JPH02165406A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH02165406A JPH02165406A JP32028888A JP32028888A JPH02165406A JP H02165406 A JPH02165406 A JP H02165406A JP 32028888 A JP32028888 A JP 32028888A JP 32028888 A JP32028888 A JP 32028888A JP H02165406 A JPH02165406 A JP H02165406A
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- Japan
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- thin film
- magnetic
- magnetic head
- insulating material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は薄膜磁気ヘッドに関する。
（従来の技術）
近年、磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッドの高密
度化、小型化（マルチトラック化）、量産性の要求が高
まっている。これにより、薄膜技術により形成した薄膜
磁気ヘッドが用いられている。
度化、小型化（マルチトラック化）、量産性の要求が高
まっている。これにより、薄膜技術により形成した薄膜
磁気ヘッドが用いられている。
このような薄膜磁気ヘッドとして次のようなものがある
。
。
第３図は従来の磁気ヘッドを示す側面断面図である。
同図において、１はＡｆｉ ２ ０３ Ｔｉｃなどによ
り形成された基板を示している。この基板ｌ上には、メ
ツキ法によるパーマロイなどの磁性体により下側磁気コ
アとなる第１の磁性体層２が形成されている。第１の磁
性体層２上には、ギャップ部を形成するための５ｔｏ２
等による絶縁中間層３が形成されている。絶縁中間１層
３上には、メツキによるＣｕなどからなるコイル４が介
在された硬化レジスト等による絶縁層５が形成されてい
る。絶縁層５上には、第１の磁性体層２および絶縁中間
層３に接触させて上側磁気コアとなる第２の磁性体層６
がメツキ法により形成されている。第２の磁性体層６上
を含む基板１上には、Ａ℃２０３等による保護層７が形
成されている。
り形成された基板を示している。この基板ｌ上には、メ
ツキ法によるパーマロイなどの磁性体により下側磁気コ
アとなる第１の磁性体層２が形成されている。第１の磁
性体層２上には、ギャップ部を形成するための５ｔｏ２
等による絶縁中間層３が形成されている。絶縁中間１層
３上には、メツキによるＣｕなどからなるコイル４が介
在された硬化レジスト等による絶縁層５が形成されてい
る。絶縁層５上には、第１の磁性体層２および絶縁中間
層３に接触させて上側磁気コアとなる第２の磁性体層６
がメツキ法により形成されている。第２の磁性体層６上
を含む基板１上には、Ａ℃２０３等による保護層７が形
成されている。
このような録音・再生兼用の薄膜磁気ヘッドにおいては
、再生出力を大きくするために、コイルの巻数を多くす
ることが行われている。このようにコイルの巻数を多（
した場合、通常、コイルにおける抵抗が大きくなりイン
ピーダンスノイズが増えるので、コイルのアスペクト比
を大きくして、コイルの低抵抗化が図られる。
、再生出力を大きくするために、コイルの巻数を多くす
ることが行われている。このようにコイルの巻数を多（
した場合、通常、コイルにおける抵抗が大きくなりイン
ピーダンスノイズが増えるので、コイルのアスペクト比
を大きくして、コイルの低抵抗化が図られる。
上述のアスペクト比の大きいコイルの形成法としては、
選択メツキ法が優れており、薄膜磁気ヘッドプロセスで
広く用いられている。
選択メツキ法が優れており、薄膜磁気ヘッドプロセスで
広く用いられている。
しかしながら、選択メツキ法で形成されたコイルは、第
３図に示したように、コイル４の形状が逆テーパー状と
なり、コイル４を絶縁するための絶縁層として５ｉ０２
等のスパッタ薄膜を使用すれば、例えバイアススパッタ
法を用いて絶縁層の段差被覆性を改善しても、第４図に
示すように、絶縁層４のコイル４の側壁部分に、空孔８
が形成され、絶縁層としての機能を果たさないという課
題がある。
３図に示したように、コイル４の形状が逆テーパー状と
なり、コイル４を絶縁するための絶縁層として５ｉ０２
等のスパッタ薄膜を使用すれば、例えバイアススパッタ
法を用いて絶縁層の段差被覆性を改善しても、第４図に
示すように、絶縁層４のコイル４の側壁部分に、空孔８
が形成され、絶縁層としての機能を果たさないという課
題がある。
そこで、薄膜磁気ヘッドの絶縁層に、−段差被覆性の良
好なレジスト等の塗布型の有機絶縁材料を用いることが
考えられる。
好なレジスト等の塗布型の有機絶縁材料を用いることが
考えられる。
しかしながら、上述した従来の薄膜磁気ヘッドは、絶縁
層に有機絶縁材料である硬化レジストを使用しているが
、信頼性に乏しく、また、レジストは２３０℃付近に軟
化点を有するため、スパッタやアニール等の高温（２０
０℃〜４５０℃）プロセスを行うことができない。
層に有機絶縁材料である硬化レジストを使用しているが
、信頼性に乏しく、また、レジストは２３０℃付近に軟
化点を有するため、スパッタやアニール等の高温（２０
０℃〜４５０℃）プロセスを行うことができない。
したがって、記録媒体の高密度化に必要な高飽和磁束密
度を有するアモルファス磁性薄膜等は、スパッタ法で形
成され、更に、回転磁場中でアニールして初めて優れた
軟磁気特性を示すが用いることが困難である。
度を有するアモルファス磁性薄膜等は、スパッタ法で形
成され、更に、回転磁場中でアニールして初めて優れた
軟磁気特性を示すが用いることが困難である。
このように、従来の薄膜磁気ヘッドでは、高飽和磁束密
度を有するスパッタ磁性薄膜を使用することができず、
このため、低温プロセスであるメツキ法によるパーマロ
イ磁性薄膜を用い、また、アニール処理を行うことがで
きないため、その特性向上に限界がある。
度を有するスパッタ磁性薄膜を使用することができず、
このため、低温プロセスであるメツキ法によるパーマロ
イ磁性薄膜を用い、また、アニール処理を行うことがで
きないため、その特性向上に限界がある。
（発明が解決しようとする課題）
上述したように、従来の薄膜磁気ヘッドは、絶縁層とし
てレジスト等の塗布型の有機材料を用いざるを得ないの
で、信頼性が乏しいばかりか、磁気特性の良好なスパッ
タ磁性薄膜を用いることができないため、高記録密度に
対応することが難しいという課題がある。
てレジスト等の塗布型の有機材料を用いざるを得ないの
で、信頼性が乏しいばかりか、磁気特性の良好なスパッ
タ磁性薄膜を用いることができないため、高記録密度に
対応することが難しいという課題がある。
本発明は上述した従来の課題を解決するためのもので、
信頼性の良好な、かつ、高記録密度に対応できる特性の
良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている
。
信頼性の良好な、かつ、高記録密度に対応できる特性の
良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、基板上に形成された下部磁気コアと、この下
部磁気コア上に形成された導電性コイルと、この導電性
コイルの一部を絶縁層を介して被覆し前記下部磁気コア
上に形成された上部磁気コアとを備えた薄膜磁気ヘッド
において、前記絶縁層を、有機絶縁材料と無機絶縁材料
とにより形成したものである。
部磁気コア上に形成された導電性コイルと、この導電性
コイルの一部を絶縁層を介して被覆し前記下部磁気コア
上に形成された上部磁気コアとを備えた薄膜磁気ヘッド
において、前記絶縁層を、有機絶縁材料と無機絶縁材料
とにより形成したものである。
また本発明は、有機絶縁材料は前記導電性コイルの側壁
に接触して形成され、無機絶縁材料は前記導電性コイル
および前記有機絶縁材料を覆って形成することを特徴と
している。
に接触して形成され、無機絶縁材料は前記導電性コイル
および前記有機絶縁材料を覆って形成することを特徴と
している。
さらに、本発明では、無機絶縁材料として、レジスト材
が用いられ、また有機絶縁材料として、５ｉ０２が用い
られる。
が用いられ、また有機絶縁材料として、５ｉ０２が用い
られる。
（作 用）
本発明では、絶縁層を無機絶縁材料と有機絶縁材料とで
形成し、絶縁層のほとんどを信頼性、耐熱性に優れた８
１０２等の無機絶縁材料で形成したので、高信頓性を有
し、かつ磁気特性の良好なスパッタ薄膜を使用すること
により、高記録密度に対応できる特性の良好な薄膜磁気
ヘッドを提供することができる。
形成し、絶縁層のほとんどを信頼性、耐熱性に優れた８
１０２等の無機絶縁材料で形成したので、高信頓性を有
し、かつ磁気特性の良好なスパッタ薄膜を使用すること
により、高記録密度に対応できる特性の良好な薄膜磁気
ヘッドを提供することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す側面
断面図である。
断面図である。
同図において、１１はＡＪ２ ＴｉＣなどの基板を示し
ている。この基板１１上には、下側磁気コアとなる第１
の磁性薄膜１２が形成されている。第１の磁性薄膜１２
上には、ギャップ部を形成するための８１０２等による
絶縁中間層１３が形成されている。絶縁中間層１３上に
は、メツキ法により形成されたＣｕなどからなるコイル
１４が形成されている。コイル１４の側壁の傘部分の逆
テーパ部分には、レジストなどの有機絶縁部１５が形成
されている。また、コイル１４および有機絶縁部１５を
含む絶縁中間層１３上には、スパッタ法により形成され
た５ｉ０２などの無機絶縁薄膜１６が形成されている。
ている。この基板１１上には、下側磁気コアとなる第１
の磁性薄膜１２が形成されている。第１の磁性薄膜１２
上には、ギャップ部を形成するための８１０２等による
絶縁中間層１３が形成されている。絶縁中間層１３上に
は、メツキ法により形成されたＣｕなどからなるコイル
１４が形成されている。コイル１４の側壁の傘部分の逆
テーパ部分には、レジストなどの有機絶縁部１５が形成
されている。また、コイル１４および有機絶縁部１５を
含む絶縁中間層１３上には、スパッタ法により形成され
た５ｉ０２などの無機絶縁薄膜１６が形成されている。
無機絶縁薄膜１６上には、第１の磁性源［１２および絶
縁中間層１３に接触させて上側磁気コアとなる第２の磁
性薄膜１７が形成されている。第２の磁性薄膜１７上を
含む基板１１上′には、保護Ｎ１１８が形成されている
。
縁中間層１３に接触させて上側磁気コアとなる第２の磁
性薄膜１７が形成されている。第２の磁性薄膜１７上を
含む基板１１上′には、保護Ｎ１１８が形成されている
。
次に、上述の薄膜磁気ヘッドにおけるコイル、絶縁部お
よび絶縁薄膜の製造プロセスの一例を第２図（ａ）〜（
ｆ）を用いて説明する。
よび絶縁薄膜の製造プロセスの一例を第２図（ａ）〜（
ｆ）を用いて説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、第１の磁性薄膜１２
上に形成された絶縁中間層１３の上部に、電解メツキ時
の通電体となるＣｕ等によるメツキ下地２１をスパッタ
法等により形成する。次に、第２図（ｂ）に示すように
、メツキ時のフレームとなるレジスト２２をフォトリソ
グラフィー技術を用いて形成し、さらに２００℃くらい
で、次に３０分程ハードベークする。そして第２図（Ｃ
）に示すように、Ｃｕ等の導体を電解メツキ法により電
着することによりコイル２３を形成する。この後、第２
図（ｄ）に示すように、３０分程、酸素イオンビームを
全面に照射すれば、有機絶縁材であるレジスト２２が選
択的にエツチングされる。このとき、コイル２３の側壁
の傘部分の逆テーパ部分には、レジスト２２の一部が残
っており、また、コイル２３の上部が一部酸化され、酸
化層２４が形成される。次に、第２図（ｅ）に示すよう
に、Ａｒイオンビームによりメツキ下地２１およびコイ
ル２３上の酸化層２４をエツチングする。この後、第２
図（ｆ）に示すように、８１０２等の無機絶縁材をバイ
アススパッタ法によりスパッタリングして無機絶縁膜２
５を形成する。そして無機絶縁膜２５の凹部Ｈにレジス
ト（図示省略）をコーティングした後、全面にＡｒイオ
ンビームを、ビーム入射角７５°くらいで照射し、レジ
ストと無機絶縁膜２５の凸部骨Ｍを同レートでエツチン
グして、無機絶縁膜２５の表面形状を平坦に加工するこ
とにより無機絶縁薄膜が形成される。
上に形成された絶縁中間層１３の上部に、電解メツキ時
の通電体となるＣｕ等によるメツキ下地２１をスパッタ
法等により形成する。次に、第２図（ｂ）に示すように
、メツキ時のフレームとなるレジスト２２をフォトリソ
グラフィー技術を用いて形成し、さらに２００℃くらい
で、次に３０分程ハードベークする。そして第２図（Ｃ
）に示すように、Ｃｕ等の導体を電解メツキ法により電
着することによりコイル２３を形成する。この後、第２
図（ｄ）に示すように、３０分程、酸素イオンビームを
全面に照射すれば、有機絶縁材であるレジスト２２が選
択的にエツチングされる。このとき、コイル２３の側壁
の傘部分の逆テーパ部分には、レジスト２２の一部が残
っており、また、コイル２３の上部が一部酸化され、酸
化層２４が形成される。次に、第２図（ｅ）に示すよう
に、Ａｒイオンビームによりメツキ下地２１およびコイ
ル２３上の酸化層２４をエツチングする。この後、第２
図（ｆ）に示すように、８１０２等の無機絶縁材をバイ
アススパッタ法によりスパッタリングして無機絶縁膜２
５を形成する。そして無機絶縁膜２５の凹部Ｈにレジス
ト（図示省略）をコーティングした後、全面にＡｒイオ
ンビームを、ビーム入射角７５°くらいで照射し、レジ
ストと無機絶縁膜２５の凸部骨Ｍを同レートでエツチン
グして、無機絶縁膜２５の表面形状を平坦に加工するこ
とにより無機絶縁薄膜が形成される。
なお、この実施例における薄膜磁気ヘッドの他部分の製
造プロセスは、従来と同様の製造プロセスであり、その
説明を省略する。
造プロセスは、従来と同様の製造プロセスであり、その
説明を省略する。
したがって、この実施例の薄膜磁気ヘッドは、絶縁層と
しての有機絶縁材料の使用を必要最少限にし、かつ、絶
縁層としての無機絶縁材料によりコイルを十分に密封し
ているので、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。また、磁気特性の良好なスパッタ磁性薄膜
を用いることが可能であり、さらにアニール処理を行う
ことにより高記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッドを
提供することができる。
しての有機絶縁材料の使用を必要最少限にし、かつ、絶
縁層としての無機絶縁材料によりコイルを十分に密封し
ているので、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。また、磁気特性の良好なスパッタ磁性薄膜
を用いることが可能であり、さらにアニール処理を行う
ことにより高記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッドを
提供することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の薄膜磁気ヘッドは、絶縁
層を無機絶縁材料と有機絶縁材料とで形成し、絶縁層の
ほとんどを信頼性、耐熱性に優れたＳｉｏ２等の無機絶
縁材料で形成したので、高信頼性を有し、かつ磁気特性
の良好なスパッタ薄膜を使用することにより、高記録密
度に対応できる特性の良好な薄膜磁気ヘッドを提供する
ことができる。
層を無機絶縁材料と有機絶縁材料とで形成し、絶縁層の
ほとんどを信頼性、耐熱性に優れたＳｉｏ２等の無機絶
縁材料で形成したので、高信頼性を有し、かつ磁気特性
の良好なスパッタ薄膜を使用することにより、高記録密
度に対応できる特性の良好な薄膜磁気ヘッドを提供する
ことができる。
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す側面
断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は第１図の薄膜磁気ヘッ
ドの製造プロセスの一例を示す図、第３図は、従来の薄
膜磁気ヘッドを示す側面断面図、第４図は第３図の要部
の拡大断面図である。 １１・・・基板、１２・・・第１の磁性薄膜、１３・・
・絶縁中間層、１４．２３・・・コイル、１５・・・有
機絶縁部、 ６・・・無機絶縁薄膜、 ７・・・第２の磁性薄膜、 ８・・・保護層、 ２・・・レジスト、 ５・・・無機絶縁 膜。
断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は第１図の薄膜磁気ヘッ
ドの製造プロセスの一例を示す図、第３図は、従来の薄
膜磁気ヘッドを示す側面断面図、第４図は第３図の要部
の拡大断面図である。 １１・・・基板、１２・・・第１の磁性薄膜、１３・・
・絶縁中間層、１４．２３・・・コイル、１５・・・有
機絶縁部、 ６・・・無機絶縁薄膜、 ７・・・第２の磁性薄膜、 ８・・・保護層、 ２・・・レジスト、 ５・・・無機絶縁 膜。
Claims (2)
- （１）基板上に形成された下部磁気コアと、この下部磁
気コア上に形成された導電性コイルと、この導電性コイ
ルの一部を絶縁層を介して被覆し前記下部磁気コア上に
形成された上部磁気コアとを備えた薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記絶縁層を、有機絶縁材料と無機絶縁材料とに
より形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - （２）前記有機絶縁材料は前記導電性コイルの側壁に接
触して形成され、前記無機絶縁材料は前記導電性コイル
および前記有機絶縁材料を覆って形成したことを特徴と
する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32028888A JP2731201B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32028888A JP2731201B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165406A true JPH02165406A (ja) | 1990-06-26 |
| JP2731201B2 JP2731201B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=18119831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32028888A Expired - Lifetime JP2731201B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2731201B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190122807A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-04-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP32028888A patent/JP2731201B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190122807A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-04-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor |
| CN109712786A (zh) * | 2017-10-25 | 2019-05-03 | 三星电机株式会社 | 电感器 |
| US10930425B2 (en) * | 2017-10-25 | 2021-02-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor |
| CN109712786B (zh) * | 2017-10-25 | 2022-07-05 | 三星电机株式会社 | 电感器 |
| US11398340B2 (en) | 2017-10-25 | 2022-07-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2731201B2 (ja) | 1998-03-25 |
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