JPH02172987A - メチル―β―ラクタムの製造方法 - Google Patents
メチル―β―ラクタムの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は式
Rl、 R4は同一あるいは異なって、水素原子、U
で表される2−オキソ−1,3−ジオキサン誘導〔式中
、Xは塩素、臭素またはヨウ素を表し、RI # R4
は同一あるいは異なって、水素原子、アリール基もしく
はCI”= C*の低級アルキル基を表すか、またはR
1とR1あるいはR3とR4が各々−緒になってアルキ
レン饋を形成する。1で表されるα−ハロプロピオン酸
誘導体で処理することを特徴とする一般式 〔式中、Rl、、、 R4は同一あるいは異なって、水
素原子、アリール基もしくはC8〜C1の低級アルキル
基を表すか、またはR1とR8あるいはRsとR4が各
々−緒になってアルキレン鎖を形成する。Rsは、水素
原子もしくは水酸基の保m基を表す、〕で表されるメチ
ル−β−ラクタムの製造方法に関する。
、Xは塩素、臭素またはヨウ素を表し、RI # R4
は同一あるいは異なって、水素原子、アリール基もしく
はCI”= C*の低級アルキル基を表すか、またはR
1とR1あるいはR3とR4が各々−緒になってアルキ
レン饋を形成する。1で表されるα−ハロプロピオン酸
誘導体で処理することを特徴とする一般式 〔式中、Rl、、、 R4は同一あるいは異なって、水
素原子、アリール基もしくはC8〜C1の低級アルキル
基を表すか、またはR1とR8あるいはRsとR4が各
々−緒になってアルキレン鎖を形成する。Rsは、水素
原子もしくは水酸基の保m基を表す、〕で表されるメチ
ル−β−ラクタムの製造方法に関する。
本発明の製造方法によって合成される式(III)で表
されるメチル−β−ラクタムは優れた抗菌活性と広い抗
菌スペクトルを有し、生物学的にも化学的にも安定であ
ることから大変注目を集めている1β−メチルカルバペ
ネムの鍵合成中間体である一般式 C式中、R6は水酸基の保fl!基を表す、〕の合成原
料として使用できるものであるCD、H,5h11>ら
、Haterocycles、 2129(1984)
およびY、Itoら、↑@trahedron Let
to、28.6625(19B?)、 ) 。
されるメチル−β−ラクタムは優れた抗菌活性と広い抗
菌スペクトルを有し、生物学的にも化学的にも安定であ
ることから大変注目を集めている1β−メチルカルバペ
ネムの鍵合成中間体である一般式 C式中、R6は水酸基の保fl!基を表す、〕の合成原
料として使用できるものであるCD、H,5h11>ら
、Haterocycles、 2129(1984)
およびY、Itoら、↑@trahedron Let
to、28.6625(19B?)、 ) 。
従来、光学活性4−アセトキシ−β−ラクタム誘導体を
亜鉛末存在下、前記−成就(n)で表されるα−ハロプ
ロピオン酸誘導体で処理して一般式(ffl)で表され
るメチル−β−ラクタムを製造する方法は試みられてい
る(Y、Itoら、↑@trah@dron Let
t、4B+ 6625(19B?)、 )しかしな
がら、原料の4−アセトキシ−β−ラクタム誘導体の4
位アセトキシ基をアルコキシカルボニルオキシ基、即ち
カルボナートに置換したものを使って上記反応剤で処理
して、−m式(III)で表されるメチル−β−ラクタ
ムを製造する試みは行われていなかった。また、3位側
鎖上の水酸基と4位の水wI基をカルボナートで開環し
た式(1)の化合物についてはこれまで一般式<III
)で表されるメチル−β−ラクタムの合成原料として用
いる試みは全(行なわれていなかった。
亜鉛末存在下、前記−成就(n)で表されるα−ハロプ
ロピオン酸誘導体で処理して一般式(ffl)で表され
るメチル−β−ラクタムを製造する方法は試みられてい
る(Y、Itoら、↑@trah@dron Let
t、4B+ 6625(19B?)、 )しかしな
がら、原料の4−アセトキシ−β−ラクタム誘導体の4
位アセトキシ基をアルコキシカルボニルオキシ基、即ち
カルボナートに置換したものを使って上記反応剤で処理
して、−m式(III)で表されるメチル−β−ラクタ
ムを製造する試みは行われていなかった。また、3位側
鎖上の水酸基と4位の水wI基をカルボナートで開環し
た式(1)の化合物についてはこれまで一般式<III
)で表されるメチル−β−ラクタムの合成原料として用
いる試みは全(行なわれていなかった。
(発明が解決しようとする問題点〕
本発明者は、鋭意検討した結果、安価な乳酸などのα−
オキシ酸から誘導されたアルデヒド誘導体と醗酵法など
により安価に製造されている、(R)−3−ヒドロキシ
酪酸とを出発原料として用いて得られる式(1)で表さ
れる2−オキソ−1,3−ジオキサンg導体から一般式
(1)で表されるメチル−β−ラクタムを製造する新し
い製造方法を開発し、本発明を完成した。
オキシ酸から誘導されたアルデヒド誘導体と醗酵法など
により安価に製造されている、(R)−3−ヒドロキシ
酪酸とを出発原料として用いて得られる式(1)で表さ
れる2−オキソ−1,3−ジオキサンg導体から一般式
(1)で表されるメチル−β−ラクタムを製造する新し
い製造方法を開発し、本発明を完成した。
本発明に用いられる式(1)で表される2−オキソ−1
,3−ジオキサン誘導体は下記の反応工程に従い製造で
きる。
,3−ジオキサン誘導体は下記の反応工程に従い製造で
きる。
入ノ
〔式中、R1はカルボキシル基の保護基を表し、R−は
水素原子、置換もしくは無置換の直鎖もしくは分岐状ア
ルキル基またはアリール基を表し、R9は水酸基の保護
基を表す、〕 〔第1工程〕 本工程は一般式(V)で表される(R)−3−ヒドロキ
シ酪酸エステルを塩基で処理して加水分解して、式(V
l)で表される(R)−3−ヒドロキシ酪酸を製造する
工程である0本反応で用いられる(R)−3−ヒドロキ
シ酪酸エステルとしては、工業的にも入手可能な(R)
−3−ヒドロキシ酪酸メチル、(R)−3−ヒドロキシ
酪酸エチル、(R)−3−ヒドロキシ酪酸プロピル、(
R)−3−ヒドロキシ酪酸ポリマーなどが挙げられる。
水素原子、置換もしくは無置換の直鎖もしくは分岐状ア
ルキル基またはアリール基を表し、R9は水酸基の保護
基を表す、〕 〔第1工程〕 本工程は一般式(V)で表される(R)−3−ヒドロキ
シ酪酸エステルを塩基で処理して加水分解して、式(V
l)で表される(R)−3−ヒドロキシ酪酸を製造する
工程である0本反応で用いられる(R)−3−ヒドロキ
シ酪酸エステルとしては、工業的にも入手可能な(R)
−3−ヒドロキシ酪酸メチル、(R)−3−ヒドロキシ
酪酸エチル、(R)−3−ヒドロキシ酪酸プロピル、(
R)−3−ヒドロキシ酪酸ポリマーなどが挙げられる。
また、塩基としては通常、エステルを加水分解して、対
応するカルボン酸を合成するのに用いられる塩基が使用
できるが、好適には、水酸化ナトリウムが用いられる0
反応は溶媒中で行われ、溶媒としては、メタノール、エ
タノール、プロパツール、ブタノールなどのアルコール
系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどの
エーテル系溶媒および水などが単独あるいは混合物とじ
て用いられる0反応は一20℃〜100℃で円滑に進行
する(下記参考例1を参照)。
応するカルボン酸を合成するのに用いられる塩基が使用
できるが、好適には、水酸化ナトリウムが用いられる0
反応は溶媒中で行われ、溶媒としては、メタノール、エ
タノール、プロパツール、ブタノールなどのアルコール
系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどの
エーテル系溶媒および水などが単独あるいは混合物とじ
て用いられる0反応は一20℃〜100℃で円滑に進行
する(下記参考例1を参照)。
〔第2工程〕
本工程は(R)−3−ヒドロキシ酪酸(Vl)と一般式
(■)で表されるアルデヒド誘導体とを触媒存在下反応
させ、生成する水を除去して一般式(■)で表される6
−メチル−1,3−ジオキサン−4−オン誘導体を製造
する工程である。
(■)で表されるアルデヒド誘導体とを触媒存在下反応
させ、生成する水を除去して一般式(■)で表される6
−メチル−1,3−ジオキサン−4−オン誘導体を製造
する工程である。
本工程において得られる一般式(■)中の2位および6
位に結合する置換基は一般式(■)に示した如く、シス
配置のものが主成績体として高立体選択的に得られる(
D、5eebach、’ Modern Synthe
ticMethods Vol、4 ” sd by
R,5cheffort+ Sprlnger−Ver
lmg、 Berlln、p、205(1986)参照
)0本反応に用いられるアルデヒド誘導体としては、L
−ブトキシ、ベンジルオキシ、テトラヒドロピラニルオ
キシ、メトキシメトキシ、メトキシエトキシメトキシ、
t−ブチルジメチルシリルオキシなどのアルコキシ基を
α位に有するアセトアルデヒド、プロパナーノ&タナー
ル、ペンタナール、3−フェニルプロパナール、4−フ
ェニルブタナールなどのα−アルコキシアルカナールが
挙げられるが、好適には2−ベンジルオキシブロバナー
ルが用いられる(参考例2.3および4を参照)0本反
応に用いられる触媒としては、p−トルエンスルホン酸
、硫酸、塩酸、ホウ酸、リン酸などの酸あるいはこれら
のピリジン塩などが挙げられるが、好適にはp−トルエ
ンスルホン酸ピリジン塩(PPTS)が用いられる0本
工程を行うための脱水法としては、溶媒との共沸蒸留に
よる方法が主に用いられる。溶媒としては、ベンゼン、
トルエン、キシレン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンな
どの変化水素系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フランなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、ジクロロエタンなどのハロゲン化
炭化水素系溶媒などが例示できる0反応は0〜100℃
で円滑に進行する〈参考例5を参照)。
位に結合する置換基は一般式(■)に示した如く、シス
配置のものが主成績体として高立体選択的に得られる(
D、5eebach、’ Modern Synthe
ticMethods Vol、4 ” sd by
R,5cheffort+ Sprlnger−Ver
lmg、 Berlln、p、205(1986)参照
)0本反応に用いられるアルデヒド誘導体としては、L
−ブトキシ、ベンジルオキシ、テトラヒドロピラニルオ
キシ、メトキシメトキシ、メトキシエトキシメトキシ、
t−ブチルジメチルシリルオキシなどのアルコキシ基を
α位に有するアセトアルデヒド、プロパナーノ&タナー
ル、ペンタナール、3−フェニルプロパナール、4−フ
ェニルブタナールなどのα−アルコキシアルカナールが
挙げられるが、好適には2−ベンジルオキシブロバナー
ルが用いられる(参考例2.3および4を参照)0本反
応に用いられる触媒としては、p−トルエンスルホン酸
、硫酸、塩酸、ホウ酸、リン酸などの酸あるいはこれら
のピリジン塩などが挙げられるが、好適にはp−トルエ
ンスルホン酸ピリジン塩(PPTS)が用いられる0本
工程を行うための脱水法としては、溶媒との共沸蒸留に
よる方法が主に用いられる。溶媒としては、ベンゼン、
トルエン、キシレン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンな
どの変化水素系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フランなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、ジクロロエタンなどのハロゲン化
炭化水素系溶媒などが例示できる0反応は0〜100℃
で円滑に進行する〈参考例5を参照)。
〔第3工程〕
本工程は一般式(■)で表される6−メチル−1,3−
ジオキサン−4−オン誘導体を還元剤で処理して一般式
(IK)で表される6−メチル−1,3−ジオキサン−
4−オール誘導体を製造するものである。なお、本反応
で生成する一般式(EX)中の4位水酸基の立体配置は
(R)一体と(S)一体の混ざりであるが、これらは分
離せずに次の第4工程の原料として用いられる0本工程
で用いる還元剤としては通常、ラクトンを還元して対応
するラクトールを合成する際に用いられるいかなる還元
剤も使用できるが、好適には水素化ジイソブチルアルミ
ニウム(DIBAL)あるいは水素化ビス(メトキシエ
トキシ)アルミニウムナトリウム(Vitrld@)が
1当量から2当量用いられる0本反応は溶媒中で行われ
、溶媒としては、通常、還元反応に関与しないものであ
れば如何なる溶媒も使用できるが、好適にはジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒ある
いはベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素系溶
媒が用いられる0反応は一80℃〜20℃で円滑に進行
する(参考例6を参照)。
ジオキサン−4−オン誘導体を還元剤で処理して一般式
(IK)で表される6−メチル−1,3−ジオキサン−
4−オール誘導体を製造するものである。なお、本反応
で生成する一般式(EX)中の4位水酸基の立体配置は
(R)一体と(S)一体の混ざりであるが、これらは分
離せずに次の第4工程の原料として用いられる0本工程
で用いる還元剤としては通常、ラクトンを還元して対応
するラクトールを合成する際に用いられるいかなる還元
剤も使用できるが、好適には水素化ジイソブチルアルミ
ニウム(DIBAL)あるいは水素化ビス(メトキシエ
トキシ)アルミニウムナトリウム(Vitrld@)が
1当量から2当量用いられる0本反応は溶媒中で行われ
、溶媒としては、通常、還元反応に関与しないものであ
れば如何なる溶媒も使用できるが、好適にはジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒ある
いはベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素系溶
媒が用いられる0反応は一80℃〜20℃で円滑に進行
する(参考例6を参照)。
〔第4工程〕
本工程は一般式(IX)で表される6−メチル−1,3
−ジオキサン−4−オール誘導体を脱水して、一般式(
X)で表される6−メチル−2H。
−ジオキサン−4−オール誘導体を脱水して、一般式(
X)で表される6−メチル−2H。
6H−1,3−ジオキシン誘導体を製造するものである
。脱水法としては、水酸基をアシル化後、塩化水素、臭
化水素などのハロゲン化物で処理する方法などにより塩
素あるいは臭素などのハロゲン原子に置換した後、塩基
処理により脱ハロゲン化水素反応をしてオレフィンに誘
導する方法、あるいは、塩基存在下、脱水剤で処理して
直接オレフィンに誘導する方法があるが、好適には後者
の方法が用いられる。後者の方法で用いられる脱水剤と
しては塩化チオニル、塩化メタンスルホニル、塩化p−
)ルエンスルホニル、オキシ塩化リン、三塩化リン、五
塩化リン、臭化チオニル、臭化メタンスルホニル、臭化
p−トルエンスルホニル、オキシ臭化リン、三臭化リン
、五臭化リンなどが1〜1.5当量用いられる。塩基と
しては、通常、脱離反応を促進する塩基が用いられ、ト
リメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミ
ン、トリブチルアミン、N−エチルピペリジン、ピリジ
ン、ルチジン、コリジン、1.5−ジアザビシクロ(4
,3,0)ノン−5−エン、1.4−ジアザビシクロ(
2,2,2)オクタン、1.8−ジアザビシクロ(5,
4,0) −7−ウンデセンなどが例示でき、好適には
トリエチルアミンが用いられる。塩基は脱水剤に対して
1〜5当量用いられる0本反応は溶媒中で行われる。溶
媒としてはピリジン、コリジン、ルチジンなどの塩基性
溶媒、ジメチルスルホキシド、N、N−ジメチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミドなどの極性溶媒、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水
素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサンな
どの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテ
ル系溶媒が例示できる0反応は一10℃〜100℃の間
で円滑に進行する(参考例7を参照)。
。脱水法としては、水酸基をアシル化後、塩化水素、臭
化水素などのハロゲン化物で処理する方法などにより塩
素あるいは臭素などのハロゲン原子に置換した後、塩基
処理により脱ハロゲン化水素反応をしてオレフィンに誘
導する方法、あるいは、塩基存在下、脱水剤で処理して
直接オレフィンに誘導する方法があるが、好適には後者
の方法が用いられる。後者の方法で用いられる脱水剤と
しては塩化チオニル、塩化メタンスルホニル、塩化p−
)ルエンスルホニル、オキシ塩化リン、三塩化リン、五
塩化リン、臭化チオニル、臭化メタンスルホニル、臭化
p−トルエンスルホニル、オキシ臭化リン、三臭化リン
、五臭化リンなどが1〜1.5当量用いられる。塩基と
しては、通常、脱離反応を促進する塩基が用いられ、ト
リメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミ
ン、トリブチルアミン、N−エチルピペリジン、ピリジ
ン、ルチジン、コリジン、1.5−ジアザビシクロ(4
,3,0)ノン−5−エン、1.4−ジアザビシクロ(
2,2,2)オクタン、1.8−ジアザビシクロ(5,
4,0) −7−ウンデセンなどが例示でき、好適には
トリエチルアミンが用いられる。塩基は脱水剤に対して
1〜5当量用いられる0本反応は溶媒中で行われる。溶
媒としてはピリジン、コリジン、ルチジンなどの塩基性
溶媒、ジメチルスルホキシド、N、N−ジメチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミドなどの極性溶媒、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水
素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサンな
どの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテ
ル系溶媒が例示できる0反応は一10℃〜100℃の間
で円滑に進行する(参考例7を参照)。
C第5工程〕
本工程は、−m式(X)で表される6−メチル−2H,
6H−1,3−ジオキシン誘導体とクロロスルホニルイ
ソシアネー)(C3I)との反応および続く還元的後処
理により、−成就(XI)で表される4−アミド−1,
3−ジオキサン誘導体を製造する工程である。
6H−1,3−ジオキシン誘導体とクロロスルホニルイ
ソシアネー)(C3I)との反応および続く還元的後処
理により、−成就(XI)で表される4−アミド−1,
3−ジオキサン誘導体を製造する工程である。
本付加反応は橿めて高立体選択的に進行し、−成就(X
I)に示した立体化学のもののみを与える。CStは基
質に対して1〜2当量用いられるが好適には1.1当量
用いられろ1本反応は溶媒中で行われる。溶媒としては
、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン
などの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフランなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素系溶媒
、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックト
リアミドなどの極性溶媒が用いられる。
I)に示した立体化学のもののみを与える。CStは基
質に対して1〜2当量用いられるが好適には1.1当量
用いられろ1本反応は溶媒中で行われる。溶媒としては
、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン
などの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフランなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素系溶媒
、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックト
リアミドなどの極性溶媒が用いられる。
反応は一70℃〜50℃で円滑に進行する。また反応後
の還元的後処理で用いる還元剤としては、水素化アルミ
ニウム、リチウム、水素化ビス(メトキシエトシキ)ア
ルミニウムナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素
化ジイソブチルアルミニウムなどの水素化金属化合物、
チオフェノール、メチルメルカプタン、エチルメルカプ
タン、プロピルメルカプタン、ジメチルスルフィド、ジ
エチルスルフィドなどの有機硫黄化合物、亜硫酸ナトリ
ウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸
水素カリウムなどの亜硫酸塩、チオ硫酸リチウム、チオ
硫酸ナトリウムなどのチオ硫酸塩およびラネーニッケル
などが挙げられる(参考例8を参照)。
の還元的後処理で用いる還元剤としては、水素化アルミ
ニウム、リチウム、水素化ビス(メトキシエトシキ)ア
ルミニウムナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素
化ジイソブチルアルミニウムなどの水素化金属化合物、
チオフェノール、メチルメルカプタン、エチルメルカプ
タン、プロピルメルカプタン、ジメチルスルフィド、ジ
エチルスルフィドなどの有機硫黄化合物、亜硫酸ナトリ
ウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸
水素カリウムなどの亜硫酸塩、チオ硫酸リチウム、チオ
硫酸ナトリウムなどのチオ硫酸塩およびラネーニッケル
などが挙げられる(参考例8を参照)。
〔第6エ程〕
本工程は一触式(XI)で表される4−アミド−1.3
−ジオキサン誘導体の2位側鎖上の水酸基の保護基R1
を脱保護し、−成就(Xll)で表される遊離の水al
!基を有する4−アミド−1,3−ジオキサン誘導体を
製造するものである。脱保護は、通常水酸基の保fll
liの脱保護法として用いられている方法に従い、容易
に行うことができる(″ Protectlve G
roups in Organic 5ynth
esls ”John−1111ey & 5ona
、 New York+ 1981参照)(参考例9を
参照)。
−ジオキサン誘導体の2位側鎖上の水酸基の保護基R1
を脱保護し、−成就(Xll)で表される遊離の水al
!基を有する4−アミド−1,3−ジオキサン誘導体を
製造するものである。脱保護は、通常水酸基の保fll
liの脱保護法として用いられている方法に従い、容易
に行うことができる(″ Protectlve G
roups in Organic 5ynth
esls ”John−1111ey & 5ona
、 New York+ 1981参照)(参考例9を
参照)。
〔第7エ程〕
本工程は、−成就(XII)で表される遊離の水酸基を
有する4−アミド−1,3−ジオキサン誘導体の2位側
鎖上の水酸基を酸化して一触式(X III)で表され
る2−アシル−1,3−ジオキサン誘導体を製造するも
のである。酸化剤としては、2級アルコールを対応する
ケトンに酸化しうる酸化剤が用いられる0例えば、二酸
化クロム、ピリジニウム、クロロクロメート、ピリジニ
ウムジクロメートなどのクロム酸類、ジメチルスルホキ
シド誘導体および三塩化ルテニウムを反応系内で過ロウ
素酸類で酸化して生じるルテニウム化合物などが挙げら
れ、好適にはルテニウム化合物が用いられる0本反応は
溶媒中で行われることが好ましく、溶媒としては、ピリ
ジン、コリジン、ルチジンなどの塩基性溶媒、ジメチル
スルホキシド、N、 N−ジメチルホルムアミド、N、
N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミド、アセトニトリルなどの極性非プロトン性溶
媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素などの
ハロゲン化炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、ヘキ
サンなどの炭化水素系溶媒、アセトン、2−ブタノン、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アミルなどのケトンあろ
いはエステル系溶媒、t−ブタノール、水などのプロト
ン性溶媒およびこれらの混合溶媒が例示できる0反応は
一20℃〜100℃で円滑に進行する(参考例10を参
照)。
有する4−アミド−1,3−ジオキサン誘導体の2位側
鎖上の水酸基を酸化して一触式(X III)で表され
る2−アシル−1,3−ジオキサン誘導体を製造するも
のである。酸化剤としては、2級アルコールを対応する
ケトンに酸化しうる酸化剤が用いられる0例えば、二酸
化クロム、ピリジニウム、クロロクロメート、ピリジニ
ウムジクロメートなどのクロム酸類、ジメチルスルホキ
シド誘導体および三塩化ルテニウムを反応系内で過ロウ
素酸類で酸化して生じるルテニウム化合物などが挙げら
れ、好適にはルテニウム化合物が用いられる0本反応は
溶媒中で行われることが好ましく、溶媒としては、ピリ
ジン、コリジン、ルチジンなどの塩基性溶媒、ジメチル
スルホキシド、N、 N−ジメチルホルムアミド、N、
N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミド、アセトニトリルなどの極性非プロトン性溶
媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素などの
ハロゲン化炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、ヘキ
サンなどの炭化水素系溶媒、アセトン、2−ブタノン、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アミルなどのケトンあろ
いはエステル系溶媒、t−ブタノール、水などのプロト
ン性溶媒およびこれらの混合溶媒が例示できる0反応は
一20℃〜100℃で円滑に進行する(参考例10を参
照)。
〔第8工程〕
本工程は、−成就(X l11)で表される2−アシル
−1,3−ジオキサン誘導体を過酸で処理することによ
り式(1)で表される2−オキソ−1,3−ジオキサン
誘導体を製造する工程である。
−1,3−ジオキサン誘導体を過酸で処理することによ
り式(1)で表される2−オキソ−1,3−ジオキサン
誘導体を製造する工程である。
本反応に用いられる過酸としては、m−クロロ遇安息香
酸、過酢酸、過トリフルオロ酢酸、遇ギ酸、遇フタル酸
などの通常Baeyer−Vlll1ger反応に用い
られる過酸化物が用いられる。過酸は基質の1〜5当量
用いられ、好適には4当量用いられ溶媒としては、ベン
ゼン、トルエン、ヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1.
2−ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒、ジクロロ
メタン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭
化水素系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アシルな
どのエステル系溶媒、N、N−ジメチルホルムアミド、
N、N−ジメチルアセトアミド、ヘキサホス水リンクト
リアミドなどの極性溶媒および酢酸、フロピオン酸、酪
酸などのカルボン酸が用いられる0反応は一り0℃〜5
G’Cで円滑に進行する(参考例11を参照)。
酸、過酢酸、過トリフルオロ酢酸、遇ギ酸、遇フタル酸
などの通常Baeyer−Vlll1ger反応に用い
られる過酸化物が用いられる。過酸は基質の1〜5当量
用いられ、好適には4当量用いられ溶媒としては、ベン
ゼン、トルエン、ヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1.
2−ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒、ジクロロ
メタン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭
化水素系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アシルな
どのエステル系溶媒、N、N−ジメチルホルムアミド、
N、N−ジメチルアセトアミド、ヘキサホス水リンクト
リアミドなどの極性溶媒および酢酸、フロピオン酸、酪
酸などのカルボン酸が用いられる0反応は一り0℃〜5
G’Cで円滑に進行する(参考例11を参照)。
以上の製造工程によって、合成された式(1)で表され
る2−オキソ−1,3−ジオキサン誘導体は本発明の下
記製造工程により、−成就(III)で表されるメチル
−β−ラクタム(Iia)および(Illb)に誘導で
きる。
る2−オキソ−1,3−ジオキサン誘導体は本発明の下
記製造工程により、−成就(III)で表されるメチル
−β−ラクタム(Iia)および(Illb)に誘導で
きる。
(式中、X、R’−R’、およびR6は前記と同じ意味
を表す、〕 本工程は、式(1)で表される2−オキソ−1,3−ジ
オキサン誘導体を亜鉛末存在下、−a式(II)で表さ
れるα−ハロプロピオン酸誘導体を反応させ、一般式(
Tl[a)で表されるメチル−β−ラクタムを製造する
ものである。一般式(n)におけるXは塩素、臭素、ヨ
ウ素などを挙げることができ、RI # R4は同一で
も異なっていても良(、水素原子、アリール基もしくは
01〜Csの低級アルキル基を表すか、またはR1とR
8あるいはRsとR4が各々−緒になってアルキレン饋
を形成する。低級アルキル基としては、例えばメチル基
、エチル基、n−プロピル基、イソプロピルi%n−ブ
チル基、イソブチル基などの炭素数1〜5個のアルキル
基及びベンジル基、p−メトキシベンジル基、2,4−
ジメトキシベンジル基、p−クロロベンジル基、ジフェ
ニノしメチル基などの置換もしくは無置換のフェニル基
で置換された炭素数1〜5の低級アルキル基を挙げるこ
とができる。アリール基としては、フェニル基、p−メ
トキシフェニル基、2.4−ジメトキシフェニル基、p
−クロロフェニル基などの置換もしくは無置換のフェニ
ル基を挙げることができる。
を表す、〕 本工程は、式(1)で表される2−オキソ−1,3−ジ
オキサン誘導体を亜鉛末存在下、−a式(II)で表さ
れるα−ハロプロピオン酸誘導体を反応させ、一般式(
Tl[a)で表されるメチル−β−ラクタムを製造する
ものである。一般式(n)におけるXは塩素、臭素、ヨ
ウ素などを挙げることができ、RI # R4は同一で
も異なっていても良(、水素原子、アリール基もしくは
01〜Csの低級アルキル基を表すか、またはR1とR
8あるいはRsとR4が各々−緒になってアルキレン饋
を形成する。低級アルキル基としては、例えばメチル基
、エチル基、n−プロピル基、イソプロピルi%n−ブ
チル基、イソブチル基などの炭素数1〜5個のアルキル
基及びベンジル基、p−メトキシベンジル基、2,4−
ジメトキシベンジル基、p−クロロベンジル基、ジフェ
ニノしメチル基などの置換もしくは無置換のフェニル基
で置換された炭素数1〜5の低級アルキル基を挙げるこ
とができる。アリール基としては、フェニル基、p−メ
トキシフェニル基、2.4−ジメトキシフェニル基、p
−クロロフェニル基などの置換もしくは無置換のフェニ
ル基を挙げることができる。
また、R1とR1あるいはR3とR4が一緒になってア
ルキレン鎖を示す場合には、該アルキレン鎖は環状骨格
の炭素原子と結合して、例えばシクロ成するものを挙げ
ることができる。
ルキレン鎖を示す場合には、該アルキレン鎖は環状骨格
の炭素原子と結合して、例えばシクロ成するものを挙げ
ることができる。
反応は不活性溶媒中で行われ、その溶媒としてはジエチ
ルエーテル、ジブチルニーチル、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、1.2−ジメトキシエタンなどのエーテル
系溶媒、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサ
ンなどの炭化水素系溶媒、N、N−ジメチルホルムアミ
ド、N、N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホス
ホリックトリアミドなどの極性非プロトン性溶媒などを
挙げることができ、好適にはテトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル、ジオキサン、1.2−ジメトキシエタン
およびN、 N−ジメチルホルムアミドを挙げることが
できる。
ルエーテル、ジブチルニーチル、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、1.2−ジメトキシエタンなどのエーテル
系溶媒、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサ
ンなどの炭化水素系溶媒、N、N−ジメチルホルムアミ
ド、N、N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホス
ホリックトリアミドなどの極性非プロトン性溶媒などを
挙げることができ、好適にはテトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル、ジオキサン、1.2−ジメトキシエタン
およびN、 N−ジメチルホルムアミドを挙げることが
できる。
亜鉛末および一般式(II)で表されるα−ハロプロピ
オン酸誘導体は式(Hで表される2−オキソ−1,3−
ジオキサン誘導体に対して反応が充分に進行するだけの
量が必要であり、大過剰量用いることができるが、通常
亜鉛末は式(1)の2−オキソ−1,3−ジオキサン誘
導体に対して2〜5当量を用いて行うことができ、又、
一般式(n)のα−ハロプロピオン酸誘導体は式(りの
β−ラクタム誘導体に対して、通常1〜3当量用いて行
うことができる。
オン酸誘導体は式(Hで表される2−オキソ−1,3−
ジオキサン誘導体に対して反応が充分に進行するだけの
量が必要であり、大過剰量用いることができるが、通常
亜鉛末は式(1)の2−オキソ−1,3−ジオキサン誘
導体に対して2〜5当量を用いて行うことができ、又、
一般式(n)のα−ハロプロピオン酸誘導体は式(りの
β−ラクタム誘導体に対して、通常1〜3当量用いて行
うことができる。
反応は冷却または加熱することにより反応を抑制または
促進させることができ、反応温度としては、−50℃〜
150℃の範囲で行うことが可能であり、好ましい反応
温度は0℃〜100℃の範囲である(実施例1および2
を参照)。
促進させることができ、反応温度としては、−50℃〜
150℃の範囲で行うことが可能であり、好ましい反応
温度は0℃〜100℃の範囲である(実施例1および2
を参照)。
なお、本工程では、一般式(ma)で表されるメチル−
β−ラクタムのほかに4位側鎖上のメチル基の立体配位
が異なるα−配置であるメチル−β−ラクタムが生成す
る。しかしながら、一般式(II)中のRl−R4の置
換基および反応条件を種々選択することにより前記一般
式(!1la)で表されるβ−ラクタム誘導体を優先し
て得ることができる。
β−ラクタムのほかに4位側鎖上のメチル基の立体配位
が異なるα−配置であるメチル−β−ラクタムが生成す
る。しかしながら、一般式(II)中のRl−R4の置
換基および反応条件を種々選択することにより前記一般
式(!1la)で表されるβ−ラクタム誘導体を優先し
て得ることができる。
本反応で得られる一般式(flla)で表されるメチル
−β−ラクタム誘導体の3位側鎖上の遊離の水酸基は通
常の水酸基を保護する方法に従い種々の保護基を導入し
て保護しく′″Protectlve Groupsl
a Organic 5ythesla ++、 Jo
hn−11111y & SonstNew York
、1981.実施例1および2を参照)、一般式(If
b)で表されるメチル−β−ラクタム誘導体に誘導す
ることができる。
−β−ラクタム誘導体の3位側鎖上の遊離の水酸基は通
常の水酸基を保護する方法に従い種々の保護基を導入し
て保護しく′″Protectlve Groupsl
a Organic 5ythesla ++、 Jo
hn−11111y & SonstNew York
、1981.実施例1および2を参照)、一般式(If
b)で表されるメチル−β−ラクタム誘導体に誘導す
ることができる。
以上の製造工程によって合成された一般式(mb)で表
されるメチル−β−ラクタムは、下記に示した公知の方
法に従い、式(rV)で表される1β−メチルカルバペ
ネムの鍵合成中間体へと誘導できる (Y、Itoら、
Tstrahedron t、ett、+28+ 66
25(1987)参照)。
されるメチル−β−ラクタムは、下記に示した公知の方
法に従い、式(rV)で表される1β−メチルカルバペ
ネムの鍵合成中間体へと誘導できる (Y、Itoら、
Tstrahedron t、ett、+28+ 66
25(1987)参照)。
υ
〔式中、R1−R4およびR1は前記と同じ意味を表す
、〕 以下に実施例および参考例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない
。
、〕 以下に実施例および参考例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない
。
なお、略号の意味は次の通りである。
AC:
Ar :
Bn :
M・ :
Ph ニ
アセチル基
アリール基
ベンジル基
メチル基
フェニル基
参考例!
(R)−(−)−3−ヒドロキシ酪酸メチル20.2g
(171mmo 1)に水冷下IN水酸化ナトリウム
水溶液180m1を加え、同温度で6日間放置した後、
IN塩酸180m1を加え、溶媒を減圧留去した。得ら
れた残渣にエタノールを加え、不溶物を濾過した後、溶
媒を減圧留去して得られる残渣を減圧蒸留して(R)−
(−)−3−ヒドロキシ酪酸15.5g(収率87%)
を無色油状物として得た。
(171mmo 1)に水冷下IN水酸化ナトリウム
水溶液180m1を加え、同温度で6日間放置した後、
IN塩酸180m1を加え、溶媒を減圧留去した。得ら
れた残渣にエタノールを加え、不溶物を濾過した後、溶
媒を減圧留去して得られる残渣を減圧蒸留して(R)−
(−)−3−ヒドロキシ酪酸15.5g(収率87%)
を無色油状物として得た。
bp 130℃(1−1g)
〔α)” −24,1° (C”−4,66、Hid
)文献値(α)I −25,2°(C−5、H* O
)D、5aebach、 ”Modern 5yt
hetlc Methods Vol、4”ad
by R,5cheRord、Spring−Verl
ag、Berlin。
)文献値(α)I −25,2°(C−5、H* O
)D、5aebach、 ”Modern 5yt
hetlc Methods Vol、4”ad
by R,5cheRord、Spring−Verl
ag、Berlin。
p、205(1986)、)
IR(neat)2800〜3400br。
1710、 1400. 1060. 942゜845
3−’ H−NMR((CDs)tso) δ−1,33(3
H,d、 J=6.2Hz、 CHs) 。
3−’ H−NMR((CDs)tso) δ−1,33(3
H,d、 J=6.2Hz、 CHs) 。
2.26 (2H,d、J−6,4H2,C1tり。
3.2〜3.5 (2H,b r、 o t h e
rprotons)、3.97 (LH,dQ。
rprotons)、3.97 (LH,dQ。
J−6,2及び6.4Hz、CHOH)。
Mass m/e 105 (M+1)”、
89(M−CHs)”、 71.6G。
89(M−CHs)”、 71.6G。
参考例2
(S)−乳酸エチル10.2g (86,0mmo 1
)にピロリジン7.80m1(93,4mmo りを水
冷下加えた後、室温で3日間攪拌した。過剰のとロリジ
ンと生成したエタノールを減圧留去した後、残渣を蒸留
して(S)−N、N−テトラメチレン−2−ヒドロキシ
プロピオン酸アミド11.8g(収率95%)を無色油
状物として得た。
)にピロリジン7.80m1(93,4mmo りを水
冷下加えた後、室温で3日間攪拌した。過剰のとロリジ
ンと生成したエタノールを減圧留去した後、残渣を蒸留
して(S)−N、N−テトラメチレン−2−ヒドロキシ
プロピオン酸アミド11.8g(収率95%)を無色油
状物として得た。
bp 108℃y(1gwHg)
(&)” −49,2@ (C4,78,CHCl5
)I R(n e a t) 3450. 3000.
2900゜1637.1440.1387.1345
゜1133.104104O’ HNMR(CDC1s)δ−1,33(3H,d。
)I R(n e a t) 3450. 3000.
2900゜1637.1440.1387.1345
゜1133.104104O’ HNMR(CDC1s)δ−1,33(3H,d。
J=6.6Hz、CHs)、1.90 (4H,m。
N CHm史シX2)、3.45 (4H。
m、NCHgCHtX2)、3.73 (IH。
d、J−1,3Hz、OH)、4.29 (IH。
dq、J=7.3及び6.6Hz、CHCO)。
Mass m/s 143 (M”)、128(M
−CI(s)” 、9B (M−CHsCHOH)”
元素分析値 C? Hls N O*・0.25H言0
として針車値 Ci 56.93. Hi 9.21
N S 9.49%実測値 C; 57,00.H,
9,22NS 9.53%参考例3 水素化ナトリウム2.00 g (83,3mmo 1
)のテトラヒドロフラン50m1とジメチルホルムアミ
ド25m1の懸濁液に、水冷下(S)−N。
−CI(s)” 、9B (M−CHsCHOH)”
元素分析値 C? Hls N O*・0.25H言0
として針車値 Ci 56.93. Hi 9.21
N S 9.49%実測値 C; 57,00.H,
9,22NS 9.53%参考例3 水素化ナトリウム2.00 g (83,3mmo 1
)のテトラヒドロフラン50m1とジメチルホルムアミ
ド25m1の懸濁液に、水冷下(S)−N。
N−テトラメチレン−2−ヒドロキシプロピオン酸アミ
ド9.98 g (67,7mmo 1)のテトラヒド
ロフラン溶液15m1をゆっくり加えた。同温度で4.
5時間激しく撹拌した後、塩化ベンジル8.80m1
(76,5mmo l)を加えた。同温度で1晩攪拌
した後、水50m1を加えて反応を停止し、酢酸エチル
約50m1を加えて分液した。
ド9.98 g (67,7mmo 1)のテトラヒド
ロフラン溶液15m1をゆっくり加えた。同温度で4.
5時間激しく撹拌した後、塩化ベンジル8.80m1
(76,5mmo l)を加えた。同温度で1晩攪拌
した後、水50m1を加えて反応を停止し、酢酸エチル
約50m1を加えて分液した。
有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を減圧留去して得られる結晶性残渣をヘキサ
ン−エーテルの混合溶媒より再結晶して(S)゛−N、
N−テトラメチレンー2−ベンジルオキシプロピオン酸
アミド14.1g’(収率87%)を無色結晶として得
た。なお分析用サンプルは、ジプチルエーテルより再結
晶して得た。
した。溶媒を減圧留去して得られる結晶性残渣をヘキサ
ン−エーテルの混合溶媒より再結晶して(S)゛−N、
N−テトラメチレンー2−ベンジルオキシプロピオン酸
アミド14.1g’(収率87%)を無色結晶として得
た。なお分析用サンプルは、ジプチルエーテルより再結
晶して得た。
融点 42〜42.5℃
(α)” −66,9° (C−1,72,CHCl
5)IR(KBr)3050.3000.2890゜1
630.1430.1350.1120゜73Qaa−
’ HNMR(C’DCIs)δ讃1゜42 (3H,d。
5)IR(KBr)3050.3000.2890゜1
630.1430.1350.1120゜73Qaa−
’ HNMR(C’DCIs)δ讃1゜42 (3H,d。
J=6.8Hz、CHs)、1.85 (4H。
m + N CH* (はItX2)、3.50 (4
H。
H。
m、N工JjCH諺X2)、4.20 (IH。
q、 J−6,8Hz、 CHCO)、 4.4
1゜4.62 (2H,dX2.J−それぞれ11.7
Hz、CHm Ph)、 7.32(5H,s、
Ph)。
1゜4.62 (2H,dX2.J−それぞれ11.7
Hz、CHm Ph)、 7.32(5H,s、
Ph)。
Mass m/6 234 (M+1)◆127
、 98゜ 元素分析値 C+ a H+ q N Oxとして計算
値 C: 72.0?、Hi 8.21 Ni 6.
00%C,72,06,H: 8.32 N; 5.
90%参考例4 (S)−N、N−テトラメチレン−2−ベンジルオキシ
プロピオン酸アミド3.09 g (13,2mmol
)をテトラヒドロフラン49m1に溶かし水冷下水素化
ビス(メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウムのト
ルエン溶液(1,07mof/J)9.80m1 (
10,5mmo I)を3回に分けて、3時間かけて滴
下した。同温度で4時間攪拌した後、氷冷したIN塩酸
35m1に反応液を加えて反応を停止し、ジクロロメタ
ンを加えて、有機物を抽出した。有機層を、1%塩酸、
飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水、飽和食塩水で
順次洗浄した後硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減
圧留去して得られる残渣をクーゲルロールで蒸留して(
S)−2−ベンジルオキシブロバナール1.85g(収
率85%)を無色油状物として得た。
、 98゜ 元素分析値 C+ a H+ q N Oxとして計算
値 C: 72.0?、Hi 8.21 Ni 6.
00%C,72,06,H: 8.32 N; 5.
90%参考例4 (S)−N、N−テトラメチレン−2−ベンジルオキシ
プロピオン酸アミド3.09 g (13,2mmol
)をテトラヒドロフラン49m1に溶かし水冷下水素化
ビス(メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウムのト
ルエン溶液(1,07mof/J)9.80m1 (
10,5mmo I)を3回に分けて、3時間かけて滴
下した。同温度で4時間攪拌した後、氷冷したIN塩酸
35m1に反応液を加えて反応を停止し、ジクロロメタ
ンを加えて、有機物を抽出した。有機層を、1%塩酸、
飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水、飽和食塩水で
順次洗浄した後硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減
圧留去して得られる残渣をクーゲルロールで蒸留して(
S)−2−ベンジルオキシブロバナール1.85g(収
率85%)を無色油状物として得た。
bp 100℃、 (1mHg)
(α)” −66,8° (neat、J−1)(文
献値: (α)”、” −65,85” (nea
t)。
献値: (α)”、” −65,85” (nea
t)。
P、G、MJuts、and S、S、Blgelow
、J、Org、Ches、。
、J、Org、Ches、。
旦、 3489 (1983))
IR(neat)3470.3050.3000゜29
50.2900.1740.1458137B、 1
100. 700cm−’H−NMR(CDCI畠)δ
−1,32(3H,d。
50.2900.1740.1458137B、 1
100. 700cm−’H−NMR(CDCI畠)δ
−1,32(3H,d。
J=7.0Hz、CHs)、3.88 (IH。
dq、J−1,8及び7.0Hz、CHOBn)。
4.62 (2H,a、CHmP h)、7.35(
5H,s、Ph)、9.66 (IH,d。
5H,s、Ph)、9.66 (IH,d。
J−1,8Hz、 CHO)。
Mass m/e 181(M+HtO)”13
5 (M−Co)′″ (R)−ヒFo−1−シa1M3.52 g (33
,8mmol)と(S)−2−ベンジルオキシブロバナ
ール3.61 g (22,0mmo l)をジクロロ
メタン100m1に溶かし、ピリジニウムp −1ルエ
ンスルホネー) 0.829 g (3,30mmo
l)を加え、Daan−3tarck装置で生成する水
を留去しながら、48時間加熱還流した1反応液を室温
に戻した後、水を加えて反応を停止し、ジクロロメタン
を加えて分液した。を機層を飽和重曹水、飽和食塩水で
洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。tl媒を減圧留
去して得られる残渣をカラムクロマトグラフィー(シリ
カゲル;ヘキサン:酢酸エチル−15:1−2+1)で
精製して、(2R,6R)−2−(1−(S)−ベンジ
ルオキシエチル〕−6−メチル−1,3−ジオキサン−
4−オン3.75g(収率68%)を無色結晶として得
た。なお分析用サンプルは、イソプロピルエーテルより
再結晶して得た。
5 (M−Co)′″ (R)−ヒFo−1−シa1M3.52 g (33
,8mmol)と(S)−2−ベンジルオキシブロバナ
ール3.61 g (22,0mmo l)をジクロロ
メタン100m1に溶かし、ピリジニウムp −1ルエ
ンスルホネー) 0.829 g (3,30mmo
l)を加え、Daan−3tarck装置で生成する水
を留去しながら、48時間加熱還流した1反応液を室温
に戻した後、水を加えて反応を停止し、ジクロロメタン
を加えて分液した。を機層を飽和重曹水、飽和食塩水で
洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。tl媒を減圧留
去して得られる残渣をカラムクロマトグラフィー(シリ
カゲル;ヘキサン:酢酸エチル−15:1−2+1)で
精製して、(2R,6R)−2−(1−(S)−ベンジ
ルオキシエチル〕−6−メチル−1,3−ジオキサン−
4−オン3.75g(収率68%)を無色結晶として得
た。なお分析用サンプルは、イソプロピルエーテルより
再結晶して得た。
融点 74.5〜75.0℃
(α)” −51,4° (C−1゜21.CI(C
1り)IR(KBr)3000,2880.1750゜
1730.1340.1258.1110゜980、
690cm−’ H−NMR(CDCIj)δ + 1.24 (3
H,d。
1り)IR(KBr)3000,2880.1750゜
1730.1340.1258.1110゜980、
690cm−’ H−NMR(CDCIj)δ + 1.24 (3
H,d。
J=6.5Hz、 CHs C)IOBn)。
1.35 (3H,d、J−6,2H2,CHsCH
CHI)、 2.41 (IH,dd、 J−1
0,7及び17.8Hz、C,−Ha x)。
CHI)、 2.41 (IH,dd、 J−1
0,7及び17.8Hz、C,−Ha x)。
2゜69 (IH,dd、J−4,3及び17.8H
z、Cs−1(eq)、 3.68 (IH。
z、Cs−1(eq)、 3.68 (IH。
dq、J=3.8及び6゜5H2,CHOBn)。
4.04 (IIL ddq、J−4,3及び6.2
及び10.7Hz、C1−10,4,67(2H,s、
旦JjPh)、、5.29 (I H。
及び10.7Hz、C1−10,4,67(2H,s、
旦JjPh)、、5.29 (I H。
(1,J −3,814z、 Ct−H)、 7.
23〜7.38 (5H,m、 a rona
t i cprotons)。
23〜7.38 (5H,m、 a rona
t i cprotons)。
Maas m/@ 251 (Mal)″ 、
163゜144 (M−OCH雪Ph)’、 1
35゜91゜ 元素分析値 CIa H+ s Oaとして計算値 c
; 67.1B、H; 7.25%分析値 C,67
,15,Hi 7.17%参考例6 (2R,6R)−2−(1−(S)−ベンジルオキシエ
チルツー6−メチル−1,3−ジオキサン−4−オン2
.21 g (8,81mmo 1)をエーテル50m
1に溶かし、−60℃で水素化ジイソブチルアルミニウ
ム(IMのn−ヘキサン溶液)10.5ml (10
,5mmo l)を加え、同温度で30分撹拌した。水
冷上反応液をロッシェル塩水溶液(10g/40m1)
とエーテル40m1の混合液に加え、2層が透明になる
まで撹拌し、分液した。有機層を飽和食塩水で洗浄後硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去して得られ
た残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル;ヘキ
サン:エーテル−4:1→3:1)で精製して、(2R
,SR) −2−(1−(S)−ベンジルオキシエチル
ツー6−メチル−1,3−ジオキサン−4−オール2.
14g(収率96%)を無色油伏物として得た0本品は
H−NMRデータより4位水Haの立体化学は(R)一
体と(S)一体の混合物であり、その生成比は、例えば
c*−Hの積分比から(R)(64,57): (S
)(63,52)−1+ 1.13であることが明らか
となったが、これらは分離することなく混合物のまま次
の参考例7の原料として用いた。
163゜144 (M−OCH雪Ph)’、 1
35゜91゜ 元素分析値 CIa H+ s Oaとして計算値 c
; 67.1B、H; 7.25%分析値 C,67
,15,Hi 7.17%参考例6 (2R,6R)−2−(1−(S)−ベンジルオキシエ
チルツー6−メチル−1,3−ジオキサン−4−オン2
.21 g (8,81mmo 1)をエーテル50m
1に溶かし、−60℃で水素化ジイソブチルアルミニウ
ム(IMのn−ヘキサン溶液)10.5ml (10
,5mmo l)を加え、同温度で30分撹拌した。水
冷上反応液をロッシェル塩水溶液(10g/40m1)
とエーテル40m1の混合液に加え、2層が透明になる
まで撹拌し、分液した。有機層を飽和食塩水で洗浄後硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去して得られ
た残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル;ヘキ
サン:エーテル−4:1→3:1)で精製して、(2R
,SR) −2−(1−(S)−ベンジルオキシエチル
ツー6−メチル−1,3−ジオキサン−4−オール2.
14g(収率96%)を無色油伏物として得た0本品は
H−NMRデータより4位水Haの立体化学は(R)一
体と(S)一体の混合物であり、その生成比は、例えば
c*−Hの積分比から(R)(64,57): (S
)(63,52)−1+ 1.13であることが明らか
となったが、これらは分離することなく混合物のまま次
の参考例7の原料として用いた。
IR(neat)3300〜3500br。
298G、2950.289G、1445゜1370.
1100.700ロー1 H−NMR(CDC1*)δ:1.20 (3HxO,
53,d、 J=6.4Hz。
1100.700ロー1 H−NMR(CDC1*)δ:1.20 (3HxO,
53,d、 J=6.4Hz。
CHCHOBn(A))1.21(3HxO,5(。
d、 J−6,3Hz、 C1−CH5(^))1
.22 (3HX0.47. d、 J−6,5
Hz。
.22 (3HX0.47. d、 J−6,5
Hz。
CHsCHOB n(B)) 1.26 (3HX O
,47゜d、 J=6.2Hz、Ca−CI(s(B
))1.34 (IHxO,47,ddd、 J=9.
6゜11.3及び12−8Hz * Cs−Ha x
(B)Ll、63 (IHxO153,ddd、
J−1,2゜3.0及び13.3Hz、C5−Heq
(^))。
,47゜d、 J=6.2Hz、Ca−CI(s(B
))1.34 (IHxO,47,ddd、 J=9.
6゜11.3及び12−8Hz * Cs−Ha x
(B)Ll、63 (IHxO153,ddd、
J−1,2゜3.0及び13.3Hz、C5−Heq
(^))。
1.70 (IHxO,53,ddda、J−2,0
゜3.4.11.3及び13.3Hz、C,−Hax(
A))、1.81 (IH,xO,47゜ddd、J
−2,3,2,4及び12.8Hz。
゜3.4.11.3及び13.3Hz、C,−Hax(
A))、1.81 (IH,xO,47゜ddd、J
−2,3,2,4及び12.8Hz。
C5−Haq(B))、2.89 (IHXo、53
゜dd、J−2,0及び2.3Hz、0H(A))。
゜dd、J−2,0及び2.3Hz、0H(A))。
3.24 (IH,Xo、47. d、 J−6
,7Hz、0)1(B))、3.52 (11(Xo
、53゜dq、J−4,7及び6.4Hz、C且OB
n (A))。
,7Hz、0)1(B))、3.52 (11(Xo
、53゜dq、J−4,7及び6.4Hz、C且OB
n (A))。
3.60 (IHxO,47,dq、J−4゜7及び
6.4H2,CHOBn(B))、3.73(IHXO
,4?、ddq、J−2,3,6,2及び11.3Hz
、Ca−H(B))14.22 (I HX O,5
3゜ddq、J−3,0,6,2及び11.3Hz。
6.4H2,CHOBn(B))、3.73(IHXO
,4?、ddq、J−2,3,6,2及び11.3Hz
、Ca−H(B))14.22 (I HX O,5
3゜ddq、J−3,0,6,2及び11.3Hz。
Ch H(^))、4.57 (IHxO,4’
7. d。
7. d。
J−4,6Hz、Cm−H(B))、4.66(2HX
0.53. s、CH書Ph(A))。
0.53. s、CH書Ph(A))。
4.67 (2)lx O,47,s、CHAP h
(B))。
(B))。
4.91 (IHXo、47.ddd、 J−2,
4゜6.7及び9.6Hz、Cm−H(B))、5.1
4(IHXo、53. d、 J=4.7Hz。
4゜6.7及び9.6Hz、Cm−H(B))、5.1
4(IHXo、53. d、 J=4.7Hz。
C霊−)1(A))、5.42 (IHXo、53゜
ddd、J−1,2,2,3及び3.4Hz +Ca−
H(A))、7.3〜7.4 (5H,m。
ddd、J−1,2,2,3及び3.4Hz +Ca−
H(A))、7.3〜7.4 (5H,m。
aromatic prolong)。
但し、(^)を記したプロトンは、4S一体、(B)を
記したプロトンは4R一体のシグナルであることを示す
。
記したプロトンは4R一体のシグナルであることを示す
。
Mass
m/e
195、 146. 135゜
107.91゜
参考例7
(2R,6R) −2−(1−(S)−ベンジルオキシ
エチル)−6−メチル−1,3−ジオキサン−4−オー
ル7.63 g (30,2mmo l)をジクロロメ
タン100m1に熔かし、水冷下、トリエチルアミン1
2.6m l (90,4mm′o 1 )と塩化チ
オニル2.6ml (35,3mmo 1)を加え4
0℃で2時間攪拌した9反応液を室温に戻した後、エー
テルで希釈し水を加えて反応を停止した。有機層を分増
し、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を減圧留去して得られた残渣をカラ
ムクロマトグラフィー(シリカゲル;ヘキサン−ヘキサ
ン:エーテル50:1)で精製して、(2R,5R)−
2−(1−(S)−ベンジルオキシエチル)−6−メチ
ル−2H,6H−1,3−ジオキシン4.’33g(収
率70%4)を黄色油状物として得た。
エチル)−6−メチル−1,3−ジオキサン−4−オー
ル7.63 g (30,2mmo l)をジクロロメ
タン100m1に熔かし、水冷下、トリエチルアミン1
2.6m l (90,4mm′o 1 )と塩化チ
オニル2.6ml (35,3mmo 1)を加え4
0℃で2時間攪拌した9反応液を室温に戻した後、エー
テルで希釈し水を加えて反応を停止した。有機層を分増
し、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を減圧留去して得られた残渣をカラ
ムクロマトグラフィー(シリカゲル;ヘキサン−ヘキサ
ン:エーテル50:1)で精製して、(2R,5R)−
2−(1−(S)−ベンジルオキシエチル)−6−メチ
ル−2H,6H−1,3−ジオキシン4.’33g(収
率70%4)を黄色油状物として得た。
〔α)” −51,9° (C−1,22,CHCl
5)IR(naet)2990.2B70.1640゜
1450.1312.122G、730゜695cm−
’ H−NMR(CDCIs)δ: 1.23 (3H,d
。
5)IR(naet)2990.2B70.1640゜
1450.1312.122G、730゜695cm−
’ H−NMR(CDCIs)δ: 1.23 (3H,d
。
J = 6 、4 Hz 、 CHs CHOB n
) 。
) 。
1.26 (3H,d、J−6,4H2,CHsCHC
H富)、3.62 (IH,dq、J−4,4及び6.
4Hz、C旦0Bn)、4.52(11(、dq、J−
1,3及び6.4H2゜Cb−H)、4.67 (2H
,s、CHmPh)。
H富)、3.62 (IH,dq、J−4,4及び6.
4Hz、C旦0Bn)、4.52(11(、dq、J−
1,3及び6.4H2゜Cb−H)、4.67 (2H
,s、CHmPh)。
4.78 (IH,dd、J−1,3及び6.4Hz
、 C5−H)、 4.93 (IH,d。
、 C5−H)、 4.93 (IH,d。
J−1,5及び6.4Hz、Ca−H)。
7.32 (5H,s、 a r oma t
l cprotons)。
l cprotons)。
Mass m/e 234 (M”)、
143(M−CI(*Ph)” 、 135. 9
1゜(2R,6R)−2−(1−(S)−ベンジルオ
キシエチル〕−6−メチル−2H,−6H−1,3−ジ
オキシン2.80 g (12,0mm o 1 )を
トルエフ30m1に溶かL、−60℃でクロロスルホニ
ルイソシアネー) 1.15m1 (13,2mmo
1)を加え、同温度で3時間撹拌した後、反応液を−
70℃に冷却し、トルエン60m1と2Mの水素化ビス
(メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウムのトルエ
ン溶液7.2mlを加え、徐々に昇温し、−50℃で1
時間攪拌した0反応液を氷冷したロッシェル塩水溶液(
60g/200m1)とトルエン100m1の混合液に
移し、同温度で30分撹拌した。不溶物を濾過し、有機
層を分取し、飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウム
で乾熾した後、溶媒を減圧留去して得られた残渣をカラ
ムクロマトグラフィー(シリカゲル;ヘキサン:酢酸エ
チル−5:1→1:l)で精製して、(Is、3R,S
R,6R)−8−アザ−3−(1−(S)−ベンジルオ
キシエチル)−5−メチル−2,4−ジオキサビシクロ
(4,2,0)オクタン−7−オン1.85g(収率5
6%)を無色結晶として得た。なお分析用サンプルは酢
酸エチル−n−ヘキサンの混合溶液から再結晶して得た
。
143(M−CI(*Ph)” 、 135. 9
1゜(2R,6R)−2−(1−(S)−ベンジルオ
キシエチル〕−6−メチル−2H,−6H−1,3−ジ
オキシン2.80 g (12,0mm o 1 )を
トルエフ30m1に溶かL、−60℃でクロロスルホニ
ルイソシアネー) 1.15m1 (13,2mmo
1)を加え、同温度で3時間撹拌した後、反応液を−
70℃に冷却し、トルエン60m1と2Mの水素化ビス
(メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウムのトルエ
ン溶液7.2mlを加え、徐々に昇温し、−50℃で1
時間攪拌した0反応液を氷冷したロッシェル塩水溶液(
60g/200m1)とトルエン100m1の混合液に
移し、同温度で30分撹拌した。不溶物を濾過し、有機
層を分取し、飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウム
で乾熾した後、溶媒を減圧留去して得られた残渣をカラ
ムクロマトグラフィー(シリカゲル;ヘキサン:酢酸エ
チル−5:1→1:l)で精製して、(Is、3R,S
R,6R)−8−アザ−3−(1−(S)−ベンジルオ
キシエチル)−5−メチル−2,4−ジオキサビシクロ
(4,2,0)オクタン−7−オン1.85g(収率5
6%)を無色結晶として得た。なお分析用サンプルは酢
酸エチル−n−ヘキサンの混合溶液から再結晶して得た
。
融点 103.0〜103.5℃
〔α〕富・ −30,9° (C−1,15,CHCl
*)IR(KBr) 3200. 1760. 17
15゜1380、 1158. 1118. 980゜
$95ai−’ HNMR(CDC11)δ: 1.21 (3H,
d。
*)IR(KBr) 3200. 1760. 17
15゜1380、 1158. 1118. 980゜
$95ai−’ HNMR(CDC11)δ: 1.21 (3H,
d。
J=6.5Hz、CHsCHOBn)。
1.43 (3H,d、 J=6.3Hz。
C且*CH) 、2.92 (IH,ddd。
J−4,2,4,6及び6.3H3CHC−0)。
3.56 (IH,dq、J=4.2及び6.5Hz、
CHOBn)、 4.22 (IH。
CHOBn)、 4.22 (IH。
quint、J=6.3Hz、C且CH,)。
4.65 (2H,s、 CHsPh)、 4.
86(11(、d、 J−4,2Hz、 C旦CHOB
n)。
86(11(、d、 J−4,2Hz、 C旦CHOB
n)。
5.43 (IH,d、 J=4.6Hz。
二基NH)、6.15 (IH,br、NH)。
7.26〜7.36 (5H,m。
aromatlc protons)。
Mass m/@ 27B (M+1)”、
232204、 171 (M−OCHtPh)”
元素分析値 C+sH**NOaとして針算値C;64
.9? H+6.91 N:5.05%。
232204、 171 (M−OCHtPh)”
元素分析値 C+sH**NOaとして針算値C;64
.9? H+6.91 N:5.05%。
分析値C;64.95 Is6.99 N:4.9
9%。
9%。
参考例9
(IS、、3R,SR,5R)−8−アザ−5−メチル
−2,4−ジオキサビシクロ(4,2,0)オクタン−
7−オン1.32g (4,75mmo 1)をエタノ
ール7 m lに溶かし、20%水酸化パラジウム−カ
ーボン90■を加えて水素雰囲気下、1晩攪拌した。不
溶物を濾過した後、溶媒を減圧留去して(is、3R,
SR,6R)−8−アザ−3−(1−(S)−ヒドロキ
シエチルゴー5−メチル−2,4−ジオキサビシクロ(
4,2,0)オクpンー’r−オン0.887g(定量
的収率)を無色結晶として得た。なお分析用サンプルは
酢酸エチル−n−ヘキサンの混合液から再結晶して得た
。
−2,4−ジオキサビシクロ(4,2,0)オクタン−
7−オン1.32g (4,75mmo 1)をエタノ
ール7 m lに溶かし、20%水酸化パラジウム−カ
ーボン90■を加えて水素雰囲気下、1晩攪拌した。不
溶物を濾過した後、溶媒を減圧留去して(is、3R,
SR,6R)−8−アザ−3−(1−(S)−ヒドロキ
シエチルゴー5−メチル−2,4−ジオキサビシクロ(
4,2,0)オクpンー’r−オン0.887g(定量
的収率)を無色結晶として得た。なお分析用サンプルは
酢酸エチル−n−ヘキサンの混合液から再結晶して得た
。
融点 91.5〜92.0℃
(&)%” +17.8°(C−1,08,CHCl
5)IR(KBr)3450.335G、3300゜1
?58.1380.1105.995゜70013−’ H−NMR(CDCIs)δ:1.22 (3t(、d
。
5)IR(KBr)3450.335G、3300゜1
?58.1380.1105.995゜70013−’ H−NMR(CDCIs)δ:1.22 (3t(、d
。
J=6.6Hz、 C且*CHOH)。
1.43 (3H,d、J=6.2Hz。
CHsCH)、2.08 (IH,d、J−4,6Hz
、OH)、2.92 (IH,ddd。
、OH)、2.92 (IH,ddd。
J−4,2,4,6及び6.4Hz、CI(C−〇)。
3.7〜3.9 (I H,m、CHOH)、4.24
(11(、qulnt、J−6,4Hz。
(11(、qulnt、J−6,4Hz。
CHs C旦) 、 4.72 (IH,d、 J−4
,6Hz、CHCHOH)、5.45 (LH。
,6Hz、CHCHOH)、5.45 (LH。
d、J=4.6Hz、CHNH)、6.16〜6.28
(I H,b r、NH)Mass m/e
188 (M+1)”+ 142(M CHs
CHOH)” 、 126.98゜元素分析値 Cs
Hls N Oaとして計算値C+51.33 H
;7.00 N;7.48%。
(I H,b r、NH)Mass m/e
188 (M+1)”+ 142(M CHs
CHOH)” 、 126.98゜元素分析値 Cs
Hls N Oaとして計算値C+51.33 H
;7.00 N;7.48%。
分析値C;51.20 H;7.12 N;7.4
3%。
3%。
(Is、3R,SR,6R)−8−アザ−3−(1−(
S)−ヒドロキシエチル〕−5−メチル−2,4−ジオ
キサビシクロ〔4゜2.0〕オクタン−7−オン88.
7g (4,74mmo 1)を四塩化炭素10m1.
アセトニトリル10m1.水15m1の混合液に溶かし
、過ヨウ素酸二水和物1.66 g (7,28mmo
1)と塩化ルテニウム(m)水和物19.7af (
0,087mmo 1)を加えて1時間撹拌した0反応
液にジクロロメタンを加え、有機物を抽出しさらに水層
をクロロホルム−エタノール3:1の混合溶媒で抽出し
、有機層を合わせて硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧留去して得られた残渣をカラムクロマトグラフィ
ー(シリカゲル、ジクロロメタン:アセトン−1:0〜
9:1)で精製して(Is、 3R,5R。
S)−ヒドロキシエチル〕−5−メチル−2,4−ジオ
キサビシクロ〔4゜2.0〕オクタン−7−オン88.
7g (4,74mmo 1)を四塩化炭素10m1.
アセトニトリル10m1.水15m1の混合液に溶かし
、過ヨウ素酸二水和物1.66 g (7,28mmo
1)と塩化ルテニウム(m)水和物19.7af (
0,087mmo 1)を加えて1時間撹拌した0反応
液にジクロロメタンを加え、有機物を抽出しさらに水層
をクロロホルム−エタノール3:1の混合溶媒で抽出し
、有機層を合わせて硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を減圧留去して得られた残渣をカラムクロマトグラフィ
ー(シリカゲル、ジクロロメタン:アセトン−1:0〜
9:1)で精製して(Is、 3R,5R。
6R)−8−アザ−3−アセチル−5−メチル−2,4
−ジオキサビシクロ(4,2,O)オクタン−7−オン
776■(収率88%)を無色結晶として得た。なお分
析用サンプルは、酢酸エチル−n−ヘキサン混合溶液か
ら再結晶して得た。
−ジオキサビシクロ(4,2,O)オクタン−7−オン
776■(収率88%)を無色結晶として得た。なお分
析用サンプルは、酢酸エチル−n−ヘキサン混合溶液か
ら再結晶して得た。
融点 86.5〜87.0℃
(α)” +16.9’ (C=1.14.CHCl
5)IR(KBr)3200.3000.1750゜1
735.1140.740cm−’ HNMR(CDC1g)δ! 1.48 (3H,d。
5)IR(KBr)3200.3000.1750゜1
735.1140.740cm−’ HNMR(CDC1g)δ! 1.48 (3H,d。
J−6,4Hz、CHCH)、2.26(3H,s、C
HsC=O)、3.00(IH,ddd、J−4,2及
び4.4及び6.4Hz、CHC=O)、4.32 (
IH。
HsC=O)、3.00(IH,ddd、J−4,2及
び4.4及び6.4Hz、CHC=O)、4.32 (
IH。
quint、J=6.4Hz、CHCHs’)。
5.06 (IH,s、 C旦C0CHs)。
5.48 (IH,d、 J−4,4Hz、 CHN
)。
)。
6.3〜6.6 (I H,b r、 NH)。
Mass m/a 186 (M+1)”(
M−CHsC−0)’ 。 98,69゜元素分析4
1 C# H+ r N O4トシテ計賞値C151
,89Ni5.99 Ni7.56%。
M−CHsC−0)’ 。 98,69゜元素分析4
1 C# H+ r N O4トシテ計賞値C151
,89Ni5.99 Ni7.56%。
分析イ直C:51.65 H;5.98 N;
7.40 %。
7.40 %。
(13,3R,5R,6R)−8−アザ−3−7セチル
ー5−メチル−214−ジオキサビシクロ(4,2,0
)オクタン−7−オン32.4■(0,175mmo
1)を酢酸エチル0.5afに溶かし、m−クロロ遇安
息香酸150.7m (0,70mmol)を加え10
分間攪拌した。溶媒を減圧留去して得られた残渣をカラ
ムクロマトグラフィ−(シリカゲル;ジクロロメタン:
アセトン−1:0〜9:1)で精製して(13,SR,
6R) −8−アザ−5−メチル−2,4−ジオキサビ
シクロ(4,2,0)オクタン−3,7−ジオン8.6
■(収″4131%)を無色結晶として得た。なお分析
用サンプルは1,2−ジクロロエタンから再結晶して得
た。
ー5−メチル−214−ジオキサビシクロ(4,2,0
)オクタン−7−オン32.4■(0,175mmo
1)を酢酸エチル0.5afに溶かし、m−クロロ遇安
息香酸150.7m (0,70mmol)を加え10
分間攪拌した。溶媒を減圧留去して得られた残渣をカラ
ムクロマトグラフィ−(シリカゲル;ジクロロメタン:
アセトン−1:0〜9:1)で精製して(13,SR,
6R) −8−アザ−5−メチル−2,4−ジオキサビ
シクロ(4,2,0)オクタン−3,7−ジオン8.6
■(収″4131%)を無色結晶として得た。なお分析
用サンプルは1,2−ジクロロエタンから再結晶して得
た。
融点 127〜127.5℃
(α〕諺’−140,2’ (C=1.02.Ac0E
t)。
t)。
tR(KBr)324G、3200.1775゜17’
40.1400.1200.1080゜1000.60
9cs−’ )(−NMR(CDCIs)δ: 1.55 (31(
、d。
40.1400.1200.1080゜1000.60
9cs−’ )(−NMR(CDCIs)δ: 1.55 (31(
、d。
J = 7.1)1 x、 C)Is) 、 3.5
0 (l H。
0 (l H。
ddd、 J−1,7,2,3及び4.4Hz、CH
C=0)、4.92 (IH,dq、J−1,7及び?
、IH! 、 CHs旦二基、5.80 <IH。
C=0)、4.92 (IH,dq、J−1,7及び?
、IH! 、 CHs旦二基、5.80 <IH。
d、J−4,4Hz、CHN)、6.7〜7.0(LH
,br、NH)。
,br、NH)。
Mass m/a 158 (N+1)’
、 113(M−Cow)’″ 、 98. 6
9゜元素分析値 Ch Hv N Oaとして計算[C
s45.8T H,4,49N+8.91%。
、 113(M−Cow)’″ 、 98. 6
9゜元素分析値 Ch Hv N Oaとして計算[C
s45.8T H,4,49N+8.91%。
分析値C;45.79 H;4.36 NS8.9
0%。
0%。
(Is、 5R,6R)
=8−アザ−5−メチル−
2,4−ジオキサビシクロ(4,2,0)/オクタンー
3.7−ジオン11.2w (0,0? 1mmo l
)と亜鉛末28.7m (0,44mmo l)にT)
tFO,3mlを加え、加熱還流下3−(2−ブロモプ
ロピオニル)−4,4−ジブチル−5,5−ペンタメチ
レン−2−オキサゾリドン71m (0,18mmol
)のTHF (0,38m1)溶液を滴下した。2分後
、室温に冷却し、リン酸緩衝液とジクロロメタンを加え
た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留
去して得られた残渣をカラムクロマトグラフィー(シリ
カゲル;ヘキサン;酢酸エチル−7−3→1:1)で精
製して、(3S。
3.7−ジオン11.2w (0,0? 1mmo l
)と亜鉛末28.7m (0,44mmo l)にT)
tFO,3mlを加え、加熱還流下3−(2−ブロモプ
ロピオニル)−4,4−ジブチル−5,5−ペンタメチ
レン−2−オキサゾリドン71m (0,18mmol
)のTHF (0,38m1)溶液を滴下した。2分後
、室温に冷却し、リン酸緩衝液とジクロロメタンを加え
た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留
去して得られた残渣をカラムクロマトグラフィー(シリ
カゲル;ヘキサン;酢酸エチル−7−3→1:1)で精
製して、(3S。
4R)−3−(1−(R)−ヒドロキシエチル〕−4−
(1−(R)−(4,4−ジブチル−5,5−ペンタメ
チレン−2−オキサゾリドン−3−カルボニル)エチル
ゴー2−アゼチジノンおよび(3S。
(1−(R)−(4,4−ジブチル−5,5−ペンタメ
チレン−2−オキサゾリドン−3−カルボニル)エチル
ゴー2−アゼチジノンおよび(3S。
4R)−3−(1−(R)−ヒドロキシエチル〕−4−
(1−(S)−(4,4−ジブチル−5,5−ペンタメ
チレン−2−オキサゾリドン−3−カルボニル)エチル
ゴー2−アゼチジノンの3.3jlの混合11!+21
.8w (収率70%)を得た。このものをさらに精製
することなく、ジメチルホルムアミド溶液とし、イミダ
ゾール26m (0,38mmol)およびt−ブチル
ジメチルクロロシラン55弯(0,36mmo 1)を
加えて4時間撹拌シタ、反応液に水および酢酸エチルを
加えて分液し、有機層を飽和食塩水で洗浄後、溶媒を減
圧留去して得られる残渣をカラムクロマトグラフィー(
シリカゲル;ヘキサン;酢酸エチル−9:1)で精製し
て(33; 4R)−3−(1−(R)−t−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル)−4=(1−(R)−(4
,4−ジブチル−5,5−ペンタメチレン−2−オキサ
ゾリドン−3−カルボニル)エチルゴー2−アゼチジノ
ンおよび(33,4R)−3−(1−(R)−t−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル)−4−(1−(S)−
(4,4−ジブチル−5,5−ペンタメチレン−2−オ
キサゾリドン−3−カルボニル)エチルツー2−アゼチ
ジノンの混合物21.3■(収率99%)を無色結晶と
して得た0本品のH−NMR(CDCIり)測定を行っ
たところ、4位側鎖上の不斉炭素の立体配置が(S)一
体のCs −Hのピークが62.81 ppmに、また
(R)一体の03−Hのピークがδ3.41pps+に
観測された。これらのピーク積分比より、本孔は4位側
鎖のメチル基の立体配置が(R)のものと(S)のもの
の約3.5:lのジアステレオマー混合物であることが
判明した。
(1−(S)−(4,4−ジブチル−5,5−ペンタメ
チレン−2−オキサゾリドン−3−カルボニル)エチル
ゴー2−アゼチジノンの3.3jlの混合11!+21
.8w (収率70%)を得た。このものをさらに精製
することなく、ジメチルホルムアミド溶液とし、イミダ
ゾール26m (0,38mmol)およびt−ブチル
ジメチルクロロシラン55弯(0,36mmo 1)を
加えて4時間撹拌シタ、反応液に水および酢酸エチルを
加えて分液し、有機層を飽和食塩水で洗浄後、溶媒を減
圧留去して得られる残渣をカラムクロマトグラフィー(
シリカゲル;ヘキサン;酢酸エチル−9:1)で精製し
て(33; 4R)−3−(1−(R)−t−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル)−4=(1−(R)−(4
,4−ジブチル−5,5−ペンタメチレン−2−オキサ
ゾリドン−3−カルボニル)エチルゴー2−アゼチジノ
ンおよび(33,4R)−3−(1−(R)−t−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル)−4−(1−(S)−
(4,4−ジブチル−5,5−ペンタメチレン−2−オ
キサゾリドン−3−カルボニル)エチルツー2−アゼチ
ジノンの混合物21.3■(収率99%)を無色結晶と
して得た0本品のH−NMR(CDCIり)測定を行っ
たところ、4位側鎖上の不斉炭素の立体配置が(S)一
体のCs −Hのピークが62.81 ppmに、また
(R)一体の03−Hのピークがδ3.41pps+に
観測された。これらのピーク積分比より、本孔は4位側
鎖のメチル基の立体配置が(R)のものと(S)のもの
の約3.5:lのジアステレオマー混合物であることが
判明した。
IR(KBr)1780.1768.1714cm−’
H−NMR(CDCIm)δ+ 0.10 (6H,s
。
H−NMR(CDCIm)δ+ 0.10 (6H,s
。
(CHs)茸Sl)、0.8〜2.2(43)1゜m、
その他のプロトン)、2.81 (IHXO,22,
d、J=5.21(x、 (S)−C雪−H) 、
3.41 (IHxo、78. dd、 J −2,0
,4,1Hz、 (R)−Cs−H)。
その他のプロトン)、2.81 (IHXO,22,
d、J=5.21(x、 (S)−C雪−H) 、
3.41 (IHxo、78. dd、 J −2,0
,4,1Hz、 (R)−Cs−H)。
3.7−4.3 (3H,m、 CHO,CHN。
CHCO)、 5.89 (IH,bs、NH)。
(Is、5R,6R)−8−アザ−5−メチル−2,4
−ジオキサビシクロ(4,2,0)オクタン−3,7−
ジオン12.1m (0,077mmo りと亜鉛末3
i、ow (0,47mmo 1)にTHF(0,3
m1)溶液を滴下した。2分後、室温に冷却し、リン酸
緩衝液と酢酸エチルを加え分液した。
−ジオキサビシクロ(4,2,0)オクタン−3,7−
ジオン12.1m (0,077mmo りと亜鉛末3
i、ow (0,47mmo 1)にTHF(0,3
m1)溶液を滴下した。2分後、室温に冷却し、リン酸
緩衝液と酢酸エチルを加え分液した。
有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し
て得られる残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲ
ル:ヘキサン:酢酸エチル−7:3−189)で精製し
て(33,4R)−3−(1−(Rン−ヒドロキシエチ
ル)−4−(1−(R)−(4,4−ジメチル−2−オ
キサゾリドン−3−カルボニル)エチルツー2−アゼチ
ジノン及び(3S。
て得られる残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲ
ル:ヘキサン:酢酸エチル−7:3−189)で精製し
て(33,4R)−3−(1−(Rン−ヒドロキシエチ
ル)−4−(1−(R)−(4,4−ジメチル−2−オ
キサゾリドン−3−カルボニル)エチルツー2−アゼチ
ジノン及び(3S。
4R)−3−[1−(R)−ヒドロキシエチル〕−4−
(1−(S)−(4,4−ジメチル−2−オキサゾリド
ン−3−カルボニル)エチル)−2−アゼチジノンの混
合物13.9*(収率64%)を得た。
(1−(S)−(4,4−ジメチル−2−オキサゾリド
ン−3−カルボニル)エチル)−2−アゼチジノンの混
合物13.9*(収率64%)を得た。
このものを、さらに精製することなく、ジメチルホルム
アミド溶液とし、イミダゾール36■(0,53mmo
1) 、及びt−ブチルジメチルクロロシラン80■
(0,53mmo りを加えて1晩攪拌した0反応液に
水及び酢酸エチルを加えて分液し、有機層を飽和食塩水
で洗浄後、溶媒を減圧留去して得られる残渣をカラムク
ロマトグラフィー(シリカゲル;ヘキサン:酢酸エチル
−9:1→2:1)で精製して(3S、4R)−3−(
1−(R)−t−ブチルジメチルシリルオキシエチル)
−4−(1−(R)−(4,4−ジメチル−2−オキサ
ゾリドン−3−カルボニル)エチルツー2−アゼチジノ
ン及び(3R,4R)−3−(1−(R)−t−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル)−4−(1−(S)−(
4,4−ジメチル−2−オキサゾリドン−3−カルボニ
ル)エチル)−2−アゼチジノンの混合物14.0m(
収率72%)を得た。
アミド溶液とし、イミダゾール36■(0,53mmo
1) 、及びt−ブチルジメチルクロロシラン80■
(0,53mmo りを加えて1晩攪拌した0反応液に
水及び酢酸エチルを加えて分液し、有機層を飽和食塩水
で洗浄後、溶媒を減圧留去して得られる残渣をカラムク
ロマトグラフィー(シリカゲル;ヘキサン:酢酸エチル
−9:1→2:1)で精製して(3S、4R)−3−(
1−(R)−t−ブチルジメチルシリルオキシエチル)
−4−(1−(R)−(4,4−ジメチル−2−オキサ
ゾリドン−3−カルボニル)エチルツー2−アゼチジノ
ン及び(3R,4R)−3−(1−(R)−t−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル)−4−(1−(S)−(
4,4−ジメチル−2−オキサゾリドン−3−カルボニ
ル)エチル)−2−アゼチジノンの混合物14.0m(
収率72%)を得た。
本孔のH−NMR(CDCIs)を測定したところ、4
位側鎖上の不斉炭素の立体配置が(S)−体のCs −
Hのピークが62.80ppmに、また(R)一体のC
sHのピークが63.OOppmに観測された。これら
のピークの積分比より、本孔は4位側鎖のメチル基の立
体配置が(R)のものと(S)のものとの2種類のジア
ステレオマーの約2:1の混合物であることが判明した
。
位側鎖上の不斉炭素の立体配置が(S)−体のCs −
Hのピークが62.80ppmに、また(R)一体のC
sHのピークが63.OOppmに観測された。これら
のピークの積分比より、本孔は4位側鎖のメチル基の立
体配置が(R)のものと(S)のものとの2種類のジア
ステレオマーの約2:1の混合物であることが判明した
。
夏R(KBr)1762.17133−’H−NMR(
CDCIs)δ: 0.0? (6H,s。
CDCIs)δ: 0.0? (6H,s。
(CHs)ms l) 、0.87 (9H,s。
(CHs)ac)、 1.1〜1.3 (6H,m
。
。
CHCHCO)、1.55 (2M、a。
CHx> 、2.80 (IHxO,33,m。
(S)−Cs−H)、3.00 (IHxo、67゜m
、 (R)−C! H)、3.7〜4.3(3H,m
、その他のプロトン)、5.91(1’H,bs、NH
)。
、 (R)−C! H)、3.7〜4.3(3H,m
、その他のプロトン)、5.91(1’H,bs、NH
)。
手
続
?+Ii
正
書
(自発)
平成元年12月
特許庁長官 吉 1)文 股 殴
1、事件の表示
昭和63年特許願第325941号
2、発明の名称
メチル−β−ラクタムの製造方法
3、補正をする者
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で表される2−オキソ−1,3−ジオキサン誘導体を亜
鉛末存在下、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、Xは塩素、臭素またはヨウ素を表し、R^1〜
R^4は同一あるいは異なって、水素原子、アリール基
もしくはC_1〜C_5の低級アルキル基を表すか、ま
たはR^1とR^2あるいはR^3とR^4は各々一緒
になってアルキレン鎖を形成する。〕で表されるα−ハ
ロプロピオン酸誘導体で処理することを特徴とする一般
式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、R^1〜R^4は同一あるいは異なって、水素
原子、アリール基もしくはC_1〜C_5の低級アルキ
ル基を表すか、またはR^1とR^2あるいはR^3と
R^4は各々一緒になってアルキレン鎖を形成する。R
^5は、水素原子もしくは水酸基の保護基を表す。〕で
表されるメチル−β−ラクタムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325941A JPH02172987A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | メチル―β―ラクタムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325941A JPH02172987A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | メチル―β―ラクタムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172987A true JPH02172987A (ja) | 1990-07-04 |
Family
ID=18182310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325941A Pending JPH02172987A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | メチル―β―ラクタムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172987A (ja) |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP63325941A patent/JPH02172987A/ja active Pending
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