JPS6024018A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS6024018A JPS6024018A JP13081283A JP13081283A JPS6024018A JP S6024018 A JPS6024018 A JP S6024018A JP 13081283 A JP13081283 A JP 13081283A JP 13081283 A JP13081283 A JP 13081283A JP S6024018 A JPS6024018 A JP S6024018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- etching
- processing chamber
- plasma
- etching process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング方法に係り、特に複数枚の
ウェハな同一処理室にて同時にドライエツチングするの
に好適なドライエツチング方法に関するものである。
ウェハな同一処理室にて同時にドライエツチングするの
に好適なドライエツチング方法に関するものである。
複数枚のウェハな同一処理室にて同時にドライエツチン
グする半導体製造装置では、真空排気されると共にエツ
チングガスが導入される処理室に所定枚数搬入されたウ
ェハは、対向電極と所定の放電空間を有し対向して処理
室に内設されると共に、例えば高周波電源（以下、ＲＴ
電源と略）が接続されたウェハ載置用電極（以下、テー
ブルと略）の所定位置にそれぞれ載置される。その後、
これらウェハは、エツチングガスへのＲＦ印加により生
じたプラズマによりエツチング処理されるが、この際、
筑来は、テーブルを一方向のみに回転している。
グする半導体製造装置では、真空排気されると共にエツ
チングガスが導入される処理室に所定枚数搬入されたウ
ェハは、対向電極と所定の放電空間を有し対向して処理
室に内設されると共に、例えば高周波電源（以下、ＲＴ
電源と略）が接続されたウェハ載置用電極（以下、テー
ブルと略）の所定位置にそれぞれ載置される。その後、
これらウェハは、エツチングガスへのＲＦ印加により生
じたプラズマによりエツチング処理されるが、この際、
筑来は、テーブルを一方向のみに回転している。
このようにエツチング処理時にテーブルを一方向のみに
回転させているため、プラズマのウェハへの接触方向が
不均等になりエツチングの均一性が低下するといった欠
点がありた。
回転させているため、プラズマのウェハへの接触方向が
不均等になりエツチングの均一性が低下するといった欠
点がありた。
本発明の目的は、プラズマのウェハへの接触方向を均等
化することで、エツチングの均一性を向上できるドライ
エツチング方法を提供することにある。
化することで、エツチングの均一性を向上できるドライ
エツチング方法を提供することにある。
本発明は、同一処理室にて同時にドライエツチングされ
る複数枚のウェハをエツチング処理期間中に正逆転させ
ることを特徴とするもので、エツチング処理期間中のウ
ェハの正逆転によりプラズマのウェハへの接触方向を均
等化しようとするものである。
る複数枚のウェハをエツチング処理期間中に正逆転させ
ることを特徴とするもので、エツチング処理期間中のウ
ェハの正逆転によりプラズマのウェハへの接触方向を均
等化しようとするものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、真空排気装置（図示省略）とエツチングガス供
給袋！（図示省略）とが連結された処理室１０には、対
向電極（図示省略）とテーブル１１とが所定の放電空間
加を有し、この場合、上下方向に対向して内設されてい
る。
給袋！（図示省略）とが連結された処理室１０には、対
向電極（図示省略）とテーブル１１とが所定の放電空間
加を有し、この場合、上下方向に対向して内設されてい
る。
テーブル１１の中央には、軸側が垂設され、処理室１０
は、架台３１に設けられている。軸（資）の途中には、
磁性シール材ｎとベアリングおが環装され、磁性シール
材３２とベアリングおとは、ベアリングケースあに収納
されている。ベアリングケースＭは、カバーあを介し処
理室ＩＯと架台３１に固設されている一軸（資）の下端
部には、ウオームＩと噛合してウオーム歯車荀がナヴト
あて取付けられている。
は、架台３１に設けられている。軸（資）の途中には、
磁性シール材ｎとベアリングおが環装され、磁性シール
材３２とベアリングおとは、ベアリングケースあに収納
されている。ベアリングケースＭは、カバーあを介し処
理室ＩＯと架台３１に固設されている一軸（資）の下端
部には、ウオームＩと噛合してウオーム歯車荀がナヴト
あて取付けられている。
ウオームあ は正逆転駆動手段、例えば、パルスモータ
銀に連結され、ウオームあとウオーム歯車３７は、ギヤ
ケース旬に収納されている。なお、軸（資）には、ＲＦ
電源（図示省略）が接続されている。
銀に連結され、ウオームあとウオーム歯車３７は、ギヤ
ケース旬に収納されている。なお、軸（資）には、ＲＦ
電源（図示省略）が接続されている。
例えば、真空排気装置で真空排気された処理室１０には
、所定枚数のウェハ凹が搬入され、このウェハ関は、テ
ーブル１１の所定位置にそれぞれ載置される。その後、
処理室１０には、エツチングガス供給装置より所定のエ
ツチングガスが供給されると共に真空排気装置により処
理室１０は所定のエツチング圧力に調整される。この状
態で、放電空間加に存在するエツチングガスにＲＦを印
加することで工ｙｙ−ングガスはプラズマ化され、この
プラズマによりウェハ父はエツチング処理される。
、所定枚数のウェハ凹が搬入され、このウェハ関は、テ
ーブル１１の所定位置にそれぞれ載置される。その後、
処理室１０には、エツチングガス供給装置より所定のエ
ツチングガスが供給されると共に真空排気装置により処
理室１０は所定のエツチング圧力に調整される。この状
態で、放電空間加に存在するエツチングガスにＲＦを印
加することで工ｙｙ−ングガスはプラズマ化され、この
プラズマによりウェハ父はエツチング処理される。
この場合、エツチング処理期間中にパルスモータ刃でテ
ーブル１１を正逆転させる。また、正逆転の周期は、例
えば、タイマー（図示省略）により調節する。
ーブル１１を正逆転させる。また、正逆転の周期は、例
えば、タイマー（図示省略）により調節する。
本実施例のようなドライエツチング方法では、次のよう
な効果が得られる。
な効果が得られる。
（１） テーブルに複数枚載置されたウェハのエツチン
グ処理期間中にテーブルを”正逆転させているので、エ
ツチング処理時のプラズマのウェハへの接触方向を均等
化でき、エツチングの均一性を向上できる。
グ処理期間中にテーブルを”正逆転させているので、エ
ツチング処理時のプラズマのウェハへの接触方向を均等
化でき、エツチングの均一性を向上できる。
（２） テーブルに複数枚載置されたウェハのエツチン
グ処理期間中にテーブルを正逆転させているので、放電
空間でのエツチングガスな均一化できる。
グ処理期間中にテーブルを正逆転させているので、放電
空間でのエツチングガスな均一化できる。
本発明は、以上説明したように、同一処理室にをエツチ
ング期間中に正逆転させることで、エラΔ チング処理時のプラズマのウェハへの接触方向を均等化
できるので、エツチングの均一性を向上できる効果があ
る。
ング期間中に正逆転させることで、エラΔ チング処理時のプラズマのウェハへの接触方向を均等化
できるので、エツチングの均一性を向上できる効果があ
る。
図面は、本発明を実施した半導体製造装置の一例を示す
部分縦断面図である。
部分縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １複数枚のウェハな同一処理室にて同時にドライエツチ
ングする方法において、エツチング処理期間中に前記ウ
ェハな正逆転させることを特徴とするドライエツチング
方法。 ２、前記処理室に内設されると共に、前記ウェハが所定
位置に載置されるウェハ載置用電極をエツチング処理期
間中に正逆転させる特許請求の範囲第１項記載のドライ
エツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13081283A JPS6024018A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13081283A JPS6024018A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024018A true JPS6024018A (ja) | 1985-02-06 |
Family
ID=15043283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13081283A Pending JPS6024018A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024018A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261375B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-07-17 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6323134B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-11-27 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6749764B1 (en) | 2000-11-14 | 2004-06-15 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP13081283A patent/JPS6024018A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6323134B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-11-27 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6627039B1 (en) | 1997-11-20 | 2003-09-30 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6261375B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-07-17 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6287976B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-09-11 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6749764B1 (en) | 2000-11-14 | 2004-06-15 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed |
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