JPH02168549A - 半導体基板イオン注入装置 - Google Patents
半導体基板イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH02168549A JPH02168549A JP63324139A JP32413988A JPH02168549A JP H02168549 A JPH02168549 A JP H02168549A JP 63324139 A JP63324139 A JP 63324139A JP 32413988 A JP32413988 A JP 32413988A JP H02168549 A JPH02168549 A JP H02168549A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- implantation
- ion implantation
- base board
- semiconductor base
- beam current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 16
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板イオン注入装置に関し、特に均一
性の向上に関する。
性の向上に関する。
従来この種の半導体基板イオン注入装置において半導体
基板の回転速度は、イオン注入開始前に設定した値で決
まっていた。
基板の回転速度は、イオン注入開始前に設定した値で決
まっていた。
上述した従来の半導体基板イオン注入装置はイオンビー
ム電流のバラツキにより注入時間が変化するので整数回
の回転で注入処理が完了せず注入方向の注入量不均一が
発生する。
ム電流のバラツキにより注入時間が変化するので整数回
の回転で注入処理が完了せず注入方向の注入量不均一が
発生する。
まだこの不具合を避ける為に回転速度を上げると、イオ
ンビームのＸ、Ｙスキャンと回転の同期現象が起こり、
面内均一性が悪化するという欠点がある。
ンビームのＸ、Ｙスキャンと回転の同期現象が起こり、
面内均一性が悪化するという欠点がある。
上述した従来の半導体基板イオン注入装置に対し、本発
明はイオン注入処理時の半導体基板の回転速度をイオン
ビーム電流によって制御する機能を持つという相違点を
有する。
明はイオン注入処理時の半導体基板の回転速度をイオン
ビーム電流によって制御する機能を持つという相違点を
有する。
本発明の半導体基板イオン注入装置は、イオンビーム電
流により半導体基板の回転速度を制御する回転速度コン
トロ−ラーを有している。
流により半導体基板の回転速度を制御する回転速度コン
トロ−ラーを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例である。
イオン注入処理の際には、プラテン５上にある半導体基
板１をプラテン回転用モーター２で回転させてイオンの
注入を行なう。この時の、イオンビーム電流をビーム電
流モニタ一部３によってモニターしこのビーム量から回
転速度コントローラ４によってプラテン回転用モーター
２の回転速度を制御する。これは、イオン注入開始から
終了までに半導体基板が設定された回数だけ回転するよ
うに制御され、また回転速度はイオンビーム電流の変化
によって変わる。
板１をプラテン回転用モーター２で回転させてイオンの
注入を行なう。この時の、イオンビーム電流をビーム電
流モニタ一部３によってモニターしこのビーム量から回
転速度コントローラ４によってプラテン回転用モーター
２の回転速度を制御する。これは、イオン注入開始から
終了までに半導体基板が設定された回数だけ回転するよ
うに制御され、また回転速度はイオンビーム電流の変化
によって変わる。
以上説明したように本発明は半導体基板を回転させなが
ら注入処理を行なうイオン注入装置において、半導体基
板の回転速度を下記の式のようにイオンビーム電流によ
って制御する。
ら注入処理を行なうイオン注入装置において、半導体基
板の回転速度を下記の式のようにイオンビーム電流によ
って制御する。
設定した回転の回数をｎ回とすると、
これにより整数回の回転でイオン注入処理を完了させる
ことができるので、周期現象で面内均一性が悪化する回
転数を避けて十分低い回転数を設定することにより注入
方向の均一性面内均一性ともに良好な処理が可能となる
。
ことができるので、周期現象で面内均一性が悪化する回
転数を避けて十分低い回転数を設定することにより注入
方向の均一性面内均一性ともに良好な処理が可能となる
。
第１図は本発明の詳細な説明する為の半導体基板イオン
注入装置の一部分の模式図である。 なお、図において ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・プラテン回
転用モーター ３・・・・・・ビーム電流モニタ一部、
４・・・・・・回転速度コントロ−ラー ５・・・・・
・プラテンである。 代理人 弁理士 内 原 晋
注入装置の一部分の模式図である。 なお、図において ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・プラテン回
転用モーター ３・・・・・・ビーム電流モニタ一部、
４・・・・・・回転速度コントロ−ラー ５・・・・・
・プラテンである。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体基板を自転させながらイオンの注入処理を行なう
イオン注入装置において、イオンビーム電流値により半
導体基板の回転速度を制御する回転速度コントロ−ラー
を有していることを特徴とする半導体基板イオン注入装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324139A JPH02168549A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体基板イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324139A JPH02168549A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体基板イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168549A true JPH02168549A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18162572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63324139A Pending JPH02168549A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体基板イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168549A (ja) |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63324139A patent/JPH02168549A/ja active Pending
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