JPS6043662A - 電子写真用セレン感光体 - Google Patents
電子写真用セレン感光体Info
- Publication number
- JPS6043662A JPS6043662A JP15119183A JP15119183A JPS6043662A JP S6043662 A JPS6043662 A JP S6043662A JP 15119183 A JP15119183 A JP 15119183A JP 15119183 A JP15119183 A JP 15119183A JP S6043662 A JPS6043662 A JP S6043662A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- photoreceptor
- pure
- alloy
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はＬＥＤあるいはＨｅ−Ｎｅレーザまたは半導体
レーザなどを光源とする光プリンタのように長波長光の
光源に対して使用される電子写真用セレン感光体に関す
る。
レーザなどを光源とする光プリンタのように長波長光の
光源に対して使用される電子写真用セレン感光体に関す
る。
長波長の光に対するセレン系の感光体としては、導電性
基体側から、純セレン系材料からなるキャリア輸送層（
ＣＴＬ）、テルル３５重量％以上の高濃度Ｔｅ／Ｓｅ材
料からなるキャリア発生層（ＣＧＬ ）および純セレン
系材料からなる電荷保持に役立つ表面層（ＯＣＬ）を順
次＆層した３層構造の感光体が知られている。しかし外
から、例えば近年特に光プリンタの主流をなす半導体レ
ーザプリンタ用に波長約８００μｍの近赤外光に対して
感度を持たせるべく、高濃度Ｔｅ／Ｓｅ層のＴｅ濃度を
増大させた場合、電荷保持性を良好に保つことは上記の
３層構造では困難であシ、暗減衰の大きい感光体に々っ
てしまう。
基体側から、純セレン系材料からなるキャリア輸送層（
ＣＴＬ）、テルル３５重量％以上の高濃度Ｔｅ／Ｓｅ材
料からなるキャリア発生層（ＣＧＬ ）および純セレン
系材料からなる電荷保持に役立つ表面層（ＯＣＬ）を順
次＆層した３層構造の感光体が知られている。しかし外
から、例えば近年特に光プリンタの主流をなす半導体レ
ーザプリンタ用に波長約８００μｍの近赤外光に対して
感度を持たせるべく、高濃度Ｔｅ／Ｓｅ層のＴｅ濃度を
増大させた場合、電荷保持性を良好に保つことは上記の
３層構造では困難であシ、暗減衰の大きい感光体に々っ
てしまう。
本発明はこれに対（７、半導体レーザ波長領域において
も充分な感度を有する高濃度Ｔｅ／Ｓｅ層をＣＧＬとし
て有しながら、その電荷保持能力が一般のＰＰＣ複写機
用セレン感光体と同等である電子写真用セレン感光体を
提供することを目的とする。
も充分な感度を有する高濃度Ｔｅ／Ｓｅ層をＣＧＬとし
て有しながら、その電荷保持能力が一般のＰＰＣ複写機
用セレン感光体と同等である電子写真用セレン感光体を
提供することを目的とする。
本発明による電子写真用感光体は、導電性基体上に純セ
レンあるいは低漉度セレン合金よりなるＣＴＬ、高濃な
テルル・セレン合金より ナルＣＧＬ。
レンあるいは低漉度セレン合金よりなるＣＴＬ、高濃な
テルル・セレン合金より ナルＣＧＬ。
厚さ２０Ｘ以上のテルル酸化層ならびに純セレンあるい
はセレン合金よりなるＯＣＬが順次積層されてなること
によシ上記の目的を達成する。
はセレン合金よりなるＯＣＬが順次積層されてなること
によシ上記の目的を達成する。
ＣＴＬとしては、膜厚３ｏ〜１００μｍで純セレンもし
くは７重量％以下のＴｅ、７原子チ以下のひ素（Ａｓ）
あるいは１０，０００ ｐｐｍ以下のハロゲン元素（Ｉ
、 Ｃ６）を含むセレン合金からなる層が用いられる０ ＣＧＬとしては、膜厚０．３〜２μｍでＣＴＬ側界面で
２５重量％以下、ｏｃＬ側界面で３５重景チ以上のＴｅ
を含み、その中に７原子チ以下のＡｓを含んでもよい高
濃度Ｓｅ／Ｔｅ合金からなる層が用いられる。
くは７重量％以下のＴｅ、７原子チ以下のひ素（Ａｓ）
あるいは１０，０００ ｐｐｍ以下のハロゲン元素（Ｉ
、 Ｃ６）を含むセレン合金からなる層が用いられる０ ＣＧＬとしては、膜厚０．３〜２μｍでＣＴＬ側界面で
２５重量％以下、ｏｃＬ側界面で３５重景チ以上のＴｅ
を含み、その中に７原子チ以下のＡｓを含んでもよい高
濃度Ｓｅ／Ｔｅ合金からなる層が用いられる。
テルル酸化層としては、ｃＧＬと０ＣＬＯ間に存在する
Ｔｅの内、少なくともその５０％が酸化している層が有
効である。
Ｔｅの内、少なくともその５０％が酸化している層が有
効である。
ＯＣＬは単層でも多層でもよく、純ｓｅもしくは１３５
チ以下の濃度のＴｅ／Ｓｅ合金よシなり、あるいはＧｅ
、Ｓｂ、ＡＳ、Ｚｎ、Ｓｎ等を７原子チ以下を含んでも
よく、厚さは０５〜５μｍが有効である。
チ以下の濃度のＴｅ／Ｓｅ合金よシなり、あるいはＧｅ
、Ｓｂ、ＡＳ、Ｚｎ、Ｓｎ等を７原子チ以下を含んでも
よく、厚さは０５〜５μｍが有効である。
実施例１：
長す３４０ｒａｎ、直径１２０ＩＩＩＩ＋１のアルミニ
ウム素管上に純セレンを６０μｍの厚さに真空蒸着した
。この時の素管温度を６５℃に保った０第１図に示すよ
うにＣＴＬ２が形成された素管１を一旦真空プレークし
て炉内から取シ出した。次にこのドラム上にまず４０重
量％の高濃度Ｔｅ／Ｓｅ Ｎ３を０．６ ｔｔｍの厚さ
にフラッシュ蒸着した。所要時間は約１０分、累管温度
り０℃、蒸発源ボート温度４５０℃である。このように
してＣＴＬおよびＣＧＬが形成されたドラムを真空蒸着
槽よシ取シ出し、４５℃の恒温器の中に２００時間放置
した。これによりテルル酸化層４が形成された０つづい
て恒温器より取り出したドラムに０ＣＬ５として純セレ
ンを２μｍの厚さにフラッシュ蒸着した。この時のボー
ト温度は４２０℃、素管温度は４０℃、所要時間は約１
５分であった。
ウム素管上に純セレンを６０μｍの厚さに真空蒸着した
。この時の素管温度を６５℃に保った０第１図に示すよ
うにＣＴＬ２が形成された素管１を一旦真空プレークし
て炉内から取シ出した。次にこのドラム上にまず４０重
量％の高濃度Ｔｅ／Ｓｅ Ｎ３を０．６ ｔｔｍの厚さ
にフラッシュ蒸着した。所要時間は約１０分、累管温度
り０℃、蒸発源ボート温度４５０℃である。このように
してＣＴＬおよびＣＧＬが形成されたドラムを真空蒸着
槽よシ取シ出し、４５℃の恒温器の中に２００時間放置
した。これによりテルル酸化層４が形成された０つづい
て恒温器より取り出したドラムに０ＣＬ５として純セレ
ンを２μｍの厚さにフラッシュ蒸着した。この時のボー
ト温度は４２０℃、素管温度は４０℃、所要時間は約１
５分であった。
実施例２：
実施例１における恒温器中での放置の代りに１ｋＷの紫
外線灯下で約１時間紫外線照射を行って第１図のテルル
酸化層４を形成後、０ＣＬ５を被着した０ 比較例１ 実施例１，２における恒温器放置、紫外線照射を除腔た
もので、その他は同じ工程でアルミニウム素管上にＣＴ
Ｌ、ＣＧＬを積層ののち引きつづきＯＣＬを形成した。
外線灯下で約１時間紫外線照射を行って第１図のテルル
酸化層４を形成後、０ＣＬ５を被着した０ 比較例１ 実施例１，２における恒温器放置、紫外線照射を除腔た
もので、その他は同じ工程でアルミニウム素管上にＣＴ
Ｌ、ＣＧＬを積層ののち引きつづきＯＣＬを形成した。
比較例２
比較例１と同様に恒温器放置、紫外線照射は行わないが
、ＣＴＬ、 ＣＧＬｆｌｉｆ層後一旦真空プレークした
のち約１時間を経て再び真空引きを行い、５×１０−５
Ｔｏｒｒにしだ後２μｍの厚さに純セレンをフラッシュ
蒸着してＯＣＬを形成した。
、ＣＴＬ、 ＣＧＬｆｌｉｆ層後一旦真空プレークした
のち約１時間を経て再び真空引きを行い、５×１０−５
Ｔｏｒｒにしだ後２μｍの厚さに純セレンをフラッシュ
蒸着してＯＣＬを形成した。
このようにして得た４種類の感光体試料について次のよ
うな試験を行った。
うな試験を行った。
（１）ゼログラフィ特性試験
試料ドラムを１６ ｒｐｍの回転速度で回転しながらコ
ロナ帯電を行い、帯電後１７４回転した点で回転を止め
、その点における表面電位の１秒間の暗減衰特性を測定
し、電荷保持率を計算した。この後再び試料ドラムの回
転を行い、ドラムを止めて今度は８００ ｎｍの波長の
単色光を照射しながら電位の放電特性を測定′し、感光
体の感度に関連する半減衰露光柘を得た。得られた結果
を第１表に示す。
ロナ帯電を行い、帯電後１７４回転した点で回転を止め
、その点における表面電位の１秒間の暗減衰特性を測定
し、電荷保持率を計算した。この後再び試料ドラムの回
転を行い、ドラムを止めて今度は８００ ｎｍの波長の
単色光を照射しながら電位の放電特性を測定′し、感光
体の感度に関連する半減衰露光柘を得た。得られた結果
を第１表に示す。
第 １ 表
レーザ光に対する感度は半減衰絽光量が２μＪ／Ｃａ以
下であれはよいから、酸化層の形成は感度が実用上支障
々い範囲で電荷保持率を向上させることが第１表から分
かる。しかし真空ブレークのみ（比較例２）ではほとん
ど効果がない。
下であれはよいから、酸化層の形成は感度が実用上支障
々い範囲で電荷保持率を向上させることが第１表から分
かる。しかし真空ブレークのみ（比較例２）ではほとん
ど効果がない。
実施例１，２、比較例１，２の試料ドラム作成の際、予
め表面にＡｔ蒸着したシリコン板について同時にＣＴＬ
、ＣＧＬ形成ならびに酸化処理を行い、ＯＣＬのみを形
成しないで分析試料として、ｖＧ社ＮＥＳＣＡＬＡＢ５
による電子分光法による高温度’ｆｅ／Ｓｅ層の分析な
らびにオージェ電子分光法による表面近傍分析を行った
。得られた結果を第２表に示す。
め表面にＡｔ蒸着したシリコン板について同時にＣＴＬ
、ＣＧＬ形成ならびに酸化処理を行い、ＯＣＬのみを形
成しないで分析試料として、ｖＧ社ＮＥＳＣＡＬＡＢ５
による電子分光法による高温度’ｆｅ／Ｓｅ層の分析な
らびにオージェ電子分光法による表面近傍分析を行った
。得られた結果を第２表に示す。
第２表
第２表の示のようにＣＧＬ表面にＴｅＯ２よシなる゛酸
化層が明確に存在することが半切した。なお半値幅は酸
素濃度が表面の値の１／２になるまでの深さを示し、第
２図、第３図は表面をスパッタしながら行ったオージェ
電子分光法による各元素の分析試料表面近傍の組成プロ
ファイルでおり、第２図は比較例１、第３図は実施例２
によって得られた値である。スパッタによるエツチング
速度ハ１００Ａ／分である。
化層が明確に存在することが半切した。なお半値幅は酸
素濃度が表面の値の１／２になるまでの深さを示し、第
２図、第３図は表面をスパッタしながら行ったオージェ
電子分光法による各元素の分析試料表面近傍の組成プロ
ファイルでおり、第２図は比較例１、第３図は実施例２
によって得られた値である。スパッタによるエツチング
速度ハ１００Ａ／分である。
（３）光干渉試験：
第４図に示すように波長６５０〜１ｌ１００ｎの単色光
の光１１を表面法線１２よシ４５°の角度で入射させた
とき、表面で約２０〜３０チの光が反射光１３として反
射されるが、残シは０ＣＬ５を貫通する。
の光１１を表面法線１２よシ４５°の角度で入射させた
とき、表面で約２０〜３０チの光が反射光１３として反
射されるが、残シは０ＣＬ５を貫通する。
純セレンないし低濃度合金からなるＯＣＬはこの波長域
の光をほとんど吸収しない。０ＣＬ５とその下の層６と
の屈折率が大きく異々ると、その界面１４で反射された
光１５は光１３と干渉する。この干渉の度合は層４．６
の界面での屈折率の差に依存する。例えば７００ｎｍの
光に対する屈折率は、純セレンでは約２．５であるのに
対し、４０重量％１５はＯＣＬの下がＣＧＩ、の場合は
そう大きくはならない。この反射光１３および１５の干
渉の度合を入射光の波長を連続的に変えて各試料ドラム
について調べた。その結果、比較例においてはほとんど
干渉による反射光の強弱が生じ々いか、実施例７のドラ
ムでは第５図に示すように極めて明瞭な干渉パターンが
観測され、実施例２のドラムでも同様であって、ＯＣＬ
とＣＧＬＯ内に光学的性質の大幅に異質の層が存在する
ことを容易に知ることができる。そのような層は上述の
分析結果より明らかなようにテルル酸化層である。々お
第５図に示すような干渉パターンから表面ＯＣＬの膜厚
を１／１００μｍの桁まで正確に決定することができた
０ 以上の試験から第１図に示すような２ＯＡ以上の厚さの
テルル酸化層４の形成によりＥ荷保持能力が改善された
ことが明らかになった。
の光をほとんど吸収しない。０ＣＬ５とその下の層６と
の屈折率が大きく異々ると、その界面１４で反射された
光１５は光１３と干渉する。この干渉の度合は層４．６
の界面での屈折率の差に依存する。例えば７００ｎｍの
光に対する屈折率は、純セレンでは約２．５であるのに
対し、４０重量％１５はＯＣＬの下がＣＧＩ、の場合は
そう大きくはならない。この反射光１３および１５の干
渉の度合を入射光の波長を連続的に変えて各試料ドラム
について調べた。その結果、比較例においてはほとんど
干渉による反射光の強弱が生じ々いか、実施例７のドラ
ムでは第５図に示すように極めて明瞭な干渉パターンが
観測され、実施例２のドラムでも同様であって、ＯＣＬ
とＣＧＬＯ内に光学的性質の大幅に異質の層が存在する
ことを容易に知ることができる。そのような層は上述の
分析結果より明らかなようにテルル酸化層である。々お
第５図に示すような干渉パターンから表面ＯＣＬの膜厚
を１／１００μｍの桁まで正確に決定することができた
０ 以上の試験から第１図に示すような２ＯＡ以上の厚さの
テルル酸化層４の形成によりＥ荷保持能力が改善された
ことが明らかになった。
なお、ＣＴＬ、ＣＧＬ、ＯＣＬの各層の組成は上記実施
例に限定されず、公知の３層構造感光体のように変化で
きる。
例に限定されず、公知の３層構造感光体のように変化で
きる。
本発明は純セ４レン系のＣＴＬ、高濃度Ｔｅ／ｓｅのＣ
ＧＬならびに表面層＠ＯＣＬからなるレーザ光のような
長波長領域の光のだめの３層構造感光体において、ＣＧ
ＬとＯＣＬの界面に積極的酸化によるテルル酸化層を介
在させることにより、長波長領域光に対する充分な感度
を有しながら極めて良好な表面保持能力を備えさせるも
のである。
ＧＬならびに表面層＠ＯＣＬからなるレーザ光のような
長波長領域の光のだめの３層構造感光体において、ＣＧ
ＬとＯＣＬの界面に積極的酸化によるテルル酸化層を介
在させることにより、長波長領域光に対する充分な感度
を有しながら極めて良好な表面保持能力を備えさせるも
のである。
このテルル酸化層は、暗中でコロナ放電により感光体表
面を正に帯電した後にＣＧＬ内で発生するキャリアのう
ちの電子が表面層へ注入するのを明止する働きをするも
のと推定され、その結果として電荷保持能力が向上する
。
面を正に帯電した後にＣＧＬ内で発生するキャリアのう
ちの電子が表面層へ注入するのを明止する働きをするも
のと推定され、その結果として電荷保持能力が向上する
。
第１図は本発明による感光体の構成の断面図、第２図は
比較例１Ω試料のオージェ表面近傍分析結果を示す組成
プロファイル図、第３図は実施例２の試料の同様な組成
プロファイル図、第４図は光干渉試験の概念図、第５図
は実施例１の試料で得られた入射光波長変化の際の反射
パターンである。 １・・・・・・導電性基体、２・・・・・・ＣＴＬ、３
・・・・・・ＣＧＬ、４・・・・・・テルル酸化層、５
・・・・・・ＯＣＬ０Ｑ 目 簡 招
比較例１Ω試料のオージェ表面近傍分析結果を示す組成
プロファイル図、第３図は実施例２の試料の同様な組成
プロファイル図、第４図は光干渉試験の概念図、第５図
は実施例１の試料で得られた入射光波長変化の際の反射
パターンである。 １・・・・・・導電性基体、２・・・・・・ＣＴＬ、３
・・・・・・ＣＧＬ、４・・・・・・テルル酸化層、５
・・・・・・ＯＣＬ０Ｑ 目 簡 招
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）４電性基体上に純セレンあるいは低濃度セレン合金
よりなるキャリア輸送層、高漉度テルル・セレン合金よ
りなるキャリア発生層、厚さ２０Ｘ以上のテルル酸化層
ならびに純セレンあるいは低濃度セレン合金よシなる表
面層が順次積層されてなることを％徴とする電子写真用
セレン感光体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の感光体間おいて、キャ
リア輸送層が膜厚３ｏ〜１００μｍで純セレンもしくは
７重音ヂ以下のテルル、７原子優以下のひ素、あるいは
１０．Ｏ’ＯＯｐｐｍ以下のハロゲン元素ンー含むセレ
ン含金よシなることを特徴とする電子写真入用セレン感
光体。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の感光体に
おいて、キャリア発生層が膜厚０．３〜２μｍキャリア
輸送層側界面で２５ ’ Ｍ ｉｔ： −ｍ以下、反対
側界Ｗ１＋で３５重量係のテルルを含む層であシ、その
中に７＆子裂以下のひ素を含んでよいことを特徴とする
電子写真用セレン感光体。 ４）特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載の感光体において、テルル酸化層がキャリア発生層と
表面層の間に存在するテルルの内少なくともその５０チ
が酸化している層であるととを特徴とする電子写真用セ
レン感光体。 ５〕特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の感光体におい・て、表面層が単層または複層から形
成され、膜厚０．５〜５μｍで純セレンもしくは１３５
係以下の濃度のＴｅ／Ｓｅ合金よυ碌る層でアシ、その
中に７原子チ以下のゲルマニウム、アンチモン、ひ素、
亜鉛あるいはすすを含んでもよいことを特徴とする電子
写真用セレン感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119183A JPS6043662A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119183A JPS6043662A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043662A true JPS6043662A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH0217021B2 JPH0217021B2 (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=15513256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15119183A Granted JPS6043662A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043662A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS61273550A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-03 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真用記録材料 |
| JPS61278858A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS6254269A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01219753A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-01 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15119183A patent/JPS6043662A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS61273550A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-03 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真用記録材料 |
| JPS61278858A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS6254269A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01219753A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-01 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0217021B2 (ja) | 1990-04-19 |
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