JPH0518166B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0518166B2 JPH0518166B2 JP58243174A JP24317483A JPH0518166B2 JP H0518166 B2 JPH0518166 B2 JP H0518166B2 JP 58243174 A JP58243174 A JP 58243174A JP 24317483 A JP24317483 A JP 24317483A JP H0518166 B2 JPH0518166 B2 JP H0518166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- thin film
- magnetic layer
- upper magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に係り、特
に薄膜磁気ヘツドの磁極の形状を薄膜コイルの近
傍で厚く、先端部を所定に薄く形成して磁気記
録・再生効率を向上させる製造方法に関するもの
である。
に薄膜磁気ヘツドの磁極の形状を薄膜コイルの近
傍で厚く、先端部を所定に薄く形成して磁気記
録・再生効率を向上させる製造方法に関するもの
である。
(b) 技術の背景
磁気デイスクに対する磁気ヘツドの高記録密度
化、高速転送化の為に、その形状は益々小型化さ
れると共に、高精度化の傾向にあり、記録に寄与
する磁極先端の磁気ギヤツプ部でのヘツド磁界分
布が急峻で、高密度な記録が出来る小型な薄膜磁
気ヘツドが実用化されつつあり、既に種々のタイ
プのものが提案されている。
化、高速転送化の為に、その形状は益々小型化さ
れると共に、高精度化の傾向にあり、記録に寄与
する磁極先端の磁気ギヤツプ部でのヘツド磁界分
布が急峻で、高密度な記録が出来る小型な薄膜磁
気ヘツドが実用化されつつあり、既に種々のタイ
プのものが提案されている。
(c) 従来技術と問題点
ところで上記した薄膜磁気ヘツドを形成するに
は、従来、第１図の上面図及び第１図の−′
切断線に沿つた第２図の要部断面図に示すよう
に、例えばパイレツクスガラスとも呼ばれる硼珪
酸ガラス等から成るガラス基板１上に、まずCo
−Zrアモルフアス等からなる下部磁性層２をス
パツタリング法などにより被着し、フオトリソ技
法を用いて所定パターンに形成する。次いでその
下部磁性層２上にSiO2等のギヤツプ形成層３及
び第１の絶縁層４を被着形成し、更に該第１の絶
縁層４の表面にCu等から成る導体層をスパツタ
リング法等により被着した後、該導体層をフオト
リソ技法によつて薄膜コイル５にパターニングす
る。そして該薄膜コイル５を含む第１の絶縁層４
上に第２の絶縁層６を被着し、更にかかる基板１
上の全面にCo−Zr合金等からなる上部磁性層７
を被着形成する。次ぎにこの上部磁性層７をフオ
トリソ技法によつて所定パターン形状にパターニ
ングすることにより、前記下部磁性層２と上部磁
性層７が後部で接続され、磁気回路的にギヤツプ
形成層３を介してＵ字形に形成されている。
は、従来、第１図の上面図及び第１図の−′
切断線に沿つた第２図の要部断面図に示すよう
に、例えばパイレツクスガラスとも呼ばれる硼珪
酸ガラス等から成るガラス基板１上に、まずCo
−Zrアモルフアス等からなる下部磁性層２をス
パツタリング法などにより被着し、フオトリソ技
法を用いて所定パターンに形成する。次いでその
下部磁性層２上にSiO2等のギヤツプ形成層３及
び第１の絶縁層４を被着形成し、更に該第１の絶
縁層４の表面にCu等から成る導体層をスパツタ
リング法等により被着した後、該導体層をフオト
リソ技法によつて薄膜コイル５にパターニングす
る。そして該薄膜コイル５を含む第１の絶縁層４
上に第２の絶縁層６を被着し、更にかかる基板１
上の全面にCo−Zr合金等からなる上部磁性層７
を被着形成する。次ぎにこの上部磁性層７をフオ
トリソ技法によつて所定パターン形状にパターニ
ングすることにより、前記下部磁性層２と上部磁
性層７が後部で接続され、磁気回路的にギヤツプ
形成層３を介してＵ字形に形成されている。
ところが上記のように成膜時のステツプカバレ
イジ（step coverage）が良くないスパツタリン
グ法等によつて薄膜磁気ヘツドを形成すると、形
成された薄膜磁気ヘツドにおける上部磁性層７の
図中Ａ及びＢで示した傾斜部分の膜厚が他の部
分、特に磁気記録媒体対向面部分Ｃの膜厚よりも
必然的に薄くなる不都合が生じ、記録時に前記下
部磁性層２と上部磁性層７とがギヤツプ形成層３
を介して構成されたギヤツプ先端部に、急峻な磁
界が十分に発生する迄に、上部磁性層７の膜厚の
薄い傾斜部分Ａ及びＢで磁界が飽和してしまい、
磁気抵抗が増大する。その結果、記録効率が低下
するといつた欠点があつた。
イジ（step coverage）が良くないスパツタリン
グ法等によつて薄膜磁気ヘツドを形成すると、形
成された薄膜磁気ヘツドにおける上部磁性層７の
図中Ａ及びＢで示した傾斜部分の膜厚が他の部
分、特に磁気記録媒体対向面部分Ｃの膜厚よりも
必然的に薄くなる不都合が生じ、記録時に前記下
部磁性層２と上部磁性層７とがギヤツプ形成層３
を介して構成されたギヤツプ先端部に、急峻な磁
界が十分に発生する迄に、上部磁性層７の膜厚の
薄い傾斜部分Ａ及びＢで磁界が飽和してしまい、
磁気抵抗が増大する。その結果、記録効率が低下
するといつた欠点があつた。
(d) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点を除去するため、薄膜
コイル構成部上に配設する上部磁性層の薄厚を、
ギヤツプ先端部の所定膜厚に対して傾斜部分の膜
厚を少なくとも同等の膜厚とすると共に、その他
の部分の膜厚を厚く形成して、前記傾斜部分での
磁気的飽和を防止し、以てギヤツプ先端部に急峻
な磁界を十分に発生し得るようにした新規な薄膜
磁気ヘツドの製造方法を提供することを目的とす
るものである。
コイル構成部上に配設する上部磁性層の薄厚を、
ギヤツプ先端部の所定膜厚に対して傾斜部分の膜
厚を少なくとも同等の膜厚とすると共に、その他
の部分の膜厚を厚く形成して、前記傾斜部分での
磁気的飽和を防止し、以てギヤツプ先端部に急峻
な磁界を十分に発生し得るようにした新規な薄膜
磁気ヘツドの製造方法を提供することを目的とす
るものである。
(e) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、基板上に下
部磁性層を所定パターンに形成し、該下部磁極層
上にギヤツプ形成層２３及び第１絶縁層を介して
薄膜コイル、第２絶縁層及び上部磁性層を順に積
層形成し、更に該上部磁性層を所定パターン形状
にパターニングする薄膜磁気ヘツドの製造方法に
おいて、前記上部磁性層は、ギヤツプ形成層と第
１、第２絶縁層で被包された薄膜コイルからなる
コイル構成部上に、該コイル構成部の傾斜部上で
の膜厚を少なくとも前記下部磁性層の膜厚と同等
の膜厚となるよう被着し、その上部磁性層上の磁
気ギヤツプ部構成予定領域を除く領域にマスク材
層を選択的に形成した後、該マスク材層を介して
前記上部磁性層上の磁気ギヤツプ部構成予定領域
をエツチングして、当該上部磁性層の磁気ギヤツ
プ部での厚さを所要厚さに形成するようにしたこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法を提供
することによつて達成される。
部磁性層を所定パターンに形成し、該下部磁極層
上にギヤツプ形成層２３及び第１絶縁層を介して
薄膜コイル、第２絶縁層及び上部磁性層を順に積
層形成し、更に該上部磁性層を所定パターン形状
にパターニングする薄膜磁気ヘツドの製造方法に
おいて、前記上部磁性層は、ギヤツプ形成層と第
１、第２絶縁層で被包された薄膜コイルからなる
コイル構成部上に、該コイル構成部の傾斜部上で
の膜厚を少なくとも前記下部磁性層の膜厚と同等
の膜厚となるよう被着し、その上部磁性層上の磁
気ギヤツプ部構成予定領域を除く領域にマスク材
層を選択的に形成した後、該マスク材層を介して
前記上部磁性層上の磁気ギヤツプ部構成予定領域
をエツチングして、当該上部磁性層の磁気ギヤツ
プ部での厚さを所要厚さに形成するようにしたこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法を提供
することによつて達成される。
(f) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第３図乃至第７図は本発明に係る薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面
図である。
ドの製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面
図である。
まず第３図に示すようにパイレツクスガラスと
も呼ばれる硼珪酸ガラス、或いはセラミツク等か
らなる非磁性基板２１上に、高飽和磁束密度の軟
磁性材料であるFe−Si、又はCo−Zr等のアモル
フアスからなる下部磁性層２２をスパツタリング
法、蒸着法、或いはイオンプレーテイング法等に
より例えば3μｍの膜厚に被着した後、所定パタ
ーンにフオトリソ技法を用いて形成する。次にそ
の下部磁性層２２上に、SiO3、Al2O3等からなる
ギヤツプ形成層２３を、同じくスパツタリング法
等により例えば0.6〜1μｍの厚さに被着すると共
に、所定パターンにパターニングする。引続きそ
の表面にレジスト（AZ−1350）等の絶縁性樹脂
からなる第１絶縁層２４を所定パターンに被着形
成する。次にその第１絶縁層２４の表面に、Cu
等の導体膜を2μｍ程度の厚さにメツキ法等によ
つて積層した後、該導体膜を所定パターンにパタ
ーニングして薄膜コイル２５を形成する。更に該
薄膜コイル２５を含む第１絶縁層２４上に、再び
レジスト（AZ−1350）等の絶縁性樹脂からなる
第２絶縁層２６を所定パターンに被着形成する。
も呼ばれる硼珪酸ガラス、或いはセラミツク等か
らなる非磁性基板２１上に、高飽和磁束密度の軟
磁性材料であるFe−Si、又はCo−Zr等のアモル
フアスからなる下部磁性層２２をスパツタリング
法、蒸着法、或いはイオンプレーテイング法等に
より例えば3μｍの膜厚に被着した後、所定パタ
ーンにフオトリソ技法を用いて形成する。次にそ
の下部磁性層２２上に、SiO3、Al2O3等からなる
ギヤツプ形成層２３を、同じくスパツタリング法
等により例えば0.6〜1μｍの厚さに被着すると共
に、所定パターンにパターニングする。引続きそ
の表面にレジスト（AZ−1350）等の絶縁性樹脂
からなる第１絶縁層２４を所定パターンに被着形
成する。次にその第１絶縁層２４の表面に、Cu
等の導体膜を2μｍ程度の厚さにメツキ法等によ
つて積層した後、該導体膜を所定パターンにパタ
ーニングして薄膜コイル２５を形成する。更に該
薄膜コイル２５を含む第１絶縁層２４上に、再び
レジスト（AZ−1350）等の絶縁性樹脂からなる
第２絶縁層２６を所定パターンに被着形成する。
しかる後、このように下部磁性層２２乃至第２
絶縁層２６が形成された基板２１上に、第４図に
示すようにFe−Si、又はCo−Zr等のアモルフア
スからなる上部磁性層２７をスパツタリング法、
蒸着法、或いはイオンプレーテイング法等により
被着形成する。この場合、上部磁性層２７の膜厚
は、前記第１、第２絶縁層２４，２６で被包され
た薄膜コイル２５からなるコイル構成部の傾斜部
Ａ上では下部磁性層２２の膜厚と同等の厚さとな
るように被着する。従つて、該傾斜部Ａ以外の部
分に被着された上部磁性層２７部分の膜厚は、そ
の傾斜部Ａの傾斜角度を45度とすると、該傾斜部
Ａ上の上部磁性層２７部分の膜厚よりも40％程度
厚くなる。
絶縁層２６が形成された基板２１上に、第４図に
示すようにFe−Si、又はCo−Zr等のアモルフア
スからなる上部磁性層２７をスパツタリング法、
蒸着法、或いはイオンプレーテイング法等により
被着形成する。この場合、上部磁性層２７の膜厚
は、前記第１、第２絶縁層２４，２６で被包され
た薄膜コイル２５からなるコイル構成部の傾斜部
Ａ上では下部磁性層２２の膜厚と同等の厚さとな
るように被着する。従つて、該傾斜部Ａ以外の部
分に被着された上部磁性層２７部分の膜厚は、そ
の傾斜部Ａの傾斜角度を45度とすると、該傾斜部
Ａ上の上部磁性層２７部分の膜厚よりも40％程度
厚くなる。
次に第５図に示すように、上記のように形成さ
れた上部磁性膜２７上にイオンミリング用のマス
ク材を塗着した後、該マスク材層２８を前記傾斜
部分Ａの基部からギヤツプ形成部Ｄの領域の上部
磁性膜２７部分が露出するようにパターニングす
る。引続き第６図に示すように前記マスク材層２
８をマスクにして、露出した上部磁性層２７部分
をイオンミリング法（スパツタエツチング法、ケ
ミカルエツチング法等を用いても良い）によりエ
ツチングする。これによつて、該上部磁性膜２７
部分の膜厚は、前記下部磁性層２２の膜厚と同等
の厚さとなる。しかる後、前記マスク材層２８を
除去することにより、第７図に示すように上部磁
性膜２７の膜厚は、ギヤツプ形成部Ｄにおいて前
記下部磁性層２２の膜厚と同等となる。この結
果、従来の如き上部磁性膜２７の傾斜部分Ａでの
磁気的飽和現象が解消、防止され、磁気記録・再
生効率のよい薄膜磁気ヘツドを得ることが可能と
なる。
れた上部磁性膜２７上にイオンミリング用のマス
ク材を塗着した後、該マスク材層２８を前記傾斜
部分Ａの基部からギヤツプ形成部Ｄの領域の上部
磁性膜２７部分が露出するようにパターニングす
る。引続き第６図に示すように前記マスク材層２
８をマスクにして、露出した上部磁性層２７部分
をイオンミリング法（スパツタエツチング法、ケ
ミカルエツチング法等を用いても良い）によりエ
ツチングする。これによつて、該上部磁性膜２７
部分の膜厚は、前記下部磁性層２２の膜厚と同等
の厚さとなる。しかる後、前記マスク材層２８を
除去することにより、第７図に示すように上部磁
性膜２７の膜厚は、ギヤツプ形成部Ｄにおいて前
記下部磁性層２２の膜厚と同等となる。この結
果、従来の如き上部磁性膜２７の傾斜部分Ａでの
磁気的飽和現象が解消、防止され、磁気記録・再
生効率のよい薄膜磁気ヘツドを得ることが可能と
なる。
(g) 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの製造方法によれば、上部磁性層
の磁気ギヤツプ部の厚さを、所定厚さに形成する
ことは勿論のこと、該磁気ギヤツプ部の所定膜厚
に対して他の部分の膜厚、特に傾斜部分の膜厚を
同等、或いはより厚く形成することが出来るの
で、従来の如き上部磁性膜の傾斜部分での磁気的
飽和現象が防止され、磁気記録・再生効率の優れ
た薄膜磁気ヘツドを得ることが可能となる。従つ
て段差を有する各種薄膜磁気ヘツドの製造に適用
して極めて有利である。
薄膜磁気ヘツドの製造方法によれば、上部磁性層
の磁気ギヤツプ部の厚さを、所定厚さに形成する
ことは勿論のこと、該磁気ギヤツプ部の所定膜厚
に対して他の部分の膜厚、特に傾斜部分の膜厚を
同等、或いはより厚く形成することが出来るの
で、従来の如き上部磁性膜の傾斜部分での磁気的
飽和現象が防止され、磁気記録・再生効率の優れ
た薄膜磁気ヘツドを得ることが可能となる。従つ
て段差を有する各種薄膜磁気ヘツドの製造に適用
して極めて有利である。
第１図は従来の薄膜磁気ヘツドの製造方法を説
明する上面図、第２図は第１図に示す−′切
断線に沿つた要部断面図、第３図乃至第７図は本
発明に係る薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例
を工程順に示す要部断面図である。 図面において、２１は非磁性基板、２２は下部
磁性層、２３はギヤツプ形成層、２４は第１絶縁
層、２５は薄膜コイル、２６は第２絶縁層、２７
は上部磁性層、２８はイオンミリング用のマスク
材層を示す。
明する上面図、第２図は第１図に示す−′切
断線に沿つた要部断面図、第３図乃至第７図は本
発明に係る薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例
を工程順に示す要部断面図である。 図面において、２１は非磁性基板、２２は下部
磁性層、２３はギヤツプ形成層、２４は第１絶縁
層、２５は薄膜コイル、２６は第２絶縁層、２７
は上部磁性層、２８はイオンミリング用のマスク
材層を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板２１上に下部磁性層２２を所定パターン
に形成し、該下部磁極層２２上にギヤツプ形成層
２３及び第１絶縁層２４を介して薄膜コイル２
５、第２絶縁層２６及び上部磁性層２７を順に積
層形成し、更に該上部磁性層２７を所定パターン
形状にパターニングする薄膜磁気ヘツドの製造方
法において、 前記上部磁性層２７は、ギヤツプ形成層２３と
第１、第２絶縁層２４，２６で被包された薄膜コ
イル２５からなる薄膜コイル構成部上に、該薄膜
コイル構成部の傾斜部上での膜厚を少なくとも前
記下部磁性層２２の膜厚と同等の膜厚となるよう
被着し、その上部磁性層２７上の磁気ギヤツプ部
構成予定領域を除く領域にマスク材層２８を選択
的に形成した後、該マスク材層２８を介して前記
上部磁性層２７上の磁気ギヤツプ部構成予定領域
をエツチングして、当該上部磁性層２７の磁気ギ
ヤツプ部での厚さを所要厚さに形成するようにし
たことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24317483A JPS60136012A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24317483A JPS60136012A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136012A JPS60136012A (ja) | 1985-07-19 |
| JPH0518166B2 true JPH0518166B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=17099913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24317483A Granted JPS60136012A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136012A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233512A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-14 | Hitachi Ltd | Film magnetic head |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP24317483A patent/JPS60136012A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60136012A (ja) | 1985-07-19 |
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