JPH02168660A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02168660A JPH02168660A JP63324190A JP32419088A JPH02168660A JP H02168660 A JPH02168660 A JP H02168660A JP 63324190 A JP63324190 A JP 63324190A JP 32419088 A JP32419088 A JP 32419088A JP H02168660 A JPH02168660 A JP H02168660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- lead frame
- resin
- resistant plate
- molded body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特に
半導体チップをリードフレームに組立以降の製造方法に
関する。
半導体チップをリードフレームに組立以降の製造方法に
関する。
第６図（ａ）〜（Ｃ）は従来の樹脂封止型半導体装置の
製造方法の一例を説明するための半導体チップの組立順
序を示すリードフレームを含めた半導体チップの断面図
、第６図（ｄ）は半導体チップがリードフレームに組込
まれた状態を示す半導体チップとリードフレームの平面
図である。
製造方法の一例を説明するための半導体チップの組立順
序を示すリードフレームを含めた半導体チップの断面図
、第６図（ｄ）は半導体チップがリードフレームに組込
まれた状態を示す半導体チップとリードフレームの平面
図である。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、ま
ず、第１図（ａ＞に示すように、リードフレーム２のア
イランド８に接着剤により電子素子を含む電子回路が形
成された半導体チップ１を固着する。次に、第１図（ｂ
）に示すように、半導体チップ１の電極パッド１０とこ
の電極パッド１０に対応する内部リード４とをワ５イヤ
ボンディング装置により金属細線３で接続する。次に、
第６図（ｃ）に示すように、半導体チップ１が搭載され
たアイランド８及び内部リード４を包含するように樹脂
封止し樹脂外郭体７を製作する。
ず、第１図（ａ＞に示すように、リードフレーム２のア
イランド８に接着剤により電子素子を含む電子回路が形
成された半導体チップ１を固着する。次に、第１図（ｂ
）に示すように、半導体チップ１の電極パッド１０とこ
の電極パッド１０に対応する内部リード４とをワ５イヤ
ボンディング装置により金属細線３で接続する。次に、
第６図（ｃ）に示すように、半導体チップ１が搭載され
たアイランド８及び内部リード４を包含するように樹脂
封止し樹脂外郭体７を製作する。
ここで、リードフレームについて説明する。このリード
フレーム２は、第６図（ｄ）に示すように、外側のフレ
ームから伸びる吊りリード９に支えられたアイランド８
と、外側のフレームから伸び、アイランド８の周囲にそ
の先端を位置され形成された内部リード４とを有してい
る。
フレーム２は、第６図（ｄ）に示すように、外側のフレ
ームから伸びる吊りリード９に支えられたアイランド８
と、外側のフレームから伸び、アイランド８の周囲にそ
の先端を位置され形成された内部リード４とを有してい
る。
（発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、
外側フレーム、吊りリード、アイランド及び内部リード
とからなるリードフレームは同一金属板から形成されて
いるので、樹脂外郭体との接着力が弱く、また、熱膨張
係数が大巾に異なるので、樹脂封止後のヒートサイクル
により、リードフレームの構成部とこの樹脂外郭体との
界面に隙間が生じたり、樹脂外郭体のエツジにクラック
が生じたりして、水分が浸入し素子を破壊しなりする問
題がある６ 本発明の目的は、樹脂外郭体とリードフレームとの界面
に隙間が生じたり、樹脂外郭体にクラックの生じたりす
ることのない樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
外側フレーム、吊りリード、アイランド及び内部リード
とからなるリードフレームは同一金属板から形成されて
いるので、樹脂外郭体との接着力が弱く、また、熱膨張
係数が大巾に異なるので、樹脂封止後のヒートサイクル
により、リードフレームの構成部とこの樹脂外郭体との
界面に隙間が生じたり、樹脂外郭体のエツジにクラック
が生じたりして、水分が浸入し素子を破壊しなりする問
題がある６ 本発明の目的は、樹脂外郭体とリードフレームとの界面
に隙間が生じたり、樹脂外郭体にクラックの生じたりす
ることのない樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、−主面に
電子素子を含む電子回路が形成された半導体チップをア
イランドのないリードフレームの中央に配置するととも
に前記半導体チップの電極パッドとこの電極パッドに対
応する前記リードフレームの内部リードとを金属細線で
接続する工程と、前記半導体チップを絶縁薄型耐熱板に
搭載し固着するとともに前記絶縁薄型耐熱板と前記内部
リードとを接続する工程と、前記半導体チップが固着さ
れるとともに前記内部リードが接続された前記絶縁薄型
耐熱板を包含するように樹脂封止する工程とを含んで構
成される。
電子素子を含む電子回路が形成された半導体チップをア
イランドのないリードフレームの中央に配置するととも
に前記半導体チップの電極パッドとこの電極パッドに対
応する前記リードフレームの内部リードとを金属細線で
接続する工程と、前記半導体チップを絶縁薄型耐熱板に
搭載し固着するとともに前記絶縁薄型耐熱板と前記内部
リードとを接続する工程と、前記半導体チップが固着さ
れるとともに前記内部リードが接続された前記絶縁薄型
耐熱板を包含するように樹脂封止する工程とを含んで構
成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一実施例を説明するための半導体チッ
プの組立順序を示すリードフレームを含めた半導体チッ
プの断面図、第１図（ｅ）は半導体チップが絶縁薄型耐
熱板に組込まれた状態を示す半導体チップと絶縁薄型耐
熱板の平面図、第２図は絶縁薄型耐熱板の平面図、第３
図は半導体チップの固定方法を説明するための半導体チ
ップとリードフレームの断面図、第４図は第１図（Ｃ）
における半導体チップ及び内部リードの接着工程を説明
するためのリードフレーム、絶縁薄型耐熱基板及び半導
体チップの断面図、第５図は第２図とは別の絶縁薄型耐
熱板を使用した例を示す半導体チップと絶縁薄型耐熱板
の平面図である。
装置の製造方法の一実施例を説明するための半導体チッ
プの組立順序を示すリードフレームを含めた半導体チッ
プの断面図、第１図（ｅ）は半導体チップが絶縁薄型耐
熱板に組込まれた状態を示す半導体チップと絶縁薄型耐
熱板の平面図、第２図は絶縁薄型耐熱板の平面図、第３
図は半導体チップの固定方法を説明するための半導体チ
ップとリードフレームの断面図、第４図は第１図（Ｃ）
における半導体チップ及び内部リードの接着工程を説明
するためのリードフレーム、絶縁薄型耐熱基板及び半導
体チップの断面図、第５図は第２図とは別の絶縁薄型耐
熱板を使用した例を示す半導体チップと絶縁薄型耐熱板
の平面図である。
この樹脂封止型半導体装置の製造方法は、まず、第１図
（ａ）及び第３図に示すように、アイランドのないリー
ドフレーム２をヒータプレート１゜に乗せ、リードフレ
ーム２のフレーム側をクランプ１１で押える。次に、リ
ードフレーム２の中央に半導体チップ１を配置する。次
に、第１図（ｂ）及び第３図に示すように、金属細線３
で半導体チップ１の電極パッドとこれに対応する内部リ
ード４とを接続する。
（ａ）及び第３図に示すように、アイランドのないリー
ドフレーム２をヒータプレート１゜に乗せ、リードフレ
ーム２のフレーム側をクランプ１１で押える。次に、リ
ードフレーム２の中央に半導体チップ１を配置する。次
に、第１図（ｂ）及び第３図に示すように、金属細線３
で半導体チップ１の電極パッドとこれに対応する内部リ
ード４とを接続する。
次に、半導体チップを固着する絶縁薄型耐熱について、
説明すると、例えば、第２図に示すように、厚さが７０
μｍのホリイミド樹脂（熱膨張係数・６．８Ｘ １０−
５／℃）の薄板を加工し、その表面に絶縁性のあるエポ
キシ樹脂が塗布する。
説明すると、例えば、第２図に示すように、厚さが７０
μｍのホリイミド樹脂（熱膨張係数・６．８Ｘ １０−
５／℃）の薄板を加工し、その表面に絶縁性のあるエポ
キシ樹脂が塗布する。
また、この絶縁薄型耐熱板の半導体チップが搭載される
四角形状の搭載部６ａに排気穴６ｃを形成し、更に、搭
載部の両側面には、タグ６ｂが取り付ける。
四角形状の搭載部６ａに排気穴６ｃを形成し、更に、搭
載部の両側面には、タグ６ｂが取り付ける。
次に、前述の金属細線の接続後の製造方法を説明すると
、まず、第１図（ｃ）及び第４図に示すように、プレー
ト１４の上に絶縁薄型耐熱板６を乗せ、排気穴６Ｃとプ
レー）１４の排気穴１２ｂと位置合せする。次に、リー
ドフレーム２に金属細線３で接続された半導体チップ１
を、あらかじめ接着剤が塗布された絶縁薄型耐熱板６の
搭載部６ａに搭載する。
、まず、第１図（ｃ）及び第４図に示すように、プレー
ト１４の上に絶縁薄型耐熱板６を乗せ、排気穴６Ｃとプ
レー）１４の排気穴１２ｂと位置合せする。次に、リー
ドフレーム２に金属細線３で接続された半導体チップ１
を、あらかじめ接着剤が塗布された絶縁薄型耐熱板６の
搭載部６ａに搭載する。
次に、押え治具１３によりリードフレーム２を押え、排
気穴６ａ及び１２ｂを通して真空排気して半導体チップ
１を絶縁薄型耐熱板６に押え接着するとともに内部リー
ド４とタグ６ｂとを接着する。
気穴６ａ及び１２ｂを通して真空排気して半導体チップ
１を絶縁薄型耐熱板６に押え接着するとともに内部リー
ド４とタグ６ｂとを接着する。
次に、従来例と同様に、第１図（ｄ）に示すように、例
えば、エポキシ樹脂（熱膨張係数・７゜１×１０″５／
℃）で、半導体チップ１を固着するとともに内部リード
４を接続する絶縁薄型耐熱板６を包含するように樹脂封
止し樹脂外郭体７を製作する。
えば、エポキシ樹脂（熱膨張係数・７゜１×１０″５／
℃）で、半導体チップ１を固着するとともに内部リード
４を接続する絶縁薄型耐熱板６を包含するように樹脂封
止し樹脂外郭体７を製作する。
ここで、この組立られな絶縁薄型耐熱板６と半導体チッ
プをよりわかり易く示すと、第１図（ｅ）に示すように
、半導体チップ１と内部リード４は一枚の絶縁薄型耐熱
板６に上述の方法で固定されたことになる。また、別の
絶縁薄型耐熱板を使用した例として、例えば、第５図に
示すように、リードフレームの外側フレームから伸びる
保持用専用内部リードにタグ６ｂを接続した場合もある
。
プをよりわかり易く示すと、第１図（ｅ）に示すように
、半導体チップ１と内部リード４は一枚の絶縁薄型耐熱
板６に上述の方法で固定されたことになる。また、別の
絶縁薄型耐熱板を使用した例として、例えば、第５図に
示すように、リードフレームの外側フレームから伸びる
保持用専用内部リードにタグ６ｂを接続した場合もある
。
この方法はリードフレームの外側から伸びる保持専用内
部リード５を設けたので、第１図（ｃ）で説明した接着
工程がよりやり易いという利点がある。
部リード５を設けたので、第１図（ｃ）で説明した接着
工程がよりやり易いという利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体チップを搭載し、
リードフレームを接着支持するように絶縁薄型耐熱板を
設け、これに半導体チップを搭載する工程と、リードフ
レームに接続する工程とを加えることによって、従来の
ような熱膨張係数の違いによる熱ストレスを受けること
なくなるので、樹脂外郭体とリードフレームとの界面に
隙間が生じたり、樹脂外郭体にクラックの生じたりする
ことのない樹脂封止型半導体装置の製造方法が得られる
という効果がある。
リードフレームを接着支持するように絶縁薄型耐熱板を
設け、これに半導体チップを搭載する工程と、リードフ
レームに接続する工程とを加えることによって、従来の
ような熱膨張係数の違いによる熱ストレスを受けること
なくなるので、樹脂外郭体とリードフレームとの界面に
隙間が生じたり、樹脂外郭体にクラックの生じたりする
ことのない樹脂封止型半導体装置の製造方法が得られる
という効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明による樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一実施例を説明するための半導体チッ
プの組立順序を示すリードフレームを含めた半導体チッ
プの断面図、第１図（ｅ）は半導体チップが絶縁薄型耐
熱板に組込まれた状態を示す半導体チップと絶縁薄型耐
熱板の平面図、第２図は絶縁薄型耐熱板の平面図、第３
図は半導体チップの固定方法を説明するための半導体チ
ップとリードフレームの断面図、第４図は第１図（Ｃ）
における半導体チップ及び内部リードの接着工程を説明
するためのリードフレーム、絶縁薄型耐熱基板及び半導
体チップの断面図、第５図は第２図とは別の絶縁薄型耐
熱板を使用した例を示す半導体チップと絶縁薄型耐熱板
の平面図、第６図＜ａ）〜（ｃ）は従来の樹脂封止型半
導体装置の製造方法の一例を説明するための半導体チッ
プの組立順序を示すリードフレームを含めた半導体チッ
プの断面図、第６図（ｄ）は半導体チップがリードフレ
ームに組込まれた状態を示す半導体チップとリードフレ
ームの平面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・リードフレーム、３・
・・金属細線、４・・・内部リード、５・・・保持専用
内部リード、６・・・絶縁薄型耐熱板、６ａ・・・搭載
部、６ｂ・・・タグ、６ｃ・・・排気穴、７・・・樹脂
外郭体、８アイランド、９・・・吊りリード、１０・・
・電極バッド、１１・・・クランプ、１２ａ、１２ｂ・
・・排気穴、１３・・・押え治具、１４・・・プレート
、１５・・・ヒータプレート。
装置の製造方法の一実施例を説明するための半導体チッ
プの組立順序を示すリードフレームを含めた半導体チッ
プの断面図、第１図（ｅ）は半導体チップが絶縁薄型耐
熱板に組込まれた状態を示す半導体チップと絶縁薄型耐
熱板の平面図、第２図は絶縁薄型耐熱板の平面図、第３
図は半導体チップの固定方法を説明するための半導体チ
ップとリードフレームの断面図、第４図は第１図（Ｃ）
における半導体チップ及び内部リードの接着工程を説明
するためのリードフレーム、絶縁薄型耐熱基板及び半導
体チップの断面図、第５図は第２図とは別の絶縁薄型耐
熱板を使用した例を示す半導体チップと絶縁薄型耐熱板
の平面図、第６図＜ａ）〜（ｃ）は従来の樹脂封止型半
導体装置の製造方法の一例を説明するための半導体チッ
プの組立順序を示すリードフレームを含めた半導体チッ
プの断面図、第６図（ｄ）は半導体チップがリードフレ
ームに組込まれた状態を示す半導体チップとリードフレ
ームの平面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・リードフレーム、３・
・・金属細線、４・・・内部リード、５・・・保持専用
内部リード、６・・・絶縁薄型耐熱板、６ａ・・・搭載
部、６ｂ・・・タグ、６ｃ・・・排気穴、７・・・樹脂
外郭体、８アイランド、９・・・吊りリード、１０・・
・電極バッド、１１・・・クランプ、１２ａ、１２ｂ・
・・排気穴、１３・・・押え治具、１４・・・プレート
、１５・・・ヒータプレート。
Claims (1)
- 一主面に電子素子を含む電子回路が形成された半導体チ
ップをアイランドのないリードフレームの中央に配置す
るとともに前記半導体チップの電極パッドとこの電極パ
ッドに対応する前記リードフレームの内部リードとを金
属細線で接続する工程と、前記半導体チップを絶縁薄型
耐熱板に搭載し固着するとともに前記絶縁薄型耐熱板と
前記内部リードとを接続する工程と、前記半導体チップ
が固着されるとともに前記内部リードが接続された前記
絶縁薄型耐熱板を包含するように樹脂封止する工程とを
含んでいることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324190A JPH02168660A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324190A JPH02168660A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168660A true JPH02168660A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18163078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63324190A Pending JPH02168660A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168660A (ja) |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63324190A patent/JPH02168660A/ja active Pending
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