JPH02165436A - レーザダイオードユニットの取り付け方法 - Google Patents

レーザダイオードユニットの取り付け方法

Info

Publication number
JPH02165436A
JPH02165436A JP63319857A JP31985788A JPH02165436A JP H02165436 A JPH02165436 A JP H02165436A JP 63319857 A JP63319857 A JP 63319857A JP 31985788 A JP31985788 A JP 31985788A JP H02165436 A JPH02165436 A JP H02165436A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser diode
unit
laser
diode unit
optical pickup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63319857A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0724112B2 (ja
Inventor
Haruo Tanaka
田中 治夫
Naotaro Nakada
直太郎 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP63319857A priority Critical patent/JPH0724112B2/ja
Priority to MYPI89001802A priority patent/MY104704A/en
Priority to US07/452,418 priority patent/US5052005A/en
Priority to CA002006001A priority patent/CA2006001C/en
Priority to KR1019890018910A priority patent/KR930001617B1/ko
Priority to EP19890313272 priority patent/EP0375356A3/en
Publication of JPH02165436A publication Critical patent/JPH02165436A/ja
Priority to US07/899,935 priority patent/US5233580A/en
Publication of JPH0724112B2 publication Critical patent/JPH0724112B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
    • H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、光デイスクプレーヤ等で使用される光ピック
アップにレーザダイオードユニットを位置決め・固定さ
せる際に好適なレーザダイオードユニットの取り付け方
法に関する。
〈従来の技術〉 第6図には、光デイスクプレーヤ等で使用される光ピッ
クアップに組み込まれる従来のレーザダイオードユニッ
ト100が示されている。
同図において、ステム101には3本のり一ト端子10
2,104.106がステム101の厚さ方向に貫通・
突出させて設けられている。
リード端子102は、前記突出された端部がレーザダイ
オード108と電気的に接続されて、レーザダイオード
108へ電流を供給させる機能を有し、リード端子10
4は、前記突出された端部がフォトダイオード110と
電気的に接続されて、フォトダイオード110から出力
される電流を取り出す機能を有する。
すなわち、レーザダイオード108から発せられたレー
ザ光はフォトダイオード110で受光され、その受光さ
れた光量に比例した電流がフォトダイオード110から
リード端子104に出力される。
従って、その電流の値に基づいてレーザダイオード10
8の発光パワーを自動制御(APC:Automati
c Power Contorol)することが可能と
なる。
なお、リード端子106は、レーザダイオード108と
フォトダイオード110とを接地接続させる機能を有す
る。
そして、ステム101にはリング状の連結部材112が
取り付けられて一体化されており、連結部材112には
レーザダイオード108等を封入するため、一端が開口
された有底円筒状のキャップ113が取り付けられてい
る。
なお、ステム101と連結部材112、および連結部材
112とキャップ113とは、各々抵抗溶接等により一
体化される。
また、キャップ113の有底面には開口窓113Aが形
成され、開口窓113Aはガラスカバー114により閉
塞されているので、レーザダイオード108のレーザ光
は、開口窓113Aから外部へ出射される。
なお、以上のように構成されたレーザダイオード108
)100の内部には、一般に窒素ガス等の不活性ガスが
充填され、特にレーザダイオード108の発光端面の酸
化防止が図られている。
〈発明が解決しようとする課題〉 そして、上記従来のレーザダイオードユニット100で
は、各リード端子102,104.106はステム10
1に対し、ハーメチックシールによる固定が行われてい
るため、コスト高となる。
また、ガラスカバー114は、ARコート(アンチリフ
レックスコート)が施されて、レーザ光がガラスカバー
114により反射される割合を小さくするようにしてい
るため、そのARココ−作業によってもコスト高となる
。
さらに、リード端子102とレーザダイオード108と
を電気的に接続させるワイヤの一方端部とリード端子1
02とがボンディングされている部分等は金メツキされ
るとともに、ステム101はニッケル、金等によりメツ
キされるため、それらメツキによってもコスト高になら
ざるを得ない。
そこで、レーザダイオード、フォトダイオードなど、主
要な機能部をサブマウント用基台に設けるとともに、外
部回路と電気的接続されるリードが設けられた基板上に
、その基台が載置・固定される構成とされたこの種のレ
ーザダイオードユニットが本出願人により提案されてい
る(未公開)。
ところで、レーザダイオードユニットを光ピックアップ
に絹み込む(位置決め・固定させる)場合、数μm以内
の誤差しか許容されないもので、高精度の取付・組込が
必要とされている。従来のレーザダイオードユニット1
00ては、光ピックアップ側に設けられた相手部品に嵌
め込むことにより行われているが、本出願人が提案して
いる前記レーザダイオードユニットでは、その構成が異
なるため、従来の組み込み方法の採用が困難である。
したがって、ロウ付、樹脂接着等も考えられるがいずれ
も精度上あるいは長時間を要して問題が生じる。
本発明の目的は、本出願人の提案による前記レーザダイ
オードユニットを、高精度の位置決めを確保しつつ短時
間で光ピックアップに組み込むことが可能なレーザダイ
オードユニットの取り付け方法を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、本発明に係るレーザダイオ
ードユニットの取り付け方法は、光学系内に設置された
光ディスクの信号面に照射されて反射したレーザ光を、
当該光学系内に設置された受光素子に受光させることに
より、当該光ディスクに記録された情報が検出可能とさ
れた光ピックアップにあって、金属性基板の厚さ方向一
方側面に、レーザダイオード、フォトダイオード、レー
ザダイオードへの電流供給用リード部及びフォトダイオ
ードからの電流出力用リード部が各々配設され、前記レ
ーザ光が発射されるレーザダイオードユニットを、前記
光学系内の所定位置に取付部材を介して位置決め・固定
するレーザダイオードユニットの取り付け方法であって
、前記基板の厚さ方向他方側面と前記取付部材とを所望
の位置間係に設定して接触させた後、その接触させた部
分の複数箇所を同時にレーザ光で溶接することにより、
前記レーザダイオードユニットが前記光ピックアップと
一体化されることを特徴とするレーザダイオードユニッ
トの取り付け方法である。
〈作用〉 本発明に係るレーザダイオードユニットの取り付け方法
では、レーザダイオードユニットの基板の厚さ方向他方
側面と光ピックアップ側の取付部材とが接触する複数箇
所を、レーザ光で同時に溶接することにより、レーザダ
イオードユニットが光ピックアップと一体化される。
〈実施例〉 以下、本発明に係るレーザダイオードユニットの取り付
け方法の好適な実施例を図面に基づいて説明する。
第1図には、本実施例におけるレーザダイオードユニッ
ト(以下、単にユニットと略称する)1の全体概略図が
示されており、第2図には第1図における■−■線断面
図が示されている。
両図において、シリコン等の導電性材料で板状に形成さ
れたサブマウント用導電性基台3が、基板9の厚さ方向
−刃側面上における長手方向一方端邪に、インジウムI
n等によりボンディング・固定されている。
基板9は、いわゆる高熱伝導タイプのプリント基板であ
って、アルミニウム等の板状部材9Aの厚さ方向−側面
に非導電性材料からなる絶縁膜9Cを介して銅などの導
電性薄膜9Bをコーティング形成することにより形成さ
れており、その銅薄膜9Bが形成された一側面には、リ
ード部11(第1のリード部)、リード部13(第2の
リード部)、及び接地用のリード部15が、従来公知の
方法で余分な銅薄膜9Bを除去することにより形成され
ている。
なお、各リード部11,13.15は、電気的短絡を防
止するために、各々適宜な間隔を介する位置に形成され
ている。
一方、基台3の表面における長手方向一方端部には、レ
ーザダイオード5が、金と錫の合金等によりボンディン
グ・固定され、レーザダイオード5と基台3とは、ワイ
ヤ17により電気的に接続されている。
また、本実施例では、基台3がシリコンSiで形成され
、第1図中点線で示された領域2には、基台3をN領域
とした場合に、P領域となるように不純物が拡散されて
P−N接合が形成されており、その結果、基台3自体が
フォトダイオードとしての機能を有している。
そして、レーザダイオード5が設けられている基台3の
一側面3Aは、二酸化シリコンSiO2で被覆されてて
いるとともに、レーザダイオード5へ電流を供給するア
ルミニウム配線4と、基台3(フォトダイオード)に生
じた電流を取り出すアルミニウム配線6とが公知の手段
により設けられている。
さらに、アルミニウム配線4の一方端部にはレーザダイ
オード5がボンディング・固定されているとともに、ア
ルミニウム配線6の他方端部には、ワイヤ19の一方端
部がボンディング・固定され、さらにワイヤ19の他方
端部はリード部11にボンディング・固定されている。
アルミニウム配線4の一方端部は公知の方法により、領
域2部分と電気的に接合されているとともに、アルミニ
ウム配線4の他方端部はワイヤ21の一方端部がホンデ
ィング・固定され、さらにワイヤ21の他方端部はリー
ド部13にボンディング・固定されている。
なお、ワイヤ17の一方端部は、前述したように基台3
に接続されているが、その接続部分近傍の二酸化シリコ
ンは第1図から理解されるように、剥離されている。
また、本実施例では、各リード部11,13゜15が他
の外部電気回路(図示せず)と接続されろ部分を除き、
レーザダイオード5.基台3(フォトダイオード)、ワ
イヤ17.19.21及び各リード部11.13.15
の一部は、酸化アルミニウムAl2O3等の誘電性を有
する保護膜25が、スパッタリング等によりコーティン
グされている。
そして、基板9には、レーザダイオード5等の機械的破
壊を防止等する保護カバー23が設けられており、保護
カバー23は断面略コ字状に形成され、レーザダイオー
ド5の発光端面を露呈させた状態で、レーザダイオード
5を主体とするユニット1の主要な機能部分が保護され
る形状・大きさとされている。
また、保護カバー23は、適宜な透明樹脂にルチル等の
反射率の高い金属を含有させた高反射樹脂で形成されて
いるとともに、その裏面側には、基台3の位置と対応さ
せた位置に、テーパ面25Aを有する反射部26が一体
に形成されている。
反射部25のテーパ面25Aの傾きは、レーザダイオー
ド5のレーザ光が、効率良く領域2、すなわちフォトダ
イオードの受光面方向へ反射されるように設定されてい
る。
そして、保護カバー23を基板9に固定する場合、例え
ば、保護カバー23と一体に設けられた突起(図示せず
)を基板9に形成された貫通孔9Dに挿通させて基板9
の裏面側に突出させ、その突出部分をカシメるようにす
ると好適である。
ユニット1は、以上のように構成されており、次に本発
明の要部、すなわちユニット1を光ピックアップに取り
付ける方法について説明する。
まず、第3図に示された光ピックアップ10の構成を簡
単に説明すると、ユニット1からは、光g2 L + 
、  L 2で示されるように扇状となる方向ヘレーザ
光が発射され、そのレーザ光は一旦、ハーフミラ−40
て反射されて対物レンズ45に入射される。
対物レンズ45を透過したレーザ光は光ディスク50に
照射され、光ディスク50の信号面50aに集光・点結
像される。
そして、結像されたレーザ光は、信号面50aに記録さ
れた情報(ビット)に対応して信号面50aで反射され
、その反射されたレーザ光は対物レンズ45とハーフミ
ラ−40を透過して受光素子60の受光面60aに集光
・点結像される。
なお、受光素子60て受光されたレーザ光は、図示しな
い光量検出器(受光素子60を含む)により、光/電流
変換されて所望の処理が行われろ。
そして、ユニット1は光ピックアップ10に固定された
取付部材20、例えば光ピックアップ10のアルミニウ
ムダイキャスト類のケーシングに固定されており、レー
ザ駆動回路30により光量等が制御されている。
一方、ユニット1を固定したときに、ユニット1が光ピ
ックアップ10の光学系(ハーフミラ−40、対物レン
ズ45、受光素子60を主体として構成される)内に位
置し、ユニット1から発射されるレーザ光が、その光学
系内で進行するように、取付部材(ケーシング)20へ
の位置決めが設定されている。
ここで、取付部材20に該ユニット1を固定する方法に
ついて説明する。
第4図は平坦な固定面を有する取付部材20に固定する
場合を、第5図は突出した固定面を有する場合を、それ
ぞれ示している。
第4図と第5図において、アルミニウムダイキャスト類
の取付部材20には、ユニット1のアルミニウム製基板
9の裏面(基板9の厚さ方向他方側面であって、レーザ
ダイオード5等が設けられている前記−刃側面と反対側
の面)と面接触させるユニット固定面20aが形成され
ている。
そこで・ まず、ユニット1をユニット固定面20a上
に位置決め・載置し、続いて基板9とユニット固定面2
0aとの接触面幹部に沿う複数箇所Pを、YAGレーザ
等のレーザ光で同時に溶接する。このとき、ユニット1
がユニット固定面20a上にイ立置決め・載置されると
、すぐにレーザ光が照射される。この場合のYAGレー
ザの出射ユニットの該裏面に対する角度は45′とする
のが好適なものである。
なお、取付部材20とユニット1(基板9の裏面)との
接触面積は、取付部材20のユニット固定面20aの形
状・大きさに依存しているので、ユニット1が充分な強
度で固定されるように、ユニット固定面20aの形状・
大きさが設定されている。
なお、下表はアルミニウム同士の溶接・取付に使用した
YAGレーザの充電電圧等の値を示している。
以上説明したように、本実施例では、ユニット1がユニ
ット固定面2Oa上に位置決め・載置されると、基板9
とユニット固定面20aとの接触面縁部に沿う複数箇所
Pへのレーザ光照射がすぐに行われて、それら複数箇所
Pが同時に溶接される。
その結果、ユニット1の位置決めを高精度に維持しつつ
短時間でユニット1と光ピックアップIOとを一体化さ
せることが可能となる。
〈効果〉 以上の説明から理解されるように、本発明に係るレーザ
ダイオードユニットの取り付け方法では、前記基板の厚
さ方向他方側面と前記取付部材とが接触する複数箇所を
レーザ光で同時に溶接することにより、前記レーザダイ
オードユニットが前記光ピックアップと一体化される。
その結果、本出願人の提案している前記レーザダイオー
ドユニットは、高精度の位置決めが維持されつつ短時間
で光ピックアップに絹み込まれる。
詳しくは、数μm以内程度の取付誤差しか許容されない
光ピックアップにあっても、高精度の位置決め・取付け
が可能となっている。とともに、温度上昇を抑止しつつ
、短時間に取付を行えるものでもある。したがって、例
えば樹脂等の接着剤、ロウ付け、ネジ締め、TIG溶接
等による方法を用いた取付けに比べて、温度変化のない
ことおよび水分の吸収等がないことから、高精度を得る
ことができ、かつ、−タクトタイムを短くすることがで
きる。すなわち、回転数の高い自動組立機にも使用する
ことができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係るレーザダイオードユニットの取
り付け方法の好適な実施例におけるレーザダイオードユ
ニットを示す全体概略図、第2図は、第1図における■
−■線断面図、第3図は、光ピックアップの概略構成図
、第4図と第5図は、前記実施例においてレーザダイオ
ードユニットを光ピックアップに組み込む方法を説明す
るための模式図、第6図は、従来のレーザダイオードユ
ニットの概略図である。 1・・・・・・レーザダイオードユニット、3・・・・
・・基台(フォトダイオード)、5・・・・・・レーザ
ダイオード、 9・・・・・・基板、 10 ・ ・ 11 ・ ・ 13 ・ ・ 20 ・ ・ 20a  ・ 50 ・ φ 50a  ・ 60 ・ ・ P ・ ・ ・ ・光ピックアップ、 ・リード部、 ・リード部、 ・取付部材、 ・ユニット固定面、 ・光ディスク、 ・信号面、 ・受光素子、 ・溶接箇所。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光学系内に設置された光ディスクの信号面に照射
    されて反射したレーザ光を、当該光学系内に設置された
    受光素子に受光させることにより、当該光ディスクに記
    録された情報が検出可能とされた光ピックアップにあっ
    て、 金属性基板の厚さ方向一方側面に、レーザダイオード、
    フォトダイオード、レーザダイオードへの電流供給用リ
    ード部及びフォトダイオードからの電流出力用リード部
    が各々配設され、前記レーザ光が発射されるレーザダイ
    オードユニットを、前記光学系内の所定位置に取付部材
    を介して位置決め・固定するレーザダイオードユニット
    の取り付け方法であって、 前記基板の厚さ方向他方側面と前記取付部材とを所望の
    位置関係に設定して接触させた後、その接触させた部分
    の複数箇所を同時にレーザ光で溶接することにより、前
    記レーザダイオードユニットが前記光ピックアップと一
    体化されることを特徴とするレーザダイオードユニット
    の取り付け方法。
JP63319857A 1988-12-19 1988-12-19 レーザダイオードユニットの取り付け方法 Expired - Fee Related JPH0724112B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63319857A JPH0724112B2 (ja) 1988-12-19 1988-12-19 レーザダイオードユニットの取り付け方法
MYPI89001802A MY104704A (en) 1988-12-19 1989-12-18 Method of mounting laser diode unit
US07/452,418 US5052005A (en) 1988-12-19 1989-12-19 Method of mounting a laser diode unit
CA002006001A CA2006001C (en) 1988-12-19 1989-12-19 Method of mounting laser diode unit
KR1019890018910A KR930001617B1 (ko) 1988-12-19 1989-12-19 레이저 다이오우드 유닛 및 그의 장착방법
EP19890313272 EP0375356A3 (en) 1988-12-19 1989-12-19 Laser diode unit
US07/899,935 US5233580A (en) 1988-12-19 1992-06-17 Laser diode unit welded to a mounting member by laser light

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63319857A JPH0724112B2 (ja) 1988-12-19 1988-12-19 レーザダイオードユニットの取り付け方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02165436A true JPH02165436A (ja) 1990-06-26
JPH0724112B2 JPH0724112B2 (ja) 1995-03-15

Family

ID=18115009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63319857A Expired - Fee Related JPH0724112B2 (ja) 1988-12-19 1988-12-19 レーザダイオードユニットの取り付け方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5052005A (ja)
EP (1) EP0375356A3 (ja)
JP (1) JPH0724112B2 (ja)
KR (1) KR930001617B1 (ja)
CA (1) CA2006001C (ja)
MY (1) MY104704A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06162545A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学ヘッド
WO2001011616A1 (en) * 1999-08-04 2001-02-15 Hitachi, Ltd. Laser module, optical head comprising the same, and optical information recording/reproducing device
KR100576881B1 (ko) * 2005-01-03 2006-05-10 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드장치 및 그 제조방법
JP2012094765A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および光装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5280191A (en) * 1989-12-26 1994-01-18 At&T Bell Laboratories Lightwave packaging for pairs of optical devices having thermal dissipation means
JPH0448674A (ja) * 1990-06-14 1992-02-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザ
DE4108154A1 (de) * 1991-03-14 1992-09-17 Telefunken Electronic Gmbh Elektronische baugruppe und verfahren zur herstellung von elektronischen baugruppen
EP0508615B1 (en) * 1991-04-10 1997-07-02 Caddock Electronics, Inc. Film-type resistor
US5307357A (en) * 1992-11-05 1994-04-26 International Business Machines Corporation Protection means for ridge waveguide laser structures using thick organic films
US5305340A (en) * 1992-12-16 1994-04-19 International Business Machines Corporation Waveguide ridge laser device with improved mounting and ridge protection
JPH06232504A (ja) * 1993-01-29 1994-08-19 Canon Inc レーザ走査装置
GB9303783D0 (en) * 1993-02-25 1993-04-14 Northern Telecom Ltd Injection laser and photosensor assembly
JP3541416B2 (ja) * 1994-03-08 2004-07-14 ソニー株式会社 光学装置
JP3215351B2 (ja) * 1997-04-30 2001-10-02 富士通株式会社 配置方式
US5903584A (en) * 1998-01-05 1999-05-11 Youngtek Electronics Laser diode package
US6365968B1 (en) 1998-08-07 2002-04-02 Corning Lasertron, Inc. Polyimide/silicon oxide bi-layer for bond pad parasitic capacitance control in semiconductor electro-optical device
GB0210411D0 (en) * 2002-05-08 2002-06-12 Zarlink Semiconductor Ab Photonic device with monitor
US7061949B1 (en) 2002-08-16 2006-06-13 Jds Uniphase Corporation Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth
US8198709B2 (en) * 2006-10-18 2012-06-12 Vishay General Semiconductor Llc Potted integrated circuit device with aluminum case
CN102545022A (zh) * 2012-01-20 2012-07-04 上海交通大学 一种宽波段石墨烯可饱和吸收镜
CN106920781A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 意法半导体有限公司 半导体封装体和用于形成半导体封装体的方法
US10644479B1 (en) 2019-02-23 2020-05-05 Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
US11899468B2 (en) * 2020-12-22 2024-02-13 Waymo Llc Sensor for flashing light detection

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5669882A (en) * 1979-11-09 1981-06-11 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor luminous device
DE3137441A1 (de) * 1981-09-21 1983-03-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum befestigen von optischen und elektrooptischen bauelementen
JPS5891692A (ja) * 1981-11-27 1983-05-31 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ装置
FR2547756B1 (fr) * 1983-06-24 1986-06-06 Sciaky Sa Procede et installation de soudage par point a faisceau laser
JPS6035344A (ja) * 1983-08-08 1985-02-23 Hitachi Tobu Semiconductor Ltd 発光装置およびこれを用いた光学的信号処理装置
JPS6052079A (ja) * 1983-09-01 1985-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS60217687A (ja) * 1984-04-13 1985-10-31 Hitachi Ltd 発光電子装置
CA1258906A (en) * 1985-04-22 1989-08-29 Hiroshi Oinoue Semiconductor laser apparatus for optical head
DE3539933A1 (de) * 1985-11-11 1987-05-14 Nixdorf Computer Ag Vorrichtung zum aufloeten elektronischer bauelemente auf eine schaltungsplatine
US4768070A (en) * 1986-03-20 1988-08-30 Hitachi, Ltd Optoelectronics device
JPS62260385A (ja) * 1986-05-06 1987-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS63124485A (ja) * 1986-11-12 1988-05-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS63200590A (ja) * 1987-02-17 1988-08-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置
EP0308748A3 (de) * 1987-09-25 1990-07-04 Siemens Aktiengesellschaft Elektrooptische Baugruppe
DE3732433A1 (de) * 1987-09-26 1989-04-06 Standard Elektrik Lorenz Ag Lasermodul und verfahren zum ankoppeln einer glasfaser

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06162545A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学ヘッド
WO2001011616A1 (en) * 1999-08-04 2001-02-15 Hitachi, Ltd. Laser module, optical head comprising the same, and optical information recording/reproducing device
KR100576881B1 (ko) * 2005-01-03 2006-05-10 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드장치 및 그 제조방법
JP2012094765A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0724112B2 (ja) 1995-03-15
US5052005A (en) 1991-09-24
MY104704A (en) 1994-05-31
CA2006001A1 (en) 1990-06-19
CA2006001C (en) 1994-12-13
KR900010682A (ko) 1990-07-09
EP0375356A3 (en) 1990-12-27
KR930001617B1 (ko) 1993-03-06
EP0375356A2 (en) 1990-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0724112B2 (ja) レーザダイオードユニットの取り付け方法
EP0100086A2 (en) A Method of making injection laser packages and packages made by using the method
KR20010050867A (ko) 반도체 레이저
US5490158A (en) Laser unit
US5233580A (en) Laser diode unit welded to a mounting member by laser light
JP4031605B2 (ja) サージ保護付き半導体レーザおよび光ピックアップ
EP1267459A1 (en) Heatsinks for laser electronic packages
US5537502A (en) Laser package with permanently aligned critical components
JPH06103780B2 (ja) レーザダイオードユニットの製造方法
JP2546974Y2 (ja) レーザダイオードユニット
JP3919367B2 (ja) レーザユニットおよび絶縁ブロック
JPH0563309A (ja) 半導体レーザ装置
JP3059831B2 (ja) 半導体レーザ装置
US4906065A (en) Electro-optical assembly
JPS6271289A (ja) 光電子装置
JP3238970B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP3188157B2 (ja) 半導体レーザ装置用受光素子およびこれを用いた半導体レーザ装置
JP3325742B2 (ja) 光結合器
JPH05160520A (ja) 光半導体素子用パッケージ
JP3318083B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP3837871B2 (ja) 光学ピックアップ
JPH0645691A (ja) 半導体レーザ装置
KR960003867B1 (ko) 표면실장형 레이저다이오드
JP2000164966A (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPH0621239Y2 (ja) ホトタイオ−ドのチツプキヤリア構造

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees