JPH0216586B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0216586B2 JPH0216586B2 JP58194897A JP19489783A JPH0216586B2 JP H0216586 B2 JPH0216586 B2 JP H0216586B2 JP 58194897 A JP58194897 A JP 58194897A JP 19489783 A JP19489783 A JP 19489783A JP H0216586 B2 JPH0216586 B2 JP H0216586B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic insulating
- nickel
- metal
- insulating pipe
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツク絶縁物と金属との封着を用
いた容器に半導体素子を収納した半導体装置に関
するものである。従来のこのような半導体装置に
於てはセラミツク絶縁管と金属ベース部品及び封
着用金属部品とは、予めセラミツク絶縁管の内・
外形にほぼ等しい形状に成形された、例えば銀−
銅合金等よりなるロウ材を用い気密封止されてい
た。このような従来の半導体装置に於いては、容
器の組立を行なう際に、組立治具に部品ならびに
ろう材を順次セツトした後、還元雰囲気の炉中で
加熱し、ろう材を溶融することで封止している
が、形状が小さく、かつ厚さの薄いろう材を組立
治具にセツトするのは非常に手間がかかり、容器
組立の作業性が極めて悪かつた。またろう材を成
形する際にろう材が薄く、脆い為、成形の作業性
が悪く、かつ、ろう材に変形やわれを生じ歩留り
を著しく低下させ、ろう材の価格が極めて高くな
るといつた欠点を有していた。また、こうした価
格面での欠点に加え、組立の際、被ろう付部品
と、ろう材の位置ずれにより、ろう付部でろう材
量のばらつきを生じろう溜り、隙間を生じ、これ
により気密性を損なうといつた品質面での欠点を
有していた。本発明は従来の半導体装置のこのよ
うな欠点を除去することを目的とするもので、セ
ラミツク絶縁管の両端面に施された金属化層の最
外表面にニツケル−リンの合金層を形成し、この
ニツケル−リン合金層を溶融することにより金属
部品を気密封止することを特徴とするものであ
る。
いた容器に半導体素子を収納した半導体装置に関
するものである。従来のこのような半導体装置に
於てはセラミツク絶縁管と金属ベース部品及び封
着用金属部品とは、予めセラミツク絶縁管の内・
外形にほぼ等しい形状に成形された、例えば銀−
銅合金等よりなるロウ材を用い気密封止されてい
た。このような従来の半導体装置に於いては、容
器の組立を行なう際に、組立治具に部品ならびに
ろう材を順次セツトした後、還元雰囲気の炉中で
加熱し、ろう材を溶融することで封止している
が、形状が小さく、かつ厚さの薄いろう材を組立
治具にセツトするのは非常に手間がかかり、容器
組立の作業性が極めて悪かつた。またろう材を成
形する際にろう材が薄く、脆い為、成形の作業性
が悪く、かつ、ろう材に変形やわれを生じ歩留り
を著しく低下させ、ろう材の価格が極めて高くな
るといつた欠点を有していた。また、こうした価
格面での欠点に加え、組立の際、被ろう付部品
と、ろう材の位置ずれにより、ろう付部でろう材
量のばらつきを生じろう溜り、隙間を生じ、これ
により気密性を損なうといつた品質面での欠点を
有していた。本発明は従来の半導体装置のこのよ
うな欠点を除去することを目的とするもので、セ
ラミツク絶縁管の両端面に施された金属化層の最
外表面にニツケル−リンの合金層を形成し、この
ニツケル−リン合金層を溶融することにより金属
部品を気密封止することを特徴とするものであ
る。
このような本発明の半導体装置に於ては容器の
組立を行なう際に組立治具には従来のロウ材は不
要で被ろう付部品のみをセツトするだけでよい
為、作業性が著しく容易であり、また所定の形状
に成形されたろう材を製作するのに比べて、ニツ
ケル−リンの合金層は例えばめつきにより容易に
形成できる為、コストを安くすることができる。
さらにこうした価格面での効果に加え、セラミツ
ク絶縁管のろう付面となる金属化層全面に、ニツ
ケル−リン合金層をめつきにより均一に形成する
ことができる為、ろう溜り、隙間等を生じること
のない、気密性に優れた半導体装置を提供するこ
とができる。次に本発明を更に詳細に説明する為
に、従来の半導体装置ならびに本発明の半導体装
置の一実施例につき図面を参照して説明する。第
１図は従来の半導体装置を示す縦断面図であり、
第２図はその組立方法を説明する為の概要図であ
る。第３図は本発明の半導体装置の一実施例を示
す縦断面図であり、第４図はその組立方法を説明
する為の概要図である。第１図に於て、１０１は
例えばアルミナ、フオルステライト、ステアタイ
ト等よりなるセラミツク絶縁管で、その両端面に
は高融点金属の例えばモリブデン、マンガン等よ
りなる金属化層１０２，１０３が形成され、ニツ
ケル等のめつき（図示せず）が施されている。該
セラミツク絶縁管１０１の一端には例えば、銅、
コバール、鉄等よりなる金属ベース部品１０４が
例えば銀−銅合金等よりなるろう材１０５により
気密封止され、他端には例えばコバール、鉄、鉄
−ニツケル合金等よりなり、キヤツプ（図示せ
ず）を気密封止する為の封着用金属部品１０６
が、例えば銀−銅合金等よりなるろう材１０７に
より気密封止されている。このようにして構成さ
れた容器１００に半導体素子１０８を収納し、半
導体素子１０８の電極（図示せず）と前記封着用
金属部品１０６とを例えば金、アルミニウム等よ
りなる金属細線１０９で電気的に接続し、前記キ
ヤツプを封着用金属部品１０６に電気抵抗溶接等
により気密封止する。このような従来の半導体装
置に於ては、容器１００の組立を行なう際に、第
２図に示すように、カーボン等よりなる組立治具
１１０に金属ベース部品１０４、ろう材１０５、
セラミツク絶縁管１０１、ろう材１０７、封着用
金属部品１０６を順次セツトし、還元雰囲気の炉
中で加熱し、ろう材１０５，１０７を溶融し、セ
ラミツク絶縁管１０１に金属ベース部品１０４、
封着用金属部品１０６を気密封止しているが、形
状が小さく、かつ厚さの薄いろう材１０５，１０
７を組立治具１１０にセツトするのは手間がかか
り、容器１００の組立の作業性が極めて悪かつ
た。また、ろう材１０５，１０７を成形する際
に、ろう材１０５，１０７は薄く、かつ脆い為、
ろう材１０５，１０７に変形やわれを生じたり、
かつ成形の作業性も悪く、ろう材１０５，１０７
の価格が極めて高くなるといつた欠点を有してい
た。また、こうした価格面での欠点に加え、組立
の際、ろう材１０５，１０７の位置ずれにより、
ろう付部でろう材量のばらつきを生、ろう溜り１
１１、隙間１１２を生じ、これにより気密性を損
なうといつた品質面での欠点を有していた。
組立を行なう際に組立治具には従来のロウ材は不
要で被ろう付部品のみをセツトするだけでよい
為、作業性が著しく容易であり、また所定の形状
に成形されたろう材を製作するのに比べて、ニツ
ケル−リンの合金層は例えばめつきにより容易に
形成できる為、コストを安くすることができる。
さらにこうした価格面での効果に加え、セラミツ
ク絶縁管のろう付面となる金属化層全面に、ニツ
ケル−リン合金層をめつきにより均一に形成する
ことができる為、ろう溜り、隙間等を生じること
のない、気密性に優れた半導体装置を提供するこ
とができる。次に本発明を更に詳細に説明する為
に、従来の半導体装置ならびに本発明の半導体装
置の一実施例につき図面を参照して説明する。第
１図は従来の半導体装置を示す縦断面図であり、
第２図はその組立方法を説明する為の概要図であ
る。第３図は本発明の半導体装置の一実施例を示
す縦断面図であり、第４図はその組立方法を説明
する為の概要図である。第１図に於て、１０１は
例えばアルミナ、フオルステライト、ステアタイ
ト等よりなるセラミツク絶縁管で、その両端面に
は高融点金属の例えばモリブデン、マンガン等よ
りなる金属化層１０２，１０３が形成され、ニツ
ケル等のめつき（図示せず）が施されている。該
セラミツク絶縁管１０１の一端には例えば、銅、
コバール、鉄等よりなる金属ベース部品１０４が
例えば銀−銅合金等よりなるろう材１０５により
気密封止され、他端には例えばコバール、鉄、鉄
−ニツケル合金等よりなり、キヤツプ（図示せ
ず）を気密封止する為の封着用金属部品１０６
が、例えば銀−銅合金等よりなるろう材１０７に
より気密封止されている。このようにして構成さ
れた容器１００に半導体素子１０８を収納し、半
導体素子１０８の電極（図示せず）と前記封着用
金属部品１０６とを例えば金、アルミニウム等よ
りなる金属細線１０９で電気的に接続し、前記キ
ヤツプを封着用金属部品１０６に電気抵抗溶接等
により気密封止する。このような従来の半導体装
置に於ては、容器１００の組立を行なう際に、第
２図に示すように、カーボン等よりなる組立治具
１１０に金属ベース部品１０４、ろう材１０５、
セラミツク絶縁管１０１、ろう材１０７、封着用
金属部品１０６を順次セツトし、還元雰囲気の炉
中で加熱し、ろう材１０５，１０７を溶融し、セ
ラミツク絶縁管１０１に金属ベース部品１０４、
封着用金属部品１０６を気密封止しているが、形
状が小さく、かつ厚さの薄いろう材１０５，１０
７を組立治具１１０にセツトするのは手間がかか
り、容器１００の組立の作業性が極めて悪かつ
た。また、ろう材１０５，１０７を成形する際
に、ろう材１０５，１０７は薄く、かつ脆い為、
ろう材１０５，１０７に変形やわれを生じたり、
かつ成形の作業性も悪く、ろう材１０５，１０７
の価格が極めて高くなるといつた欠点を有してい
た。また、こうした価格面での欠点に加え、組立
の際、ろう材１０５，１０７の位置ずれにより、
ろう付部でろう材量のばらつきを生、ろう溜り１
１１、隙間１１２を生じ、これにより気密性を損
なうといつた品質面での欠点を有していた。
本発明は従来の半導体装置のかかる欠点を除去
することを目的とするものである。第３図に於い
て、セラミツク絶縁管２０１の両端面２０２，２
０３の最外表面にあらかじめ、めつきによりニツ
ケル−リン合金層２１３，２１４を形成し、この
ニツケル−リン合金層２１３，２１４を溶融する
ことにより、セラミツク絶縁管２０１の一方の端
面に金属ベース部品２０４を、もう一方の端面に
封着用金属部品２０６を気密封止することを特徴
とするものである。なお、本実施例において、こ
の他の構成については従来の半導体装置と同じで
あるので説明は略す。このような本発明の半導体
装置に於ては、第４図に示すごとく容器２００の
組立を行なう際に、組立治具２１０には被ろう付
部品であるセラミツク絶縁管２０１、金属ベース
部材２０４、封着用金属部材２０６のみをセツト
するだけでよく、従来のロウ材が不要なため、作
業が著しく容易となる。さらに所定の形状に成形
されたろう材を製作するのに比べて、ニツケル−
リン合金層２１３，２１４はめつきにより容易に
形成できる為、その分大幅に安価にできるという
利点を有している。こうした利点に加え、ニツケ
ル−リン合金層２１３，２１４はめつきにより封
止面となるセラミツク絶縁管２０１の両端面の金
属化層２０２，２０３の全面に均一に形成できる
為、ろう溜り、隙間等の生じることのない、気密
性に優れた半導体装置を提供することができる。
することを目的とするものである。第３図に於い
て、セラミツク絶縁管２０１の両端面２０２，２
０３の最外表面にあらかじめ、めつきによりニツ
ケル−リン合金層２１３，２１４を形成し、この
ニツケル−リン合金層２１３，２１４を溶融する
ことにより、セラミツク絶縁管２０１の一方の端
面に金属ベース部品２０４を、もう一方の端面に
封着用金属部品２０６を気密封止することを特徴
とするものである。なお、本実施例において、こ
の他の構成については従来の半導体装置と同じで
あるので説明は略す。このような本発明の半導体
装置に於ては、第４図に示すごとく容器２００の
組立を行なう際に、組立治具２１０には被ろう付
部品であるセラミツク絶縁管２０１、金属ベース
部材２０４、封着用金属部材２０６のみをセツト
するだけでよく、従来のロウ材が不要なため、作
業が著しく容易となる。さらに所定の形状に成形
されたろう材を製作するのに比べて、ニツケル−
リン合金層２１３，２１４はめつきにより容易に
形成できる為、その分大幅に安価にできるという
利点を有している。こうした利点に加え、ニツケ
ル−リン合金層２１３，２１４はめつきにより封
止面となるセラミツク絶縁管２０１の両端面の金
属化層２０２，２０３の全面に均一に形成できる
為、ろう溜り、隙間等の生じることのない、気密
性に優れた半導体装置を提供することができる。
以上、本発明の一実施例につき、図面を参照し
て説明したが本発明の効果は封止される部品の材
質・形状等により、何ら制限を受けるものでな
く、特許請求範囲に記す全ての半導体装置に及ぶ
ことは明らかであろう。
て説明したが本発明の効果は封止される部品の材
質・形状等により、何ら制限を受けるものでな
く、特許請求範囲に記す全ての半導体装置に及ぶ
ことは明らかであろう。
第１図は従来の半導体装置を示す縦断面図であ
り、第２図はその組立方法を説明する為の概要図
である。第３図は本発明の半導体装置の一実施例
を示す縦断面図であり、第４図はその組立方法を
説明する為の概要図である。 １００，２００：容器、１０１，２０１：セラ
ミツク絶縁管、１０２，２０２：金属化層、１０
３，２０３：金属化層、１０４，２０４：金属ベ
ース部品、１０５：ろう材、１０６，２０６：封
着用金属部品、１０７：ろう材、１０８，２０
８：半導体素子、１０９，２０９：金属細線、１
１０，２１０：組立治具、１１１：ろう付部のろ
う溜り、１１２：ろう付部の隙間、２１３：ニツ
ケル−リン合金層、２１４：ニツケル−リン合金
層。
り、第２図はその組立方法を説明する為の概要図
である。第３図は本発明の半導体装置の一実施例
を示す縦断面図であり、第４図はその組立方法を
説明する為の概要図である。 １００，２００：容器、１０１，２０１：セラ
ミツク絶縁管、１０２，２０２：金属化層、１０
３，２０３：金属化層、１０４，２０４：金属ベ
ース部品、１０５：ろう材、１０６，２０６：封
着用金属部品、１０７：ろう材、１０８，２０
８：半導体素子、１０９，２０９：金属細線、１
１０，２１０：組立治具、１１１：ろう付部のろ
う溜り、１１２：ろう付部の隙間、２１３：ニツ
ケル−リン合金層、２１４：ニツケル−リン合金
層。
Claims (1)
- １ セラミツク絶縁管の内部に半導体素子を収納
した半導体装置に於いて、前記セラミツク絶縁管
に設けられた金属化層の最外表面にニツケル−リ
ン合金層を形成し、該ニツケル−リン合金層を溶
融することによつて金属ベース部品及び封着用金
属部品をセラミツク絶縁管に固着したことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194897A JPS6086838A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194897A JPS6086838A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086838A JPS6086838A (ja) | 1985-05-16 |
| JPH0216586B2 true JPH0216586B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=16332143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58194897A Granted JPS6086838A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086838A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0451779U (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-30 | ||
| JPH04163873A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Tokyo Densen Kogyo Kk | 平形電線の端子接続構造 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58194897A patent/JPS6086838A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0451779U (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-30 | ||
| JPH04163873A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Tokyo Densen Kogyo Kk | 平形電線の端子接続構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6086838A (ja) | 1985-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU938756A3 (ru) | Способ изготовлени вакуумного выключател | |
| JP3670008B2 (ja) | 気密ろう接合部の作成方法 | |
| JP4765538B2 (ja) | 真空バルブ、真空バルブの製造方法 | |
| US4446502A (en) | Metallurgical contacts in hermetically sealed glass encapsulated ceramic capacitors | |
| US3980917A (en) | Photo-electrode structure | |
| JP2970723B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| JPS6086838A (ja) | 半導体装置 | |
| KR950012947B1 (ko) | 발진기 | |
| JP3176250B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2746809B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP4511214B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
| JPH06151642A (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JP2577315B2 (ja) | 口金付管球 | |
| KR100659534B1 (ko) | 반도체 장치를 밀폐형으로 밀봉하는 밀봉 링과 그것을사용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US3147361A (en) | Vacuum tight joint and method of making such joint | |
| JP3445761B2 (ja) | 電子デバイス用セラミックパッケージ | |
| JPS61209966A (ja) | 無機絶縁物と銅材との真空ろう付け方法 | |
| JPS63240051A (ja) | セラミツクキヤツプ | |
| JPH01274459A (ja) | 半導体装置用ステムの製造方法 | |
| JP2000022012A (ja) | 電子部品装置 | |
| JPS6076150A (ja) | 半導体装置の金属パツケ−ジ | |
| JP3393784B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP2748180B2 (ja) | 集積回路パッケージの製造法 | |
| JPS6032774Y2 (ja) | 半導体装置用ステム | |
| JPS624348A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジの製造方法 |