JPH02168515A - 超伝導薄膜の作製方法 - Google Patents

超伝導薄膜の作製方法

Info

Publication number
JPH02168515A
JPH02168515A JP88323988A JP32398888A JPH02168515A JP H02168515 A JPH02168515 A JP H02168515A JP 88323988 A JP88323988 A JP 88323988A JP 32398888 A JP32398888 A JP 32398888A JP H02168515 A JPH02168515 A JP H02168515A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
substrate
superconducting thin
bismuth
superconducting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP88323988A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2759469B2 (ja
Inventor
Kazue Obayashi
和重 大林
Takahisa Ushida
貴久 牛田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP63323988A priority Critical patent/JP2759469B2/ja
Publication of JPH02168515A publication Critical patent/JPH02168515A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2759469B2 publication Critical patent/JP2759469B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はＡＩＪ３基板上に緩衝薄膜層を介してＢ１５ｒ
−（：ａ−Ｃｕ−０又はＢ１−Ｐｂ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０であるビスマス系高温超伝導酸化物を形成してなる
超伝導薄膜構造及びその作製方法に関するものである。
〈従来技術〉 １１ｉ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０又はＢ１−Ｐｂ−３ｒ−
（：ａ−Ｃｕ−０からなるビスマス系超伝導薄膜は、約
８５Ｋ　、１２（ＩＫの２つの高い臨界温度を示し、か
かる超伝導体を薄膜化することによってデイバイス等エ
レクトロニクス分野への応用展開が期待されている。
ところで、前記高温超伝導薄膜の形成は一般に単結晶Ｍ
ｇＯ基板又は単結晶５ｒＴｉＯａ基板上で行われている
。
これは単結晶ＭｇＯ又は単結晶５ｒＴｉＯｓとビスマス
系酸化物がアニールの際に反応がほとんどなく。
配向性がよいためである。
しかし、かかる基板は極めて高価で実用面で問題があっ
た。一方、工業的に量産可能で安価なＡ１．口、を基板
に用いることが考えられるが、このものはビスマス系酸
化物とアニールの際に反応してビスマス系薄膜を形成す
る。そしてこの薄膜は、絶縁体もしくは高い臨界温度を
示さない超伝導体であった。
このため、Ａ１．Ｏ，を基板としては用いることができ
ないとされていた。
く本発明が解決しようとする問題点〉 本発明は、従来困難とされていた＾ｌ、０３基根上に高
い臨界温度を示すビスマス系酸化物１賎を形成すること
を可能とする手段を与λようとするものである。
く問題点を解決するための手段〉 Ａ１．０ｍから選択された焼結体もしくは単結晶体を基
板に用い、その基板上にＹ系もしくはＬａ系酸化物又は
Ｙ系もしくはＬａ系金属から選択された少なくとも一種
の物質の緩衝薄膜を形成してアニルした後に、Ｄｉ−５
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０又はＢ１−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０の成膜組成であるビスマス系超伝導薄膜を形成し、
アニールすることにより高い臨界温度を示す酸化物超伝
導薄膜を得るようにしたものである。
上述の緩衝薄膜と超伝導薄膜の形成法としては、スパッ
タリング法、蒸着法等積々の方法を採用できる。
〈作用〉 酸化物焼結体基板又は単結晶基板とビスマス系超伝導薄
膜との間に、緩衝薄膜層を形成することにより、アニー
ル時の基板とビスマス系超伝導薄膜との間の反応をな（
シ、高い臨界温度を示す酸化物超伝導薄膜を得ることが
できる。
〈実施例〉 ［実施例−〕 ９９．９％の高純度Ａ１．０．焼結体基板上にスパッタ
リング法により金属Ｙ（イツトリウム）の緩衝薄膜層０
．２μｍを形成し、大気中で１６５０℃でアニルした後
、さらにＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０薄膜０．１μｍを
形成し、　Ｎ、１０．混合雰囲気中８４４℃で５時間ア
ニールし、超伝導薄膜を得た。この超伝導薄膜について
四端子法にて抵抗温度特性を測定したところ９０にで抵
抗零となり超伝導状態を確認した。
［実施例二］ Ａｌａｓ、焼結体基板上にスパッタリング法によりＬａ
＊Ｏｓの緩衝薄膜層を形成し、大気中で１６００’Ｃで
アニールした後、さらにＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０薄
謹を形成しＮｔ／　ｏｔ混合雰囲気中８４０℃で３時間
アニールし、超伝導薄膜を得た。この超伝導薄膜につい
て四端子法にて抵抗温度特性を測定したところ添付図面
のように７９にで抵抗零となり超伝導状態を確認した。
〈効果〉 本発明は上述の実施例で明らかにしたように。
工業的に量産可能で安価なＡｌ２Ｏ，を基板に用いて、
高い臨界温度を示すビスマス系超伝導薄膜構造を形成す
ることができる優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
添付図面は、実施例二の方法で作成された超伝導薄膜構
造の抵抗−温度特性を示すグラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）Ａｌ＿２Ｏ＿３基板上にＹ系酸化物又はＹ系金属か
    ら選択された少なくとも一種の物質を有してなる緩衝薄
    膜層を介してビスマス系超伝導薄膜を形成したことを特
    徴とする超伝導薄膜構造。 ２）Ａｌ＿２Ｏ＿３基板上にＹ系酸化物又はＹ系金属か
    ら選択された少なくとも一種の物質を有してなる緩衝薄
    膜層を形成し、アニールする工程と、該緩衝薄膜層を形
    成した基板上にビスマス系超伝導薄膜を形成し、アニー
    ルする工程とを有することを特徴とする超伝導薄膜の作
    製方法。 ３）Ａｌ＿２Ｏ＿３基板上にＬａ系酸化物又はＬａ系金
    属から選択された少なくとも一種の物質を有してなる緩
    衝薄膜層を介してビスマス系超伝導薄膜を形成したこと
    を特徴とする超伝導薄膜構造。 ４）Ａｌ＿２Ｏ＿３基板上にＬａ系酸化物又はＬａ系金
    属から選択された少なくとも一種の物質を有してなる緩
    衝薄膜層を形成し、アニールする工程と、該緩衝薄膜層
    を形成した基板上にビスマス系超伝導薄膜を形成し、ア
    ニールする工程とを有することを特徴とする超伝導薄膜
    の作製方法。
JP63323988A 1988-12-21 1988-12-21 超伝導薄膜の作製方法 Expired - Fee Related JP2759469B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63323988A JP2759469B2 (ja) 1988-12-21 1988-12-21 超伝導薄膜の作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63323988A JP2759469B2 (ja) 1988-12-21 1988-12-21 超伝導薄膜の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02168515A true JPH02168515A (ja) 1990-06-28
JP2759469B2 JP2759469B2 (ja) 1998-05-28

Family

ID=18160868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63323988A Expired - Fee Related JP2759469B2 (ja) 1988-12-21 1988-12-21 超伝導薄膜の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2759469B2 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63239738A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超電導体線およびその製造方法
JPS63248019A (ja) * 1987-04-03 1988-10-14 Hitachi Ltd 酸化物超電導薄膜の製造方法
JPS63257127A (ja) * 1987-04-13 1988-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜超電導体の製造方法
JPS63283086A (ja) * 1987-05-14 1988-11-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 超電導薄膜の製造方法
JPH0251806A (ja) * 1988-08-12 1990-02-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 超電導セラミックス積層体およびその製造法
JPH02112109A (ja) * 1988-03-25 1990-04-24 Fujitsu Ltd 超伝導膜及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63239738A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超電導体線およびその製造方法
JPS63248019A (ja) * 1987-04-03 1988-10-14 Hitachi Ltd 酸化物超電導薄膜の製造方法
JPS63257127A (ja) * 1987-04-13 1988-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜超電導体の製造方法
JPS63283086A (ja) * 1987-05-14 1988-11-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 超電導薄膜の製造方法
JPH02112109A (ja) * 1988-03-25 1990-04-24 Fujitsu Ltd 超伝導膜及びその製造方法
JPH0251806A (ja) * 1988-08-12 1990-02-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 超電導セラミックス積層体およびその製造法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2759469B2 (ja) 1998-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03150218A (ja) 超電導薄膜の作製方法
JPS63237313A (ja) 超伝導構造体およびその製造方法
JPH02168515A (ja) 超伝導薄膜の作製方法
JPH01305580A (ja) 半導体素子製造用超電導セラミック薄膜形成単結晶ウエハー材
JPH0221676A (ja) 超伝導体のトンネル接合
JP2814563B2 (ja) 酸化物超電導膜の製造方法
JPS63301424A (ja) 酸化物超伝導体薄膜の製造方法
JPS63225599A (ja) 酸化物超伝導薄膜の作製方法
JPH0375204A (ja) 酸化物超伝導膜パターン作製法
JPH05279026A (ja) 金属基板への酸化物超電導膜の製造方法
JP3086876B1 (ja) リボン状酸化物高温超伝導体の薄膜の製造方法
Chromik et al. Hg-cuprate thin films prepared using Re and fluorides based precursor thin films
JPH01111718A (ja) 超電導薄膜の形成方法
JPH0244784A (ja) 超伝導パターンの形成方法
JP2913653B2 (ja) 酸化物超伝導薄膜構造体
JPH02137735A (ja) ビスマス系超電導薄膜作製方法
JPS63310511A (ja) 高温超電導体薄膜
JPH01120715A (ja) 酸化物超電導成形体
JPH01167912A (ja) 超電導物質被覆材およびその製造方法
JPH0244782A (ja) 超伝導素子およびその製造方法
JP2847769B2 (ja) Ｂｉ系超伝導体薄膜の製造方法
JP3015393B2 (ja) 酸化物超電導体薄膜の製造方法
JPH01227480A (ja) 超電導薄膜の製造方法
JPH01305579A (ja) 半導体素子製造用超電導セラミック薄膜形成単結晶ウエハー材
JPH0360406A (ja) 酸化物超電導薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees