モード
の場合には、利用できる光景はさらに半減するので、照
明手段を設けない反射型の表示方式などでは非常に暗い
表示となる。このため、照明手段として白熱電球、蛍光
灯、EL(エレクトロルミネッセンス)パネルなどの光
源を設けたり、周囲光を液晶表示パネルの背面に導くた
めの手段が講じられる。しかし、液晶表示パネルの携帯
用機器への応用を図る場合には電源容量の制約が厳しい
ので、光源の発光効率の向上、およびその光源光をいか
に有効に液晶表示に利用できるかで液晶表示の明るさが
決ってくる。
は、たとえば着色表示の色として加法三原色を設定すれ
ば、入射光のスペクトル中で三原色中の一色のスペクト
ル領域しか利用されず、残りの成分は着色手段によって
吸収される。さらに、偏光板を使用する液晶動作モード
の場合には、利用できる光景はさらに半減するので、照
明手段を設けない反射型の表示方式などでは非常に暗い
表示となる。このため、照明手段として白熱電球、蛍光
灯、EL(エレクトロルミネッセンス)パネルなどの光
源を設けたり、周囲光を液晶表示パネルの背面に導くた
めの手段が講じられる。しかし、液晶表示パネルの携帯
用機器への応用を図る場合には電源容量の制約が厳しい
ので、光源の発光効率の向上、およびその光源光をいか
に有効に液晶表示に利用できるかで液晶表示の明るさが
決ってくる。
以上のように、開口率を低下させ表示明度を低下させる
原因としては、画素の制(1方式(1)〜(4)に従っ
て述べた、 (n)電極の金属配線 (1))付加された非線形素子またはスイッチング素子 (c)画素T、極周囲の間隙 (、J)表示の制御はされないが、表示のコントラスト
を向上するためのブラックマトリックス部分などがある
。
原因としては、画素の制(1方式(1)〜(4)に従っ
て述べた、 (n)電極の金属配線 (1))付加された非線形素子またはスイッチング素子 (c)画素T、極周囲の間隙 (、J)表示の制御はされないが、表示のコントラスト
を向上するためのブラックマトリックス部分などがある
。
液晶表示パオ・ルをカメラのファインダ表示やテレビジ
ョンなどの投影型表示に用いる場合、表示パネル(また
はライトバルブパネル)面積が小さく、かつ画素数が多
い必要がある。このような高精細度画像の再生を要する
液晶表示パネルでは、画素電極を構成する走査電極と信
号電極のピッチを小さくしなければならない。たとえば
画素ピッチがlrom当り5本の場き、開口率は通常の
設計でTPTを用いたパネルのjQ、 、、:約50%
であるが、画素ピッチを小さくすると当然開口率はこれ
以下に低下する。すなわち液晶表示バオ・ルの構成要素
のすべてを相a、的に縮小できれば開口率は変(ヒレな
いが、ホトリックラフィにおける電極のエツチング精度
や位置きせ精度には1μm〜10μm程度と限界がある
ので電極の金属配線の幅や付加素子の大きさは成る程度
以下には小さくできない。
ョンなどの投影型表示に用いる場合、表示パネル(また
はライトバルブパネル)面積が小さく、かつ画素数が多
い必要がある。このような高精細度画像の再生を要する
液晶表示パネルでは、画素電極を構成する走査電極と信
号電極のピッチを小さくしなければならない。たとえば
画素ピッチがlrom当り5本の場き、開口率は通常の
設計でTPTを用いたパネルのjQ、 、、:約50%
であるが、画素ピッチを小さくすると当然開口率はこれ
以下に低下する。すなわち液晶表示バオ・ルの構成要素
のすべてを相a、的に縮小できれば開口率は変(ヒレな
いが、ホトリックラフィにおける電極のエツチング精度
や位置きせ精度には1μm〜10μm程度と限界がある
ので電極の金属配線の幅や付加素子の大きさは成る程度
以下には小さくできない。
したがって、液晶パネルの外形寸法を固定して画素ピッ
チを小さくしていくと開口率が低下してしまう。
チを小さくしていくと開口率が低下してしまう。
第5図は、液晶表示パネルにおける1表示車位領域を示
す図であり、画素を制御するスイッチング素子としてT
PTが用いられている。TPTはガラスなどの透明な絶
縁性基板の上にゲート電極51、ゲート絶縁膜(図示せ
ず)、半導体膜52、ソース電極53およびドレイン電
極54が順次ツマターン化され積層されて構成されてい
る。トレイン電極54には画素電極55および必要噂こ
応じて設けられる蓄積コンデンサ((2I示せず)が接
続される。ゲート電極51にはゲート線GLを介して周
期的に走査パルスが印加され、TPTは導通(オン)状
態にされる。これに同期してソース電衝53にはソース
線SLを介して画(象信号が印加され、TPTを通じて
画素電極55および必要に応じて電気的に並列に設けら
れた蓄積コンデンサに印加され液晶を駆動する。
す図であり、画素を制御するスイッチング素子としてT
PTが用いられている。TPTはガラスなどの透明な絶
縁性基板の上にゲート電極51、ゲート絶縁膜(図示せ
ず)、半導体膜52、ソース電極53およびドレイン電
極54が順次ツマターン化され積層されて構成されてい
る。トレイン電極54には画素電極55および必要噂こ
応じて設けられる蓄積コンデンサ((2I示せず)が接
続される。ゲート電極51にはゲート線GLを介して周
期的に走査パルスが印加され、TPTは導通(オン)状
態にされる。これに同期してソース電衝53にはソース
線SLを介して画(象信号が印加され、TPTを通じて
画素電極55および必要に応じて電気的に並列に設けら
れた蓄積コンデンサに印加され液晶を駆動する。
第5(2Iを参照して以下に、1表示車位領域および開
口率について説明する。1表示車位領域56は、表示に
直接寄与する領域57と、表示には直接寄与しない領域
58とから成る。領域57は画素電極および電圧の印加
を受けた画素電極によって配向に変化を受ける液晶層と
から成り、入射光は液晶層によって光学的に変調された
後、透明な画素電極55を通して表示される。表示に直
接寄与しない領域58は、画素電極55に電圧を選択的
に印加するためのゲー)−”1151、ソース電極53
、TPT素子およびゲー■〜線aLやソース線SLなど
の配線と画素重臣周囲のブランク、ギヤ・ンブといった
間隙5つから成る。したがって、液晶表示パネルの1に
示単位頭域に対する開口率は、1に示単位領域56の全
面積Sと、面積Sのうち表示には直接寄与しない走査型
r G L 、信号重臣SL、TPT素子、およびそれ
らの配置や画素重臣周囲の間隙59などの面積nとの差
5−rlを、1表示車位頃域56の全面[sで除すこと
によって算定される。
口率について説明する。1表示車位領域56は、表示に
直接寄与する領域57と、表示には直接寄与しない領域
58とから成る。領域57は画素電極および電圧の印加
を受けた画素電極によって配向に変化を受ける液晶層と
から成り、入射光は液晶層によって光学的に変調された
後、透明な画素電極55を通して表示される。表示に直
接寄与しない領域58は、画素電極55に電圧を選択的
に印加するためのゲー)−”1151、ソース電極53
、TPT素子およびゲー■〜線aLやソース線SLなど
の配線と画素重臣周囲のブランク、ギヤ・ンブといった
間隙5つから成る。したがって、液晶表示パネルの1に
示単位頭域に対する開口率は、1に示単位領域56の全
面積Sと、面積Sのうち表示には直接寄与しない走査型
r G L 、信号重臣SL、TPT素子、およびそれ
らの配置や画素重臣周囲の間隙59などの面積nとの差
5−rlを、1表示車位頃域56の全面[sで除すこと
によって算定される。
発明が解決しようとする課題
上述のように、表示自体には寄与しない表示(1域周囲
の間隙あるいは金属配線やけ加素子などの不透明部分に
よって、入射光は表示のためのンα品層による光学的変
調が行われずに、あるいは遮断されて開口率が低下する
。したがって開口率とは、液晶表示パネルに入射した光
の中で表示のために制御可能な光の割きであると言い換
えることができる。同じ照明条件でi察しても開口率の
高い液晶表示パネルは相対的に明るく見え、開口率の低
いパネルは相対的に暗く見える。このように従来では、
表示の明るさは開口率に大きく依存しており、画素と画
素との間の不透明部分は黒い縁取りとなって見え画質は
1■いものになっていた。
の間隙あるいは金属配線やけ加素子などの不透明部分に
よって、入射光は表示のためのンα品層による光学的変
調が行われずに、あるいは遮断されて開口率が低下する
。したがって開口率とは、液晶表示パネルに入射した光
の中で表示のために制御可能な光の割きであると言い換
えることができる。同じ照明条件でi察しても開口率の
高い液晶表示パネルは相対的に明るく見え、開口率の低
いパネルは相対的に暗く見える。このように従来では、
表示の明るさは開口率に大きく依存しており、画素と画
素との間の不透明部分は黒い縁取りとなって見え画質は
1■いものになっていた。
本発明の目的は、前述の技術的課題を解決して、高精細
度の液晶表示装置において発生する開口率の低下による
表示の「暗さ」、「■さJを改善して、開口率の変化に
あまり影響されない「明るく」「滑らか」な表示が得ら
れる液晶表示装置を提供するにとである。
度の液晶表示装置において発生する開口率の低下による
表示の「暗さ」、「■さJを改善して、開口率の変化に
あまり影響されない「明るく」「滑らか」な表示が得ら
れる液晶表示装置を提供するにとである。
課題を解決するための手段
本発明は、基本的に相互に対向する一対の透明基板を有
し、表示画素を含む表示単位M1域が行列状に構成され
た液晶表示装置において、少なくとも光源光の入射側の
透明基板にモノリシック状態で前記表示単位領域毎に形
成される光学手段であって、入射光を表示画素内に集光
するそのような光学手段を形成したことを特徴とする液
晶表示装置である。
し、表示画素を含む表示単位M1域が行列状に構成され
た液晶表示装置において、少なくとも光源光の入射側の
透明基板にモノリシック状態で前記表示単位領域毎に形
成される光学手段であって、入射光を表示画素内に集光
するそのような光学手段を形成したことを特徴とする液
晶表示装置である。
イ1= 用
本発明にU(えば、相互に対向する一対の透明基板上に
表示用電極を行方向ま・たは列方向に配列し、その交差
領域である表示画素とその周縁部に付加された配線やf
[加素子から成る複数の表示り1位領域が構成された液
晶表示装置において、少なくとも光源光の入射側の透明
基板、さらには液晶によ・ごて光学的変調を受けた後出
て行く側の透明−!5仮に、モノリシンク状君で前記表
示単位領域毎に光学手段が形成される。これによって入
射光は表示画素内の、表示に有効な領域に表示画素毎に
集光される。また、入射光が変’JfJ ?、&出て行
く透明基板に形成された光学手段によって、表示に有利
な集光がなされ表示が行われる。
表示用電極を行方向ま・たは列方向に配列し、その交差
領域である表示画素とその周縁部に付加された配線やf
[加素子から成る複数の表示り1位領域が構成された液
晶表示装置において、少なくとも光源光の入射側の透明
基板、さらには液晶によ・ごて光学的変調を受けた後出
て行く側の透明−!5仮に、モノリシンク状君で前記表
示単位領域毎に光学手段が形成される。これによって入
射光は表示画素内の、表示に有効な領域に表示画素毎に
集光される。また、入射光が変’JfJ ?、&出て行
く透明基板に形成された光学手段によって、表示に有利
な集光がなされ表示が行われる。
前記光学手段によって入射光は、表示単位領域グ)表示
に有効な領域に表示画素毎に集光されるため、従来のよ
うに表示白木には直接寄与しない表示画素周囲の金属配
線やC1加素子などの不透明部分に入射光が照射される
ことはなく、入射光の損失は抑えられる。また、スイッ
チング素子などに強照度の光が照射されることによるに
示時性劣化も防止される。これによって、b℃来開口率
が小さいために入射光が損失されて)^高表示が略くな
っていたようなことや、スイッチング素子のスイッチン
グの不良はなく、有利に入射光は表示に利用され明るい
画f’?!、が得られる。
に有効な領域に表示画素毎に集光されるため、従来のよ
うに表示白木には直接寄与しない表示画素周囲の金属配
線やC1加素子などの不透明部分に入射光が照射される
ことはなく、入射光の損失は抑えられる。また、スイッ
チング素子などに強照度の光が照射されることによるに
示時性劣化も防止される。これによって、b℃来開口率
が小さいために入射光が損失されて)^高表示が略くな
っていたようなことや、スイッチング素子のスイッチン
グの不良はなく、有利に入射光は表示に利用され明るい
画f’?!、が得られる。
さらに従東ては、画素と画素との間には不透明部分があ
るために、表示状態にI〕いてそれが黒い縁取りとなり
、画τ丁をI■くする原因となっていたか、液晶によっ
て入射光が変調された紙出て行く透明基板に形成された
光学手段によって、黒いfish取りは収り除かれもし
くは非常に少領域となり、画像は滑らかなものとされる
。
るために、表示状態にI〕いてそれが黒い縁取りとなり
、画τ丁をI■くする原因となっていたか、液晶によっ
て入射光が変調された紙出て行く透明基板に形成された
光学手段によって、黒いfish取りは収り除かれもし
くは非常に少領域となり、画像は滑らかなものとされる
。
実施例
第1図は本発明の液晶1乏示装置の一実施例の一部分の
断面図てあり、第212Iはさらにその1表示単位領域
を取出して見た断面図である。画素を制(卸する方式は
単純マトリックス方式である。液晶表示パネル1は、一
対の透明基板2.:t、2bのそれぞれの対向する一方
の表面に帯状の透明電極3=t、3bがパターン形成さ
れ、この透明電極3a3bおよびその間隙の透明基板2
a、2bの表面にはさらに配向膜4a、4L+が形成さ
れている。
断面図てあり、第212Iはさらにその1表示単位領域
を取出して見た断面図である。画素を制(卸する方式は
単純マトリックス方式である。液晶表示パネル1は、一
対の透明基板2.:t、2bのそれぞれの対向する一方
の表面に帯状の透明電極3=t、3bがパターン形成さ
れ、この透明電極3a3bおよびその間隙の透明基板2
a、2bの表面にはさらに配向膜4a、4L+が形成さ
れている。
このように透明電極3 ;t 、 3 bおよび配向M
4 a 。
4 a 。
4bが形成された透明基板2a、2L+は、帯状の透明
電極3a、3bが相互に透明基板2a、2b間で直交し
て対向するように、予め定められた距離だけ隔てて配設
され、透明基板2a、2bを互いに固定するためのシー
ル材(第1図および第2図には示さず)を用いて透明基
板2a、2bの間隙に液晶5が封入されて構成されてい
る。液晶の動作モードがTNモードである場6には、さ
らに透明基板2a、2Llの液晶5が封入されている面
とは反対の面に偏光板とそれぞれ設ける必要がある。本
発明の液晶パネルの特徴的な構成要素であるマイクロレ
ンズアレイは、透明基板2a、2bの、封入された液晶
5に臨む面とは反対の面に、表示画素の電極パターンに
対応する位置に予めレンズ形成層6a、6bとしてそれ
ぞれ形成される。
電極3a、3bが相互に透明基板2a、2b間で直交し
て対向するように、予め定められた距離だけ隔てて配設
され、透明基板2a、2bを互いに固定するためのシー
ル材(第1図および第2図には示さず)を用いて透明基
板2a、2bの間隙に液晶5が封入されて構成されてい
る。液晶の動作モードがTNモードである場6には、さ
らに透明基板2a、2Llの液晶5が封入されている面
とは反対の面に偏光板とそれぞれ設ける必要がある。本
発明の液晶パネルの特徴的な構成要素であるマイクロレ
ンズアレイは、透明基板2a、2bの、封入された液晶
5に臨む面とは反対の面に、表示画素の電極パターンに
対応する位置に予めレンズ形成層6a、6bとしてそれ
ぞれ形成される。
このパターン形成は、一般のホトリングラフィやリフト
・オフ、メタルマスク、イオン注入等の技術によって行
われる。第2図では、レンズ形成NJ6t−L 、 6
1+のうちのそれぞれ1つのマイクロレンズアレイ7a
、71:+が透明基板2a、2bに、それぞれ対向して
形成されているのが示されている。
・オフ、メタルマスク、イオン注入等の技術によって行
われる。第2図では、レンズ形成NJ6t−L 、 6
1+のうちのそれぞれ1つのマイクロレンズアレイ7a
、71:+が透明基板2a、2bに、それぞれ対向して
形成されているのが示されている。
透明基板2a、2bの厚さdl、d2は、マイクロレン
ズアレイ7ε’ + 7 bの屈折率および液晶表示バ
ネ・ル1の表示の視覚依存性や用途を考にXして相互に
適宜法められる。透明型tI3a、3bに結線された操
作ライン18を介して、駆動回li′89によってj5
明電臣3a、3L+間に選択的に電圧が印加される。
ズアレイ7ε’ + 7 bの屈折率および液晶表示バ
ネ・ル1の表示の視覚依存性や用途を考にXして相互に
適宜法められる。透明型tI3a、3bに結線された操
作ライン18を介して、駆動回li′89によってj5
明電臣3a、3L+間に選択的に電圧が印加される。
第2図を参照して、jII晶バ木ル1とは別に設けられ
た照明装置からの光源光、あるいは液晶表示装置周囲か
ら導入された光が、矢nPで示されるように、下部透明
基板2aに入射する。透明基板2 =tに形成された第
1のレンズアレイ7aによって入射光は集光され、予め
配置された表示画素のほぼ中央(すなわち透明′:r:
、FM3a、3b間に封入されている液晶5の中央近値
)で焦点を結ぶ。焦点を結んだ光は、拡散しながら透明
基板2bを通過するが、透明基板2bに形成された第2
のレンズアレイ7bによって再び集光され、矢符Rで示
されるように出ていき、液晶表示パネル1の表示が行わ
れる。液晶パオ・ル1は駆動回路9によってその透明電
極3εt、3bに選択的に電圧が印加される。これによ
って液晶表示パネル1に入射する光は表示内容に対応し
て前記液晶表示バネ・ル1をjπ択的に通過することに
なる。すなわち、たとえば透明電極3a、3bの組きせ
によって規定される複数の表示画素のうち電圧が印加さ
れた表示画素は透光性となり、電圧が印加されない画素
が遮光性となることによって、液晶表示パネル1がライ
トバルブとしての役割を果たすことができる。
た照明装置からの光源光、あるいは液晶表示装置周囲か
ら導入された光が、矢nPで示されるように、下部透明
基板2aに入射する。透明基板2 =tに形成された第
1のレンズアレイ7aによって入射光は集光され、予め
配置された表示画素のほぼ中央(すなわち透明′:r:
、FM3a、3b間に封入されている液晶5の中央近値
)で焦点を結ぶ。焦点を結んだ光は、拡散しながら透明
基板2bを通過するが、透明基板2bに形成された第2
のレンズアレイ7bによって再び集光され、矢符Rで示
されるように出ていき、液晶表示パネル1の表示が行わ
れる。液晶パオ・ル1は駆動回路9によってその透明電
極3εt、3bに選択的に電圧が印加される。これによ
って液晶表示パネル1に入射する光は表示内容に対応し
て前記液晶表示バネ・ル1をjπ択的に通過することに
なる。すなわち、たとえば透明電極3a、3bの組きせ
によって規定される複数の表示画素のうち電圧が印加さ
れた表示画素は透光性となり、電圧が印加されない画素
が遮光性となることによって、液晶表示パネル1がライ
トバルブとしての役割を果たすことができる。
そのようにして、レンズアレイ7 =tを介した光源光
は集光され、表示画素のうちでも電極3a、3bの配置
の間隙などの表示に寄与しない液晶部分や金属配線を通
過せず、表示にあずかる表示画素のみを介して光学的変
調を受ける。これによって液晶表示パネル1への入射光
は有効に表示に用いられる。
は集光され、表示画素のうちでも電極3a、3bの配置
の間隙などの表示に寄与しない液晶部分や金属配線を通
過せず、表示にあずかる表示画素のみを介して光学的変
調を受ける。これによって液晶表示パネル1への入射光
は有効に表示に用いられる。
液晶表示バ木ル1において、液晶材111としては表示
方式に応じて、ネマティック液晶、フレステリック液晶
、スメクテイツク液晶およびそれらの混合液晶が用いら
れる。透明基板2a、2bとしてはガラスや5iOz(
石英)などの材料が用いられる。透明電極3a、3bと
しては、酸化インジウム、酸(ヒ!Sから成る易添加酸
化インジウト<Indium Tin 0xide、以
下、IT○と略記する)Vや木す膜などの透明導電性膜
が用いられ、透明基板2a、2bに吹きけけ、蒸着ある
いはスバ・ンタリングなどの方法で形成される。配向膜
4ε【、4bとしては5iOz 、SiOなどの無機質
膜、またはポリイミド、ポリビニルアルコール、尿素樹
脂膜、ナイロン、アクリルなどの有機質膜が用0られ、
透明電極3a、3b上に形成された後ラビング処理、斜
方スパッタ処理等が行われる。また、マイクロレンズア
レイ7a、71:+は、ガラスや5ic)z(石英)な
どの透明基板2a、21)の表面からTl (タリウ
ム)等の重元素を熱拡散や電界印加拡散などの方法によ
って拡散させたり、またイオン交換法により、透明基板
2a、21:+の屈折率とは異なる屈折率分布を透明基
板2a、2tJ中に直接形成させて用いられる。なお、
マイクロレンズの作成法は、こグ)方法に限られるもの
ではなく、感光性ガラス法やプラズマCVD法等の分布
屈折率レンズやマイクロフレ木ルレンズ(図示せず)で
もよい。
方式に応じて、ネマティック液晶、フレステリック液晶
、スメクテイツク液晶およびそれらの混合液晶が用いら
れる。透明基板2a、2bとしてはガラスや5iOz(
石英)などの材料が用いられる。透明電極3a、3bと
しては、酸化インジウム、酸(ヒ!Sから成る易添加酸
化インジウト<Indium Tin 0xide、以
下、IT○と略記する)Vや木す膜などの透明導電性膜
が用いられ、透明基板2a、2bに吹きけけ、蒸着ある
いはスバ・ンタリングなどの方法で形成される。配向膜
4ε【、4bとしては5iOz 、SiOなどの無機質
膜、またはポリイミド、ポリビニルアルコール、尿素樹
脂膜、ナイロン、アクリルなどの有機質膜が用0られ、
透明電極3a、3b上に形成された後ラビング処理、斜
方スパッタ処理等が行われる。また、マイクロレンズア
レイ7a、71:+は、ガラスや5ic)z(石英)な
どの透明基板2a、21)の表面からTl (タリウ
ム)等の重元素を熱拡散や電界印加拡散などの方法によ
って拡散させたり、またイオン交換法により、透明基板
2a、21:+の屈折率とは異なる屈折率分布を透明基
板2a、2tJ中に直接形成させて用いられる。なお、
マイクロレンズの作成法は、こグ)方法に限られるもの
ではなく、感光性ガラス法やプラズマCVD法等の分布
屈折率レンズやマイクロフレ木ルレンズ(図示せず)で
もよい。
第3[21は、本発明のiα品表示装置に用いられろレ
ンズアレイの基本原理を示した図である。第3図(1)
および第31Elil(2)は一対の凸レンズ30a
30bに対して、平行な光線Aが垂直に入射する場6
と、平行な光線Bが斜めに入射する場合とをそれぞれ示
している。第3図(1)において、第2レンズ30εt
および第2レンズ30bは共に凸レンズであり、各一対
の焦点F、、F’、とF 2 F ’ 2のうち第ル
ンズ30aと第2レンズ30bの向き会う側の焦点F’
l、F2が同一点となるようにレンズ30εL、30b
の焦点距fiL1゜L2のき針圧i!!L1+L2だけ
開閉をおいて配置されている。ここで、焦点距離LL、
L2は、第211Jで示される第2レンズアレイ7bと
液晶5の中央との距離し1および液晶5の中央と第2レ
ンズアレイ7bとの距1L2にそれぞれ対応する。
ンズアレイの基本原理を示した図である。第3図(1)
および第31Elil(2)は一対の凸レンズ30a
30bに対して、平行な光線Aが垂直に入射する場6
と、平行な光線Bが斜めに入射する場合とをそれぞれ示
している。第3図(1)において、第2レンズ30εt
および第2レンズ30bは共に凸レンズであり、各一対
の焦点F、、F’、とF 2 F ’ 2のうち第ル
ンズ30aと第2レンズ30bの向き会う側の焦点F’
l、F2が同一点となるようにレンズ30εL、30b
の焦点距fiL1゜L2のき針圧i!!L1+L2だけ
開閉をおいて配置されている。ここで、焦点距離LL、
L2は、第211Jで示される第2レンズアレイ7bと
液晶5の中央との距離し1および液晶5の中央と第2レ
ンズアレイ7bとの距1L2にそれぞれ対応する。
これによって左手から第ルンズ30aに垂直に入射した
平行光線Aは集光され点F ’ + = F 2で焦点
を結ぶ。焦点を結んだ後拡散した光は第2レンズ30b
に入射する。予め焦点F2が焦点F、に一致して配置さ
れているので、第2レンズ30bに入射した光は第2レ
ンズによって平行光線Δ゛として収束される。第3図(
2)における第1および第2レンズ30a、30bの配
置は、第3[2I(1)と同様である。第3図(2)に
おいて、平行光線Bは、光路に矢符が付されているよう
に、左手から第ルンズ30aに傾斜して入射する点が上
述の第3121(1)の場合とは異なる。第ルンズおよ
び第2レンズを通過した光は再び平行光11AB’ と
され、入射方向と対称な方向に出ていく。
平行光線Aは集光され点F ’ + = F 2で焦点
を結ぶ。焦点を結んだ後拡散した光は第2レンズ30b
に入射する。予め焦点F2が焦点F、に一致して配置さ
れているので、第2レンズ30bに入射した光は第2レ
ンズによって平行光線Δ゛として収束される。第3図(
2)における第1および第2レンズ30a、30bの配
置は、第3[2I(1)と同様である。第3図(2)に
おいて、平行光線Bは、光路に矢符が付されているよう
に、左手から第ルンズ30aに傾斜して入射する点が上
述の第3121(1)の場合とは異なる。第ルンズおよ
び第2レンズを通過した光は再び平行光11AB’ と
され、入射方向と対称な方向に出ていく。
第3[J(1)のt%きとは異なって、入射平行光が第
ルンズ30aに斜めに入射するため、第ルンズ30aに
よって集光された光は黒子面上で光軸■]から離れた点
Gに焦点を結ぶ。
ルンズ30aに斜めに入射するため、第ルンズ30aに
よって集光された光は黒子面上で光軸■]から離れた点
Gに焦点を結ぶ。
第2レンズ30 bは、第2レンズ30 ZLによって
集光された光を、カメラのファインダ表示やテレビジョ
ンの投影型表示などのそれぞれの用途に応じた表示を行
うために設けられるものである。
集光された光を、カメラのファインダ表示やテレビジョ
ンの投影型表示などのそれぞれの用途に応じた表示を行
うために設けられるものである。
したがってその用途に応じて、明視の距離(たとえば2
5 c m )ないし無限遠に1象を結ばせる。用途に
よっては第2レンズ30 bを特に配置しなくてもよい
。
5 c m )ないし無限遠に1象を結ばせる。用途に
よっては第2レンズ30 bを特に配置しなくてもよい
。
このように凸レンズは入射する光を絞って集束させる効
果があるのて、第3[21に示した一対の凸レンズ30
aと30bの間の焦点F’、−F、近傍に液晶表示バ木
ルを挿入し、表示相位領域のうちの表示画素の表示に寄
与する部分に第ルンズ30aによって集束させた入射光
が照射するようにする。これによって表示画素のうちで
も表示にあずからない部分や金属配線などの不透明部分
に入射光が照射されることはないので光のす0失はなく
、入射光は有効に表示に利用される。
果があるのて、第3[21に示した一対の凸レンズ30
aと30bの間の焦点F’、−F、近傍に液晶表示バ木
ルを挿入し、表示相位領域のうちの表示画素の表示に寄
与する部分に第ルンズ30aによって集束させた入射光
が照射するようにする。これによって表示画素のうちで
も表示にあずからない部分や金属配線などの不透明部分
に入射光が照射されることはないので光のす0失はなく
、入射光は有効に表示に利用される。
また、第31121(1)および第3図(2)の場6よ
りも第ルンズ30 aと第2レンズ30t、+との間隔
を拡げた配置とし、第ルンズ30 aの焦点F′1近伊
に液晶パネルを配置する。第ルンズ30aの黒子面上に
集束した光は液晶を照射、透過し、第2レンズ30bを
通過した陵その共役面上に収束して光源の像を結ぶ。よ
って、その位置から第2レンズ30bを明視した状態で
液晶パネルを駆動すると液晶パネルが最も明るく表示さ
れる。
りも第ルンズ30 aと第2レンズ30t、+との間隔
を拡げた配置とし、第ルンズ30 aの焦点F′1近伊
に液晶パネルを配置する。第ルンズ30aの黒子面上に
集束した光は液晶を照射、透過し、第2レンズ30bを
通過した陵その共役面上に収束して光源の像を結ぶ。よ
って、その位置から第2レンズ30bを明視した状態で
液晶パネルを駆動すると液晶パネルが最も明るく表示さ
れる。
ゆえに、予め本発明の液晶表示装置の応用される分野に
応じて、液晶表示装置と利用者の目の間の距屑を想定し
、その距離に光源の像が結ばれるようにすると液晶表示
バネ・ルが最も明るく見えることになる。
応じて、液晶表示装置と利用者の目の間の距屑を想定し
、その距離に光源の像が結ばれるようにすると液晶表示
バネ・ルが最も明るく見えることになる。
さらに、第31:3(1)および第3[](2>では第
ルンズ30aに入射光が垂直に入射するか斜めに入射す
るかによって、第ルンズ30aによって集光される焦点
の位置が点F’、=F2から点Gへとわずかであるが、
黒子面上で光軸Hに対して垂直な方向に変動する。した
がって、液晶表示パオ・ルの用途に応じて、液晶表示の
視角依存性や上記の焦点の変動範囲が表示画素内に収ま
るようにレンズアレイの焦点距離LL、L2および透明
基板の厚みと算定し、本発明の液晶表示パオ・ルを作製
する。
ルンズ30aに入射光が垂直に入射するか斜めに入射す
るかによって、第ルンズ30aによって集光される焦点
の位置が点F’、=F2から点Gへとわずかであるが、
黒子面上で光軸Hに対して垂直な方向に変動する。した
がって、液晶表示パオ・ルの用途に応じて、液晶表示の
視角依存性や上記の焦点の変動範囲が表示画素内に収ま
るようにレンズアレイの焦点距離LL、L2および透明
基板の厚みと算定し、本発明の液晶表示パオ・ルを作製
する。
第4(2Iは、本発明の池の実施例としてTPT素子を
スイッチング素子として用いた液晶表示パネルのセル基
板の要部構成説明のための断面図である。TPTはガラ
スなどの透明な絶縁性基板41上にゲート電極42、ゲ
ート絶縁膜43、半導体膜44、ソース電極45および
ドレイン電極46が順次パターン化されf?を層されて
構成される。ドレイン電極46には、画素電極47およ
び必要に応じて設けられる蓄積コンデンサ(図示せず)
が接続される。透明基板41のTPT素子および画素電
極47が設けられる面とは反対の面には、前記表示画常
電fi47のパターンに対応した位置に、透明基板41
とは屈折率が異なる領域を有するマイクロレンズアレイ
またはマイクロフレネルレンズアレイ48が、第1図お
よび第2図に関して説明した方法によって形成される。
スイッチング素子として用いた液晶表示パネルのセル基
板の要部構成説明のための断面図である。TPTはガラ
スなどの透明な絶縁性基板41上にゲート電極42、ゲ
ート絶縁膜43、半導体膜44、ソース電極45および
ドレイン電極46が順次パターン化されf?を層されて
構成される。ドレイン電極46には、画素電極47およ
び必要に応じて設けられる蓄積コンデンサ(図示せず)
が接続される。透明基板41のTPT素子および画素電
極47が設けられる面とは反対の面には、前記表示画常
電fi47のパターンに対応した位置に、透明基板41
とは屈折率が異なる領域を有するマイクロレンズアレイ
またはマイクロフレネルレンズアレイ48が、第1図お
よび第2図に関して説明した方法によって形成される。
薄膜形成法としては真空蒸着法、スパッタリング法、C
VD法、アラダマCVD法、減圧CVD法などが用いら
れ、シャドウマスクやフォトリングラフィ法の技術によ
ってパターン化される。このTPTが形成された基板で
液晶を封入するセルを構成するとともに、液晶を駆動す
るためにさらに表示画素電極47の周辺部を遮光してT
PT素子の表示特性劣化を防止する遮光膜、および液晶
分子の軸の配向を整える配向膜が設けられる。次に、ガ
ラスなどの透明基板に走査電極としてITOがら成る透
明導電膜を真空蒸着法、イオンブレーティングやスパッ
タリングなどの方法によって設け、その上に液晶を配向
させるための配向膜を積層する。透明基板の透明導電膜
、配向膜が設けられる面とは反対の面には、透明基板と
は屈折率の異なる領域を有するマイクロレンズアレイや
マイクロフレネルレンズアレイが形成される。なお、こ
のレンズアレイは)α晶表示バネ・ルの用途によっては
設けなくてもよい。これら2枚の基板をスペーサを介し
て貼り会わせ、両基板の間隙に液晶を注入した後注入口
を封止することによって液晶表示パネルが1ヤ製される
。なお、液晶の動ずヤモードがT、Nモードの場合には
)α晶表示パネルの両面にさらに偏光板を設ける。
VD法、アラダマCVD法、減圧CVD法などが用いら
れ、シャドウマスクやフォトリングラフィ法の技術によ
ってパターン化される。このTPTが形成された基板で
液晶を封入するセルを構成するとともに、液晶を駆動す
るためにさらに表示画素電極47の周辺部を遮光してT
PT素子の表示特性劣化を防止する遮光膜、および液晶
分子の軸の配向を整える配向膜が設けられる。次に、ガ
ラスなどの透明基板に走査電極としてITOがら成る透
明導電膜を真空蒸着法、イオンブレーティングやスパッ
タリングなどの方法によって設け、その上に液晶を配向
させるための配向膜を積層する。透明基板の透明導電膜
、配向膜が設けられる面とは反対の面には、透明基板と
は屈折率の異なる領域を有するマイクロレンズアレイや
マイクロフレネルレンズアレイが形成される。なお、こ
のレンズアレイは)α晶表示バネ・ルの用途によっては
設けなくてもよい。これら2枚の基板をスペーサを介し
て貼り会わせ、両基板の間隙に液晶を注入した後注入口
を封止することによって液晶表示パネルが1ヤ製される
。なお、液晶の動ずヤモードがT、Nモードの場合には
)α晶表示パネルの両面にさらに偏光板を設ける。
半導体v、44としてrl−型半導体を用いた場き、ゲ
ートTi[42に正の電圧を印加すると半導体膜44の
ゲート絶縁膜43側の界面に電子の蓄積層が形成され、
ソース電極45とドレイン電極46との間の抵抗が変調
される。ターl−電極42にはゲート線(図示せず)を
介して周期的に走査パルスが印加されTPTは導通くオ
ン)状態にされる。
ートTi[42に正の電圧を印加すると半導体膜44の
ゲート絶縁膜43側の界面に電子の蓄積層が形成され、
ソース電極45とドレイン電極46との間の抵抗が変調
される。ターl−電極42にはゲート線(図示せず)を
介して周期的に走査パルスが印加されTPTは導通くオ
ン)状態にされる。
さらにこれに同期してソース′:ri極45にはソース
線SL(図示せず)を介して画(負信号が印加されTP
Tを通じて画素電極47および必要に応じて画素電極4
7とは電気的に平列に設けられる蓄積コンデンサに印加
され液晶を駆動する。蓄積コンデンサは、TPTが遮[
!7r(オフ)状態の、画素電極117が選択されない
非選択期間中にも液晶に印加すべき電圧を保持するため
のものである。液晶の時定数が走査周期に比べて充分大
きければ蓄積コンデンサは特に設けなくてもよい。
線SL(図示せず)を介して画(負信号が印加されTP
Tを通じて画素電極47および必要に応じて画素電極4
7とは電気的に平列に設けられる蓄積コンデンサに印加
され液晶を駆動する。蓄積コンデンサは、TPTが遮[
!7r(オフ)状態の、画素電極117が選択されない
非選択期間中にも液晶に印加すべき電圧を保持するため
のものである。液晶の時定数が走査周期に比べて充分大
きければ蓄積コンデンサは特に設けなくてもよい。
以上のように液晶表示パネルを格成す・ることによって
、第412Iの透明基板41の画禦電臣47とは反対の
面に入射した光(矢符Qて示す)はマイクロレンズアレ
イ48によって画素電極47(より正確には画素TL極
47と対向する走査電極に挟まれた液晶層)の中心近傍
に焦点を結ぶ。これによって、入射光は透明基板41に
形成された画素にのみ照射が行われて、液晶に示に寄与
しないTPT素子や配線5あるいはそれらの間隙などに
入射することはない。とくにTPT素子などに強照度の
光が長時間照射されることによるスイッチ17性劣1ヒ
なども防止する光シールド’−OF設しても表示に影響
はない。これによって、入射光は有効に表示画素を照射
して、従来よりも明るい液晶表示が可能となる。また、
透明基板41に対向して設けられる透明基板の液晶に臨
む面とは反対の面にもレンズアレイを設けることによっ
て、レンズアレイ48によって集光され焦点を結んだ漫
拡散しようとする入射光を再び集光することがてき、本
発明の液晶表示装置の応用される分野に適した7乏示3
行うことができる。
、第412Iの透明基板41の画禦電臣47とは反対の
面に入射した光(矢符Qて示す)はマイクロレンズアレ
イ48によって画素電極47(より正確には画素TL極
47と対向する走査電極に挟まれた液晶層)の中心近傍
に焦点を結ぶ。これによって、入射光は透明基板41に
形成された画素にのみ照射が行われて、液晶に示に寄与
しないTPT素子や配線5あるいはそれらの間隙などに
入射することはない。とくにTPT素子などに強照度の
光が長時間照射されることによるスイッチ17性劣1ヒ
なども防止する光シールド’−OF設しても表示に影響
はない。これによって、入射光は有効に表示画素を照射
して、従来よりも明るい液晶表示が可能となる。また、
透明基板41に対向して設けられる透明基板の液晶に臨
む面とは反対の面にもレンズアレイを設けることによっ
て、レンズアレイ48によって集光され焦点を結んだ漫
拡散しようとする入射光を再び集光することがてき、本
発明の液晶表示装置の応用される分野に適した7乏示3
行うことができる。
本発明は、液晶の電気光学的性質や表示電極の動作方式
を変更したものではなく、液晶を封止する透明基板に光
学手段を表示画素毎に形成することによって、表示画素
の中でも表示を制(卸できる部分を中心に入射光が入射
するようにして、入射光の損失を少なくして表示明度を
向上させなムのである。したがって本発明は、TNモー
ド、STNモード、G 1+モード、DSM、用仔転モ
ードなどいずれの動作モードに対してら適用可能である
が、特にTNモード、STNモードおよびGllモード
が好ましい結果を与える。
を変更したものではなく、液晶を封止する透明基板に光
学手段を表示画素毎に形成することによって、表示画素
の中でも表示を制(卸できる部分を中心に入射光が入射
するようにして、入射光の損失を少なくして表示明度を
向上させなムのである。したがって本発明は、TNモー
ド、STNモード、G 1+モード、DSM、用仔転モ
ードなどいずれの動作モードに対してら適用可能である
が、特にTNモード、STNモードおよびGllモード
が好ましい結果を与える。
また本発明は、モノクローム2色をはしめカラー表示可
能な3色、4色以上の多色液晶)乏示にも適用でき、応
用形磨はグラフィック表示やキャラクタ表示等にも適用
可能である。さらに、多数の液晶表示モジュールを並列
配置し、大画面の表示を得る液晶表示装置にも適用可能
である。
能な3色、4色以上の多色液晶)乏示にも適用でき、応
用形磨はグラフィック表示やキャラクタ表示等にも適用
可能である。さらに、多数の液晶表示モジュールを並列
配置し、大画面の表示を得る液晶表示装置にも適用可能
である。
発明の効果
本発明によれば、カメラのファインダ表示やテレビジョ
ンなどの投影型表示に用いられる高精細度な液晶表示装
置において、開口率が小さくともその影響を殆ど受けな
い明るい表示が得られる。
ンなどの投影型表示に用いられる高精細度な液晶表示装
置において、開口率が小さくともその影響を殆ど受けな
い明るい表示が得られる。
また、従来表示画素間に存在していた黒い縁取りは表示
されず滑らかな画像が得られる。さらに、レンズアしイ
などの手段を液晶表示装置とは別に外設する必要がなく
、マイクロレンズアレイのパターン形成をホトリソグラ
フィ等、液晶表示バネ・ルL7):r:、lf!等のパ
ターニング技術を用いて(することがてきるため、レン
ズアレイと表示電極との位置なぜが精度良く行えしかも
全体の構成要素が減少し、省スペース、低コストの液晶
表示装置が得られる。
されず滑らかな画像が得られる。さらに、レンズアしイ
などの手段を液晶表示装置とは別に外設する必要がなく
、マイクロレンズアレイのパターン形成をホトリソグラ
フィ等、液晶表示バネ・ルL7):r:、lf!等のパ
ターニング技術を用いて(することがてきるため、レン
ズアレイと表示電極との位置なぜが精度良く行えしかも
全体の構成要素が減少し、省スペース、低コストの液晶
表示装置が得られる。
第1図は本発明の液晶表示装置の一実施例の一部分の断
面図、第2図は第1目の液晶表示パネル1の1表示単位
領域を取出して見た断面図、第3図は本発明の液晶表示
装置に用いられろレンズアレイの基本原理を示した図、
第4図は本発明の液晶表示装置の池の実施例の一部分の
断面図、第5図は液晶表示パネルの1表示単位領域を示
す図である。 1・・・液晶表示バ本ル、2a、21J、41・・・透
明基板、3εt、3b、47.55・・・透明重陽およ
び画素電極、6 a 、 6 b 、 7 a 、 7
b 、 48−レンズ形成層およびマイクロレンズア
レイ 代理人 弁理士 西教 圭一部 第 図
面図、第2図は第1目の液晶表示パネル1の1表示単位
領域を取出して見た断面図、第3図は本発明の液晶表示
装置に用いられろレンズアレイの基本原理を示した図、
第4図は本発明の液晶表示装置の池の実施例の一部分の
断面図、第5図は液晶表示パネルの1表示単位領域を示
す図である。 1・・・液晶表示バ本ル、2a、21J、41・・・透
明基板、3εt、3b、47.55・・・透明重陽およ
び画素電極、6 a 、 6 b 、 7 a 、 7
b 、 48−レンズ形成層およびマイクロレンズア
レイ 代理人 弁理士 西教 圭一部 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 相互に対向する一対の透明基板を有し、表示画素を含む
表示単位領域が行列状に構成された液晶表示装置におい
て、 少なくとも光源光の入射側の透明基板に前記表示単位領
域毎に形成される光学手段であって、入射光を表示画素
内に集光するそのような光学手段を形成したことを特徴
とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142696A JPH0769532B2 (ja) | 1988-06-11 | 1988-06-11 | 投影型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142696A JPH0769532B2 (ja) | 1988-06-11 | 1988-06-11 | 投影型表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021816A true JPH021816A (ja) | 1990-01-08 |
| JPH0769532B2 JPH0769532B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15321417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63142696A Expired - Lifetime JPH0769532B2 (ja) | 1988-06-11 | 1988-06-11 | 投影型表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769532B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4944207A (en) * | 1988-10-18 | 1990-07-31 | Emhart Industries, Inc. | Single shear blade mechanism for gob severing |
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| WO2002091071A1 (fr) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Nec Corporation | Element d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication |
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| CN102180021A (zh) * | 2011-03-03 | 2011-09-14 | 珠海天威技术开发有限公司 | 耗材容器芯片、芯片数据记录方法及防止该芯片容量数据突变的方法 |
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-
1988
- 1988-06-11 JP JP63142696A patent/JPH0769532B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US8651911B2 (en) | 2001-03-19 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0769532B2 (ja) | 1995-07-31 |
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