JPH0216854Y2 - - Google Patents
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- JPH0216854Y2 JPH0216854Y2 JP4611686U JP4611686U JPH0216854Y2 JP H0216854 Y2 JPH0216854 Y2 JP H0216854Y2 JP 4611686 U JP4611686 U JP 4611686U JP 4611686 U JP4611686 U JP 4611686U JP H0216854 Y2 JPH0216854 Y2 JP H0216854Y2
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
本考案は、赤外線加熱式リフロー炉の改良に関
するものである。 (従来の技術とその問題点) 電子機器の小型化にともない、回路基板も小型
リードレスチツプ部品が多用されるようになり、
従来ではチツプ化の困難であつたデイスクリート
部品(たとえばアルミ電解コンデンサ)や機構部
品(たとえばスイツチ,ジヤツク等)のチツプ化
も急速に進められ、回路基板上には、多種にわた
るチツプ部品が高密度実装されているのが常とな
つている。 これらのリードレスチツプ部品は、一般に耐熱
性に劣ることから、直接ハンダデイツプによるハ
ンダ付けが困難であり、ハンダ付けはこれらのリ
ードレスチツプ部品をハンダペーストを介して回
路基板の部品取付用ランド上に載置し、リフロー
ハンダ付けを行なうことによつて回路基板上に実
装する方法がとられている。またリフローハンダ
付け方法としては、基板移送用のベルトを介して
熱伝導させるベルト式、赤外線を照射して加熱す
る赤外線加熱式、不活性溶剤を用いるベーパーフ
エイズ式等の方法があるが、ベルト式は基板にそ
りなどがあつてベルトとの間に隙間があると熱伝
導に影響し、両面実装基板には適用できないなど
の欠点があり、またベーパーフエイズ式はハンダ
付け時に用いる不活性溶剤が高価である等の問題
があり、一般には赤外線加熱式のリフロー炉が広
く用いられている。 第3図は従来より一般に用いられている赤外線
加熱式リフロー炉の一例を示すもので、1はリフ
ロー炉本体、2は基板取入口1aと基板取出口1
bとの間に駆動プーリ3a,3bによつて張架さ
れた基板移送用のチエーンベルト(またはステン
レスメツシユベルト)である。 リフロー炉1内は、回路基板100上のハンダ
ペーストを溶融してリフローハンダ付けするリフ
ロー部4と、回路基板100をリフロー部4に挿
入する前に予備加熱するプリヒート部5と、リフ
ロー部4でハンダ付けされた回路基板100を冷
却する冷却部6とからなつている。 プリヒート部5は、回路基板100をリフロー
ハンダ付けの前に予じめ適当な温度(通常150℃
前後)まで徐々に加熱し、温度の急変による部
品、基板へのシヨツクを緩和するとともにフラツ
クスの活性化をはかるためのもので、チエーンベ
ルト2に保持された回路基板100にたとえば遠
赤外線l1を照射するためのヒータ7a〜7bがチエー
ンベルト2の上下に配されている。この遠赤外線
照明用ヒータには通常セラミツクヒータ等が用い
られる。 またリフロー部4はプリヒート部5によつて予
じめ適温に加熱された回路基板100上にたとえ
ば近赤外線l2を照射してハンダ溶融に十分な温度
まで加熱するハロゲンランプ8がベルト2の下方
に反射板9とともに設けられている。 プリヒート部5,リフロー部4のそれぞれ上面
には、開口部51a,41aに蓋51b,41b
をそれぞれ開閉自在に取り付けた炉内温度調節用
のダンパ51,41が設けられており、蓋51
b,41bの解放量を調節して空気の流入を制御
することにより、炉内温度をある程度調節するこ
とができる。 また冷却部6内には、空気取入口61より取り
入れた外気をハンダ付けの終了した回路基板10
0に吹き付けてこれを冷却するフアン10がモー
タ11とともに取り付けられている。 したがつて実際にリフローハンダ付けを行なう
場合は、電子部品をハンダペーストを介して部品
取付用ランドに載置された回路基板100をチエ
ーンベルト2に図示しない保持手段によつて取り
付け、リフロー炉1内へと移送する。そして回路
基板100は、プリヒート部5内でセラミツクヒ
ータ7a〜7dによつて予備加熱された後、リフ
ロー部4内でハロゲンランプ8によつて急加熱さ
れ、基板上の各部品取付用ランドのハンダペース
トが溶融されて電子部品がハンダ付けされる。 尚、回路基板100上に載置されている耐熱弱
部品の過熱を避けるため、耐熱弱部品は回路基板
100の上面のみに取り付け、リフローハンダ付
けの際、リフロー部4内において回路基板100
の耐熱弱部品の載置されていない下面側より近赤
外線l2が照射されるようになし、耐熱弱部品の温
度上昇を極力抑える方法がとられている。 ところが、前述したように耐熱弱部品を含む多
種のリードレスチツプ部品の混在する回路基板を
上述の赤外線加熱式リフロー炉によつてハンダ付
けを行なうと、次に示すような問題を生じる。 すなわち耐熱弱部品であるアルミ電解コンデン
サやスイツチ,ジヤツク等のプラスチツクを使用
する機構部品は、熱によつて破損,変形特性劣化
等を生じやすい(耐熱温度200〜240℃)反面、比
較的大型の部品であるために熱容量が大きく、温
度上昇の遅いものが多い。また赤外線加熱式リフ
ロー炉は、回路基板の部品取付用ランドのみを加
熱することはできず、炉内も一様に加熱されて雰
囲気温度が上昇してしまう性質がある。 したがつて上述の耐熱弱部品の混在する回路基
板をリフローハンダ付けする場合、炉内の過熱に
よる耐熱弱部品の破損を防止するためにリフロー
ハンダ付け時のヒータの温度を低くすると、熱容
量の大きい部品は実装部分すなわち電極部分の温
度が上がりにくくなり、ハンダ溶融の不均一によ
るハンダ不溶事故を生じる危険がある。 またハンダの溶融を十分に行なうためにリフロ
ー炉内の温度を上げると、赤外線加熱式リフロー
炉では炉内全域にわたつて温度が上昇するので、
部品自体の温度が上がりすぎて破損,特性劣化を
生じる危険がある。尚、特に耐熱弱部品でなくて
も、熱容量の小さい部品では過熱状態となり、耐
熱弱部品と同様に特性を劣化させてしまう場合が
ある。 実例をあげると、たとえばアルミ電解コンデン
サでは電解液を使用しているため素子の内部圧力
が上昇し、電解液が漏れたり、素子自体が破壊す
る場合があり、スイツチ,ジヤツク等ではプラス
チツクを使用していることから変形する場合があ
る。 またリフローハンダ付け時には、ハンダペース
トに混入されているフラツクスが熱によつて気化
するが、上述のリフロー炉では、このフラツクス
揮発分が炉内に充満して滞留し、スイツチ,ジヤ
ツク等の電気接点部分に付着して接触不良を生じ
る原因になつているものであつた。 このような問題を解決するために、リフロー炉
上面のダンパ41,51等を開放して炉内の温度
を下げるとともにフラツクスガスを排気する対策
がとられ、さらにこの効果を高めるためにダンパ
の開口面積を広くしたり数を増加させるなどの対
策も行なわれたが、ダンパを開放しただけでは炉
内に活発な対流が生じないためフラツクスガスの
排出効果を十分に得ることができず、また開口面
積を拡大して炉内温度を下げれば、ヒータより放
出された熱がほとんど無駄になつてしまい経済性
の点から見ても好ましくないなど多くの欠点があ
つた。 (考案の目的) 本考案は上述した欠点を除去することを目的と
するもので、耐熱弱部品を破損,劣化させること
なく、且つ経済性にすぐれた赤外線加熱式リフロ
ー炉を提供することにある。 (考案の概要) 回路基板を予備加熱するプリヒート部と、該プ
リヒート部によつて予備加熱された回路基板をハ
ンダ溶融温度に加熱してハンダ付けするリフロー
部とからなる赤外線加熱式リフロー炉において、
前記プリヒート部の前段に前記リフロー部内の熱
気を前記プリヒート部を介して強制的に外部に排
出する排気手段を設けることにより、リフロー部
内の熱気の滞留を防止して炉内の加熱を防止する
とともに、プリヒート部を通過する熱気によつて
予備加熱を補助し得るように構成した新規な赤外
線加熱式リフロー炉。 (実施例) 第1図は本考案の赤外線加熱式リフロー炉の一
実施例を示す側面図で、従来例と同一部分につい
ては同一符号を用いて説明する。 リフロー炉20は、基本構成は第3図に示す従
来例と同様に、回路基板100をハンダ溶融温度
にまで加熱してハンダ付けを行なうリフロー部2
1と、回路基板100をリフロー部21内に挿入
する前に予備加熱して温度シヨツクを緩和するプ
リヒート部22と、リフロー部21でハンダ付け
された回路基板100を冷却する冷却部23とか
らなつている。 そして基板取入口20aと基板取出口20bと
の間にプーリ3a,3bによつて張架された基板
移送用のチエーンベルト(またはステンレスメツ
シユベルト)2によつて回路基板100をリフロ
ー炉20内に、プリヒート部22,リフロー部2
1,冷却部23の順に移送し得るようになつてい
る。 プリヒート部22内には、回路基板100に遠
赤外線l1を照射してこれを予備加熱するためのセ
ラミツクヒータ7a〜7dがベルト2の上下に配
されている(詳しくは後述するが、実際には7a
のみ動作させれば十分で、7b〜7dは動作させ
なくて良く、省略することができる)。 リフロー部21はプリヒート部22によつて予
じめ所定の温度に加熱された回路基板100上に
近赤外線l2を照射してハンダ溶融に十分な温度ま
で加熱するハロゲンランプ8がベルト2の下方に
反射板9とともに設けられている。 また冷却部23内には従来のリフロー炉と同
様、空気取入口231より取り入れた外気を回路
基板100に吹き付けてこれを冷却する冷却用フ
アン10がモータ11とともに取り付けられてい
る。 プリヒート部22の前段すなわち基板取入口2
0aとプリヒート部22との間には、リフロー部
21内の熱気をプリヒート部22を介して強制排
気するための強制排気手段となるフアン24が設
けられている。フアン24はモータ25によつて
回転されるようになつており(モータ25の制御
手段については図示せず)、これによつてリフロ
ー部21内の高温の熱気をプリヒート部22を介
して排気口26より排出するようになつている。
そしてプリヒート部22,リフロー21のそれぞ
れ上面には、開口部221a,211aに蓋22
1b,211bを開閉自在に取り付けてなる炉内
温度調節用のダンパ221,221が設けられ、
さらにフアン24とプリヒート部22との間、プ
リヒート部22とリフロー部21との間、リフロ
ー部21と冷却部23との間の隔壁にも開口部2
7a,28a,29aにそれぞれ蓋27b,28
b,29bを開閉自在に取り付けたダンパ27,
28,29が設けられており、これによつて各ブ
ロツク間が連通されている。したがつてこれらの
ダンパの開口面積を調節することによつて、熱気
及び外気の流入量、流れの速さ等を制御し、温度
調節を行なうことができる。 本考案の赤外線加熱式リフロー炉は以上のよう
に構成されており、回路基板に電子部品を実装す
る場合、周知の手段によつて電子部品をハンダペ
ーストを介して部品取付用ランドに載置した回路
基板をチエーンベルト2上に装着し、基板取入口
20aよりリフロー炉20内へと移送することに
よつて行なうことができ、回路基板100はチエ
ーンベルト2によつてプリヒート部22からリフ
ロー部21へと順次移送され、予備加熱された後
リフローハンダ付けされる。 尚、本考案においても耐熱弱部品を回路基板上
面側に集めることにより、リフロー部21内にお
いてリフローハンダ付けされる際、ハロゲンラン
プ8の近赤外線l2が回路基板の耐熱弱部品の過熱
を緩和する方法が並用されている。 一方フアン24の駆動により、同図中矢印で示
すように、リフローハンダ部21内の熱気及びフ
ラツクスガスはダンパ28を通つてプリヒート部
22内へと流入し、リフロー部21内にはダンパ
29及び冷却部23を介して基板取出口20bか
らの外気が流入する。 これによつてリフロー部21内における熱気及
びフラツクスガスの滞留が防止され、リフロー部
21内の雰囲気温度を下げることができ、耐熱弱
部品の過熱による破損及びフラツクスガスの付着
によるスイツチ,ジヤツクの接点不良を防止する
ことができる。 またリフロー部21からプリヒート部22内へ
と流入した熱気は、プリヒート部22を通過し、
開口部27を介して排気口26より外方へと排出
される。このときプリヒート部22内の回路基板
100が通過する熱気(約250℃)によつ加熱さ
れ、予備加熱作用が行なわれる。この結果プリヒ
ート部22内の予備加熱の効率を大幅に高めると
するものである。 (従来の技術とその問題点) 電子機器の小型化にともない、回路基板も小型
リードレスチツプ部品が多用されるようになり、
従来ではチツプ化の困難であつたデイスクリート
部品(たとえばアルミ電解コンデンサ)や機構部
品(たとえばスイツチ,ジヤツク等)のチツプ化
も急速に進められ、回路基板上には、多種にわた
るチツプ部品が高密度実装されているのが常とな
つている。 これらのリードレスチツプ部品は、一般に耐熱
性に劣ることから、直接ハンダデイツプによるハ
ンダ付けが困難であり、ハンダ付けはこれらのリ
ードレスチツプ部品をハンダペーストを介して回
路基板の部品取付用ランド上に載置し、リフロー
ハンダ付けを行なうことによつて回路基板上に実
装する方法がとられている。またリフローハンダ
付け方法としては、基板移送用のベルトを介して
熱伝導させるベルト式、赤外線を照射して加熱す
る赤外線加熱式、不活性溶剤を用いるベーパーフ
エイズ式等の方法があるが、ベルト式は基板にそ
りなどがあつてベルトとの間に隙間があると熱伝
導に影響し、両面実装基板には適用できないなど
の欠点があり、またベーパーフエイズ式はハンダ
付け時に用いる不活性溶剤が高価である等の問題
があり、一般には赤外線加熱式のリフロー炉が広
く用いられている。 第3図は従来より一般に用いられている赤外線
加熱式リフロー炉の一例を示すもので、1はリフ
ロー炉本体、2は基板取入口1aと基板取出口1
bとの間に駆動プーリ3a,3bによつて張架さ
れた基板移送用のチエーンベルト(またはステン
レスメツシユベルト)である。 リフロー炉1内は、回路基板100上のハンダ
ペーストを溶融してリフローハンダ付けするリフ
ロー部4と、回路基板100をリフロー部4に挿
入する前に予備加熱するプリヒート部5と、リフ
ロー部4でハンダ付けされた回路基板100を冷
却する冷却部6とからなつている。 プリヒート部5は、回路基板100をリフロー
ハンダ付けの前に予じめ適当な温度(通常150℃
前後)まで徐々に加熱し、温度の急変による部
品、基板へのシヨツクを緩和するとともにフラツ
クスの活性化をはかるためのもので、チエーンベ
ルト2に保持された回路基板100にたとえば遠
赤外線l1を照射するためのヒータ7a〜7bがチエー
ンベルト2の上下に配されている。この遠赤外線
照明用ヒータには通常セラミツクヒータ等が用い
られる。 またリフロー部4はプリヒート部5によつて予
じめ適温に加熱された回路基板100上にたとえ
ば近赤外線l2を照射してハンダ溶融に十分な温度
まで加熱するハロゲンランプ8がベルト2の下方
に反射板9とともに設けられている。 プリヒート部5,リフロー部4のそれぞれ上面
には、開口部51a,41aに蓋51b,41b
をそれぞれ開閉自在に取り付けた炉内温度調節用
のダンパ51,41が設けられており、蓋51
b,41bの解放量を調節して空気の流入を制御
することにより、炉内温度をある程度調節するこ
とができる。 また冷却部6内には、空気取入口61より取り
入れた外気をハンダ付けの終了した回路基板10
0に吹き付けてこれを冷却するフアン10がモー
タ11とともに取り付けられている。 したがつて実際にリフローハンダ付けを行なう
場合は、電子部品をハンダペーストを介して部品
取付用ランドに載置された回路基板100をチエ
ーンベルト2に図示しない保持手段によつて取り
付け、リフロー炉1内へと移送する。そして回路
基板100は、プリヒート部5内でセラミツクヒ
ータ7a〜7dによつて予備加熱された後、リフ
ロー部4内でハロゲンランプ8によつて急加熱さ
れ、基板上の各部品取付用ランドのハンダペース
トが溶融されて電子部品がハンダ付けされる。 尚、回路基板100上に載置されている耐熱弱
部品の過熱を避けるため、耐熱弱部品は回路基板
100の上面のみに取り付け、リフローハンダ付
けの際、リフロー部4内において回路基板100
の耐熱弱部品の載置されていない下面側より近赤
外線l2が照射されるようになし、耐熱弱部品の温
度上昇を極力抑える方法がとられている。 ところが、前述したように耐熱弱部品を含む多
種のリードレスチツプ部品の混在する回路基板を
上述の赤外線加熱式リフロー炉によつてハンダ付
けを行なうと、次に示すような問題を生じる。 すなわち耐熱弱部品であるアルミ電解コンデン
サやスイツチ,ジヤツク等のプラスチツクを使用
する機構部品は、熱によつて破損,変形特性劣化
等を生じやすい(耐熱温度200〜240℃)反面、比
較的大型の部品であるために熱容量が大きく、温
度上昇の遅いものが多い。また赤外線加熱式リフ
ロー炉は、回路基板の部品取付用ランドのみを加
熱することはできず、炉内も一様に加熱されて雰
囲気温度が上昇してしまう性質がある。 したがつて上述の耐熱弱部品の混在する回路基
板をリフローハンダ付けする場合、炉内の過熱に
よる耐熱弱部品の破損を防止するためにリフロー
ハンダ付け時のヒータの温度を低くすると、熱容
量の大きい部品は実装部分すなわち電極部分の温
度が上がりにくくなり、ハンダ溶融の不均一によ
るハンダ不溶事故を生じる危険がある。 またハンダの溶融を十分に行なうためにリフロ
ー炉内の温度を上げると、赤外線加熱式リフロー
炉では炉内全域にわたつて温度が上昇するので、
部品自体の温度が上がりすぎて破損,特性劣化を
生じる危険がある。尚、特に耐熱弱部品でなくて
も、熱容量の小さい部品では過熱状態となり、耐
熱弱部品と同様に特性を劣化させてしまう場合が
ある。 実例をあげると、たとえばアルミ電解コンデン
サでは電解液を使用しているため素子の内部圧力
が上昇し、電解液が漏れたり、素子自体が破壊す
る場合があり、スイツチ,ジヤツク等ではプラス
チツクを使用していることから変形する場合があ
る。 またリフローハンダ付け時には、ハンダペース
トに混入されているフラツクスが熱によつて気化
するが、上述のリフロー炉では、このフラツクス
揮発分が炉内に充満して滞留し、スイツチ,ジヤ
ツク等の電気接点部分に付着して接触不良を生じ
る原因になつているものであつた。 このような問題を解決するために、リフロー炉
上面のダンパ41,51等を開放して炉内の温度
を下げるとともにフラツクスガスを排気する対策
がとられ、さらにこの効果を高めるためにダンパ
の開口面積を広くしたり数を増加させるなどの対
策も行なわれたが、ダンパを開放しただけでは炉
内に活発な対流が生じないためフラツクスガスの
排出効果を十分に得ることができず、また開口面
積を拡大して炉内温度を下げれば、ヒータより放
出された熱がほとんど無駄になつてしまい経済性
の点から見ても好ましくないなど多くの欠点があ
つた。 (考案の目的) 本考案は上述した欠点を除去することを目的と
するもので、耐熱弱部品を破損,劣化させること
なく、且つ経済性にすぐれた赤外線加熱式リフロ
ー炉を提供することにある。 (考案の概要) 回路基板を予備加熱するプリヒート部と、該プ
リヒート部によつて予備加熱された回路基板をハ
ンダ溶融温度に加熱してハンダ付けするリフロー
部とからなる赤外線加熱式リフロー炉において、
前記プリヒート部の前段に前記リフロー部内の熱
気を前記プリヒート部を介して強制的に外部に排
出する排気手段を設けることにより、リフロー部
内の熱気の滞留を防止して炉内の加熱を防止する
とともに、プリヒート部を通過する熱気によつて
予備加熱を補助し得るように構成した新規な赤外
線加熱式リフロー炉。 (実施例) 第1図は本考案の赤外線加熱式リフロー炉の一
実施例を示す側面図で、従来例と同一部分につい
ては同一符号を用いて説明する。 リフロー炉20は、基本構成は第3図に示す従
来例と同様に、回路基板100をハンダ溶融温度
にまで加熱してハンダ付けを行なうリフロー部2
1と、回路基板100をリフロー部21内に挿入
する前に予備加熱して温度シヨツクを緩和するプ
リヒート部22と、リフロー部21でハンダ付け
された回路基板100を冷却する冷却部23とか
らなつている。 そして基板取入口20aと基板取出口20bと
の間にプーリ3a,3bによつて張架された基板
移送用のチエーンベルト(またはステンレスメツ
シユベルト)2によつて回路基板100をリフロ
ー炉20内に、プリヒート部22,リフロー部2
1,冷却部23の順に移送し得るようになつてい
る。 プリヒート部22内には、回路基板100に遠
赤外線l1を照射してこれを予備加熱するためのセ
ラミツクヒータ7a〜7dがベルト2の上下に配
されている(詳しくは後述するが、実際には7a
のみ動作させれば十分で、7b〜7dは動作させ
なくて良く、省略することができる)。 リフロー部21はプリヒート部22によつて予
じめ所定の温度に加熱された回路基板100上に
近赤外線l2を照射してハンダ溶融に十分な温度ま
で加熱するハロゲンランプ8がベルト2の下方に
反射板9とともに設けられている。 また冷却部23内には従来のリフロー炉と同
様、空気取入口231より取り入れた外気を回路
基板100に吹き付けてこれを冷却する冷却用フ
アン10がモータ11とともに取り付けられてい
る。 プリヒート部22の前段すなわち基板取入口2
0aとプリヒート部22との間には、リフロー部
21内の熱気をプリヒート部22を介して強制排
気するための強制排気手段となるフアン24が設
けられている。フアン24はモータ25によつて
回転されるようになつており(モータ25の制御
手段については図示せず)、これによつてリフロ
ー部21内の高温の熱気をプリヒート部22を介
して排気口26より排出するようになつている。
そしてプリヒート部22,リフロー21のそれぞ
れ上面には、開口部221a,211aに蓋22
1b,211bを開閉自在に取り付けてなる炉内
温度調節用のダンパ221,221が設けられ、
さらにフアン24とプリヒート部22との間、プ
リヒート部22とリフロー部21との間、リフロ
ー部21と冷却部23との間の隔壁にも開口部2
7a,28a,29aにそれぞれ蓋27b,28
b,29bを開閉自在に取り付けたダンパ27,
28,29が設けられており、これによつて各ブ
ロツク間が連通されている。したがつてこれらの
ダンパの開口面積を調節することによつて、熱気
及び外気の流入量、流れの速さ等を制御し、温度
調節を行なうことができる。 本考案の赤外線加熱式リフロー炉は以上のよう
に構成されており、回路基板に電子部品を実装す
る場合、周知の手段によつて電子部品をハンダペ
ーストを介して部品取付用ランドに載置した回路
基板をチエーンベルト2上に装着し、基板取入口
20aよりリフロー炉20内へと移送することに
よつて行なうことができ、回路基板100はチエ
ーンベルト2によつてプリヒート部22からリフ
ロー部21へと順次移送され、予備加熱された後
リフローハンダ付けされる。 尚、本考案においても耐熱弱部品を回路基板上
面側に集めることにより、リフロー部21内にお
いてリフローハンダ付けされる際、ハロゲンラン
プ8の近赤外線l2が回路基板の耐熱弱部品の過熱
を緩和する方法が並用されている。 一方フアン24の駆動により、同図中矢印で示
すように、リフローハンダ部21内の熱気及びフ
ラツクスガスはダンパ28を通つてプリヒート部
22内へと流入し、リフロー部21内にはダンパ
29及び冷却部23を介して基板取出口20bか
らの外気が流入する。 これによつてリフロー部21内における熱気及
びフラツクスガスの滞留が防止され、リフロー部
21内の雰囲気温度を下げることができ、耐熱弱
部品の過熱による破損及びフラツクスガスの付着
によるスイツチ,ジヤツクの接点不良を防止する
ことができる。 またリフロー部21からプリヒート部22内へ
と流入した熱気は、プリヒート部22を通過し、
開口部27を介して排気口26より外方へと排出
される。このときプリヒート部22内の回路基板
100が通過する熱気(約250℃)によつ加熱さ
れ、予備加熱作用が行なわれる。この結果プリヒ
ート部22内の予備加熱の効率を大幅に高めると
【表】
ただし、回路基板面の温度は、耐熱弱部品の載
置されていない下面側から加熱した場合の基板面
の温度で、部品取付用ランドとほぼ同じ温度にな
る。 また部品表面温度は、本考案で対象とする熱容
量が比較的大きく且つ熱に弱い耐熱弱部品(アル
ミ電解コンデンサ,スイツチ,ジヤツク等)の部
品自体の表面温度を示す。 リフロー部内温度は、リフロー部内の雰囲気温
度を示すものである。 リフロー部内において、上面に耐熱弱部品で且
つ熱容量の大きい部品を載置した回路基板の下面
側より赤外線加熱した場合、回路基板の下面すな
わちハロゲンランプ8に対向する面はいずれも
250〜270℃程度に加熱され、同時に基板面だけで
なくリフロー部内も全域にわたつて雰囲気温度が
上昇する。 そして従来のリフロー炉1のリフロー部4内で
は対流,外気の流入がほとんどないため、炉内温
度は340〜350℃程度に上昇し、直接赤外線の照射
されない回路基板上面の部品本体の温度も230〜
240℃程度に上昇する。したがつて耐熱弱部品に
おいては、破損、変形、特性劣化等が生じる危険
性がある。 一方、本考案のリフロー炉20によれば、リフ
ロー部21内の熱気がプリヒート部22を介して
排出されるので、回路基板の下面側を従来のリフ
ロー炉と同様に250〜270℃に加熱しても、リフロ
ー部21内の雰囲気温度の上昇が妨げられるた
め、実際の回路基板面の温度は240〜260℃程度に
抑えられる。したがつて耐熱弱部品の部品自体の
温度も190〜200℃程度に抑えることができ、過熱
による破損、変形、特性劣化を防止することがで
きる。 尚、リフロー部21内の温度の低下により、逆
に回路基板上の部品の端子温度もやや低下してい
ることがわかる。 第2図a〜cは、従来のリフロー炉1と本考案
のリフロー炉20の温度特性を比較したグラフを
示すもので、第2図aは各リフロー炉内の雰囲気
温度分布を、同図bはリフロー炉内の各部におけ
る回路基板表面(部品取付用ランド)の温度を、
同図cはリフロー炉内の各部における回路基板上
の耐熱弱部品で且つ熱容量の大きい部品(アルミ
電解コンデンサ,スイツチ,ジヤツク等)の表面
温度をそれぞれ示すものである。 第2図aに示すように、プリヒート部では、い
ずれのリフロー炉にいてもプリヒート部内温度で
200℃程度に保持され、これによつて第2図bか
らわかるように、回路基板はその表面温度が約
150℃となる如く加熱され、回路基板上の耐熱弱
部品(熱容量の大きいもの)も、第2図cに示す
ように約150℃に予備加熱される。尚第2図cの
グラフの立ち上がりが第2図a,bに比して緩や
かなのは、耐熱弱部品でありながらも熱容量が大
きいために、温度上昇が遅いことを表わしてい
る。 一方、リフロー部内では、第2図bに示すよう
に、回路基板表面の温度は、従来のリフロー炉で
は約260℃程になつており、このときのリフロー
部内の雰囲気温度は、第2図aからわかるように
約350℃まで上昇している。したがつて第2図c
に示すように、耐熱弱部品の表面温度が240℃程
にまで上昇し、部品の破損、変形、特性劣化の危
険がある。 これに対し、本考案のリフロー炉では、強制排
気手段によつてリフロー部内の熱気の滞留が防止
されるので、従来のリフロー炉と同様のヒータで
加熱され、回路基板表面の温度が第2図bに示す
ようにハンダ溶融に十分な250℃程度に上昇して
いるにもかかわらず、リフロー部内の雰囲気温度
を、第2図aからわかるように、約250℃に抑え
ることができる。この結果回路基板上面側に載置
された耐熱弱部品の表面温度を約200℃程度に抑
えることができ、従来のリフロー炉の約240℃に
比較して、その温度を大幅に低下させることがで
きる。 このように、本考案のリフロー炉は、耐熱弱部
品自体を過熱することなくリフローハンダ付けを
確実に行なうことができるので、耐熱弱部品の混
在する回路基板のリフローハンダ付けには最適で
ある。 (考案の効果) 以上述べたように、本考案の赤外線加熱式リフ
ロー炉によれば、回路基板を予備加熱するプリヒ
ート部と、該プリヒート部によつて予備加熱され
た回路基板をハンダ溶融温度に加熱してハンダ付
けするリフロー部とからなる赤外線加熱式リフロ
ー炉において、前記リフロー部内の熱気を前記プ
リヒート部を介して強制的に排出するように構成
したので、リフローハンダ付け時に回路基板を加
熱した際、強制排気によつてリフロー部内の温度
上昇を抑え、部品自体の過熱を抑えることがで
き、特に耐熱弱部品及び熱容量の小さい部品の熱
による破損、変形、特性劣化等を防止することが
できる。 尚、ハンダ付け時に揮発したフラツクスガス
が、リフロー部内に滞留することなく外部に排出
されるので、ジヤツク、スイツチ等の電気接点に
フラツクスガスが付着することによつて生じる接
点不良を防止することができる。 またリフロー部から排出された熱気がプリヒー
ト部内を通過して排出されるので、プリヒート部
の予備加熱をその熱排気によつて補助することが
でき、プリヒート部の効率が大幅に向上し、この
結果プリヒート部内のヒータを小型化することが
できる。
置されていない下面側から加熱した場合の基板面
の温度で、部品取付用ランドとほぼ同じ温度にな
る。 また部品表面温度は、本考案で対象とする熱容
量が比較的大きく且つ熱に弱い耐熱弱部品(アル
ミ電解コンデンサ,スイツチ,ジヤツク等)の部
品自体の表面温度を示す。 リフロー部内温度は、リフロー部内の雰囲気温
度を示すものである。 リフロー部内において、上面に耐熱弱部品で且
つ熱容量の大きい部品を載置した回路基板の下面
側より赤外線加熱した場合、回路基板の下面すな
わちハロゲンランプ8に対向する面はいずれも
250〜270℃程度に加熱され、同時に基板面だけで
なくリフロー部内も全域にわたつて雰囲気温度が
上昇する。 そして従来のリフロー炉1のリフロー部4内で
は対流,外気の流入がほとんどないため、炉内温
度は340〜350℃程度に上昇し、直接赤外線の照射
されない回路基板上面の部品本体の温度も230〜
240℃程度に上昇する。したがつて耐熱弱部品に
おいては、破損、変形、特性劣化等が生じる危険
性がある。 一方、本考案のリフロー炉20によれば、リフ
ロー部21内の熱気がプリヒート部22を介して
排出されるので、回路基板の下面側を従来のリフ
ロー炉と同様に250〜270℃に加熱しても、リフロ
ー部21内の雰囲気温度の上昇が妨げられるた
め、実際の回路基板面の温度は240〜260℃程度に
抑えられる。したがつて耐熱弱部品の部品自体の
温度も190〜200℃程度に抑えることができ、過熱
による破損、変形、特性劣化を防止することがで
きる。 尚、リフロー部21内の温度の低下により、逆
に回路基板上の部品の端子温度もやや低下してい
ることがわかる。 第2図a〜cは、従来のリフロー炉1と本考案
のリフロー炉20の温度特性を比較したグラフを
示すもので、第2図aは各リフロー炉内の雰囲気
温度分布を、同図bはリフロー炉内の各部におけ
る回路基板表面(部品取付用ランド)の温度を、
同図cはリフロー炉内の各部における回路基板上
の耐熱弱部品で且つ熱容量の大きい部品(アルミ
電解コンデンサ,スイツチ,ジヤツク等)の表面
温度をそれぞれ示すものである。 第2図aに示すように、プリヒート部では、い
ずれのリフロー炉にいてもプリヒート部内温度で
200℃程度に保持され、これによつて第2図bか
らわかるように、回路基板はその表面温度が約
150℃となる如く加熱され、回路基板上の耐熱弱
部品(熱容量の大きいもの)も、第2図cに示す
ように約150℃に予備加熱される。尚第2図cの
グラフの立ち上がりが第2図a,bに比して緩や
かなのは、耐熱弱部品でありながらも熱容量が大
きいために、温度上昇が遅いことを表わしてい
る。 一方、リフロー部内では、第2図bに示すよう
に、回路基板表面の温度は、従来のリフロー炉で
は約260℃程になつており、このときのリフロー
部内の雰囲気温度は、第2図aからわかるように
約350℃まで上昇している。したがつて第2図c
に示すように、耐熱弱部品の表面温度が240℃程
にまで上昇し、部品の破損、変形、特性劣化の危
険がある。 これに対し、本考案のリフロー炉では、強制排
気手段によつてリフロー部内の熱気の滞留が防止
されるので、従来のリフロー炉と同様のヒータで
加熱され、回路基板表面の温度が第2図bに示す
ようにハンダ溶融に十分な250℃程度に上昇して
いるにもかかわらず、リフロー部内の雰囲気温度
を、第2図aからわかるように、約250℃に抑え
ることができる。この結果回路基板上面側に載置
された耐熱弱部品の表面温度を約200℃程度に抑
えることができ、従来のリフロー炉の約240℃に
比較して、その温度を大幅に低下させることがで
きる。 このように、本考案のリフロー炉は、耐熱弱部
品自体を過熱することなくリフローハンダ付けを
確実に行なうことができるので、耐熱弱部品の混
在する回路基板のリフローハンダ付けには最適で
ある。 (考案の効果) 以上述べたように、本考案の赤外線加熱式リフ
ロー炉によれば、回路基板を予備加熱するプリヒ
ート部と、該プリヒート部によつて予備加熱され
た回路基板をハンダ溶融温度に加熱してハンダ付
けするリフロー部とからなる赤外線加熱式リフロ
ー炉において、前記リフロー部内の熱気を前記プ
リヒート部を介して強制的に排出するように構成
したので、リフローハンダ付け時に回路基板を加
熱した際、強制排気によつてリフロー部内の温度
上昇を抑え、部品自体の過熱を抑えることがで
き、特に耐熱弱部品及び熱容量の小さい部品の熱
による破損、変形、特性劣化等を防止することが
できる。 尚、ハンダ付け時に揮発したフラツクスガス
が、リフロー部内に滞留することなく外部に排出
されるので、ジヤツク、スイツチ等の電気接点に
フラツクスガスが付着することによつて生じる接
点不良を防止することができる。 またリフロー部から排出された熱気がプリヒー
ト部内を通過して排出されるので、プリヒート部
の予備加熱をその熱排気によつて補助することが
でき、プリヒート部の効率が大幅に向上し、この
結果プリヒート部内のヒータを小型化することが
できる。
第1図は本考案の赤外線加熱式リフロー炉の構
成及び動作を説明するための側断面図、第2図a
〜cは本考案のリフロー炉と従来のリフロー炉と
を炉内雰囲気温度、回路基板表面温度、耐熱弱部
品表面温度についてそれぞれ比較した温度特性グ
ラフ、第3図は従来の赤外線加熱式リフロー炉の
構成及び動作を説明するための側断面図である。 符号の説明、2……チエーンベルト、3a,3
b……駆動ローラ、7a〜7d……セラミツクヒ
ータ、8……ハロゲンランプ、20……赤外線加
熱式リフロー炉、21……リフロー部、22……
プリヒート部、24……フアン(強制排気手段)、
27,28,29,211,221……ダンパ、
100……回路基板。
成及び動作を説明するための側断面図、第2図a
〜cは本考案のリフロー炉と従来のリフロー炉と
を炉内雰囲気温度、回路基板表面温度、耐熱弱部
品表面温度についてそれぞれ比較した温度特性グ
ラフ、第3図は従来の赤外線加熱式リフロー炉の
構成及び動作を説明するための側断面図である。 符号の説明、2……チエーンベルト、3a,3
b……駆動ローラ、7a〜7d……セラミツクヒ
ータ、8……ハロゲンランプ、20……赤外線加
熱式リフロー炉、21……リフロー部、22……
プリヒート部、24……フアン(強制排気手段)、
27,28,29,211,221……ダンパ、
100……回路基板。
Claims (1)
- 電子回路部品をハンダペーストを介して載置し
た電子回路基板を予備加熱するプリヒート部と、
前記電子回路基板に赤外線を照射して該基板の部
品取付用ランド部上のハンダペーストを溶融させ
るべく加熱するリフロー部とを隣接して備え、前
記電子回路基板を前記プリヒート部において予備
加熱した後前記リフロー部へと導入してリフロー
ハンダ付けを行なうようになされたリフロー炉に
おいて、前記プリヒート部の前段に強制排気手段
を設け、前記リフロー部内の熱気を前記プリヒー
ト部を介して排気せしめることにより、前記リフ
ロー部内の熱気の滞留を防止するとともに前記プ
リヒート部を通過する熱気によつて予備加熱を補
助し得るように構成したことを特徴とする赤外線
加熱式リフロー炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4611686U JPH0216854Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4611686U JPH0216854Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159975U JPS62159975U (ja) | 1987-10-12 |
| JPH0216854Y2 true JPH0216854Y2 (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=30865483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4611686U Expired JPH0216854Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0216854Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0783931B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1995-09-13 | 松下電器産業株式会社 | はんだ付け処理装置 |
| JPH0726048Y2 (ja) * | 1988-07-08 | 1995-06-14 | 松下電器産業株式会社 | 半田付装置 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP4611686U patent/JPH0216854Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62159975U (ja) | 1987-10-12 |
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