JPH0216609B2 - - Google Patents
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- JPH0216609B2 JPH0216609B2 JP58150900A JP15090083A JPH0216609B2 JP H0216609 B2 JPH0216609 B2 JP H0216609B2 JP 58150900 A JP58150900 A JP 58150900A JP 15090083 A JP15090083 A JP 15090083A JP H0216609 B2 JPH0216609 B2 JP H0216609B2
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- mixer
- substrate
- wave
- internal cavity
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
- H03D9/0641—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit located in a hollow waveguide
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/18—Modifications of frequency-changers for eliminating image frequencies
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Enzymes And Modification Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、非線形特性を有するダイオード又は
トランジスタ等の電子素子を備えるマイクロ波ミ
クサに係り、特に電気通信用の受信器の分野にお
いて使用され得るマイクロ波ミクサに関する。
トランジスタ等の電子素子を備えるマイクロ波ミ
クサに係り、特に電気通信用の受信器の分野にお
いて使用され得るマイクロ波ミクサに関する。
［従来の技術］
従来のミクサは、異なる周波数を有する２つの
入力信号を混合して、１つの出力信号を出力する
電子デバイスの一種であつて、出力信号の周波数
は２つの入力信号のコレクタの和に等しい周波
数、又か中間周波数と呼ばれている差に等しい周
波数を含んでいる。
入力信号を混合して、１つの出力信号を出力する
電子デバイスの一種であつて、出力信号の周波数
は２つの入力信号のコレクタの和に等しい周波
数、又か中間周波数と呼ばれている差に等しい周
波数を含んでいる。
ミクサを構成する際の問題点は、ミクサの入力
電力と出力電力との差を表わし、通常デシベル単
位に測定される変換損を最少にすることである。
この変換損が増大するとミクサの出力に接続され
た受信器の感度が低下する。
電力と出力電力との差を表わし、通常デシベル単
位に測定される変換損を最少にすることである。
この変換損が増大するとミクサの出力に接続され
た受信器の感度が低下する。
変換損を最少にする方法としては、出力信号の
スペクトルの特定周波数に同調した帯域消去フイ
ルタをミクサに配置して、非線形特性を有する電
子素子から混合した出力信号の対応する部分を反
射させ、かつ出力信号のスペクトルの別の周波数
を用いて更に混合することにより、直接混合によ
つて得られた中間周波数FOと同一の位相及び周
波数を有する信号を得る方法がある。
スペクトルの特定周波数に同調した帯域消去フイ
ルタをミクサに配置して、非線形特性を有する電
子素子から混合した出力信号の対応する部分を反
射させ、かつ出力信号のスペクトルの別の周波数
を用いて更に混合することにより、直接混合によ
つて得られた中間周波数FOと同一の位相及び周
波数を有する信号を得る方法がある。
上述の方法を利用した一例としては、マイクロ
エレクトロニツク回路形態の帯域消去フイルタを
備えているミクサが知られている。このミクサ
は、非線形特性を有する電子素子においてイメー
ジ周波数FIを回復しかつ反射させるべく、導波管
又は金属処理により基板上にデポジツトされたス
ロツト付きの線で構成されている。イメージ周波
数FIは、ミクサの１つの入力に供給された混合用
信号の周波数FLに関して他の１つの入力に供給
された入力信号の周波数FSと対称である。
エレクトロニツク回路形態の帯域消去フイルタを
備えているミクサが知られている。このミクサ
は、非線形特性を有する電子素子においてイメー
ジ周波数FIを回復しかつ反射させるべく、導波管
又は金属処理により基板上にデポジツトされたス
ロツト付きの線で構成されている。イメージ周波
数FIは、ミクサの１つの入力に供給された混合用
信号の周波数FLに関して他の１つの入力に供給
された入力信号の周波数FSと対称である。
非線形特性を有する電子素子によつて生ずるイ
メージ周波数FI＝2FL−FSは、帯域消去フイルタ
により電子素子から反射し、更にイメージ周波数
FIを混合用信号の周波数FLに混合すると、入力信
号の周波数FSと混合用信号の周波数FLとの直接
混合によつて得られる中間周波数FOに等しい周
波数FL−FI＝FL−（2FL−FS）＝FS−FL＝FOが生ず
る。得られた出力信号が直接混合によつて得られ
る中間周波数信号と同位相であれば、このミクサ
は中間周波数FOの信号の出力振幅を増大し変換
損を減少させる。
メージ周波数FI＝2FL−FSは、帯域消去フイルタ
により電子素子から反射し、更にイメージ周波数
FIを混合用信号の周波数FLに混合すると、入力信
号の周波数FSと混合用信号の周波数FLとの直接
混合によつて得られる中間周波数FOに等しい周
波数FL−FI＝FL−（2FL−FS）＝FS−FL＝FOが生ず
る。得られた出力信号が直接混合によつて得られ
る中間周波数信号と同位相であれば、このミクサ
は中間周波数FOの信号の出力振幅を増大し変換
損を減少させる。
変換損を減少させ得る他の方法は、ミクサによ
る入力周波数FL，FSの直接加算により得られる
和周波数（FL＋FS）を、非線形特性を有する電
子素子に向けて反射させる方法であり、この方法
は和周波数に同調された帯域消去フイルタによつ
ても実行される。この場合、和周波数（FL＋FS）
と混合用信号の２倍の周波数2FLとを混合するこ
とにより下記の関係式に従い中間周波数FOの出
力信号が得られる。
る入力周波数FL，FSの直接加算により得られる
和周波数（FL＋FS）を、非線形特性を有する電
子素子に向けて反射させる方法であり、この方法
は和周波数に同調された帯域消去フイルタによつ
ても実行される。この場合、和周波数（FL＋FS）
と混合用信号の２倍の周波数2FLとを混合するこ
とにより下記の関係式に従い中間周波数FOの出
力信号が得られる。
（FL＋FS）−2FL＝FS−FL＝FO
中間周波数FOを有する得られた出力信号が、
中間周波数信号と同位相であれば変換損は減少さ
れ得る。しかし、実際には表面波の出現等に起因
する種々の寄生効果が発生して、変換損が大幅に
は減少されない。
中間周波数信号と同位相であれば変換損は減少さ
れ得る。しかし、実際には表面波の出現等に起因
する種々の寄生効果が発生して、変換損が大幅に
は減少されない。
［発明が解決しようとする課題］
従来のミクサには、中間周波数信号が入力信号
の周波数FSよりもかなり低い周波数FOを有して
いるので、和周波数が入力信号の周波数FSの２倍
に近く、使用されるマイクロストリツプ型又はス
ロツト線型の導波管の分散及びミクサを囲繞する
ケーシングとそのカバーにより誘発される共振効
果等に起因する種々の寄生現象が発生するので、
和周波数（FL＋FS）を制御することができない
という問題点がある。
の周波数FSよりもかなり低い周波数FOを有して
いるので、和周波数が入力信号の周波数FSの２倍
に近く、使用されるマイクロストリツプ型又はス
ロツト線型の導波管の分散及びミクサを囲繞する
ケーシングとそのカバーにより誘発される共振効
果等に起因する種々の寄生現象が発生するので、
和周波数（FL＋FS）を制御することができない
という問題点がある。
本発明の目的は、前述の寄生現象の１つである
共振効果を利用して変換損を減少させるべく、和
周波数を回復し得る同調手段を備えたマイクロ波
ミクサを提供することにある。
共振効果を利用して変換損を減少させるべく、和
周波数を回復し得る同調手段を備えたマイクロ波
ミクサを提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、本発明の前記目的は、非線形
特性を有する少なくとも１つの電子素子を備えた
マイクロエレクトロニツク回路と、前記マイクロ
エレクトロニツク回路を支持する基板と、前記基
板により支持された前記電子素子に連結された複
数のストリツプラインと、周波数FSの入射波を受
容する第１の端子、周波数FLの混合波を受容す
る第２の端子、及び周波数FOを有する混合され
た出力波を供給する第３の端子の３つの端子を有
しており、前記マイクロエレクトロニツク回路を
囲繞しかつ内部空洞を形成しており、カバーによ
り閉鎖されたケーシングと、前記カバーの面を貫
通して突出しているとともに高さが調整可能な突
出素子を含んでおり、前記入射波の周波数FS及び
前記混合波の周波数FLの周波数の和を表わす和
周波数FS＋FLに前記内部空洞を同調させるべく
前記ケーシングに連結された同調手段とを備えた
マイクロ波ミクサによつて達成される。
特性を有する少なくとも１つの電子素子を備えた
マイクロエレクトロニツク回路と、前記マイクロ
エレクトロニツク回路を支持する基板と、前記基
板により支持された前記電子素子に連結された複
数のストリツプラインと、周波数FSの入射波を受
容する第１の端子、周波数FLの混合波を受容す
る第２の端子、及び周波数FOを有する混合され
た出力波を供給する第３の端子の３つの端子を有
しており、前記マイクロエレクトロニツク回路を
囲繞しかつ内部空洞を形成しており、カバーによ
り閉鎖されたケーシングと、前記カバーの面を貫
通して突出しているとともに高さが調整可能な突
出素子を含んでおり、前記入射波の周波数FS及び
前記混合波の周波数FLの周波数の和を表わす和
周波数FS＋FLに前記内部空洞を同調させるべく
前記ケーシングに連結された同調手段とを備えた
マイクロ波ミクサによつて達成される。
［作 用］
本発明ののマイクロ波ミクサによれば、ケーシ
ングに連結された同調手段が、カバーの面を貫通
して突出し、その高さが調整可能な突出素子を備
えているが故に、カバーにより閉鎖されており、
マイクロエレクトロニツク回路を囲繞しているケ
ーシングの内部空洞を、入射波の周波数FS及び混
合波の周波数FLの周波数の和を表わす和周波数
FS＋FLに同調させ得、和周波数FS＋FLをマイク
ロエレクトロニツク回路に備えられた非線形特性
を有する少なくとも１つの電子素子において回復
し得、その結果共振効果を利用して変換損を減少
し得る。
ングに連結された同調手段が、カバーの面を貫通
して突出し、その高さが調整可能な突出素子を備
えているが故に、カバーにより閉鎖されており、
マイクロエレクトロニツク回路を囲繞しているケ
ーシングの内部空洞を、入射波の周波数FS及び混
合波の周波数FLの周波数の和を表わす和周波数
FS＋FLに同調させ得、和周波数FS＋FLをマイク
ロエレクトロニツク回路に備えられた非線形特性
を有する少なくとも１つの電子素子において回復
し得、その結果共振効果を利用して変換損を減少
し得る。
［実施例］
以下添付図面に基づき非限定的具体例を挙げて
本発明をより詳細に説明する。
本発明をより詳細に説明する。
第１図に原理説明図として示されているミクサ
は一次巻線２と、中央タツプ（center tap）５を
形成すべく一端で互に接続された２つの二次半巻
線３及び４とを含む変圧器１で構成されている。
これら巻線３及び４の中央タツプ５形成端ではな
い先端相互間には２個のダイオード６及び７が直
列に配置されている。一方のダイオード６のカソ
ードは共通接続点１０を形成すべく他のダイオー
ド７のアノードに接続されている。混合すべき入
射信号Ｓはコンデンサ１１を介してアース線Ｍと
該共通接続点１０との間の外部信号源（図示せ
ず）より送出される。混合信号OLは外部の局部
発振器（図示せず）により変圧器１の一次巻線２
の端子に与えられる。混合の結果生じる信号OR
はダイオード６及び７の共通接続点１０に接続さ
れた入力をもつ低域フイルタ１２の出力に得られ
る。フイルタ１２は共通接続点１０に接続された
一端と、ミクサの出力を構成し且つコンデンサ１
４を介してアース線Ｍに接続されている他端とを
もつインダクタンスコイル１３で構成されてい
る。ダイオード６，７によつて生じ、局部発振器
の周波数FLの２倍の値と与えられた入射信号の
周波数FSとの間の差を示すイメージ周波数FI＝
2FL−FSに同調された帯域消去フイルタ１５は、
イメージ周波数FIを２個ダイオード６，７方向へ
反射すべく、アース線Ｍとダイオード６，７の共
通接続点１０との間に配置されている。従つて、
与えられた入射信号の周波数FSと局部発振器の周
波数FLとの直接混合から得られる周波数に等し
い中間周波数FOを得、それによつて変換損を減
少すべく、局部発振器の周波数FLを用いて更に
別の混合動作を実施することができる。
は一次巻線２と、中央タツプ（center tap）５を
形成すべく一端で互に接続された２つの二次半巻
線３及び４とを含む変圧器１で構成されている。
これら巻線３及び４の中央タツプ５形成端ではな
い先端相互間には２個のダイオード６及び７が直
列に配置されている。一方のダイオード６のカソ
ードは共通接続点１０を形成すべく他のダイオー
ド７のアノードに接続されている。混合すべき入
射信号Ｓはコンデンサ１１を介してアース線Ｍと
該共通接続点１０との間の外部信号源（図示せ
ず）より送出される。混合信号OLは外部の局部
発振器（図示せず）により変圧器１の一次巻線２
の端子に与えられる。混合の結果生じる信号OR
はダイオード６及び７の共通接続点１０に接続さ
れた入力をもつ低域フイルタ１２の出力に得られ
る。フイルタ１２は共通接続点１０に接続された
一端と、ミクサの出力を構成し且つコンデンサ１
４を介してアース線Ｍに接続されている他端とを
もつインダクタンスコイル１３で構成されてい
る。ダイオード６，７によつて生じ、局部発振器
の周波数FLの２倍の値と与えられた入射信号の
周波数FSとの間の差を示すイメージ周波数FI＝
2FL−FSに同調された帯域消去フイルタ１５は、
イメージ周波数FIを２個ダイオード６，７方向へ
反射すべく、アース線Ｍとダイオード６，７の共
通接続点１０との間に配置されている。従つて、
与えられた入射信号の周波数FSと局部発振器の周
波数FLとの直接混合から得られる周波数に等し
い中間周波数FOを得、それによつて変換損を減
少すべく、局部発振器の周波数FLを用いて更に
別の混合動作を実施することができる。
同様にしてダイオード６，７の共通接続点１０
とアースとの間には、和周波数をダイオード６，
７方向に反射してこの和周波数FS＋FLと局部発
振器の２倍周波数2FLとの混合により、ミクサの
入力に与えられた入力信号の風波数FSと局部発振
器の周波数FLとの直接混合から得られる周波数
に等しい中間周波数FOを得るべく帯域消去フイ
ルタ１８も配置されている。このようにすれば、
帯域消去フイルタ１５の場合と同様に帯域消去フ
イルタ１８によつても変換損を減少することがで
きる。尚、和周波数と局部発振器の周波数とはい
ずれもダイオード６，７により発生する。
とアースとの間には、和周波数をダイオード６，
７方向に反射してこの和周波数FS＋FLと局部発
振器の２倍周波数2FLとの混合により、ミクサの
入力に与えられた入力信号の風波数FSと局部発振
器の周波数FLとの直接混合から得られる周波数
に等しい中間周波数FOを得るべく帯域消去フイ
ルタ１８も配置されている。このようにすれば、
帯域消去フイルタ１５の場合と同様に帯域消去フ
イルタ１８によつても変換損を減少することがで
きる。尚、和周波数と局部発振器の周波数とはい
ずれもダイオード６，７により発生する。
第１図の原理に基づく本発明のミクサの一実施
例を第２図から第４図に示した。このミクサは２
個の平らな矩形面２１ａ，２１ｂをもつ基板２１
を備えており、面２１ａ，２１ｂは互に平行で相
互間に1/10×数ミリメートルの距離をおいてい
る。
例を第２図から第４図に示した。このミクサは２
個の平らな矩形面２１ａ，２１ｂをもつ基板２１
を備えており、面２１ａ，２１ｂは互に平行で相
互間に1/10×数ミリメートルの距離をおいてい
る。
基板２１はチタン酸マグネシウム、アルミナ又
はテフロンガラス等の如き高誘電率材料から成
り、面２１ａ上に伝導性材料の薄膜としての金属
化層２２が金属化処理によりデポジツトされてい
る。
はテフロンガラス等の如き高誘電率材料から成
り、面２１ａ上に伝導性材料の薄膜としての金属
化層２２が金属化処理によりデポジツトされてい
る。
ストリツプラインを面２１ｂ上で金属化処理す
ることによりデポジツトした導線２３の一端が、
面２１ｂのエツジ上に配置された端子２４に接続
されており、もう一方の自由端がエツチング等の
方法で金属化層２２に形成されたスロツト線２５
の真裏に配置されている。スロツト線２５と導線
２３とは互いにほぼ直交している。スロツト線２
５は２つの平行な内部側縁２５ａ，２６ｂと、先
端に広がり部２６をもつ第１の拡大部と、先端に
広がり部２７をもつ第２拡大部とを有している。
ることによりデポジツトした導線２３の一端が、
面２１ｂのエツジ上に配置された端子２４に接続
されており、もう一方の自由端がエツチング等の
方法で金属化層２２に形成されたスロツト線２５
の真裏に配置されている。スロツト線２５と導線
２３とは互いにほぼ直交している。スロツト線２
５は２つの平行な内部側縁２５ａ，２６ｂと、先
端に広がり部２６をもつ第１の拡大部と、先端に
広がり部２７をもつ第２拡大部とを有している。
スロツト線２５と導線２３とはまた、スロツト
線２５の第１の先端が導線２３の第２の先端に対
向するようにも配置されている。
線２５の第１の先端が導線２３の第２の先端に対
向するようにも配置されている。
スロツト線２５の側縁２５ａ及び２５ｂの近傍
に基板２１の厚みを貫通する穴２８，２９が形成
されており、これら穴２８，２９内には夫々ダイ
オード３０，３１が互いに逆方向に配置されてい
る。ダイオード３１のカソードはスロツト線の側
縁２５ａに、ダイオード３０のアノードはスロツ
ト線の側縁２５ｂに接続されている。これらダイ
オード３０，３１の他端はいずれもほぼ矩形のプ
レート３２の一側面上に接続されている。ダイオ
ード３０，３１が接続されている側面と反対側の
プレート３２の側面は、ストリツプ線を面２１ｂ
上で金属化処理することによりデポジツトした導
線３３の第１の先端に接続されている。導線３３
の他端は自由端であつて、接続端子２４が配置さ
れている側と反対の側で面２１ｂ上に配置された
接続端子３４に対向している。端子３４は基板の
面２１ｂ上でストリツプを金属化処理することに
よりデポジツトした導線３５の第１の先端に接続
されている。導線３５の他端は自由端である。
に基板２１の厚みを貫通する穴２８，２９が形成
されており、これら穴２８，２９内には夫々ダイ
オード３０，３１が互いに逆方向に配置されてい
る。ダイオード３１のカソードはスロツト線の側
縁２５ａに、ダイオード３０のアノードはスロツ
ト線の側縁２５ｂに接続されている。これらダイ
オード３０，３１の他端はいずれもほぼ矩形のプ
レート３２の一側面上に接続されている。ダイオ
ード３０，３１が接続されている側面と反対側の
プレート３２の側面は、ストリツプ線を面２１ｂ
上で金属化処理することによりデポジツトした導
線３３の第１の先端に接続されている。導線３３
の他端は自由端であつて、接続端子２４が配置さ
れている側と反対の側で面２１ｂ上に配置された
接続端子３４に対向している。端子３４は基板の
面２１ｂ上でストリツプを金属化処理することに
よりデポジツトした導線３５の第１の先端に接続
されている。導線３５の他端は自由端である。
導線３３及び３５は互いがほぼ平行になるよう
配置されている。基板の面２１ｂ上にはほぼ矩形
のプレート３６が金属化処理によりデポジツトさ
れており、プレート３６の第１の側縁は面２１ｂ
上でのストリツプの金属化処理によりデポジツト
した導線３７の第１の先端に接続されている。
配置されている。基板の面２１ｂ上にはほぼ矩形
のプレート３６が金属化処理によりデポジツトさ
れており、プレート３６の第１の側縁は面２１ｂ
上でのストリツプの金属化処理によりデポジツト
した導線３７の第１の先端に接続されている。
導線３７の他端は導線３３の第１の先端部でプ
レート３２に接続されている。
レート３２に接続されている。
プレート３６の第１の側縁と反対側の側縁はス
トリツプの金属化処理により面２１ｂ上にデポジ
ツトされた導線３８の第１の先端に接続されてお
り、導線３８の他端は基板の面２１ｂ上に配置さ
れた端子３９に接続されている。金属化層２２に
はスロツト線４０が導線３３及び３５とほぼ直交
する方向に形成されている。スロツト線４０の第
１の先端はプレート３２への導線３３，３７の共
通接続点の真裏に配置されている。スロツト線４
０の他端４２は折曲しており、そのため基板２１
の必要面積が節約される。
トリツプの金属化処理により面２１ｂ上にデポジ
ツトされた導線３８の第１の先端に接続されてお
り、導線３８の他端は基板の面２１ｂ上に配置さ
れた端子３９に接続されている。金属化層２２に
はスロツト線４０が導線３３及び３５とほぼ直交
する方向に形成されている。スロツト線４０の第
１の先端はプレート３２への導線３３，３７の共
通接続点の真裏に配置されている。スロツト線４
０の他端４２は折曲しており、そのため基板２１
の必要面積が節約される。
第２図のミクサは次の如く作動する。
ミクサ外部の局部発振器により発生する信号
OLの電波の電界が端子２４と金属化層２２との
間に与えられ、第１の端で導線２３に接続されて
いるスロツト線２５を介してダイオード３０及び
３１方向に伝播する。導線２３は端子２４に直接
接続されている。スロツト線２５と導線２３とは
第１図の変圧器の機能を果たし、スロツト線２５
の側縁２５ａ及び２５ｂはダイオード３０及び３
１の接続点で互いに逆の位相で振動する。
OLの電波の電界が端子２４と金属化層２２との
間に与えられ、第１の端で導線２３に接続されて
いるスロツト線２５を介してダイオード３０及び
３１方向に伝播する。導線２３は端子２４に直接
接続されている。スロツト線２５と導線２３とは
第１図の変圧器の機能を果たし、スロツト線２５
の側縁２５ａ及び２５ｂはダイオード３０及び３
１の接続点で互いに逆の位相で振動する。
プレート３２は第１図の接続点１０の機能を果
たし、接続端子３４に与えられるミクサの入力信
号Ｓの電波によつて生じる電界を、２つの平行導
線３３及び３５で構成されたコンデンサを介して
プレート３２に接続されたダイオード３０及び３
１の先端に与える。プレート３６と導線３７及び
３８とは第１図の低減フイルタ１２の機能を果た
す。中間周波数FOをもつ混合された信号ORの電
波は端子３９上に得られる。スロツト線４０は前
記両ダイオードによつて生じる影像周波数の1/2
波長に対応する長さを有し、従つて第１図の帯域
消去フイルタ１５を構成する。
たし、接続端子３４に与えられるミクサの入力信
号Ｓの電波によつて生じる電界を、２つの平行導
線３３及び３５で構成されたコンデンサを介して
プレート３２に接続されたダイオード３０及び３
１の先端に与える。プレート３６と導線３７及び
３８とは第１図の低減フイルタ１２の機能を果た
す。中間周波数FOをもつ混合された信号ORの電
波は端子３９上に得られる。スロツト線４０は前
記両ダイオードによつて生じる影像周波数の1/2
波長に対応する長さを有し、従つて第１図の帯域
消去フイルタ１５を構成する。
第１図の帯域消去フイルタ１８は基板２１上に
は直接形成されず、第３図及び第４図は、第２図
に示した超小型回路を備えており、カバー４４に
より閉鎖されたケーシング４３内に配置されてい
るミクサの一部を示す。
は直接形成されず、第３図及び第４図は、第２図
に示した超小型回路を備えており、カバー４４に
より閉鎖されたケーシング４３内に配置されてい
るミクサの一部を示す。
ケーシング４４は直方体の形状を有しており、
３つの同軸コネクタ４５，４６，４７を備えてい
る。第２の端子としてのコネクタ４５は局部発振
器より送出される信号OLの電波を伝送すべく、
基板２１の端子２４と外部同軸ケーブル（図示せ
ず）とを接続し、第１の端子としてのコネクタ４
６は基板の端子３４と入射信号Ｓの電波を伝送す
るための外部同軸ケーブル（図示せず）とを接続
し、第３の端子としてのコネクタ４７は端子３９
とミクサより送出される信号ORの電波を伝送す
るための外部同軸ケーブル（図示せず）とを接続
する。
３つの同軸コネクタ４５，４６，４７を備えてい
る。第２の端子としてのコネクタ４５は局部発振
器より送出される信号OLの電波を伝送すべく、
基板２１の端子２４と外部同軸ケーブル（図示せ
ず）とを接続し、第１の端子としてのコネクタ４
６は基板の端子３４と入射信号Ｓの電波を伝送す
るための外部同軸ケーブル（図示せず）とを接続
し、第３の端子としてのコネクタ４７は端子３９
とミクサより送出される信号ORの電波を伝送す
るための外部同軸ケーブル（図示せず）とを接続
する。
第４図の如く、ケーシング４３は更に底面４８
をも備えている。この底面４８は壁面４９から壁
面５２により規定されており、これら壁面上には
ケーシング４３内で基板２１を底面４８と平行に
保持するための突出レツジ５３が形成されてい
る。
をも備えている。この底面４８は壁面４９から壁
面５２により規定されており、これら壁面上には
ケーシング４３内で基板２１を底面４８と平行に
保持するための突出レツジ５３が形成されてい
る。
カバー４４にはその厚みを貫通してケーシング
内部に突出する突出素子としてのネジ５４を含む
同調手段が具備されている。このネジ５４の突出
部分の長さはカバー４４と、底面４８と、壁面４
９から壁面５２とにより形成されたケーシング内
の内部空洞が第１図の帯域消去フイルタ１８の和
共振周波数に対応する周波数で共振を開始するよ
う調整される。
内部に突出する突出素子としてのネジ５４を含む
同調手段が具備されている。このネジ５４の突出
部分の長さはカバー４４と、底面４８と、壁面４
９から壁面５２とにより形成されたケーシング内
の内部空洞が第１図の帯域消去フイルタ１８の和
共振周波数に対応する周波数で共振を開始するよ
う調整される。
内部空洞へのエネルギ供給は和周波数を送出す
るマイクロエレクトロニツク回路としての超小型
回路の素子自体によつて行なわれる。ミクサの作
動が妨害されないよう、ネジ５４はミクサの超小
型回路から十分離れた基板２１部分に面して配置
されている。
るマイクロエレクトロニツク回路としての超小型
回路の素子自体によつて行なわれる。ミクサの作
動が妨害されないよう、ネジ５４はミクサの超小
型回路から十分離れた基板２１部分に面して配置
されている。
本発明は以上説明してきたミクサに限定される
ことなく、別の構造をもつミクサ、例えば空洞が
円筒形など別の形状をもつようなミクサを実現す
る場合にも適用し得る。
ことなく、別の構造をもつミクサ、例えば空洞が
円筒形など別の形状をもつようなミクサを実現す
る場合にも適用し得る。
また、和周波数への同調も、必ずしもケーシン
グカバーにより固定する必要のない別の等価手段
で行なつてよい。
グカバーにより固定する必要のない別の等価手段
で行なつてよい。
［本発明の効果］
本発明のマイクロ波ミクサによれば、ケーシン
グに連結された同調手段が、カバーの面を貫通し
て突出し、その高さが調整可能な突出素子を備え
ているが故に、カバーにより閉鎖されており、マ
イクロエレクトロニツク回路を囲繞しているケー
シングの内部空洞を、入射波FS及び混合波の周波
数FLの周波数の和を表わす和周波数FS＋FLに同
調させ得、和周波数FS＋FLをマイクロエレクト
ロニツク回路に備えられた非線形特性を有する少
なくとも１つの電子素子において回復し得、その
結果共振効果を利用して変換損を減少し得る。
グに連結された同調手段が、カバーの面を貫通し
て突出し、その高さが調整可能な突出素子を備え
ているが故に、カバーにより閉鎖されており、マ
イクロエレクトロニツク回路を囲繞しているケー
シングの内部空洞を、入射波FS及び混合波の周波
数FLの周波数の和を表わす和周波数FS＋FLに同
調させ得、和周波数FS＋FLをマイクロエレクト
ロニツク回路に備えられた非線形特性を有する少
なくとも１つの電子素子において回復し得、その
結果共振効果を利用して変換損を減少し得る。
第１図は本発明のマイクロ波ミクサと等価の原
理を示す概略説明図、第２図は第１図の回路の一
具体例の説明図、第３図は第２図のミクサ回路の
平面図、第４図は第３図のミクサの線ａ―a′に沿
つた断面図である。 １……変圧器、２……一次巻線、３，４……二
次巻線、１２……低減フイルタ、１３……インダ
クタンスコイル、１５，１８……帯域消去フイル
タ、２１……基板、２３，３３，３５，３７，３
８……導線、２５，４０……スロツト線、２８，
２９……穴、３０，３１……ダイオード、２４，
３４，３９……端子、４３……ケーシング、４４
……カバー、４５，４６，４７……同軸コネク
タ、５４……ネジ。
理を示す概略説明図、第２図は第１図の回路の一
具体例の説明図、第３図は第２図のミクサ回路の
平面図、第４図は第３図のミクサの線ａ―a′に沿
つた断面図である。 １……変圧器、２……一次巻線、３，４……二
次巻線、１２……低減フイルタ、１３……インダ
クタンスコイル、１５，１８……帯域消去フイル
タ、２１……基板、２３，３３，３５，３７，３
８……導線、２５，４０……スロツト線、２８，
２９……穴、３０，３１……ダイオード、２４，
３４，３９……端子、４３……ケーシング、４４
……カバー、４５，４６，４７……同軸コネク
タ、５４……ネジ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非線形特性を有する少なくとも１つの電子素
子を備えたマイクロエレクトロニツク回路と、前
記マイクロエレクトロニツク回路を支持する基板
と、前記基板により支持された前記電子素子に連
結された複数のストリツプラインと、周波数FSの
入射波を受容する第１の端子、周波数FLの混合
波を受容する第２の端子、及び周波数FOを有す
る混合された出力波を供給する第３の端子の３つ
の端子を有しており、前記マイクロエレクトロニ
ツク回路を囲繞しかつ内部空洞を形成しており、
カバーにより閉鎖されたケーシングと、前記カバ
ーの面を貫通して突出しているとともに高さが調
整可能な突出素子を含んでおり、前記入射波の周
波数FS及び前記混合波の周波数FLの周波数の和
を表わす和周波数FS＋FLに前記内部空洞を同調
させるべく前記ケーシングに連結された同調手段
とを備えたマイクロ波ミクサ。 ２ 前記突出素子が、前記カバーを直角に貫通し
て延伸しているスクリユーからなる特許請求の範
囲第１項に記載のミクサ。 ３ 前記突出素子が、前記基板上に支持された前
記ストリツプラインから充分な距離で前記内部空
洞の部位内に配置される特許請求の範囲第２項に
記載のミクサ。 ４ 前記基板が、ほぼ平らな形状を有する特許請
求の範囲第３項に記載のミクサ。 ５ 前記カバーが、前記ほぼ平らな形状の基板に
平行である特許請求の範囲第４項に記載のミク
サ。 ６ 前記内部空洞が、平行六面体形状である特許
請求の範囲第５項に記載のミクサ。 ７ 前記内部空洞が、円筒形状である特許請求の
範囲第５項に記載のミクサ。 ８ 前記電子素子からイメージ周波数を反射させ
るために、前記混合波の周波数FLの２倍から前
記入射波の周波数FSを引いたものに等しいイメー
ジ周波数FIを回復すべく、前記基板により支持さ
れた回復手段を備える特許請求の範囲第１項に記
載のミクサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8214435 | 1982-08-20 | ||
| FR8214435A FR2532121A1 (fr) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | Melangeur d'ondes electromagnetiques hyperfrequences a recuperation de la frequence somme |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955607A JPS5955607A (ja) | 1984-03-30 |
| JPH0216609B2 true JPH0216609B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=9276988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58150900A Granted JPS5955607A (ja) | 1982-08-20 | 1983-08-18 | マイクロ波ミクサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4516271A (ja) |
| EP (1) | EP0102888B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5955607A (ja) |
| CA (1) | CA1203850A (ja) |
| DE (1) | DE3365666D1 (ja) |
| FR (1) | FR2532121A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3315860A1 (de) * | 1983-04-30 | 1984-10-31 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Mischer |
| JPH08181543A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nec Corp | 変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路 |
| US6262464B1 (en) | 2000-06-19 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Encapsulated MEMS brand-pass filter for integrated circuits |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1102221B (de) * | 1958-06-06 | 1961-03-16 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Schluckanordnung zur Beseitigung von unerwuenschten Mischprodukten aus einer Diodenmischstufe fuer Mikrowellen |
| US3001143A (en) * | 1959-02-04 | 1961-09-19 | Avco Mfg Corp | Low noise radio frequency amplifier |
| US3261981A (en) * | 1962-05-11 | 1966-07-19 | Rca Corp | Parametric amplifier frequency up-converter |
| US3652940A (en) * | 1969-02-27 | 1972-03-28 | Tavkoezlesi Kutato Intezet | Microwave balanced receiver mixer |
| US3652941A (en) * | 1970-02-24 | 1972-03-28 | Rhg Electronics Lab Inc | Double balanced microwave mixer using balanced microstrip baluns |
| US3859600A (en) * | 1973-10-25 | 1975-01-07 | Int Standard Electric Corp | Waveguide mixer |
| JPS5310948A (en) * | 1976-07-16 | 1978-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave integrated circuit device |
| US4211987A (en) * | 1977-11-30 | 1980-07-08 | Harris Corporation | Cavity excitation utilizing microstrip, strip, or slot line |
| US4219777A (en) * | 1977-12-05 | 1980-08-26 | David Richardson | Detector for multiplicity of radio wave frequencies |
| FR2450507A1 (fr) * | 1979-03-01 | 1980-09-26 | Lignes Telegraph Telephon | Melangeur hyperfrequence |
| JPS56150101U (ja) * | 1980-04-11 | 1981-11-11 |
-
1982
- 1982-08-20 FR FR8214435A patent/FR2532121A1/fr active Granted
-
1983
- 1983-08-09 EP EP83401632A patent/EP0102888B1/fr not_active Expired
- 1983-08-09 DE DE8383401632T patent/DE3365666D1/de not_active Expired
- 1983-08-11 US US06/522,212 patent/US4516271A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-08-16 CA CA000434707A patent/CA1203850A/en not_active Expired
- 1983-08-18 JP JP58150900A patent/JPS5955607A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0102888A1 (fr) | 1984-03-14 |
| EP0102888B1 (fr) | 1986-08-27 |
| US4516271A (en) | 1985-05-07 |
| CA1203850A (en) | 1986-04-29 |
| FR2532121A1 (fr) | 1984-02-24 |
| JPS5955607A (ja) | 1984-03-30 |
| FR2532121B1 (ja) | 1985-01-18 |
| DE3365666D1 (en) | 1986-10-02 |
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