JPH02165603A - バリスタ - Google Patents
バリスタInfo
- Publication number
- JPH02165603A JPH02165603A JP63322294A JP32229488A JPH02165603A JP H02165603 A JPH02165603 A JP H02165603A JP 63322294 A JP63322294 A JP 63322294A JP 32229488 A JP32229488 A JP 32229488A JP H02165603 A JPH02165603 A JP H02165603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- varistor
- electrode film
- substrate
- varistor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧非直線性抵抗として機能するチップ型バ
リスタに関し、特にバリスタ基板の寸法を大きくするこ
となくサージ耐量を向上できるようにした構造に関する
。
リスタに関し、特にバリスタ基板の寸法を大きくするこ
となくサージ耐量を向上できるようにした構造に関する
。
従来から、印加電圧に応じて抵抗値が非直線的に変化す
る抵抗体素子として、第3図に示すチップ型バリスタが
ある。このバリスタ10は、酸化亜鉛を主成分とする矩
形状のバリスタ基板11の上面11a、及び下面11b
にそれぞれ第1電極膜12.第2電極膜13を形成し、
上記バリスタ基板11の両側面11c、11dに、上記
第1゜第2電極膜12.13にそれぞれ接続された第1
゜第2外部電極膜14.15を形成するとともに、該第
1外部電極膜14と上記第2電極膜13との間、及び第
2外部電極膜15と上記第1電極膜12との間に所定の
幅Wを有する電極分離部16を形成して構成されている
。
る抵抗体素子として、第3図に示すチップ型バリスタが
ある。このバリスタ10は、酸化亜鉛を主成分とする矩
形状のバリスタ基板11の上面11a、及び下面11b
にそれぞれ第1電極膜12.第2電極膜13を形成し、
上記バリスタ基板11の両側面11c、11dに、上記
第1゜第2電極膜12.13にそれぞれ接続された第1
゜第2外部電極膜14.15を形成するとともに、該第
1外部電極膜14と上記第2電極膜13との間、及び第
2外部電極膜15と上記第1電極膜12との間に所定の
幅Wを有する電極分離部16を形成して構成されている
。
ここで、上記電極分離部16を挟んで対向する電極膜1
2.15及び13.14同士が近づき過ぎる。と、この
間に電流が漏れてバリスタ特性を悪化させるおそれがあ
る。そのため、従来から上記電極分離部16は、その幅
Wがバリスタ基板11の厚さHの1.5倍程度になるよ
う設定されており、これにより電流が流れるのを防止し
ている。
2.15及び13.14同士が近づき過ぎる。と、この
間に電流が漏れてバリスタ特性を悪化させるおそれがあ
る。そのため、従来から上記電極分離部16は、その幅
Wがバリスタ基板11の厚さHの1.5倍程度になるよ
う設定されており、これにより電流が流れるのを防止し
ている。
ところで、上記バリスタIOにおいてサージ耐量を大き
くするには、上記バリスタ基板11を挟んで対向する第
1.第2電極膜12.13の有効電極長さし、ひいては
電極面積を大きくすることにより実現できる。しかしな
がら、上記従来のバリスタ10では、有効電極長さしを
大きくするにはバリスタ基板11を大きくするしかな(
、それだけバリスタが大型化するという問題点がある。
くするには、上記バリスタ基板11を挟んで対向する第
1.第2電極膜12.13の有効電極長さし、ひいては
電極面積を大きくすることにより実現できる。しかしな
がら、上記従来のバリスタ10では、有効電極長さしを
大きくするにはバリスタ基板11を大きくするしかな(
、それだけバリスタが大型化するという問題点がある。
本発明は上記従来の問題点を解決するためになされたも
ので、バリスタ基板を大きくすることなく、サージ耐量
を向上できるバリスタを提供することを目的としている
。
ので、バリスタ基板を大きくすることなく、サージ耐量
を向上できるバリスタを提供することを目的としている
。
本発明は、バリスタ基板の第1主面、第2主面にそれぞ
れ第1t極膜、第2電極膜を形成し、上記バリスタ基板
の第1側面、第2側面に上記第1゜第2電極膜にそれぞ
れ接続された第1.第2外部電極膜を形成し、かつ該第
1外部電極膜と上記第2電極膜との間、及び第2外部電
極膜と上記第1電極膜との間に所定幅の電極分離部を形
成してなるバリスタにおいて、上記バリスタ基板の上記
電極分離部部分に高抵抗部を形成したことを特徴として
いる。
れ第1t極膜、第2電極膜を形成し、上記バリスタ基板
の第1側面、第2側面に上記第1゜第2電極膜にそれぞ
れ接続された第1.第2外部電極膜を形成し、かつ該第
1外部電極膜と上記第2電極膜との間、及び第2外部電
極膜と上記第1電極膜との間に所定幅の電極分離部を形
成してなるバリスタにおいて、上記バリスタ基板の上記
電極分離部部分に高抵抗部を形成したことを特徴として
いる。
ここで、上記高抵抗部は、例えばZnOを主成分とする
バリスタ基板の電極分離部に、Liの化合物の1つであ
るLlgCOsをペースト状にしたものを塗布し、これ
を焼き付けてLiをバリスタ基板内に拡散させることに
より実現できろ。
バリスタ基板の電極分離部に、Liの化合物の1つであ
るLlgCOsをペースト状にしたものを塗布し、これ
を焼き付けてLiをバリスタ基板内に拡散させることに
より実現できろ。
本発明に係るバリスタによれば、バリスタ基板の電極分
離部部分に高抵抗部を形成したので、この電極分離部を
挟んで対向する電極膜同士を近接させても、この間に電
流が流れることはない、その結果、バリスタ基板の寸法
を大きくすることなく育効電極面積を大きくでき、従っ
て小型のままでサージ耐量を向上できる。
離部部分に高抵抗部を形成したので、この電極分離部を
挟んで対向する電極膜同士を近接させても、この間に電
流が流れることはない、その結果、バリスタ基板の寸法
を大きくすることなく育効電極面積を大きくでき、従っ
て小型のままでサージ耐量を向上できる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第1図及び第2図は本発明の一実施例によるバリスタを
説明するための図である。
説明するための図である。
図において、1は本実施例のチップ型バリスタであり、
これのバリスタ基板2の上面の第1主面2aには第1電
極1I13が、下面の第2主面2bには第2電極膜4が
それぞれ形成されている。また、上記バリスタ基板2の
第1側面2Cには第1外部電極M5が形成されており、
該第1外部電極JI15の一端面は上記第1電極膜3に
接続され、他端面ば上記第2主面2bの縁部に延びてい
る。さらに、上記第1側面2cと対向する第2側面2d
には第2外部電極lll6が形成されており、該第2外
部電極1I16の一端面は上記第2電橿lllI4に接
続され、他端面ば上記第1主面2aの縁部に延びている
。
これのバリスタ基板2の上面の第1主面2aには第1電
極1I13が、下面の第2主面2bには第2電極膜4が
それぞれ形成されている。また、上記バリスタ基板2の
第1側面2Cには第1外部電極M5が形成されており、
該第1外部電極JI15の一端面は上記第1電極膜3に
接続され、他端面ば上記第2主面2bの縁部に延びてい
る。さらに、上記第1側面2cと対向する第2側面2d
には第2外部電極lll6が形成されており、該第2外
部電極1I16の一端面は上記第2電橿lllI4に接
続され、他端面ば上記第1主面2aの縁部に延びている
。
上記バリスタ基板2の第2主面2bの縁部に位置する第
1外部電極膜5と第2電極膜4との間、及び上記第1主
面2aの縁部に位置する第2外部電lfI膜6と上記第
1電極膜3との間には所定幅Wからなる電極分離部7が
形成されている。
1外部電極膜5と第2電極膜4との間、及び上記第1主
面2aの縁部に位置する第2外部電lfI膜6と上記第
1電極膜3との間には所定幅Wからなる電極分離部7が
形成されている。
そして、上記バリスタ基板2の上記画電極分離部7.フ
には高抵抗部8が厚さ方向に浸透するように形成されて
いる。この高抵抗部8は、Llを上記バリスタ基板2内
に拡散させて絶縁部を形成してなるものであり、上記高
抵抗部8は表面抵抗率で100MΩノロ以上有している
。これにより、上記電極分離部7の幅Wはバリスタ基板
2の厚さHの1/4程度になっている。
には高抵抗部8が厚さ方向に浸透するように形成されて
いる。この高抵抗部8は、Llを上記バリスタ基板2内
に拡散させて絶縁部を形成してなるものであり、上記高
抵抗部8は表面抵抗率で100MΩノロ以上有している
。これにより、上記電極分離部7の幅Wはバリスタ基板
2の厚さHの1/4程度になっている。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例のチップ型バリスタlによれば、バリスタ基板
2の画電極分離部7部分に、Liを拡散させてなる高抵
抗部8を形成したので、第1外部電極膜5と第2電極膜
4との間、及び第2外部電極膜6と第1電極膜3との間
の輻Wを狭くできるから、それだけ第1.第2電極膜3
.4が対向する有効1i極長さLlつまり電極面積を大
きくでき、その結果バリスタ基板の寸法を大きくするこ
となくサージ耐量を向上できる。即ち、本実施例のバリ
スタ基板2の外形寸法り、を従来の外形寸法L゛ (第
3図参照)と同じにした場合は、有効電極長さLi・を
従来の長さしより太き(することができる、またサージ
耐量を同じにした場合は、従来より外形寸法を小さくで
き、小型化を実現できる。
2の画電極分離部7部分に、Liを拡散させてなる高抵
抗部8を形成したので、第1外部電極膜5と第2電極膜
4との間、及び第2外部電極膜6と第1電極膜3との間
の輻Wを狭くできるから、それだけ第1.第2電極膜3
.4が対向する有効1i極長さLlつまり電極面積を大
きくでき、その結果バリスタ基板の寸法を大きくするこ
となくサージ耐量を向上できる。即ち、本実施例のバリ
スタ基板2の外形寸法り、を従来の外形寸法L゛ (第
3図参照)と同じにした場合は、有効電極長さLi・を
従来の長さしより太き(することができる、またサージ
耐量を同じにした場合は、従来より外形寸法を小さくで
き、小型化を実現できる。
例えば、従来のバリスタにおいて(第3図参照)、バリ
スタ基板の外形寸法L゛を20鶴、厚さHを2fi、電
極分離部の幅W′を3鶴(厚さH×1.5倍)、バリス
タ基板の端から電極分離部までの各外部電極膜の長さl
′を1鶴とすると、第1゜第2電極膜の有効電極長さし
は、 L−20−(3+1)X2−12寵 となる。
スタ基板の外形寸法L゛を20鶴、厚さHを2fi、電
極分離部の幅W′を3鶴(厚さH×1.5倍)、バリス
タ基板の端から電極分離部までの各外部電極膜の長さl
′を1鶴とすると、第1゜第2電極膜の有効電極長さし
は、 L−20−(3+1)X2−12寵 となる。
これに対して、本実施例では、電極分離部7の輻Wを0
.5 M (バリスタ基板の厚さの1/4)に短くでき
るから、バリスタ基板2の外形寸法Ll+厚さH1外部
電極膜の長さlを従来と同じにした場合、 有効電極長さL+ −20(0,5+1)X2 =17
mmとなり、有効電極長さし、を5鶴(約40%)長く
できる。また、育効長り、を従来と同じ12鶴とすると
、サージ耐量を下げることなく外形寸法L8を15mま
で小さ(できる。
.5 M (バリスタ基板の厚さの1/4)に短くでき
るから、バリスタ基板2の外形寸法Ll+厚さH1外部
電極膜の長さlを従来と同じにした場合、 有効電極長さL+ −20(0,5+1)X2 =17
mmとなり、有効電極長さし、を5鶴(約40%)長く
できる。また、育効長り、を従来と同じ12鶴とすると
、サージ耐量を下げることなく外形寸法L8を15mま
で小さ(できる。
また、上記高抵抗部8は、バリスタ基板2に電極ペース
トを塗布して各電極膜を形成する工程時に、l、 11
COxペーストを塗布しておき、これを−緒に焼き付
けることによって形成できるから、製造コストを上昇さ
せることはない。
トを塗布して各電極膜を形成する工程時に、l、 11
COxペーストを塗布しておき、これを−緒に焼き付
けることによって形成できるから、製造コストを上昇さ
せることはない。
以上のように本発明に係るバリスタによれば、バリスタ
基板の電極分離部に高抵抗部を形成したので、バリスタ
基板の寸法を大きくすることなく第1.第2電極膜の有
効電極面積を増大でき、それだけサージ耐量を向上でき
る効果がある。
基板の電極分離部に高抵抗部を形成したので、バリスタ
基板の寸法を大きくすることなく第1.第2電極膜の有
効電極面積を増大でき、それだけサージ耐量を向上でき
る効果がある。
第1図及び第2図は本発明の一実施例によるチップ型バ
リスタを説明するための図であり、第1図はその斜視図
、第2図はその側面図、第3図は従来のチップ型バリス
タを示す側面図である。 図において、1はチップ型バリスタ、2はバリスタ基板
、2aは第1主面、2bは第2主面、2Cは第1側面、
2dは第2側面、3は第1電極膜、4は第2電極膜、5
は第1外部電極膜、6は第2外部電極膜、7は電極分離
部、8は高抵抗部、Wは電極分離部の幅である。 第1図
リスタを説明するための図であり、第1図はその斜視図
、第2図はその側面図、第3図は従来のチップ型バリス
タを示す側面図である。 図において、1はチップ型バリスタ、2はバリスタ基板
、2aは第1主面、2bは第2主面、2Cは第1側面、
2dは第2側面、3は第1電極膜、4は第2電極膜、5
は第1外部電極膜、6は第2外部電極膜、7は電極分離
部、8は高抵抗部、Wは電極分離部の幅である。 第1図
Claims (1)
- (1)バリスタ基板の第1主面,第2主面にそれぞれ第
1電極膜,第2電極膜を形成し、上記バリスタ基板の第
1側面,第2側面に上記第1,第2電極膜にそれぞれ接
続された第1,第2外部電極膜を形成し、かつ該第1外
部電極膜と上記第2電極膜との間,及び第2外部電極膜
と上記第1電極膜との間に所定幅の電極分離部を形成し
てなるバリスタにおいて、上記バリスタ基板の上記電極
分離部部分に高抵抗部を形成したことを特徴とするバリ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322294A JPH02165603A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322294A JPH02165603A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165603A true JPH02165603A (ja) | 1990-06-26 |
Family
ID=18142021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322294A Pending JPH02165603A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02165603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019165103A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63322294A patent/JPH02165603A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019165103A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
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