JPH02168440A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光ビームを用いて情報が記録再生される光情
報記録媒体に関するものである。

（従来の技術） テルル化ケルマニウム、及ヒテルル化ケルマニウムのゲ
ルマニウム金錫あるいは鉛で置換したテルル化ケルマニ
ウム錫、テルル化ケルマニウム鉛。

テルル化ゲルマニウム錫鉛（以下これらの材料をＧ、−
Ｔｏ系系材色記す）は、光記録材料とじて記録感度が高
く再生信号の信号対雑音比を大きくすることができる好
適な材料である。

さて、光情報記録媒体は、データの長期保存の目的に使
用されることがあシ、高温高湿の還境下に放置されても
記録材料の変化がなく、記録データを正確に読み書きで
きることが必要である。

Ｇｏ−Ｔ８系材料は、かかる点についてみると、その薄
膜は高温高湿の還境下において徐々にではあるが酸化腐
食し、反射率や透過率という光学的性質が変化する現象
がある。従来は、Ｇｏ−Ｔ。

系薄膜に酸化物、窒化物等の無機薄膜を被着させて保護
膜とし、高温高湿還境下におけるＧ。−Ｔ。

系薄膜の劣化を防止していたが、上記保護膜作製に長時
間を要したり、光情報記録媒体作製工程の複雑化や媒体
製造価格の上昇を招くという欠点があった。本出願人は
このような欠点を解消し、高温高湿還境下に放置されて
も正確に情報を記録再生できる光情報記録媒体を提供し
得る、Ｇｏ−Ｔ。

系材料にＣｒを添加した材料の記録薄膜を、昭和６２年
１０月１９日付特許出願［光情報記録媒体（１）」とし
て提案した。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、上記Ｃｒ添加Ｇ８　Ｔ、　系薄膜を光記録膜
とする光情報記録媒体は、寿命カマ長くなるものの、Ｃ
ｒ含有量が８原子パーセントよりも大きくなると徐々に
記録再生特性が劣化し、Ｃｒが１５原子パ一セント以上
では信頼できる光情報記録媒体としての性能が得難いと
いう問題があった。

（問題点を解決するだめの手段） 本発明は上記問題点を解決するために、該記録薄膜ｉ、
Ｏｒが添加されたＧ８−Ｔｏ系材料を主成分とする訟≠
傘ホ≠埠薄膜とし、該光記録薄膜中のＣｒ含有量ｒ基体
側においては平均Ｃｒ量よりも小さくし保護膜側におい
ては平均Ｃｒ含有量よりも大きくした。

（作用） 本手段による作用を以下に説明する。Ｇ８−Ｔ。

系材料は菱面体構造の結晶からなるが、Ｇｏ、ｌ！：Ｔ
。

の原子半径の差が大きいため、結晶格子内には他の原子
が侵入することのできるすきまが存在する。

Ｇｏ−Ｔｏ　系薄膜が高温高湿の還境下におかれると、
酸素原子がこのすきまに浸入し、Ｇ３−０８Ｇ、Ｔ、、
Ｔｏ−Ｔｏ結合を切断し、ＧｏＯ，、Ｔ。

０２となって薄膜を徐々に酸化させる。ところが、Ｏｒ
が添加されたＧ８−Ｔ８系薄膜においては、Ｏｒによっ
てあらかじめＧ。−Ｔ８結晶内のすきまが埋められてい
るために酸素は浸入しにくい。

また、わずかに侵入した酸素はＯｒ、！：結合しＣｒＯ
２となって不動態を形成し酸素の侵入を阻止するので、
ＧｏＴｏ　系薄膜は酸素の侵入による劣化から保護され
、高温高湿還境下に長期間置かれても記録材料としての
性質に変化が生じない。基体上に形成された光記録薄膜
と、該光記録薄膜上に形成された保護膜とからなる光情
報記録媒体にお〜ｎ程度であるため、該光記録薄膜の高
温高湿還境下における酸化腐食は保護膜側から始まシ次
第に基体側へと広がる。したがって本発明のように光記
録薄膜中のＣｒ含有量を基体側では平均Ｃｒ含有量より
小さくし保護膜側では平均Ｃｒ含有量よりも大きくする
ことによシ、保護膜側よシ進行する光記録薄膜の酸化腐
食を強力に防止することができる。また、一般に情報の
記録再生は光ビームを基体側から入射させて行われ、光
情報記録媒体の記録再生特性は光記録薄膜の基体側の性
質により強く依存するので、本発明のように光記録薄膜
の基体側ではＣｒ含有量は平均Ｃｒ含有量よりも小さく
なっていると記録再生特性も良好に保つことができる。

（実施例） 第１図は、本発明による光情報記録媒体の一実施例を示
したものである。即ち、１１はポリカーボネート基板で
あシ、その上に光記録薄膜としてＣｒが添加されたＧ。

−Ｔ８系薄膜１２を有している。更に、該光記録薄膜上
に傷や埃を防止するだめの樹脂保護膜１３を積層した。

ここで基板１１はポリカーボネートに限ることな〈従来
から公知の如（、ＰＭＭＡ、ポリオレフィン、エポキシ
等の透明樹脂板、ガラス板を使用できる。

光記録薄膜１２はスパッタリング法および蒸着法にて作
製する。Ｃｒ添加Ｇ。−Ｔｏ系薄膜においてＣｒ含有量
を基体側では平均Ｃｒ含有量よりも小さくし保護膜側で
は、平均Ｃｒ含有量よりも大きくする方法を以下に述べ
る。

第２図は、該光記録薄膜を作製する時に使用するスパッ
タリング装置の概略図である。真空槽２１内の上部に設
けられた回転式基板支持テーブル２２の下面に、ポリカ
ーボネート基板１１をとりつけ、真空槽内２１を約５Ｘ
１０−’Ｐａに排気後真空槽２１内にＡｒ等の不活性ガ
スを導入してガス圧を５Ｘ１０−’Ｐａにする。この状
態でＧ。−Ｔｏ系材料のターゲット２３とＣｒターゲッ
ト述２４に同時に高周波電力を印加するとスパッタリン
グ作用によって基板１１上にＯｒｙｂ”　電力Ｄ　サ；
ｈ　ｆｃＧ、−Ｔｏ系薄膜が形成される。このとき、第
３図に示すようにＧ。−Ｔｏ系材料のターゲット２３Ｘ
に印加される高周波電力を＝定とし、Ｃｒターゲット２
４に印加される電力をスパッタリング開始当初は小さく
シ、終了近くにおいて大きくするとＣｒが添加されたＧ
、−Ｔ、　　系薄膜においては、Ｃｒ含有量は基板側で
は平均Ｃｒ含有量よりも小さく、保護膜側では平均Ｃｒ
含有量よりも大きくなる。

真空蒸着法においても同様に、Ｇｏ−Ｔ、　　系材料と
Ｃｒの２種の蒸発源からの同時蒸着で、Ｇｏ−Ｔ。系材
料の蒸発速度を一定とし、Ｃｒの蒸発速度と蒸着開始当
初は小さくし終了近くになって大きくすると、Ｃｒ含有
量は基体側では平均Ｃｒ含有量よりも小さく保護膜側で
は平均Ｃｒ含有量よりも大きくなる。

樹脂保護膜１３は紫外線硬化型樹脂液をスピンナーにて
塗布し、その後紫外線を照射すると樹脂は硬化し皮膜を
形成する。樹脂保護膜１３は紫外線硬化型樹脂のみなら
ず湿気硬化型樹脂、二液反応型樹脂、溶剤型樹脂いずれ
も適用できる。

Ｃｒ添加Ｇ。−Ｔ６　系光記録薄膜作製時に、Ｃｒター
ゲットに印加する電力を一定として作製した比較用の光
情報記録媒体と、Ｃｒターゲットに印加する電力をスパ
ッタリング中に第３図に示したように変化させた本発明
の一実施例による光情報第１表 ここで、媒体寿命はディスク状光情報記録媒体にレーザ
光を照射して回転数１８０　Ｏｒｐｍ周波数Ｉ　Ｍ　Ｈ
ｚの信号を記録し、ＪＩ８ｃ５０２４Ｍ−１の温湿度加
速試験を行い、ビット誤シ率が該試験の前の値の３倍に
なった試験時間から推量した媒体寿命である。

第１表に示されるように、上記実施例によると光情報記
録媒体は光記録薄膜内においてＣｒ含有量が基体側では
平均Ｃｒ含有量よりも小さく保護膜側において平均Ｃｒ
含有量よりも大きくなっているので媒体寿命が長く、シ
かも再生信号ＯＮＲは良い値を保っている。

（発明の効果） 本発明によれば光記録薄膜内においてＣｒ含有量が保護
膜側において平均Ｃｒ含有量よりも大きくなっているの
で保護膜側から開始する該光記録薄膜の酸化腐食を防止
し高温高湿還境下に放置されても長時間正確に情報を記
録再生することのできる光情報記録媒体が得られる。ま
た、光記録薄膜の基体側では、Ｃｒ市有量は平均Ｃｒ含
有量よりも小さくなっているので、Ｃｒ添加による記録
再生特性の劣化が小さく、記録再生特性のよい光情報記
録媒体が得られる０

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示す
断面図、第２図は本発明に適用しうるスパッタリング装
置の概略図、第３図はその動作説明に供する線図である
。 １１・・・基板 ２２・・・基板支持テーブル ２３　・Ｇ　ｒＴ　ｏｆｒＪｌ−ゲット２４・・・Ｃｒ
ターゲット

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に形成された光記録薄膜と、該光記録薄膜上に形
   成された保護膜からなる光情報記録媒体において、前記
   光記録薄膜の主成分をＣｒが添加されたＧｅ−Ｔｅ系材
   料とし、前記光記録薄膜中のＣｒ含有量を基体側では平
   均Ｃｒ含有量よりも大きくしたことを特徴とする光情報
   記録媒体。