JPH02137735A - ビスマス系超電導薄膜作製方法 - Google Patents
ビスマス系超電導薄膜作製方法Info
- Publication number
- JPH02137735A JPH02137735A JP63290207A JP29020788A JPH02137735A JP H02137735 A JPH02137735 A JP H02137735A JP 63290207 A JP63290207 A JP 63290207A JP 29020788 A JP29020788 A JP 29020788A JP H02137735 A JPH02137735 A JP H02137735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- superconducting thin
- bismuth
- lead
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はビスマス系酸化物超電導体薄膜の作製方法に関
するものである。
するものである。
［従来の技術］
ビスマスを含む酸化物で高い臨界温度を示す超電導体が
知られている。特にＢｉｚＳｒａＣａｚＣｕｓＯｙ（以
下２２２３相という）はｌｌｏＫ以上の高い臨界温度を
示すことが知られている。
知られている。特にＢｉｚＳｒａＣａｚＣｕｓＯｙ（以
下２２２３相という）はｌｌｏＫ以上の高い臨界温度を
示すことが知られている。
通常の製造方法によると、必ずしも２２２３相のみの酸
化物ではなく、他の組成比の化合物が生成しやすいが、
ビスマスの一部を鉛で置換することで、この２２２３相
が安定化することが報告されている。
化物ではなく、他の組成比の化合物が生成しやすいが、
ビスマスの一部を鉛で置換することで、この２２２３相
が安定化することが報告されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、バルクの焼結体ではビスマス系超電導体
に鉛を添加することは比較的容易であるが、鉛を含むビ
スマス系超電導体を薄膜で得ようとする場合、組成制御
が困難であること、成膜条件が変化することなどの問題
点があり、所望の組成、物性を有する超電導体は得難か
った。
に鉛を添加することは比較的容易であるが、鉛を含むビ
スマス系超電導体を薄膜で得ようとする場合、組成制御
が困難であること、成膜条件が変化することなどの問題
点があり、所望の組成、物性を有する超電導体は得難か
った。
［課題を解決するための手段］
本発明者は、前述の問題点を解決すべく種々研究を行な
った結果、成膜済のビスマス系酸化物超電導体薄膜を、
特定の鉛化合物とともに加熱焼成することにより容易に
２２２３相を安定化できることを見出した。
った結果、成膜済のビスマス系酸化物超電導体薄膜を、
特定の鉛化合物とともに加熱焼成することにより容易に
２２２３相を安定化できることを見出した。
か（して本発明は、ビスマス系酸化物超電導体薄膜を、
酸化鉛蒸気中で、加熱焼成する超電導体薄膜作製方法を
提供するものである。
酸化鉛蒸気中で、加熱焼成する超電導体薄膜作製方法を
提供するものである。
本発明において、最初にビスマス系酸化物超電導体薄膜
を得る方法は特に制限なく、従来知られているスパッタ
リング法、 ＣＶＤ法等を用いることができる。
を得る方法は特に制限なく、従来知られているスパッタ
リング法、 ＣＶＤ法等を用いることができる。
最初のビスマス系酸化物超電導体としては、Ｂ１−５ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系が好ましく、できるだけ全体の組成
が２２２３相に近いものであることが望ましい。加熱焼
成以前には、必ずしも２２２３相である必要はなく、ア
モルファス状態あるいは他の結晶相であっても良い。こ
のビスマス系酸化物は、鉛を含まないものであることが
薄膜の作製が容易である点で好ましいが、はじめから鉛
を含むものであっても良い。
−Ｃａ−Ｃｕ−０系が好ましく、できるだけ全体の組成
が２２２３相に近いものであることが望ましい。加熱焼
成以前には、必ずしも２２２３相である必要はなく、ア
モルファス状態あるいは他の結晶相であっても良い。こ
のビスマス系酸化物は、鉛を含まないものであることが
薄膜の作製が容易である点で好ましいが、はじめから鉛
を含むものであっても良い。
薄膜を形成する基板は、特に制限はないが、ＭｇＯ単結
晶あるいは５ｒＴｉＯｓ等が好ましく用いられる。
晶あるいは５ｒＴｉＯｓ等が好ましく用いられる。
基板上に形成した上記薄膜を、酸化鉛の蒸気中で加熱す
る方法としては、例えば、上記薄膜を石英管あるいは陶
製るつぼのような耐熱性の密閉容器中で、酸化鉛ととも
°に加熱する方法が好ましい。
る方法としては、例えば、上記薄膜を石英管あるいは陶
製るつぼのような耐熱性の密閉容器中で、酸化鉛ととも
°に加熱する方法が好ましい。
この時の加熱温度は８００〜９００℃が好ましく、特に
８５０℃付近の温度が好ましい。加熱時間は膜厚にもよ
るが、１〜５時間が好ましく、比較的短時間で、熱処理
を終了することができる。
８５０℃付近の温度が好ましい。加熱時間は膜厚にもよ
るが、１〜５時間が好ましく、比較的短時間で、熱処理
を終了することができる。
本発明において、酸化鉛の蒸気を用いることが好ましい
理由は必ずしも明らかではないが、ビスマス系酸化物超
電導体の最も好ましい焼成温度である８５０℃付近で酸
化鉛がこの処理に適した蒸気圧を有することがその理由
の１つと考えられる。また、酸化鉛は、雰囲気中の酸素
分圧に関しても、適したものであると考えられる。必要
に応じて密閉容器内に外部から酸素等を導入することも
可能である。はじめから鉛を含む薄膜に対しても、酸化
鉛の蒸気を用いることにより、焼成中に鉛が失われに（
いといった効果を有する。
理由は必ずしも明らかではないが、ビスマス系酸化物超
電導体の最も好ましい焼成温度である８５０℃付近で酸
化鉛がこの処理に適した蒸気圧を有することがその理由
の１つと考えられる。また、酸化鉛は、雰囲気中の酸素
分圧に関しても、適したものであると考えられる。必要
に応じて密閉容器内に外部から酸素等を導入することも
可能である。はじめから鉛を含む薄膜に対しても、酸化
鉛の蒸気を用いることにより、焼成中に鉛が失われに（
いといった効果を有する。
［実施例］
ＭｇＯ単結晶（１００）基板上に、スパッタリング法に
より ＢｉｚＳｒｚＣａ２ＣｕｓＯ，組成の多結晶の酸
化物薄膜を形成した。膜の厚さは７０００人であった。
より ＢｉｚＳｒｚＣａ２ＣｕｓＯ，組成の多結晶の酸
化物薄膜を形成した。膜の厚さは７０００人であった。
これを第１図に示したような陶製のるつぼに一酸化鉛２
０ｇとともに入れ、密閉して加熱した。この時薄膜と酸
化鉛が直接接触しないように、陶製の台に薄膜のついた
基板を置いた。加熱は８５０°Ｃにて５時間行った。焼
成後の薄膜の電気抵抗率の温度依存性を第２図に示す。
０ｇとともに入れ、密閉して加熱した。この時薄膜と酸
化鉛が直接接触しないように、陶製の台に薄膜のついた
基板を置いた。加熱は８５０°Ｃにて５時間行った。焼
成後の薄膜の電気抵抗率の温度依存性を第２図に示す。
比較例として上記薄膜を、−酸化鉛雰囲気中でなく、空
気中で８５０℃にて５時間加熱焼成したものについて、
同様に電気抵抗率の温度依存性を測定した。その結果を
第３図に示す。第３図においてはｌｌ０Ｋ付近における
電気抵抗率の低下が全体の３０％以下であるのに対して
、第２図ではｌｌ０Ｋ付近で電気抵抗率が完全に０にな
っており、本発明の方法により２２２３相が安定化され
ていることがわかる。
気中で８５０℃にて５時間加熱焼成したものについて、
同様に電気抵抗率の温度依存性を測定した。その結果を
第３図に示す。第３図においてはｌｌ０Ｋ付近における
電気抵抗率の低下が全体の３０％以下であるのに対して
、第２図ではｌｌ０Ｋ付近で電気抵抗率が完全に０にな
っており、本発明の方法により２２２３相が安定化され
ていることがわかる。
［発明の効果］
本発明により、高い臨界温度を有する２２２３相を多く
含むビスマス系超電導゛体薄膜が容易に得られる。かつ
、複雑な装置や制御を必要としない。
含むビスマス系超電導゛体薄膜が容易に得られる。かつ
、複雑な装置や制御を必要としない。
第１図は本発明の実施例に用いた密閉容器の説明図であ
る。第２図は本発明の実施例の薄膜の電気抵抗率の温度
依存性を示す図である。第３図は本発明の比較例の薄膜
の電気抵抗率の温度依存性を示す図である。 躬 ！ 図 差戻 （に） 第 ■
る。第２図は本発明の実施例の薄膜の電気抵抗率の温度
依存性を示す図である。第３図は本発明の比較例の薄膜
の電気抵抗率の温度依存性を示す図である。 躬 ！ 図 差戻 （に） 第 ■
Claims (3)
- （１）ビスマス系酸化物超電導体薄膜を、酸化鉛の蒸気
中で加熱焼成する超電導薄膜作製方 法。 - （２）ビスマス系酸化物超電導体薄膜を、酸化鉛ととも
に密閉容器中で加熱焼成する超電導薄膜作製方法。 - （３）酸化鉛が一酸化鉛である請求項１または２の超電
導薄膜作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290207A JPH02137735A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | ビスマス系超電導薄膜作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290207A JPH02137735A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | ビスマス系超電導薄膜作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137735A true JPH02137735A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=17753137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290207A Pending JPH02137735A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | ビスマス系超電導薄膜作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137735A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174014A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Sumitomo Cement Co Ltd | 酸化物超伝導薄膜の製法 |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP63290207A patent/JPH02137735A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174014A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Sumitomo Cement Co Ltd | 酸化物超伝導薄膜の製法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02137735A (ja) | ビスマス系超電導薄膜作製方法 | |
| JPH0669919B2 (ja) | 超伝導セラミックス薄膜の製法 | |
| JPH029720A (ja) | 金属酸化物材料 | |
| JPS63225599A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の作製方法 | |
| JPS63301424A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0238359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPS63250882A (ja) | 酸化物超電導材料の絶縁化方法 | |
| JP2847769B2 (ja) | Ｂｉ系超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JP2635704B2 (ja) | Ｂｉ系酸化物高温超電導体の製造方法 | |
| JP2759469B2 (ja) | 超伝導薄膜の作製方法 | |
| JPH0393664A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH02162616A (ja) | 酸化物高温超電導膜の製造方法 | |
| JPH02180716A (ja) | 高温超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH01226734A (ja) | Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH0312321A (ja) | ＹーＢａーＣｕーＯ系酸化物超電導薄膜およびその製造方法 | |
| JPH02204328A (ja) | 超伝導材料組成物 | |
| JPH01188420A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製法 | |
| JPS63258081A (ja) | 超電導材料の作製方法 | |
| JPS6161717B2 (ja) | ||
| JPH0388723A (ja) | ビスマス系酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| JPS6042298A (ja) | 鉛ビスマス酸バリウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH07106904B2 (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPH0388724A (ja) | ビスマス系酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH0360406A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH03103326A (ja) | ビスマス系酸化物超電導薄膜の製造方法 |