JPS58171A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS58171A JPS58171A JP56097524A JP9752481A JPS58171A JP S58171 A JPS58171 A JP S58171A JP 56097524 A JP56097524 A JP 56097524A JP 9752481 A JP9752481 A JP 9752481A JP S58171 A JPS58171 A JP S58171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- section
- light shield
- color
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体ｍｓ素子に係り，特に解装置が高く１色の
少ない色分離の良好な固体操儂素子を提供するものであ
る。
少ない色分離の良好な固体操儂素子を提供するものであ
る。
従来、カラー用固体撮幸素子を得るには所定の色分離フ
ィルタをＣＯＤなどの固体撮儂素子上κ接着剤を介して
貼り合わせる方法が行なわれている。
ィルタをＣＯＤなどの固体撮儂素子上κ接着剤を介して
貼り合わせる方法が行なわれている。
第１図はその例である．シリコン基板（１）に所定のプ
ロセスによ夛受光部（２）転送部（３）及びオーノ｛−
７ロ一ドレイン部（４）等を形成する．その上部κは、
酸化膜（５）の上に電荷転送電極として働らく多結晶シ
リコン電１１（６｝、（フ）を形成する．ｉ九その上部
には例えばオーパー０フｗー●ドレインへの転送電極と
光シールドを兼ねえＡＪ膜（８）からなる電極を形成す
る．第１図の例では二層多結晶シリコン電極の例である
が、三層多結晶シリコン電極を使用し、光シールドのＡ
ｊ膜を形成しても良い．電極間の絶縁は酸化膜によりお
こなう。さらに上部には通常ＰＥＧ （リン珪酸ガラス
）、８８Ｇ（ホウ酸ガラス）ヤ８１ｓＮ４などのバツシ
ベーシ璽ンＩＩ （９）を形成し、素子を保護する。
ロセスによ夛受光部（２）転送部（３）及びオーノ｛−
７ロ一ドレイン部（４）等を形成する．その上部κは、
酸化膜（５）の上に電荷転送電極として働らく多結晶シ
リコン電１１（６｝、（フ）を形成する．ｉ九その上部
には例えばオーパー０フｗー●ドレインへの転送電極と
光シールドを兼ねえＡＪ膜（８）からなる電極を形成す
る．第１図の例では二層多結晶シリコン電極の例である
が、三層多結晶シリコン電極を使用し、光シールドのＡ
ｊ膜を形成しても良い．電極間の絶縁は酸化膜によりお
こなう。さらに上部には通常ＰＥＧ （リン珪酸ガラス
）、８８Ｇ（ホウ酸ガラス）ヤ８１ｓＮ４などのバツシ
ベーシ璽ンＩＩ （９）を形成し、素子を保護する。
カラー用撮像素子として用いる場合には、接着剤Ｃｌｌ
を通して，色分離フィルタαυが貼り合わせられる。色
分離フィルタＩはガラス基板αりに形成されており、酸
化クロム等の光シールド膜ａ３と赤。
を通して，色分離フィルタαυが貼り合わせられる。色
分離フィルタＩはガラス基板αりに形成されており、酸
化クロム等の光シールド膜ａ３と赤。
緑を九は青などＯ色フィルタａ４から成っている。
受光部（２）と色フィル１０着とが正しい位置関係とな
るように貼り合わせが行なわれる。
るように貼り合わせが行なわれる。
被写体からの入射光α９は色フィルタを通して大部分は
受光面へ＃ＩＩ４すゐが、フィル声との相対位置関係に
より、入射光〇一部はＡｔ膜（８）にあたる。
受光面へ＃ＩＩ４すゐが、フィル声との相対位置関係に
より、入射光〇一部はＡｔ膜（８）にあたる。
カメラのレンズしぼシの度合によっては、しぼりを開く
程、入射光線は資すまず角度がついて、λＬ１８）上に
あたる頌向が強くなる。Ｕ膜（８）はこれらの光線が愛
児部以外の場所に入らないように尤／−ルドを行なう、
すなわち１例えば転送部（３）附近へ光が入り、 ８
４基板中で光励起によシキャリャを発生し、このキャリ
ヤが転送中の信号電荷と混合して、画質を劣化する事や
、＊＊の受光部側へ直接入り混色を起す事を防いでいる
。このよりな−質を保証する動作はＡｔ膜（８）のみな
らず、色分離フィルタのクロムや酸化クロムからなる黒
の元シールドＩＩａＩも受持っている。
程、入射光線は資すまず角度がついて、λＬ１８）上に
あたる頌向が強くなる。Ｕ膜（８）はこれらの光線が愛
児部以外の場所に入らないように尤／−ルドを行なう、
すなわち１例えば転送部（３）附近へ光が入り、 ８
４基板中で光励起によシキャリャを発生し、このキャリ
ヤが転送中の信号電荷と混合して、画質を劣化する事や
、＊＊の受光部側へ直接入り混色を起す事を防いでいる
。このよりな−質を保証する動作はＡｔ膜（８）のみな
らず、色分離フィルタのクロムや酸化クロムからなる黒
の元シールドＩＩａＩも受持っている。
上記のカラー用撮ｇ１素子にお匹て、光シールド膜を設
は九（もかかわらず、隣接の画素へ光が洩れて混色を起
す欠点が生じる。
は九（もかかわらず、隣接の画素へ光が洩れて混色を起
す欠点が生じる。
すなわち、１１１図に示す如く、尤シールドのＭ膜にあ
たつ先光が反射畜れて、バッジベージ曹ン膜中を伝播し
て＃接の禰ｌｉＫ人石ために混色を起してしまう欠点を
有している。
たつ先光が反射畜れて、バッジベージ曹ン膜中を伝播し
て＃接の禰ｌｉＫ人石ために混色を起してしまう欠点を
有している。
本発明は上記点に鑑みなされ丸もので、光電変換領域と
電荷転送領域が形成され先手導体基板と、前記電荷転送
領域上に第１の絶縁層を介して形成された電荷転送電極
と、この電荷転送電極に第２の絶縁層を介して形成され
、前記亭導体基板と平行方向に伝播す石党をＩＩＮもし
くは吸収する光シールド部とを具備したこと（よって、
混色を防止し、解津度の嶌い固体撮儂素子を提供するこ
とを目的とするものである。
電荷転送領域が形成され先手導体基板と、前記電荷転送
領域上に第１の絶縁層を介して形成された電荷転送電極
と、この電荷転送電極に第２の絶縁層を介して形成され
、前記亭導体基板と平行方向に伝播す石党をＩＩＮもし
くは吸収する光シールド部とを具備したこと（よって、
混色を防止し、解津度の嶌い固体撮儂素子を提供するこ
とを目的とするものである。
以下、図面を参照して本発明を実施例に基き詳細に説明
する。第２図は本発明をｍ明する九めσ断面概略図であ
る。尚、８１図と同一箇所には同一符号を付して説明す
る。１１１２図に示すように、固体撮ｌ＃素子の構成は
第ｔｍと同一であるが％ＭＩＩ （８３の上のバッジベ
ージ璽ンＩＩ （９）の一部をエツチングする０例えば
Ｐ２Ｏのパッジページ爾ン膜の場合には＃膜上にレジス
トを塗付し、所定の露光を行なって、エツチングする部
分以外にレジスト膜を残し％■゛やＮＨ４Ｆ系のエツチ
ング液にて湿式エツチングを行ない、出来る限Ｄ Ａｊ
膜に近い部分までエツチングを行なう、この後、例えば
白黒４真フィルム等に用いる感光剤ヲハッシペーシ胃ン
膜上に塗付し、エツチングした部分を十分に満九す、エ
ツチング部に入った感光剤に光をあてて、感光させ現１
象、定着を行ない、黒の光シールド部Ｉｌｌを形成する
。なお、この場合、エツチングした時点で、レジスト膜
を残しておき、全面に感光剤を直付した後に全面ＫｊＪ
像、像層定着ない、レジスト剥Ａｌｔ１により、エツチ
ング部にのみ黒の光シールド膜を残しても良い。
する。第２図は本発明をｍ明する九めσ断面概略図であ
る。尚、８１図と同一箇所には同一符号を付して説明す
る。１１１２図に示すように、固体撮ｌ＃素子の構成は
第ｔｍと同一であるが％ＭＩＩ （８３の上のバッジベ
ージ璽ンＩＩ （９）の一部をエツチングする０例えば
Ｐ２Ｏのパッジページ爾ン膜の場合には＃膜上にレジス
トを塗付し、所定の露光を行なって、エツチングする部
分以外にレジスト膜を残し％■゛やＮＨ４Ｆ系のエツチ
ング液にて湿式エツチングを行ない、出来る限Ｄ Ａｊ
膜に近い部分までエツチングを行なう、この後、例えば
白黒４真フィルム等に用いる感光剤ヲハッシペーシ胃ン
膜上に塗付し、エツチングした部分を十分に満九す、エ
ツチング部に入った感光剤に光をあてて、感光させ現１
象、定着を行ない、黒の光シールド部Ｉｌｌを形成する
。なお、この場合、エツチングした時点で、レジスト膜
を残しておき、全面に感光剤を直付した後に全面ＫｊＪ
像、像層定着ない、レジスト剥Ａｌｔ１により、エツチ
ング部にのみ黒の光シールド膜を残しても良い。
このように尤／−ルド膜奢バッジベージ冒ン膜中に形成
すると、第２図に示す如＜、Ａｔ膜で反射した光が素中
で黒の元シールド部にさえぎられて隣りのｌｉｉ素に届
かず混色を防止できる。
すると、第２図に示す如＜、Ａｔ膜で反射した光が素中
で黒の元シールド部にさえぎられて隣りのｌｉｉ素に届
かず混色を防止できる。
Ｍ膜（８）と黒のシールド部Ｑ（９との間はつながって
いる事が光学的には望ましいが、λ）膜と写真フィルム
Ｏ銀粒子等が反応し寿命、信頼性の点で不安があるので
、適幽にあけえ方が良い０間隙が大きくなければ、必ら
ずＡｔ膜からの反射光は黒のシールド部Ｏ底辺に６九〉
吸収されて同一の効果が出るからである。な）％上記の
反応防止策として、 ＰＥＧ膜よｐ密な８１３Ｎ４ヤポ
リイミド属のパッシベー７Ｗン膜を使うても良いし、上
記のエツチング後にこれらの膜を薄く全体に形成しても
良い。
いる事が光学的には望ましいが、λ）膜と写真フィルム
Ｏ銀粒子等が反応し寿命、信頼性の点で不安があるので
、適幽にあけえ方が良い０間隙が大きくなければ、必ら
ずＡｔ膜からの反射光は黒のシールド部Ｏ底辺に６九〉
吸収されて同一の効果が出るからである。な）％上記の
反応防止策として、 ＰＥＧ膜よｐ密な８１３Ｎ４ヤポ
リイミド属のパッシベー７Ｗン膜を使うても良いし、上
記のエツチング後にこれらの膜を薄く全体に形成しても
良い。
次に、第３図を参照して本発明Ｏ第２の実施例を説明す
る。尚％第１図と同一箇所には同一符号を付して説明す
る。第２図と同じく、パッジベージ屑ン膜の一部をエツ
チングし、その部ｅＫ色分噛フィルタに用いたり四人中
酸化クロムの光シールド層σηを形成した例である。ク
ロム膜の場合には光吸収はしないが反射により、隣りの
画素へ光もれするのを防ぐ事が可能になろ、なお、酸化
クロム膜と重畳して用いると反射が弱まるので１元入射
側に汞化クロム膜を使うと良い。
る。尚％第１図と同一箇所には同一符号を付して説明す
る。第２図と同じく、パッジベージ屑ン膜の一部をエツ
チングし、その部ｅＫ色分噛フィルタに用いたり四人中
酸化クロムの光シールド層σηを形成した例である。ク
ロム膜の場合には光吸収はしないが反射により、隣りの
画素へ光もれするのを防ぐ事が可能になろ、なお、酸化
クロム膜と重畳して用いると反射が弱まるので１元入射
側に汞化クロム膜を使うと良い。
上記、実施例の他０１ｉＩｌ、４は同じく第３図に示す
ように、色分離フィルタαηに黒の光シールド膜が不要
となる事である。光シールドはパッジページ曹ン膜中の
シールド部で行なわれ、画素の受光部に近いため、小さ
い面積でその役目を果す事が出来る０色分離フィルタ側
のみで光シールドを行なおうとすると、接着剤の厚みを
考慮して、入射光が・４りのＩｆｌ素に入らないように
設計する事が必要でちり、必然的にシールド部分の面積
が大きくなり、有効な開口面積さえ損じてしまう欠点が
ある。
ように、色分離フィルタαηに黒の光シールド膜が不要
となる事である。光シールドはパッジページ曹ン膜中の
シールド部で行なわれ、画素の受光部に近いため、小さ
い面積でその役目を果す事が出来る０色分離フィルタ側
のみで光シールドを行なおうとすると、接着剤の厚みを
考慮して、入射光が・４りのＩｆｌ素に入らないように
設計する事が必要でちり、必然的にシールド部分の面積
が大きくなり、有効な開口面積さえ損じてしまう欠点が
ある。
本発明によれば、第３図に示す如く、色分離フィルタは
赤、緑または實の色フイルタ部分で形成する事ができて
、入射光を有効に受光部に導く事が出来る。さらに、従
来の方法では画素の受光部と色分離フィルタは極めてき
びしく位置関係を保つように貼９合わせに注意を用する
が、本発明の場合には少々のずれは許される利点もある
。
赤、緑または實の色フイルタ部分で形成する事ができて
、入射光を有効に受光部に導く事が出来る。さらに、従
来の方法では画素の受光部と色分離フィルタは極めてき
びしく位置関係を保つように貼９合わせに注意を用する
が、本発明の場合には少々のずれは許される利点もある
。
さらに、第３図の光シールド層αηはＡ７膜でも良い事
は勿論である。 Ａ／膜のような金属膜を用いると、
電極と光シールドの両方を兼ねる事が出来るので、λ！
膜（８）と光シールドｌ１ｌｌａηは接続しても良いし
、一体構成としても良い、いずれにし、ろ、隣りの感光
部へ基板に沿って伝播して−く光を阻止できるように実
効的に一直成分となる元シールド膜があれば良い、なお
、信Ｉｌｌ”＞性の面から金属膜上面に薄くバッジペー
ジ冒ン膜をつける事が望ましい。
は勿論である。 Ａ／膜のような金属膜を用いると、
電極と光シールドの両方を兼ねる事が出来るので、λ！
膜（８）と光シールドｌ１ｌｌａηは接続しても良いし
、一体構成としても良い、いずれにし、ろ、隣りの感光
部へ基板に沿って伝播して−く光を阻止できるように実
効的に一直成分となる元シールド膜があれば良い、なお
、信Ｉｌｌ”＞性の面から金属膜上面に薄くバッジペー
ジ冒ン膜をつける事が望ましい。
上記実施例では色分離フィルタを貼や合わせ先例で説明
し九が、第４図のように固体撮像素子上に色分離フィル
タを直Ｉｌ響成する場合にも適用できる。
し九が、第４図のように固体撮像素子上に色分離フィル
タを直Ｉｌ響成する場合にも適用できる。
通常、色分−フィルタを直ＩＩ形成する際にはノ（ッシ
ベーシ冒ン膜を平滑化するので、その時点で第２図にて
説明し九工１１によｐ）くツシベーシ璽ｙ膜中に光シー
ルド部端を形成し、さらにその上部に色分１１１フイル
タを形成すれば良い５なお、第４図の場合には人ｊ属か
らの党は色分離フィルタとの境界で反射してくるが、こ
れを途中の垂直方向に伸び走光シールド部によｅｌｌｃ
ものである。
ベーシ冒ン膜を平滑化するので、その時点で第２図にて
説明し九工１１によｐ）くツシベーシ璽ｙ膜中に光シー
ルド部端を形成し、さらにその上部に色分１１１フイル
タを形成すれば良い５なお、第４図の場合には人ｊ属か
らの党は色分離フィルタとの境界で反射してくるが、こ
れを途中の垂直方向に伸び走光シールド部によｅｌｌｃ
ものである。
上記実施例は固体撮像素子の画素のあるチップ内での説
明であるが、チップ端に人つ走光がチップ内部へ入に込
み、シェーディングなどを生ずゐ場合４ある。このよう
な場合にも、本発明のように、チップ周辺のパッジペー
ジ冒ン膜をエツチングして垂直方向に光シールド部を設
けることにより完全に防止する事が出来る。
明であるが、チップ端に人つ走光がチップ内部へ入に込
み、シェーディングなどを生ずゐ場合４ある。このよう
な場合にも、本発明のように、チップ周辺のパッジペー
ジ冒ン膜をエツチングして垂直方向に光シールド部を設
けることにより完全に防止する事が出来る。
なお、実施例では白黒の写真フィルムの感光剤にて説明
し九が、これに限らずカラーフィルムに同じような方式
による黒でも良くゼフチンを主体とし九有機フィルタの
赤、縁および青と重ね合わせて形成した黒でも良いこと
は勿論である。特に後者では黒の一度が十分でない点が
心配されるが、光吸収を水平方向の厚さで考えれば２〜
３μｍから数μｍとなるので十分役立つ。
し九が、これに限らずカラーフィルムに同じような方式
による黒でも良くゼフチンを主体とし九有機フィルタの
赤、縁および青と重ね合わせて形成した黒でも良いこと
は勿論である。特に後者では黒の一度が十分でない点が
心配されるが、光吸収を水平方向の厚さで考えれば２〜
３μｍから数μｍとなるので十分役立つ。
なお、固体撮像素子としてインターライン転送＠ ＣＣ
Ｄの例を述べたが、フレーム転送形Ｃ’ＣＤやＭＯ８−
？ ＢＢＤ ６るいはＣＩＤにも用いる事が出来る事は
勿論でおる。
Ｄの例を述べたが、フレーム転送形Ｃ’ＣＤやＭＯ８−
？ ＢＢＤ ６るいはＣＩＤにも用いる事が出来る事は
勿論でおる。
以上述べたように、固体撮像素子の感光部を形成する受
光部以外の部分に素子基板と垂直方向に光シールド膜を
形成して所定の画素に入射した光が反射等で隣接−素Ｋ
１１ｍかないような構成とするのが、本発明ＯＩｍ旨で
′ｈ為、この場合、素子基板と垂直方向とは文字通６ｏ
−電ではなくても、斜めの状態で実効的にｌ直成分Ｏシ
ールド部があれば水平方向への光の通路を遮断できるの
で目的を達する事ができる。
光部以外の部分に素子基板と垂直方向に光シールド膜を
形成して所定の画素に入射した光が反射等で隣接−素Ｋ
１１ｍかないような構成とするのが、本発明ＯＩｍ旨で
′ｈ為、この場合、素子基板と垂直方向とは文字通６ｏ
−電ではなくても、斜めの状態で実効的にｌ直成分Ｏシ
ールド部があれば水平方向への光の通路を遮断できるの
で目的を達する事ができる。
なお、実施例ではバッジベージ璽ン膜のエツチング部分
に光シールド部を設ける事を説明したが第３図の発展形
であ゛る金属膜による光シールド層の場合には、遂にそ
の一部がノ（ツシペーシ冒ン属の全体をおおって水平方
向への元伝播を止める構成であっても良い、この場合は
特にシールド層を設けるためのエツチングは不要である
。
に光シールド部を設ける事を説明したが第３図の発展形
であ゛る金属膜による光シールド層の場合には、遂にそ
の一部がノ（ツシペーシ冒ン属の全体をおおって水平方
向への元伝播を止める構成であっても良い、この場合は
特にシールド層を設けるためのエツチングは不要である
。
実施例ではカラー用固体撮儂素子の例を示したが、色分
１ｗＩフィルタを用いない固体撮像素子においても、本
発明の素子は光洩れによるかぶりのない解儂度の高いも
のとなる事は明らかである。
１ｗＩフィルタを用いない固体撮像素子においても、本
発明の素子は光洩れによるかぶりのない解儂度の高いも
のとなる事は明らかである。
第１図は従来の固体撮像素子を示す断面概略図、第２図
乃至ｗｔ４図は本発明Ｏ実施例における固体撮像素子の
断ｔｉｉｒａ略園でｈ為。 図において。 １・・・シリコン基板、２・・・受光部、３・・・転送
部。 ４・・・オーバー・フロードレイン、５・・・酸化膜、
６．７・・・多結晶シリコン電極、８・・・ＡＩ膜、９
・・バッジページ冒ンｉｌｌ、１０・・・接着剤、１１
・・色分噛フィルタ、１２・・・入射光、１６．１７・
・・光シールド部。
乃至ｗｔ４図は本発明Ｏ実施例における固体撮像素子の
断ｔｉｉｒａ略園でｈ為。 図において。 １・・・シリコン基板、２・・・受光部、３・・・転送
部。 ４・・・オーバー・フロードレイン、５・・・酸化膜、
６．７・・・多結晶シリコン電極、８・・・ＡＩ膜、９
・・バッジページ冒ンｉｌｌ、１０・・・接着剤、１１
・・色分噛フィルタ、１２・・・入射光、１６．１７・
・・光シールド部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 り充電変換領穢と電荷転送領域が形成され九半導体基板
と、前記電荷転送領域上に第１の絶縁層を介して形成さ
れ九電荷転送電極と、この電荷転送電極に第２の絶縁層
を介して形成され、前記半導体基板と平行方向に伝播す
る光を遮断も゛しくけ吸収する光シールド部とを具備し
たことを特徴とする固体撮イ象素子。 ２）前記電荷転送電極と前記光シールド部とを一本形成
することを特徴とする特許 、１１項記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097524A JPS58171A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097524A JPS58171A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171A true JPS58171A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14194636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56097524A Pending JPS58171A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5951565A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-26 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS6114749A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6129117A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 可変型複合部品 |
| JPS6129115A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 可変型複合部品 |
| JPS6129116A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 可変型複合部品 |
| US5043783A (en) * | 1988-09-22 | 1991-08-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state image sensor |
| US5329149A (en) * | 1990-10-12 | 1994-07-12 | Seiko Instruments Inc. | Image sensor with non-light-transmissive layer having photosensing windows |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56097524A patent/JPS58171A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5951565A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-26 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS6114749A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6129117A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 可変型複合部品 |
| JPS6129115A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 可変型複合部品 |
| JPS6129116A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 可変型複合部品 |
| US5043783A (en) * | 1988-09-22 | 1991-08-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state image sensor |
| US5329149A (en) * | 1990-10-12 | 1994-07-12 | Seiko Instruments Inc. | Image sensor with non-light-transmissive layer having photosensing windows |
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