JPH0216723A - 半導体熱処理炉用管状部材 - Google Patents
半導体熱処理炉用管状部材Info
- Publication number
- JPH0216723A JPH0216723A JP16738688A JP16738688A JPH0216723A JP H0216723 A JPH0216723 A JP H0216723A JP 16738688 A JP16738688 A JP 16738688A JP 16738688 A JP16738688 A JP 16738688A JP H0216723 A JPH0216723 A JP H0216723A
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- Japan
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- heat capacity
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- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title abstract 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェー八に熱拡散又は熱酸化処理等を
施す半導体熱処理炉に用いられるプロセスチューブやラ
イナーチューブ等の管状部材に関する。
施す半導体熱処理炉に用いられるプロセスチューブやラ
イナーチューブ等の管状部材に関する。
〔従来の技術)
従来、上記プロセスチューブやライナーチューブ等の管
状部材は、直管部の肉厚が一様に設けられている。
状部材は、直管部の肉厚が一様に設けられている。
一方、半導体熱処理炉における処理ガスの供給側となる
ガス導入口側端部及び半導体ウェーへの出し入れ口とな
る開口部側端部には、ヒーターが設けられていない。
ガス導入口側端部及び半導体ウェーへの出し入れ口とな
る開口部側端部には、ヒーターが設けられていない。
(発明が解決しようとする課B)
したがって、従来の半導体熱処理炉用管状部材によれば
、ガス導入口側及び開口部側からの放熱により均熱部を
長く取れなかった。
、ガス導入口側及び開口部側からの放熱により均熱部を
長く取れなかった。
均熱部の長さ(均熱長)を大きくするためには、管状部
材の長大化と炉本体の大型化を必要としたり、あるいは
ヒーターを軸方向に複数分割し、両端部の発熱量を制御
したりする必要がある。
材の長大化と炉本体の大型化を必要としたり、あるいは
ヒーターを軸方向に複数分割し、両端部の発熱量を制御
したりする必要がある。
そこで、本発明は、管状部材の長大化等やヒーター発熱
量の制御によることなく均熱長を大きくし得る半導体熱
処理炉用管状部材の提供を目的とする。
量の制御によることなく均熱長を大きくし得る半導体熱
処理炉用管状部材の提供を目的とする。
(課題を解決するための手段)
前記課題を解決するため、本発明は、直管部におけるガ
ス導入口側端部又は開口部側端部の少なくとも一方に熱
容量増大部を設けたものである。
ス導入口側端部又は開口部側端部の少なくとも一方に熱
容量増大部を設けたものである。
上記熱容量増大部をストレート部の外周に設けた厚肉部
とすることが好ましい。
とすることが好ましい。
又、熱容量増大部をストレート部の外周に設けた複数の
フィンとしてもよい。
フィンとしてもよい。
上記手段によれば、ガス導入口側端部又は開口部側端部
の少なくとも一方の熱容量に対する放熱量の割合が小さ
くなり、その部分の温度低下が軽減される。
の少なくとも一方の熱容量に対する放熱量の割合が小さ
くなり、その部分の温度低下が軽減される。
熱容量増大部の熱容量のコントロールは、厚肉部の長さ
及び肉厚又はフィンの肉厚、高さ及び枚数の調整による
。
及び肉厚又はフィンの肉厚、高さ及び枚数の調整による
。
(実施例)
以下、本発明の実施例を第1図〜第3図と共に説明する
。
。
第1図は第1実施例の半導体熱処理炉用管状部材の一部
を省略した半裁断面側面図である。
を省略した半裁断面側面図である。
この実施例の管状部材1は、円筒状の直管部1aの一端
部(図においては左端部)に処理ガスの入口となるガス
導入口2を備えた円錐状のガス導入部1bを連設したプ
ロセスチューブである。そして、直管部1aにおけるガ
ス導入口2側端部と半導体ウェーハが出し入れされる他
端の開口部3側端部の外周には、両部の熱容量を増大す
る熱容量増大部となる厚肉部1c。
部(図においては左端部)に処理ガスの入口となるガス
導入口2を備えた円錐状のガス導入部1bを連設したプ
ロセスチューブである。そして、直管部1aにおけるガ
ス導入口2側端部と半導体ウェーハが出し入れされる他
端の開口部3側端部の外周には、両部の熱容量を増大す
る熱容量増大部となる厚肉部1c。
1dが一体に設けられている。
厚肉部1c、ldの熱容量のコントロールは、この部分
の長さ及び肉厚の調整によって行われる。
の長さ及び肉厚の調整によって行われる。
上記第1実施例の管状部材1によれば、ガス導入口2側
端部及び開口部3側端部の熱容量が中間部に比して大き
くなり、両端部における熱容量に対する放熱量の割合が
小さくなり、温度低下が軽減される。
端部及び開口部3側端部の熱容量が中間部に比して大き
くなり、両端部における熱容量に対する放熱量の割合が
小さくなり、温度低下が軽減される。
したがって、直管部1aの厚さが−様な場合よりも均熱
長が大きくなり、1バッチ当りの半導体ウェーへの処理
枚数を増加することができる。
長が大きくなり、1バッチ当りの半導体ウェーへの処理
枚数を増加することができる。
第2図は第2実施例の半導体熱処理炉用管状部材の一部
を省略した半裁断面側面図である。
を省略した半裁断面側面図である。
この実施例の管状部材1′は、第1実施例のものと同様
に直管部1aの一端部にガス導入部1bを連設したプロ
セスチューブであり、直管部1aにおけるガス導入口2
側端部と開口部3側端部の外周には、熱容量増大部とな
る円環状の複故ツインle、ifが一体に設けられてい
る。
に直管部1aの一端部にガス導入部1bを連設したプロ
セスチューブであり、直管部1aにおけるガス導入口2
側端部と開口部3側端部の外周には、熱容量増大部とな
る円環状の複故ツインle、ifが一体に設けられてい
る。
フィンle、ifの熱容量のコントロールは、その肉厚
、高さ及び枚数の調整による。
、高さ及び枚数の調整による。
したがって、第2実施例の管状部材1′によれば、第1
実施例の管状部材1と同様の作用効果が得られる。
実施例の管状部材1と同様の作用効果が得られる。
第3図は第3実施例の半導体熱処理炉用管状部材の一部
を省略した半裁断面側面図である。
を省略した半裁断面側面図である。
この実施例の管状部材1″は、プロセスチューブの外周
に嵌装されるライナーチューブであり、円筒状の直管部
1aにおけるプロセスチューブのガス導入口側端部と開
口側端部と対応する両端部の外周には、熱容量増大部と
なる円環状の複数のフィンIg、lhが一体に設けられ
ている。
に嵌装されるライナーチューブであり、円筒状の直管部
1aにおけるプロセスチューブのガス導入口側端部と開
口側端部と対応する両端部の外周には、熱容量増大部と
なる円環状の複数のフィンIg、lhが一体に設けられ
ている。
したがって、第3実施例の管状部材1″によれば、第1
.第2実施例の管状部材1.1′と同様の作用効果が得
られる。
.第2実施例の管状部材1.1′と同様の作用効果が得
られる。
具体例1
外径205mm、内径190mm、長さ3000mmの
5tc−st製のプロセスチューブの直管部におけるガ
ス導入口側端部と開口部側端部の外周に、肉厚7.5m
m、高さ30mmのフィンを25mmの間隔で5枚ずつ
取り付け、プロセスチューブ内の均熱長を測定したとこ
ろ、1340mmとなり、従来のフィンなしの同一サイ
ズのプロセスチューブ内の均熱長(900mm)の49
%増しとなフた。
5tc−st製のプロセスチューブの直管部におけるガ
ス導入口側端部と開口部側端部の外周に、肉厚7.5m
m、高さ30mmのフィンを25mmの間隔で5枚ずつ
取り付け、プロセスチューブ内の均熱長を測定したとこ
ろ、1340mmとなり、従来のフィンなしの同一サイ
ズのプロセスチューブ内の均熱長(900mm)の49
%増しとなフた。
具体例2
外径230mm、内径215mm、長さ1700mmの
5iC−5i製のライナーチューブの直管部における両
端部の外周に、肉厚7,5mm、高さ30mmのフィン
を25mmの間隔で5枚ずつ取り付け、このライナーチ
ューブの内側に外径182mm、内径175mm、長さ
2300mmの石英ガラス製のプロセスチューブを挿入
し、プロセスチューブ内の均熱長を測定したところ、8
40mmとなり、従来のフィンなしの同一サイズのライ
ナーチューブを用いた同一のプロセスチューブ内の均熱
長(600mm)の40%増しとなった。
5iC−5i製のライナーチューブの直管部における両
端部の外周に、肉厚7,5mm、高さ30mmのフィン
を25mmの間隔で5枚ずつ取り付け、このライナーチ
ューブの内側に外径182mm、内径175mm、長さ
2300mmの石英ガラス製のプロセスチューブを挿入
し、プロセスチューブ内の均熱長を測定したところ、8
40mmとなり、従来のフィンなしの同一サイズのライ
ナーチューブを用いた同一のプロセスチューブ内の均熱
長(600mm)の40%増しとなった。
なお、前記各実施例では、直管部1aの両端部の外周に
熱容量増大部を設けるようにしたが、特に放熱量の大き
い、いずれか一方の端部にのみ熱容量増大部を設けるよ
うにしてもよい。
熱容量増大部を設けるようにしたが、特に放熱量の大き
い、いずれか一方の端部にのみ熱容量増大部を設けるよ
うにしてもよい。
又、熱容量増大部となる肉厚部1c、ld及びフィンl
e、if、Ig、1hを直管部1aと一体に設ける場合
に限らず、別個の部材を嵌着するようにしてもよい。こ
の場合、別個の部材は、直管部1aと同一材質のものあ
るいは削材質で高純度のものが望ましい。
e、if、Ig、1hを直管部1aと一体に設ける場合
に限らず、別個の部材を嵌着するようにしてもよい。こ
の場合、別個の部材は、直管部1aと同一材質のものあ
るいは削材質で高純度のものが望ましい。
更に、フィンは、円環状に限らず、例えば直管部1aの
軸方向へ延在する短冊状としてもよい。
軸方向へ延在する短冊状としてもよい。
以上のように本発明によれば、ガス導入口側端部又は開
口部側端部の少なくとも一方の熱容量に対する放熱量の
割合が小さくなり、その部分の温度低下が軽減されるの
で、従来のように管状部材の長大化等やヒーター発熱量
の制御によることなく、均熱長を大きくすることができ
、ひいては1パッチ当りの半導体ウェーへの熱処理枚数
を増加することができる。
口部側端部の少なくとも一方の熱容量に対する放熱量の
割合が小さくなり、その部分の温度低下が軽減されるの
で、従来のように管状部材の長大化等やヒーター発熱量
の制御によることなく、均熱長を大きくすることができ
、ひいては1パッチ当りの半導体ウェーへの熱処理枚数
を増加することができる。
図は本発明の実施例を示し、第1図、第2図及び第3図
はそれぞれ第1実施例、第2実施例及び第3実施例の半
導体熱処理炉用管状部材の一部を省略した半裁断面側面
図である。 1a・・・直管部 1b・・・ガス導入部1
c、1d・・・厚肉部 le、if、Ig、1h・=フィン 2・・・ガス導入口 3・・・開口部第1 d 第 2 Σ 第3図
はそれぞれ第1実施例、第2実施例及び第3実施例の半
導体熱処理炉用管状部材の一部を省略した半裁断面側面
図である。 1a・・・直管部 1b・・・ガス導入部1
c、1d・・・厚肉部 le、if、Ig、1h・=フィン 2・・・ガス導入口 3・・・開口部第1 d 第 2 Σ 第3図
Claims (1)
- (1)直管部におけるガス導入口側端部又は開口部側端
部の少なくとも一方に熱容量増大部を設けたことを特徴
とする半導体熱処理炉用管状部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16738688A JPH0216723A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 半導体熱処理炉用管状部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16738688A JPH0216723A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 半導体熱処理炉用管状部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0216723A true JPH0216723A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15848743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16738688A Pending JPH0216723A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 半導体熱処理炉用管状部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0216723A (ja) |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP16738688A patent/JPH0216723A/ja active Pending
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