JPH02172203A - 積層型バリスタ - Google Patents
積層型バリスタInfo
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- JPH02172203A JPH02172203A JP63327251A JP32725188A JPH02172203A JP H02172203 A JPH02172203 A JP H02172203A JP 63327251 A JP63327251 A JP 63327251A JP 32725188 A JP32725188 A JP 32725188A JP H02172203 A JPH02172203 A JP H02172203A
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Links
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧非直線性抵抗として機能する積層型バリ
スタに関し、特に素子形状を大きくすることなく内部電
極の面積を増大でき、非直線特性。
スタに関し、特に素子形状を大きくすることなく内部電
極の面積を増大でき、非直線特性。
耐サージ特性を向上できるようにした構造に関する。
近年、電子機器の集積化、超小型化にともない、実装密
度を高くするため電子部品においても小型化が強く要求
されており、この小型化に対応してバリスタにおいても
ディスク型に代わる積層型のものが開発1実用化されて
いる。このような積層型バリスタとして、従来、第4図
に示す構造のものがある。この積層型バリスタ10は、
バリスタ層11と内部電極12とを交互に積層して一体
焼結するとともに、該焼結体13の左、右端面13a、
13bに外部電極14を形成して構成されている。また
、上記外部電極14には、上記焼結体13の左、右端面
13a、13bに交互に露出された内部電極12の一端
面12aが接続されており、該内部電極12の他の端面
は焼結体13の内側に位置している。
度を高くするため電子部品においても小型化が強く要求
されており、この小型化に対応してバリスタにおいても
ディスク型に代わる積層型のものが開発1実用化されて
いる。このような積層型バリスタとして、従来、第4図
に示す構造のものがある。この積層型バリスタ10は、
バリスタ層11と内部電極12とを交互に積層して一体
焼結するとともに、該焼結体13の左、右端面13a、
13bに外部電極14を形成して構成されている。また
、上記外部電極14には、上記焼結体13の左、右端面
13a、13bに交互に露出された内部電極12の一端
面12aが接続されており、該内部電極12の他の端面
は焼結体13の内側に位置している。
上記積層型バリスタlOによれば、ディスク型バリスタ
では困難であったVIIIAの低電圧化を実現でき、か
つ非直線係数も便れている。また、サージ耐量はセラミ
クス粒界の並列数(素子の面積)に依存していることか
ら、上記バリスタ層11と内部電極12との積層数を増
やすことにより内部電極12の電極面積を増大でき、耐
サージ性能を向上できる。さらに、チップ化により小型
化できるとともに、表面実装ができ、LSI等の半導体
部品のサージ吸収素子としての需要も急速に伸びている
。
では困難であったVIIIAの低電圧化を実現でき、か
つ非直線係数も便れている。また、サージ耐量はセラミ
クス粒界の並列数(素子の面積)に依存していることか
ら、上記バリスタ層11と内部電極12との積層数を増
やすことにより内部電極12の電極面積を増大でき、耐
サージ性能を向上できる。さらに、チップ化により小型
化できるとともに、表面実装ができ、LSI等の半導体
部品のサージ吸収素子としての需要も急速に伸びている
。
ところで、上記積層型バリスタ10において、耐サージ
性能をより向上させるにはバリスタ層11と内部電極1
2との積層数を増やしたり、バリスタ層11の寸法を大
きくしたりして電極面積を広くしてやればよいわけであ
るが、この方法では素子形状が大型化することから限界
がある。そこで、素子形状をそのままにして内部電極1
2だけ広くとるには、該電極12の外部電極14と接続
する一端面12a以外の端面を、焼結体13の各端面縁
にできるだけ接近させることが考えられる。
性能をより向上させるにはバリスタ層11と内部電極1
2との積層数を増やしたり、バリスタ層11の寸法を大
きくしたりして電極面積を広くしてやればよいわけであ
るが、この方法では素子形状が大型化することから限界
がある。そこで、素子形状をそのままにして内部電極1
2だけ広くとるには、該電極12の外部電極14と接続
する一端面12a以外の端面を、焼結体13の各端面縁
にできるだけ接近させることが考えられる。
しかしながら、上記従来の積層型バリスタ10では、内
部t8i12の面積を広くするために、該電極12の他
端面12bを外部電極14に近づけ過ぎると、この間に
電流が漏れ、非直線特性や耐サージ性能が劣化するとい
う問題点があり、結局、両者間には所定の距離が必要と
なり、電極面積の拡大化を困難にしている。
部t8i12の面積を広くするために、該電極12の他
端面12bを外部電極14に近づけ過ぎると、この間に
電流が漏れ、非直線特性や耐サージ性能が劣化するとい
う問題点があり、結局、両者間には所定の距離が必要と
なり、電極面積の拡大化を困難にしている。
本発明の目的は、内部電極を広くした場合の電流の漏れ
を防止して、非直線性、耐サージ特性を向上できる積層
型バリスタを提供することにある。
を防止して、非直線性、耐サージ特性を向上できる積層
型バリスタを提供することにある。
本発明は、バリスタ層と内部電極とを交互に重ねて積層
体を形成し、該積層体の左、右端面に外部電極を形成す
るとともに、該外部電極に上記内部電極の左、右端面を
交互に接続してなる積層型バリスタにおいて、上記積層
体の両端面に高抵抗部を形成したことを特徴としている
。
体を形成し、該積層体の左、右端面に外部電極を形成す
るとともに、該外部電極に上記内部電極の左、右端面を
交互に接続してなる積層型バリスタにおいて、上記積層
体の両端面に高抵抗部を形成したことを特徴としている
。
ここで、上記積層体の両端面に高抵抗部を形成するとは
、一方の側の外部電極に一端が接続された内部xiの他
端と、他方の側の外部電極との間の抵抗を高くするとい
う意味である。そして−上記高抵抗部は、例えばバリス
タ層を5rTiOsを主成分とする組成物で構成した場
合、Nag C0、を含むペーストを積層体に塗布し、
これを焼成することにより実現できる。
、一方の側の外部電極に一端が接続された内部xiの他
端と、他方の側の外部電極との間の抵抗を高くするとい
う意味である。そして−上記高抵抗部は、例えばバリス
タ層を5rTiOsを主成分とする組成物で構成した場
合、Nag C0、を含むペーストを積層体に塗布し、
これを焼成することにより実現できる。
本発明に係る積層型バリスタによれば、積層体の両端面
に高抵抗部を形成したので、外部電極と内部電極の他端
面との間が電気的絶縁状態となり、この内部電極の他端
面を外部電極に近づけても電流が流れることはない、そ
の結果、素子形状はそのままにしながら上記内部電極の
面積を大きくとることができ、大型化することなく非直
線性、耐サージ性能を向上できる。
に高抵抗部を形成したので、外部電極と内部電極の他端
面との間が電気的絶縁状態となり、この内部電極の他端
面を外部電極に近づけても電流が流れることはない、そ
の結果、素子形状はそのままにしながら上記内部電極の
面積を大きくとることができ、大型化することなく非直
線性、耐サージ性能を向上できる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第1図ないし第3図は本発明の一実施例による積層型バ
リスタを説明するための図である。
リスタを説明するための図である。
図において、1は本実施例の積層型バリスタであり、こ
のバリスタ1は直方体状のもので、5rTIOs系セラ
ミクスからなるバリスタ層2と導電性貴金属からなる内
部電極3とを交互に11JI層し、これを一体焼結して
なる焼結体4の左、右端面4a、4bに外部電極5を形
成して構成されている。
のバリスタ1は直方体状のもので、5rTIOs系セラ
ミクスからなるバリスタ層2と導電性貴金属からなる内
部電極3とを交互に11JI層し、これを一体焼結して
なる焼結体4の左、右端面4a、4bに外部電極5を形
成して構成されている。
また、上記各内部電極3の一端面3aは、焼結体4の左
、右端面4a、4bに交互に露出して上記外部電極5に
接続されている。さらに、上記各内部電極3の他端面3
bは焼結体4の左、右端面4a、4bから少し間をあけ
て内側に位置しており、これにより上記内部電極3の一
端面3a以外の端面は焼結体4内に埋設されている。
、右端面4a、4bに交互に露出して上記外部電極5に
接続されている。さらに、上記各内部電極3の他端面3
bは焼結体4の左、右端面4a、4bから少し間をあけ
て内側に位置しており、これにより上記内部電極3の一
端面3a以外の端面は焼結体4内に埋設されている。
そして、上記焼結体4の左、右端面4a、4b部分には
高抵抗部6が形成されている。この高抵抗部6は、Na
*COsを焼結体4内に拡散させて形成されたものであ
り、これにより、上記内部電極3の他端面3bと外部電
極5との間は電気的にl!lL!状態になっている。
高抵抗部6が形成されている。この高抵抗部6は、Na
*COsを焼結体4内に拡散させて形成されたものであ
り、これにより、上記内部電極3の他端面3bと外部電
極5との間は電気的にl!lL!状態になっている。
次に本実施例の積層型バリスタ1の製造方法について第
3図を参照しながら説明する。
3図を参照しながら説明する。
■ まず、S r T i 0x(99,67wo1%
)を主成分とし、これに半導体化剤としてNbg Os
、 Tat Os 、 Yt O3+ La、
Os (0,3moj!%)、及びバリスタ特性改善
剤としてM n Og (0,03m。
)を主成分とし、これに半導体化剤としてNbg Os
、 Tat Os 、 Yt O3+ La、
Os (0,3moj!%)、及びバリスタ特性改善
剤としてM n Og (0,03m。
1%)を混合してなるセラミクス組成物に有機バインダ
ーを加えて、ドクターブレード方により帯板状のグリー
ンシート7を形成する。
ーを加えて、ドクターブレード方により帯板状のグリー
ンシート7を形成する。
■ 上記グリーンシート7の上面に、5rTlO3粉末
とカーボンとを混合してなる多孔質用ペースト8を内部
電極のパターンに応じた形状に印刷する。この場合、上
記多孔質ペースト8の一端面8aがグリーンシート7の
一端面7aに露出するようにするとともに、上記ペース
ト8の他端面8bがグリーンシート7の他端面7bより
少し内側に位置するようにする。これにより、上記グリ
ーンシート7上には所定の間隔をあけた4つの多孔質用
ペースト8が形成される。またグリーンシート7の他端
面倒近傍に多孔質ペースト8とは間隔を置いてNazC
Ozを含むペースト9を印刷する。なお、上記印刷には
ステンシル方式の印刷機を採用した。
とカーボンとを混合してなる多孔質用ペースト8を内部
電極のパターンに応じた形状に印刷する。この場合、上
記多孔質ペースト8の一端面8aがグリーンシート7の
一端面7aに露出するようにするとともに、上記ペース
ト8の他端面8bがグリーンシート7の他端面7bより
少し内側に位置するようにする。これにより、上記グリ
ーンシート7上には所定の間隔をあけた4つの多孔質用
ペースト8が形成される。またグリーンシート7の他端
面倒近傍に多孔質ペースト8とは間隔を置いてNazC
Ozを含むペースト9を印刷する。なお、上記印刷には
ステンシル方式の印刷機を採用した。
ここで、上記多孔質用ペーストに採用されるSr T
I O3粉末は、上記グリーンシート7に採用される粉
末より粒径の大きいものを採用するのが望ましい。
I O3粉末は、上記グリーンシート7に採用される粉
末より粒径の大きいものを採用するのが望ましい。
■ 次に、上記多孔質用ペースト8が上面に位置するよ
うグリーンシート7を3枚重ね、最上部にダミーとして
のグリーンシート7を重ねる。この場合、上記多孔質ペ
ースト8の一端面8aが交互に反対側に位置するように
重ねる。そして、上記重ねた各グリーンシート7をプレ
スで圧着する。
うグリーンシート7を3枚重ね、最上部にダミーとして
のグリーンシート7を重ねる。この場合、上記多孔質ペ
ースト8の一端面8aが交互に反対側に位置するように
重ねる。そして、上記重ねた各グリーンシート7をプレ
スで圧着する。
■ 次に、上記圧着された状態で、グリーンシート7の
各多孔質用ペースト8の間を積層方向に切断しく第3図
に一点鎖線で示す)、積層体を得る。
各多孔質用ペースト8の間を積層方向に切断しく第3図
に一点鎖線で示す)、積層体を得る。
■ 上記各積層体を1100℃に加熱して空気中で予備
焼成した後、還元雰囲気中にて1400℃×2時間焼成
する。すると、上記多孔質用ペースト8内のカーボンが
燃焼して、多孔質層と半導体磁器との焼結体4が得られ
る。上記積層体のNa*CO8は焼結体4内に拡散し、
該焼結体4の両端面4a、4b部分が高抵抗となって、
本実施例の高抵抗部6が形成される。これは、焼結体4
のSrT10g結晶格子にNaが固溶することにより原
子価制御を阻害し、これにより結晶粒の抵抗値が上昇す
るものと考えられる。さらに、この焼結体4を空気中に
て1100℃に加熱処理する。このとき半導体磁器の部
分はその結晶粒界が高抵抗化される。
焼成した後、還元雰囲気中にて1400℃×2時間焼成
する。すると、上記多孔質用ペースト8内のカーボンが
燃焼して、多孔質層と半導体磁器との焼結体4が得られ
る。上記積層体のNa*CO8は焼結体4内に拡散し、
該焼結体4の両端面4a、4b部分が高抵抗となって、
本実施例の高抵抗部6が形成される。これは、焼結体4
のSrT10g結晶格子にNaが固溶することにより原
子価制御を阻害し、これにより結晶粒の抵抗値が上昇す
るものと考えられる。さらに、この焼結体4を空気中に
て1100℃に加熱処理する。このとき半導体磁器の部
分はその結晶粒界が高抵抗化される。
■ 次に、上記焼結体4を溶融状態の低融点金属(例え
ば錫、鉛等又はこれらの合金)溶液中に所定時間浸漬し
、上記多孔質層内に溶融金属を注入し、内部11i3を
形成する。そして、上記焼結体4の、内部電極3が露出
された左、右端面4a。
ば錫、鉛等又はこれらの合金)溶液中に所定時間浸漬し
、上記多孔質層内に溶融金属を注入し、内部11i3を
形成する。そして、上記焼結体4の、内部電極3が露出
された左、右端面4a。
4bに貴金属ペーストを塗布した後焼き付けて外部電極
5を形成する。
5を形成する。
ここで、上記焼結体4を上記溶融金属中に浸漬して内部
電極3を形成する場合、この焼結体4を溶液中から引き
出す際に多孔質層内に注入された溶融金属が流出する場
合がある。この熔融金属の流出を防止するために、上記
■の工程前、例えば■の工程の後、積層体の端面に外部
電極のための導電性ペーストを塗布しておき、■の工程
を実施することにより、焼結体4の両端面4a、4bに
外部電極5用の多孔質部を形成し、これを熔融金属液中
に浸漬することにより、上記溶融金属の流出を阻止する
方法を採用してもよい、この場合は、上記内部電極4の
形成と同時に外部電8[15との接続ができる。
電極3を形成する場合、この焼結体4を溶液中から引き
出す際に多孔質層内に注入された溶融金属が流出する場
合がある。この熔融金属の流出を防止するために、上記
■の工程前、例えば■の工程の後、積層体の端面に外部
電極のための導電性ペーストを塗布しておき、■の工程
を実施することにより、焼結体4の両端面4a、4bに
外部電極5用の多孔質部を形成し、これを熔融金属液中
に浸漬することにより、上記溶融金属の流出を阻止する
方法を採用してもよい、この場合は、上記内部電極4の
形成と同時に外部電8[15との接続ができる。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例の積層型バリスタlによれば、焼結体4の両端
面4a、4bに、内部電極3の他端面3bと外部電極膜
5との間を絶縁化させる高抵抗部6を形成したので、上
記内部電極3と外部電極5との間を近づけても電流が流
れることはない、従って、焼結体4の形状を大きくしな
いで、内部型8i4の電極面積だけを広くするこ止がで
き、その分静電容量、サージ耐量を向上できる。しかも
、上記電流の漏れを防止できることにより、非iii線
特性を向上できる。その結果、非直線係数、耐サージ特
性番ご優れたバラツキの少ない安定した積層型のチップ
バリスタが得られる。
面4a、4bに、内部電極3の他端面3bと外部電極膜
5との間を絶縁化させる高抵抗部6を形成したので、上
記内部電極3と外部電極5との間を近づけても電流が流
れることはない、従って、焼結体4の形状を大きくしな
いで、内部型8i4の電極面積だけを広くするこ止がで
き、その分静電容量、サージ耐量を向上できる。しかも
、上記電流の漏れを防止できることにより、非iii線
特性を向上できる。その結果、非直線係数、耐サージ特
性番ご優れたバラツキの少ない安定した積層型のチップ
バリスタが得られる。
次に、本実施例による積層型バリスタ1の効果を611
llするための実験結果を説明する。
llするための実験結果を説明する。
この実験では、上記実施例により製造された積層型バリ
スタIのバリスタ電圧v01.非直線係数α、静電容量
、及びサージ耐量を測定した。なお、比較のため従来の
高抵抗部を形成していない外形が同一寸法からなるMi
層型バリスタについても同様の測定をした。その結果を
表に示す、なお、従来試料は内部電極と外部tpiとの
間に電流が流れないように、内部電極の面積は小さくな
るようにした。
スタIのバリスタ電圧v01.非直線係数α、静電容量
、及びサージ耐量を測定した。なお、比較のため従来の
高抵抗部を形成していない外形が同一寸法からなるMi
層型バリスタについても同様の測定をした。その結果を
表に示す、なお、従来試料は内部電極と外部tpiとの
間に電流が流れないように、内部電極の面積は小さくな
るようにした。
同表からも明らかなように、いずれの特性においても従
来試料に比べ本実施例試料は向上しており、特に静電容
量は50から90nFへ、またサージ耐量は300から
100OA/ cdへと大きく向上していることがわか
る。この実験からも、本実施例の積層型バリスタ1によ
れば高抵抗部を形成することにより、素子の外形寸法を
変えないでバリスタ特性を大幅に向上できることがいえ
る。
来試料に比べ本実施例試料は向上しており、特に静電容
量は50から90nFへ、またサージ耐量は300から
100OA/ cdへと大きく向上していることがわか
る。この実験からも、本実施例の積層型バリスタ1によ
れば高抵抗部を形成することにより、素子の外形寸法を
変えないでバリスタ特性を大幅に向上できることがいえ
る。
以上のように本発明に係る積層型バリスタによれば、積
層体の両端面に高抵抗部を形成したので、素子形状を大
きくすることなく内部電極の面積だけを広(でき、非直
線特性、耐サージ特性を向上できる効果がある。
層体の両端面に高抵抗部を形成したので、素子形状を大
きくすることなく内部電極の面積だけを広(でき、非直
線特性、耐サージ特性を向上できる効果がある。
第1図ないし第3図は本発明の一実施例による積層型バ
リスタを説明するための図であり、第1図はその断面図
、第2図はその斜視図、第3図はその製造工程を説明す
るための分解斜視図、第4図は従来の積層型バリスタを
示す断面図である。 図において、lは積層型バリスタ、2はバリスタ層、3
は内部電極、3aは内部i極の一端面(左、右端面)、
4は焼結体(積層体)、4a4bは焼結体の左、右端面
、5は外部電極、6は高抵抗部である。 第 図
リスタを説明するための図であり、第1図はその断面図
、第2図はその斜視図、第3図はその製造工程を説明す
るための分解斜視図、第4図は従来の積層型バリスタを
示す断面図である。 図において、lは積層型バリスタ、2はバリスタ層、3
は内部電極、3aは内部i極の一端面(左、右端面)、
4は焼結体(積層体)、4a4bは焼結体の左、右端面
、5は外部電極、6は高抵抗部である。 第 図
Claims (1)
- (1)バリスタ層と内部電極とを交互に重ねて積層体を
形成し、該積層体の左,右端面に外部電極を形成すると
ともに、該外部電極に上記内部電極の左,右端面を交互
に接続してなる積層型バリスタにおいて、上記積層体の
両端面に高抵抗部を形成したことを特徴とする積層型バ
リスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63327251A JPH02172203A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 積層型バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63327251A JPH02172203A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 積層型バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172203A true JPH02172203A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18197023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63327251A Pending JPH02172203A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 積層型バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172203A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019165103A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
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1988
- 1988-12-23 JP JP63327251A patent/JPH02172203A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019165103A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
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