JPH02170706A - 対数圧縮形レベル検出回路 - Google Patents
対数圧縮形レベル検出回路Info
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- JPH02170706A JPH02170706A JP63324934A JP32493488A JPH02170706A JP H02170706 A JPH02170706 A JP H02170706A JP 63324934 A JP63324934 A JP 63324934A JP 32493488 A JP32493488 A JP 32493488A JP H02170706 A JPH02170706 A JP H02170706A
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- current
- transistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、例えば移動無線機の無線回路で使用される対
数圧縮形レベル検出回路に関する。
数圧縮形レベル検出回路に関する。
(従来の技術)
従来、この種の回路として例えば第3図に示す如きもの
がある。すなわち、この回路は抵抗負荷RLを有する差
動増幅器11により入力信号vlnを増幅するリミッタ
増幅回路1と、このリミッタ増幅回路1の出力信号v
Outをバッファ用トランジスタQ4を介して差動増幅
器21に導入し整流する整流回路2と、この整流回路2
の差動増幅器21にバイアス回路部31によりバイアス
電流を供給するとともに、整流回路2の整流出力信号を
カレントミラー回路及び平滑回路を有する出力回路部3
2を介してレベル検出信号として出力する出力回路3と
、定電流源回路4とから構成されている。この定電流源
回路4は、定電流源41の出力電圧VCCと抵抗Rとか
ら定電流Iを作成し、この定電流Iをカレントミラー回
路を構成するトランジスタQ14およびトランジスタQ
3.Q8゜Q9 、 QIO,QILにより前記リミッ
タ増幅回路1、整流回路2およびバイアス回路31にそ
れぞれ供給している。このような構成であるから、例え
ば正弦波からなる入力信号vinをリミッタ増幅回路1
に供給すると、この入力信号vlnは先ずこのリミッタ
増幅回路1で例えば第4図に示す如くリミット増幅され
、しかるのち整流回路2で例えば第4図に示す入出力特
性に従ってI2のように整流される。そして、この整流
出力信号は出力回路3て平滑されてレベル検出信号V
detとして出力される。
がある。すなわち、この回路は抵抗負荷RLを有する差
動増幅器11により入力信号vlnを増幅するリミッタ
増幅回路1と、このリミッタ増幅回路1の出力信号v
Outをバッファ用トランジスタQ4を介して差動増幅
器21に導入し整流する整流回路2と、この整流回路2
の差動増幅器21にバイアス回路部31によりバイアス
電流を供給するとともに、整流回路2の整流出力信号を
カレントミラー回路及び平滑回路を有する出力回路部3
2を介してレベル検出信号として出力する出力回路3と
、定電流源回路4とから構成されている。この定電流源
回路4は、定電流源41の出力電圧VCCと抵抗Rとか
ら定電流Iを作成し、この定電流Iをカレントミラー回
路を構成するトランジスタQ14およびトランジスタQ
3.Q8゜Q9 、 QIO,QILにより前記リミッ
タ増幅回路1、整流回路2およびバイアス回路31にそ
れぞれ供給している。このような構成であるから、例え
ば正弦波からなる入力信号vinをリミッタ増幅回路1
に供給すると、この入力信号vlnは先ずこのリミッタ
増幅回路1で例えば第4図に示す如くリミット増幅され
、しかるのち整流回路2で例えば第4図に示す入出力特
性に従ってI2のように整流される。そして、この整流
出力信号は出力回路3て平滑されてレベル検出信号V
detとして出力される。
ところがこのような従来の回路は、リミッタ増幅回路1
および整流回路2に供給する定電流を定電圧源41、抵
抗RおよびトランジスタQI4のベース・エミッタ間電
圧VBEにより作成しているので、この定電流は抵抗R
およびトランジスタQ14のVBEの温度特性を持つこ
とになる。このため、この定電流をリミッタ増幅回路1
に供給すると、リミッタ増幅回路1の利得が温度特性を
持ち、増幅出力ひいてはレベル検出信号に悪影響を及ぼ
し非常に好ましくない。
および整流回路2に供給する定電流を定電圧源41、抵
抗RおよびトランジスタQI4のベース・エミッタ間電
圧VBEにより作成しているので、この定電流は抵抗R
およびトランジスタQ14のVBEの温度特性を持つこ
とになる。このため、この定電流をリミッタ増幅回路1
に供給すると、リミッタ増幅回路1の利得が温度特性を
持ち、増幅出力ひいてはレベル検出信号に悪影響を及ぼ
し非常に好ましくない。
そこで、この問題を解決するために従来では、エミッタ
面積の異なる2つのトランジスタに等しいエミッタ電流
を流したときに発生する各ベース・エミッタ間電圧の差
を基に定電流を発生ずる、いわゆるバンドギャップ形の
定電流源回路を使用した回路が提唱されている。第5図
はその回路構成を示すもので、5がバンドギャップ形定
電流源回路、6はその温度補償用の定電流源回路である
。
面積の異なる2つのトランジスタに等しいエミッタ電流
を流したときに発生する各ベース・エミッタ間電圧の差
を基に定電流を発生ずる、いわゆるバンドギャップ形の
定電流源回路を使用した回路が提唱されている。第5図
はその回路構成を示すもので、5がバンドギャップ形定
電流源回路、6はその温度補償用の定電流源回路である
。
バンドギャップ形定電流源回路5は、エミッタ面積の異
なるトランジスタQ21. Q22と抵抗RAとにより
定電流IAを作成し、この定電流IAをカレントミラー
回路51およびトランジスタQ14を介してリミッタ増
幅回路1および整流回路2にそれぞれ供給するもので、
定電流IAは I A −(V7 / RA)ρn N
−(1)で表わされる。但し、Nはトランジスタ。2
1と022とのエミツタ面積比、vTはvT−kT/q
で、 k:ボルツマン定数(k −1,38X 1023 J
/’K)q −1,802x 1019クーロンT:
絶対温度0に である。このため定電流Iai)は、抵抗RAの温度係
数rの他1: V 7 (7)温度係数(m −+ 3
000p+)m /℃)を有することになる。
なるトランジスタQ21. Q22と抵抗RAとにより
定電流IAを作成し、この定電流IAをカレントミラー
回路51およびトランジスタQ14を介してリミッタ増
幅回路1および整流回路2にそれぞれ供給するもので、
定電流IAは I A −(V7 / RA)ρn N
−(1)で表わされる。但し、Nはトランジスタ。2
1と022とのエミツタ面積比、vTはvT−kT/q
で、 k:ボルツマン定数(k −1,38X 1023 J
/’K)q −1,802x 1019クーロンT:
絶対温度0に である。このため定電流Iai)は、抵抗RAの温度係
数rの他1: V 7 (7)温度係数(m −+ 3
000p+)m /℃)を有することになる。
一方温度補償用の定電流源回路6は、先ずダイオード接
続のトランジスタQ31. Q32の各ベース・エミッ
タ間電圧VBEおよびトランジスタ。33のベース・エ
ミッタ間電圧VBEと抵抗RBとがら定電流IBを作成
している。この定電流■8はI e = (VBE(Q
31) + VBE(Q32) −VBE(Q33)1
/R8 −VBE/Rs ・・・(2)
で表わされ、抵抗RBの温度係数rの他にVBHの温度
係数(約−3000ppa+ / ’C)を有している
。そして、定電流源回路6は、上記定電流IBをバンド
ギャップ形定電流源回路5がら出力された定電流■いと
加算し、この加算によって得られた定電流ICをカレン
トミラー回路を構成するダイオード接続のトランジスタ
Q36およびトランジスタQ9を介して整流回路2の差
動増幅器21に供給している。この定電流ICは Ic−51,+IB = (VT /RA ) Rn N+VBE/Re −
(3)となる。
続のトランジスタQ31. Q32の各ベース・エミッ
タ間電圧VBEおよびトランジスタ。33のベース・エ
ミッタ間電圧VBEと抵抗RBとがら定電流IBを作成
している。この定電流■8はI e = (VBE(Q
31) + VBE(Q32) −VBE(Q33)1
/R8 −VBE/Rs ・・・(2)
で表わされ、抵抗RBの温度係数rの他にVBHの温度
係数(約−3000ppa+ / ’C)を有している
。そして、定電流源回路6は、上記定電流IBをバンド
ギャップ形定電流源回路5がら出力された定電流■いと
加算し、この加算によって得られた定電流ICをカレン
トミラー回路を構成するダイオード接続のトランジスタ
Q36およびトランジスタQ9を介して整流回路2の差
動増幅器21に供給している。この定電流ICは Ic−51,+IB = (VT /RA ) Rn N+VBE/Re −
(3)となる。
このような構成であるがら、先ずリミッタ増幅回路1に
は、バンドギャップ形定電流源回路5で作成される正の
温度係数を持つ定電流IAが供給されるため、リミッタ
増幅回路1の利得が有する温度特性はこの定電流IAの
温度特性により打消される。すなわち、リミッタ増幅回
路1の電圧利得Avは、 A v = I A RL / 2 V T”(VT
/RL)Ωn NX (RL / 2VT )””(
RL/R^)ρn N −(4)と表わ
される。したがって、負荷抵抗RLとエミッタ抵抗RA
との温度係数が等しければ、リミッタ増幅回路1の電圧
利得Avは零となる。
は、バンドギャップ形定電流源回路5で作成される正の
温度係数を持つ定電流IAが供給されるため、リミッタ
増幅回路1の利得が有する温度特性はこの定電流IAの
温度特性により打消される。すなわち、リミッタ増幅回
路1の電圧利得Avは、 A v = I A RL / 2 V T”(VT
/RL)Ωn NX (RL / 2VT )””(
RL/R^)ρn N −(4)と表わ
される。したがって、負荷抵抗RLとエミッタ抵抗RA
との温度係数が等しければ、リミッタ増幅回路1の電圧
利得Avは零となる。
また、もし定電流回路が上記バンドギャップ形定電流回
路5のろで構成されていたとすれば、この定電流IAが
持つ温度係数の影響で整流回路2は温度特性を持つこと
になる。しかし整流回路2には、正の温度係数を持った
上記定電流I^に温度補償用の定電流源回路6で作成さ
れる負の温度係数を持った定電流IBが加算された定電
流I。
路5のろで構成されていたとすれば、この定電流IAが
持つ温度係数の影響で整流回路2は温度特性を持つこと
になる。しかし整流回路2には、正の温度係数を持った
上記定電流I^に温度補償用の定電流源回路6で作成さ
れる負の温度係数を持った定電流IBが加算された定電
流I。
が供給される。このため、定電流lAと定電流IBとの
加算の割合いを調整して定電流■。の温度特性を適宜設
定することにより、上記定電流IAの温度係数は定電流
よりの温度係数により打消され、この結果定電流IAに
よる整流回路2への温度特性の影響は排除される。すな
わち、いまリミッタ増幅回路1の出力電圧をvsFラン
ジスタQ4.Q5のベース・エミッタ間電圧をVBEと
すると、整流回路2への入力電圧v1 * V 2はV
l −Vcc−(IA /2)RL −VBE+v
=15)V2 − Vcc −I A RM −VBE
−(6)と表わされる。ここでリミ
ッティング時の増幅出力Vは v aiVop −(I A / 2) RL= (V
T /2RA ) II n NXRL −(7)であ
る。このため、整流出力電流I2は、で表わされる。こ
の(8)式から明らかなように、整流出力電流I2は温
度特性を持たないものとなる。
加算の割合いを調整して定電流■。の温度特性を適宜設
定することにより、上記定電流IAの温度係数は定電流
よりの温度係数により打消され、この結果定電流IAに
よる整流回路2への温度特性の影響は排除される。すな
わち、いまリミッタ増幅回路1の出力電圧をvsFラン
ジスタQ4.Q5のベース・エミッタ間電圧をVBEと
すると、整流回路2への入力電圧v1 * V 2はV
l −Vcc−(IA /2)RL −VBE+v
=15)V2 − Vcc −I A RM −VBE
−(6)と表わされる。ここでリミ
ッティング時の増幅出力Vは v aiVop −(I A / 2) RL= (V
T /2RA ) II n NXRL −(7)であ
る。このため、整流出力電流I2は、で表わされる。こ
の(8)式から明らかなように、整流出力電流I2は温
度特性を持たないものとなる。
したがって、この整流出力電流I2をトランジスタQ1
2. Q13からなるカレントミラー回路を介して抵抗
Roに供給して電圧に変換し、この電圧をコンデンサC
Oで平滑することにより得られるレベル検出信号V d
etも、温度特性を持たない安定なものとなる。
2. Q13からなるカレントミラー回路を介して抵抗
Roに供給して電圧に変換し、この電圧をコンデンサC
Oで平滑することにより得られるレベル検出信号V d
etも、温度特性を持たない安定なものとなる。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、このような従来のレベル検出回路には次のよ
うな改善すべき課題があった。すなわち、定電流IA、
ICをリミッタ増幅回路1および整流回路2に供給する
ために使用しているカレントミラー回路の各トランジス
タは、ベース電流誤差を有している。このため、リミッ
タ増幅回路1および整流回路2の各差動増幅器11.2
1に供給されるバイアス電流値I’A +IC′ は
、実際にはバンドギャップ形定電流源回路5および温度
補償用の定電流源回路6から出力される定電流fA、I
oと異なるものとなる。この電流値の差異は、レベル検
出範囲を拡げるために、リミッタ増幅回路1および整流
回路2の各差動増幅器11゜21の段数を多くすればす
るほど大きくなり、無視できないものとなる。また、カ
レントミラー回路を構成するトランジスタ自身も電流増
幅率βに温度特性があるため、これによってもIAIc
の値は所期の温度特性を持たなくなる。
うな改善すべき課題があった。すなわち、定電流IA、
ICをリミッタ増幅回路1および整流回路2に供給する
ために使用しているカレントミラー回路の各トランジス
タは、ベース電流誤差を有している。このため、リミッ
タ増幅回路1および整流回路2の各差動増幅器11.2
1に供給されるバイアス電流値I’A +IC′ は
、実際にはバンドギャップ形定電流源回路5および温度
補償用の定電流源回路6から出力される定電流fA、I
oと異なるものとなる。この電流値の差異は、レベル検
出範囲を拡げるために、リミッタ増幅回路1および整流
回路2の各差動増幅器11゜21の段数を多くすればす
るほど大きくなり、無視できないものとなる。また、カ
レントミラー回路を構成するトランジスタ自身も電流増
幅率βに温度特性があるため、これによってもIAIc
の値は所期の温度特性を持たなくなる。
以上の点についてさらに詳しく説明する。第6図は第5
図のカレントミラー回路部分を等価的に表わしたもので
、マスク側のトランジスタQxは第5図のトランジスタ
Q14. Q38に相当し、スレーブ側のトランジスタ
Q yt−Q ymlよ第5図のトランジスタQ3 、
Q8 、 QIO,Qll、 Q34に相当す
る。尚、説明を簡単にするため各トランジスタQx 、
Qyl−Qymの特性は全て揃い、かつそのエミッタ
面積は等しいものとする。
図のカレントミラー回路部分を等価的に表わしたもので
、マスク側のトランジスタQxは第5図のトランジスタ
Q14. Q38に相当し、スレーブ側のトランジスタ
Q yt−Q ymlよ第5図のトランジスタQ3 、
Q8 、 QIO,Qll、 Q34に相当す
る。尚、説明を簡単にするため各トランジスタQx 、
Qyl−Qymの特性は全て揃い、かつそのエミッタ
面積は等しいものとする。
いま、トランジスタのエミッタ電流をIEとし、トラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧をVBEとすると、こ
れらのIEとVBEとの間には次の関係が成立つ。
ジスタのベース・エミッタ間電圧をVBEとすると、こ
れらのIEとVBEとの間には次の関係が成立つ。
I E = I 5 exp (VBE/ VT )
−(9)但し、ISは逆方向飽和電流でト
ランジスタの特性による定数である。いまトランジスタ
Qyl〜QyIl!のベース・エミッタ間電圧VBEは
全て等しいので、各トランジスタQyl〜Qymのエミ
ッタ電流は等しくなる。また、各トランジスタQyl−
Qymのベース電流をibとし、定電流源の電流をlx
とすると、マスク側のトランジスタQxのエミッタ電流
はlX−m1bとなり、またスレーブ側トランジスタQ
y1−Q)fitのエミッタ電流はlx(m+1)Lb
となる。したがって、カレントミラー回路としては定電
流源の電流lxに対しくm+1)ibが誤差として現わ
れることになる。
−(9)但し、ISは逆方向飽和電流でト
ランジスタの特性による定数である。いまトランジスタ
Qyl〜QyIl!のベース・エミッタ間電圧VBEは
全て等しいので、各トランジスタQyl〜Qymのエミ
ッタ電流は等しくなる。また、各トランジスタQyl−
Qymのベース電流をibとし、定電流源の電流をlx
とすると、マスク側のトランジスタQxのエミッタ電流
はlX−m1bとなり、またスレーブ側トランジスタQ
y1−Q)fitのエミッタ電流はlx(m+1)Lb
となる。したがって、カレントミラー回路としては定電
流源の電流lxに対しくm+1)ibが誤差として現わ
れることになる。
また、周囲温度が変化してトランジスタの電流増幅率β
が変化するとベース電流ibも変化するので、ベース電
流による誤差も温度により変化することになり、この結
果カレントミラー回路により作られる電流も変化するこ
とになる。
が変化するとベース電流ibも変化するので、ベース電
流による誤差も温度により変化することになり、この結
果カレントミラー回路により作られる電流も変化するこ
とになる。
すなわち、前記従来の回路は、カレントミラー回路を構
成するトランジスタのベース電流誤差および電流増幅率
の温度特性により、リミッタ増幅回路1および整流回路
2の各差動増幅器11゜21に供給されるバイアス電流
IA +ICが所期の温度係数を、つまり定電流源回
路5,6で作成された定電流IA、Icと同じ温度係数
を持たなくなり、この結果レベル検出信号の温度による
影響を排除できなくなるという問題を有していた。
成するトランジスタのベース電流誤差および電流増幅率
の温度特性により、リミッタ増幅回路1および整流回路
2の各差動増幅器11゜21に供給されるバイアス電流
IA +ICが所期の温度係数を、つまり定電流源回
路5,6で作成された定電流IA、Icと同じ温度係数
を持たなくなり、この結果レベル検出信号の温度による
影響を排除できなくなるという問題を有していた。
そこで本発明はこの点に着目し、リミッタ増幅回路およ
び整流回路に供給するバイアス電流の温度特性を所期の
温度特性に設定できるようにし、これにより温度変動に
対し安定なレベル検出信号を得ることができ、特に差動
増幅器を多段結合した場合に好適な対数圧縮形レベル検
出回路を提供することを目的とする。
び整流回路に供給するバイアス電流の温度特性を所期の
温度特性に設定できるようにし、これにより温度変動に
対し安定なレベル検出信号を得ることができ、特に差動
増幅器を多段結合した場合に好適な対数圧縮形レベル検
出回路を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、多段結合された複数の差動増幅器により入力
信号を増幅するリミッタ増幅回路と、このリミッタ増幅
回路の各差動増幅器の出力信号を各々整流する差動増幅
器を有する整流回路と、上記リミッタ増幅回路の各差動
増幅器にこのリミッタ増幅回路の利得の温度特性を打消
すべく設定された第1の定電流をカレントミラー回路を
介してバイアス電流として供給する第1の定電流源回路
と、トランジスタのベース・エミッタ間電圧を基準に作
成した定電流を上記第1の定電流と所定の割合いで加算
して第2の定電流を作成しこの第2の定電流をカレント
ミラー回路を介して上記整流回路の差動増幅器にバイア
ス電流として供給する第2の定電流源回路とに加えて、
ベース電流補償用の第1および第2のトランジスタ回路
を設け、第1のトランジスタ回路により、上記第1の定
電流を供給するカレントミラー回路のベース電流を補償
し、かつ第2のトランジスタにより、上記第2の定電流
を供給するカレントミラー回路のベース電流を補償する
ようにしたものである。
信号を増幅するリミッタ増幅回路と、このリミッタ増幅
回路の各差動増幅器の出力信号を各々整流する差動増幅
器を有する整流回路と、上記リミッタ増幅回路の各差動
増幅器にこのリミッタ増幅回路の利得の温度特性を打消
すべく設定された第1の定電流をカレントミラー回路を
介してバイアス電流として供給する第1の定電流源回路
と、トランジスタのベース・エミッタ間電圧を基準に作
成した定電流を上記第1の定電流と所定の割合いで加算
して第2の定電流を作成しこの第2の定電流をカレント
ミラー回路を介して上記整流回路の差動増幅器にバイア
ス電流として供給する第2の定電流源回路とに加えて、
ベース電流補償用の第1および第2のトランジスタ回路
を設け、第1のトランジスタ回路により、上記第1の定
電流を供給するカレントミラー回路のベース電流を補償
し、かつ第2のトランジスタにより、上記第2の定電流
を供給するカレントミラー回路のベース電流を補償する
ようにしたものである。
(作用)
この結果本発明によれば、リミッタ増幅回路および整流
回路の差動増幅器を多段結合した場合でも、カレントミ
ラー回路のベース電流誤差は極めて小さくなり、これに
より温度変化によるバイアス電流値の変化を低減するこ
とができる。したがって、バイアス電流の温度特性を定
電流源回路で作成される第1および第2の定電流の温度
係数と略等しく設定することができ、これにより温度特
性を持たないレベル検出信号を得ることが可能となる。
回路の差動増幅器を多段結合した場合でも、カレントミ
ラー回路のベース電流誤差は極めて小さくなり、これに
より温度変化によるバイアス電流値の変化を低減するこ
とができる。したがって、バイアス電流の温度特性を定
電流源回路で作成される第1および第2の定電流の温度
係数と略等しく設定することができ、これにより温度特
性を持たないレベル検出信号を得ることが可能となる。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例における対数圧縮形レベル検
出回路の回路構成図である。である。
出回路の回路構成図である。である。
尚、同図において前記第5図と同一部分には同一符号を
付して詳しい説明は省略する。
付して詳しい説明は省略する。
バンドギャップ形定電流源回路5には、第1のトランジ
スタ回路としてのNPNトランジスタQ15が設けであ
る。このトランジスタQ15は、リミッタ増幅回路1に
定電流IAを供給するカレントミラー回路のベース電流
を補償するためのもので、コレクタを電源ラインVce
に接続するとともに、ベースおよびエミッタをカレント
ミラー回路を構成するトランジスタQ14のコレクタお
よびベースにそれぞれ接続している。一方温度補償用の
定電流源回路7には、第2のトランジスタ回路としての
NPNトランジスタQ37が設けである。このトランジ
スタQ37は、整流回路2に定電流ICを供給するカレ
ントミラー回路のベース電流を補償するためのもので、
上記トランジスタQ15と同様にコレクタを電源ライン
Vccに接続するとともに、ベースおよびエミッタをカ
レントミラー回路のトランジスタQ3Bのコレクタおよ
びベースにそれぞれ接続している。
スタ回路としてのNPNトランジスタQ15が設けであ
る。このトランジスタQ15は、リミッタ増幅回路1に
定電流IAを供給するカレントミラー回路のベース電流
を補償するためのもので、コレクタを電源ラインVce
に接続するとともに、ベースおよびエミッタをカレント
ミラー回路を構成するトランジスタQ14のコレクタお
よびベースにそれぞれ接続している。一方温度補償用の
定電流源回路7には、第2のトランジスタ回路としての
NPNトランジスタQ37が設けである。このトランジ
スタQ37は、整流回路2に定電流ICを供給するカレ
ントミラー回路のベース電流を補償するためのもので、
上記トランジスタQ15と同様にコレクタを電源ライン
Vccに接続するとともに、ベースおよびエミッタをカ
レントミラー回路のトランジスタQ3Bのコレクタおよ
びベースにそれぞれ接続している。
このような構成であるから、先ず定電流I^供給用のカ
レントミラー回路を構成する各トランジスタQ14.
Q3 、 Q8 、 QIO,Qll、 Q3
4のベース電流は、トランジスタQ15を介して電源ラ
インVCCから補給される。また、定電流IC供給用の
カレントミラー回路を構成するトランジスタQ9゜Q3
Bのベース電流は、トランジスタQ37を介して電源ラ
インVCCから補給される。このため、リミッタ増幅回
路1および整流回路2の差動増幅器が多段結合になって
いても、カレントミラー回路のベース電流誤差は上記ト
ランジスタQ15. Q37により補償され、誤差値は
極めて小さなものとなる。
レントミラー回路を構成する各トランジスタQ14.
Q3 、 Q8 、 QIO,Qll、 Q3
4のベース電流は、トランジスタQ15を介して電源ラ
インVCCから補給される。また、定電流IC供給用の
カレントミラー回路を構成するトランジスタQ9゜Q3
Bのベース電流は、トランジスタQ37を介して電源ラ
インVCCから補給される。このため、リミッタ増幅回
路1および整流回路2の差動増幅器が多段結合になって
いても、カレントミラー回路のベース電流誤差は上記ト
ランジスタQ15. Q37により補償され、誤差値は
極めて小さなものとなる。
例えば、いまトランジスタQ 15. Q 37の電流
増幅率をβとすると、上記カレントミラー回路のベース
電流誤差は1/βに低減することができる。このため、
リミッタ増幅回路1および整流回路2の差動増幅器に供
給されるバイアス電流IAIo の値は、定電流源回路
5,6で作成される定電流IA、ICの値と略等しくな
り、これにより両型流IA 、I(IA、IC間の温
度特性も略等しくなる。すなわち、バイアス電流IA
r’c の温度特性を所期の温度特性に設定するこ
とが可能となる。したがって、レベル検出信号の温度特
性を零にすることができ、これにより温度変化が生じて
も変動しない安定なレベル検出信号を得ることができる
。
増幅率をβとすると、上記カレントミラー回路のベース
電流誤差は1/βに低減することができる。このため、
リミッタ増幅回路1および整流回路2の差動増幅器に供
給されるバイアス電流IAIo の値は、定電流源回路
5,6で作成される定電流IA、ICの値と略等しくな
り、これにより両型流IA 、I(IA、IC間の温
度特性も略等しくなる。すなわち、バイアス電流IA
r’c の温度特性を所期の温度特性に設定するこ
とが可能となる。したがって、レベル検出信号の温度特
性を零にすることができ、これにより温度変化が生じて
も変動しない安定なレベル検出信号を得ることができる
。
第2図はリミッタ増幅回路1および整流回路2の各差動
増幅器11をそれぞれ4段構成とした場合のレベル検出
回路の入出力特性を示すもので、Vdl〜Vd4は整流
回路2の各段の出力電圧である。
増幅器11をそれぞれ4段構成とした場合のレベル検出
回路の入出力特性を示すもので、Vdl〜Vd4は整流
回路2の各段の出力電圧である。
同図においてイは所定の条件での入出力特性であり、こ
の入出力特性は本実施例であれば温度が変化しても変化
せず一定となる。しかるに、第3図の回路のようにリミ
ッタ増幅回路1のバイアス電流■8 の温度特性を所期
の値に設定できない場合には、温度変化によりリミッタ
増幅回路1の利得が変化するため、そのときの入出力特
性は口のようになる。また、例えば第5図に示す如く整
流回路2のバイアス電流ICを所期の値に設定できない
場合には、温度変化により整流回路2の出力電流が変化
するため入出力特性はハのように変化する。
の入出力特性は本実施例であれば温度が変化しても変化
せず一定となる。しかるに、第3図の回路のようにリミ
ッタ増幅回路1のバイアス電流■8 の温度特性を所期
の値に設定できない場合には、温度変化によりリミッタ
増幅回路1の利得が変化するため、そのときの入出力特
性は口のようになる。また、例えば第5図に示す如く整
流回路2のバイアス電流ICを所期の値に設定できない
場合には、温度変化により整流回路2の出力電流が変化
するため入出力特性はハのように変化する。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例
えばバンドギャップ形定電流源回路および温度補償用の
定電流源回路の構成や、第1および第2のトランジスタ
回路の回路構成、リミッタ増幅回路および整流回路の各
差動増幅器の段数等については、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形して実施できる。
えばバンドギャップ形定電流源回路および温度補償用の
定電流源回路の構成や、第1および第2のトランジスタ
回路の回路構成、リミッタ増幅回路および整流回路の各
差動増幅器の段数等については、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形して実施できる。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、多段結合された複
数の差動増幅器により入力信号を増幅するリミッタ増幅
回路と、このリミッタ増幅回路の各差動増幅器の出力信
号を各々整流する差動増幅器を有する整流回路と、上記
リミッタ増幅回路の各差動増幅器にこのリミッタ増幅回
路の利得の温度特性を打消すべく設定された第1の定電
流をカレントミラー回路を介してバイアス電流として供
給する第1の定電流源回路と、トランジスタのベース・
エミッタ間電圧を基準に作成した定電流を上記第1の定
電流と所定の割合いで加算して第2の定電流を作成しこ
の第2の定電流をカレントミラー回路を介して上記整流
回路の差動増幅器にバイアス電流として供給する第2の
定電流源回路とに加えて、ベース電流補償用の第1およ
び第2のトランジスタ回路を設け、第1のトランジスタ
回路により、上記第1の定電流を供給するカレントミラ
ー回路のベース電流を補償し、かつ第2のトランジスタ
により、上記第2の定電流を供給するカレントミラー回
路のベース電流を補償するようにしたことによって、リ
ミッタ増幅回路および整流回路に供給するバイアス電流
の温度特性を所期の温度特性に設定することができ、こ
れにより温度変動に対し安定なレベル検出信号を得るこ
とができ、特に差動増幅器を多段結合した場合に好適な
対数圧縮形レベル検出回路を提供することができる。
数の差動増幅器により入力信号を増幅するリミッタ増幅
回路と、このリミッタ増幅回路の各差動増幅器の出力信
号を各々整流する差動増幅器を有する整流回路と、上記
リミッタ増幅回路の各差動増幅器にこのリミッタ増幅回
路の利得の温度特性を打消すべく設定された第1の定電
流をカレントミラー回路を介してバイアス電流として供
給する第1の定電流源回路と、トランジスタのベース・
エミッタ間電圧を基準に作成した定電流を上記第1の定
電流と所定の割合いで加算して第2の定電流を作成しこ
の第2の定電流をカレントミラー回路を介して上記整流
回路の差動増幅器にバイアス電流として供給する第2の
定電流源回路とに加えて、ベース電流補償用の第1およ
び第2のトランジスタ回路を設け、第1のトランジスタ
回路により、上記第1の定電流を供給するカレントミラ
ー回路のベース電流を補償し、かつ第2のトランジスタ
により、上記第2の定電流を供給するカレントミラー回
路のベース電流を補償するようにしたことによって、リ
ミッタ増幅回路および整流回路に供給するバイアス電流
の温度特性を所期の温度特性に設定することができ、こ
れにより温度変動に対し安定なレベル検出信号を得るこ
とができ、特に差動増幅器を多段結合した場合に好適な
対数圧縮形レベル検出回路を提供することができる。
第1図は本発明の一実施例における対数圧縮形レベル検
出回路の回路構成図、第2図は同回路の効果を説明する
ためのレベル検出特性図、第3図乃至第6図は従来説明
に使用するもので、第3図および第5図はそれぞれ異な
る対数圧縮形レベル検出回路の回路構成図、第4図は整
流回路の動作を示す信号波形図、第6図は第5図に示さ
れるカレントミラー回路の等価回路図である。 1・・・リミッタ増幅回路、2・・・整流回路、3・・
・出力回路、5・・・バンドギャップ形定電流源回路、
6・・・温度補償用の定電流源、11.21・・・差動
増幅器、Q 15. Q 37・・・ベース電流補償用
のトランジスタ、lAlIC・・・定電流、IAIc
・・・バイアス電流。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 λη4ろ(dB] 第2図
出回路の回路構成図、第2図は同回路の効果を説明する
ためのレベル検出特性図、第3図乃至第6図は従来説明
に使用するもので、第3図および第5図はそれぞれ異な
る対数圧縮形レベル検出回路の回路構成図、第4図は整
流回路の動作を示す信号波形図、第6図は第5図に示さ
れるカレントミラー回路の等価回路図である。 1・・・リミッタ増幅回路、2・・・整流回路、3・・
・出力回路、5・・・バンドギャップ形定電流源回路、
6・・・温度補償用の定電流源、11.21・・・差動
増幅器、Q 15. Q 37・・・ベース電流補償用
のトランジスタ、lAlIC・・・定電流、IAIc
・・・バイアス電流。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 λη4ろ(dB] 第2図
Claims (1)
- 多段結合された複数の差動増幅器により入力信号を増幅
するリミッタ増幅回路と、このリミッタ増幅回路の各差
動増幅器の出力信号を各々整流する差動増幅器を有する
整流回路と、前記リミッタ増幅回路の各差動増幅器にこ
のリミッタ増幅回路の利得の温度特性を打消すべく設定
された第1の定電流をカレントミラー回路を介してバイ
アス電流として供給する第1の定電流源回路と、トラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧を基準に作成した定電
流を前記第1の定電流と所定の割合いで加算して第2の
定電流を作成しこの第2の定電流をカレントミラー回路
を介して前記整流回路の差動増幅器にバイアス電流とし
て供給する第2の定電流源回路とを具備し、かつ前記第
1の定電流を供給するカレントミラー回路のベース電流
を補償する第1のトランジスタ回路と、前記第2の定電
流を供給するカレントミラー回路のベース電流を補償す
る第2のトランジスタとを設けたことを特徴とする対数
圧縮形レベル検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324934A JPH02170706A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 対数圧縮形レベル検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324934A JPH02170706A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 対数圧縮形レベル検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170706A true JPH02170706A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18171248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63324934A Pending JPH02170706A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 対数圧縮形レベル検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170706A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117504A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Toshiba Corp | トランジスタ差動増幅回路 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63324934A patent/JPH02170706A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117504A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Toshiba Corp | トランジスタ差動増幅回路 |
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