JPH02173285A - スタンパの製造方法 - Google Patents
スタンパの製造方法Info
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- JPH02173285A JPH02173285A JP32674288A JP32674288A JPH02173285A JP H02173285 A JPH02173285 A JP H02173285A JP 32674288 A JP32674288 A JP 32674288A JP 32674288 A JP32674288 A JP 32674288A JP H02173285 A JPH02173285 A JP H02173285A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスク、即ちコンパクトディスク。
レーザディスク、光記録媒体等のレプリカ成型用スタン
パの製造方法に関する。
パの製造方法に関する。
表面を研磨してキズやヤケ等の表面欠陥を取除き、洗浄
して清浄な表面とＬまたガラス盤に、ホトレジストとの
密着を良くする目的でシランカップリング剤処理による
シラン処理を施し、スピンナを用いてホトレジストを塗
布してガラス原盤Ｆに感光膜を形成し、次にレーザ光に
より信号を露光記録し、現像処理を行って信号ピットを
形成する。
して清浄な表面とＬまたガラス盤に、ホトレジストとの
密着を良くする目的でシランカップリング剤処理による
シラン処理を施し、スピンナを用いてホトレジストを塗
布してガラス原盤Ｆに感光膜を形成し、次にレーザ光に
より信号を露光記録し、現像処理を行って信号ピットを
形成する。
次に信号ピットの形成されたホトレジスト１１９而に蒸
着又はスパッタリングによりニッケル導電膜を形成して
、ニッケル電Ｍを行ってスタンパ製造していた。
着又はスパッタリングによりニッケル導電膜を形成して
、ニッケル電Ｍを行ってスタンパ製造していた。
従来技術では、しばしばＮ ２７Ｆ後のスタンパの表面
に、シミやくもりが発生し、不良となることかある。こ
のスタンパ表面のシミやくも幻は顕微鏡は第５図（Ｂ）
の如く凹となっていてそれらの微小な円囲の集まりであ
ることがわかった。そこでこの微小凹の発律の原因を追
求した所、その原因は未感光部分のホトレジストが現像
終了後ニッケル導電膜を付けた）Ｃｌ ｅｔに感光して
第１弐に示す如き反応によりホトレジスト中に遊離、溶
解していたた窒素がニッケル電鋳時の勢のためホトレジ
スト中から分離して、レジスト１（りとニッケル導電Ｉ
Ｐｉの間に集まり６、ついにはニッケル導電膜を押上げ
第６図（Ａ）に示す様に凸部（ふくれ）５を作ったり、
又は第６図（Ｂ）に示す様にレジスト部が発泡フして凸
部５を作るためにシミ、くもりが出来ることをつきとめ
た。
に、シミやくもりが発生し、不良となることかある。こ
のスタンパ表面のシミやくも幻は顕微鏡は第５図（Ｂ）
の如く凹となっていてそれらの微小な円囲の集まりであ
ることがわかった。そこでこの微小凹の発律の原因を追
求した所、その原因は未感光部分のホトレジストが現像
終了後ニッケル導電膜を付けた）Ｃｌ ｅｔに感光して
第１弐に示す如き反応によりホトレジスト中に遊離、溶
解していたた窒素がニッケル電鋳時の勢のためホトレジ
スト中から分離して、レジスト１（りとニッケル導電Ｉ
Ｐｉの間に集まり６、ついにはニッケル導電膜を押上げ
第６図（Ａ）に示す様に凸部（ふくれ）５を作ったり、
又は第６図（Ｂ）に示す様にレジスト部が発泡フして凸
部５を作るためにシミ、くもりが出来ることをつきとめ
た。
そこで本発明者は神々検討の結果、かかるスタンパ表面
のシミ、くもり等の発生の原因であるホトレジスト中の
窒素を排除した後、電鋳工程を行えば良好なスタンパが
得られるこ七がわかった。
のシミ、くもり等の発生の原因であるホトレジスト中の
窒素を排除した後、電鋳工程を行えば良好なスタンパが
得られるこ七がわかった。
即ちホトレジストを塗布したガラス原盤をレーザ光を用
いて信号を露光記録し現像して信号ピットを形成した後
、未露光部のホトレジスト膜面に光を照射して完全に露
光感光させた後、７０〜１１θ℃で１０〜３０分熱処理
を行い感光によりホトレジスト膜中に遊離溶解している
窒素をホトレジスト膜中から拡散、放散させてから信号
ピットの形成されたホトレジスト膜面にニッケル導Ｎ
１１９を付けてニッケル電鋳を行えば良好なスタンパが
得られる。ここで、未露光部のホトレジスト１１りを感
光させるための照射光源としては、ホトレジストの光の
波長感度曲線が第３図の如＜４５０ｎｍより短波長であ
るから、水銀ランプ、キセノンランプが最も適している
が、ハロゲンランプも使うことができる。第４図に各光
源の発光スペクトラムを示す。
いて信号を露光記録し現像して信号ピットを形成した後
、未露光部のホトレジスト膜面に光を照射して完全に露
光感光させた後、７０〜１１θ℃で１０〜３０分熱処理
を行い感光によりホトレジスト膜中に遊離溶解している
窒素をホトレジスト膜中から拡散、放散させてから信号
ピットの形成されたホトレジスト膜面にニッケル導Ｎ
１１９を付けてニッケル電鋳を行えば良好なスタンパが
得られる。ここで、未露光部のホトレジスト１１りを感
光させるための照射光源としては、ホトレジストの光の
波長感度曲線が第３図の如＜４５０ｎｍより短波長であ
るから、水銀ランプ、キセノンランプが最も適している
が、ハロゲンランプも使うことができる。第４図に各光
源の発光スペクトラムを示す。
ポジ型ホトレジストは感光基として一般にキノンジアジ
ドが用いられ、その感光のａ＋ＭはＣＡ） ＣＢ
） （ｃ） ｃｏ）！１１式に示す如き反
応で光の照射を受は窒素を放出しホトレジス）ｌ中又は
外部の水分と反応して最終的にはインデンカルボン酸と
なり現像液のアルカリに溶解する。この感光反応によっ
て生じた窒素が悪影響を及ぼす。即ち、本文中に詳述し
た如くニッケルｉ７ｉ電膜を付けた後に未露光部のホト
レジスト膜が露光され感光すると遊離した窒素の逃げ場
がなくなりニッケル導電膜とホトレジスト膜との間に集
まり遂にはニッケル導電膜を押上げフクレを生じたり又
熱が掛かるとホトレジスト膜がやや軟化し膜中で膨張し
ホトレジスト膜を発泡させてフクレを生する。そこで、
ニッケル導電膜を付ける前に未露光部のホトレジスト膜
に光を照射して完全に露光感光させ膜中に遊離した窒素
を加熱処理により膜外に放散した後、ニッケルＷ電膜を
付けて電鋳を行えばフクレによるシミやくもりなどのな
い良好なスタンパを作ることができる。
ドが用いられ、その感光のａ＋ＭはＣＡ） ＣＢ
） （ｃ） ｃｏ）！１１式に示す如き反
応で光の照射を受は窒素を放出しホトレジス）ｌ中又は
外部の水分と反応して最終的にはインデンカルボン酸と
なり現像液のアルカリに溶解する。この感光反応によっ
て生じた窒素が悪影響を及ぼす。即ち、本文中に詳述し
た如くニッケルｉ７ｉ電膜を付けた後に未露光部のホト
レジスト膜が露光され感光すると遊離した窒素の逃げ場
がなくなりニッケル導電膜とホトレジスト膜との間に集
まり遂にはニッケル導電膜を押上げフクレを生じたり又
熱が掛かるとホトレジスト膜がやや軟化し膜中で膨張し
ホトレジスト膜を発泡させてフクレを生する。そこで、
ニッケル導電膜を付ける前に未露光部のホトレジスト膜
に光を照射して完全に露光感光させ膜中に遊離した窒素
を加熱処理により膜外に放散した後、ニッケルＷ電膜を
付けて電鋳を行えばフクレによるシミやくもりなどのな
い良好なスタンパを作ることができる。
（実施例〕
以下実施例に基づき本発明について具体的に説明する。
第１図は本発明のスタンパ製造に於ける工程のンバの模
型図である。
型図である。
実施例（１）
鏡面研磨洗浄した直径２００ ｍｌ厚さ６龍のガラス原
盤Ｉにホトレジストとの密着を良くする目的で金属クロ
ムをスパッタリングにより１．６龍ｍの厚さのクロム膜
２を付け、その−トにスピンナを用いてポジ型ホトレジ
ストＡＺ−１３５０（ヘキストジャパン製）３を１２０
ｎｍの膜厚となるように塗、布し８０℃にて２０分プリ
ベータを行った後、レーザカッティングマシンによって
信号を露光記録し、現像液ＡＺデベロッパー（ヘキスト
ジャパン製）を用いて現像処理を行ないホトレジスｌ−
膜面に信号ピット８を形成させる。
盤Ｉにホトレジストとの密着を良くする目的で金属クロ
ムをスパッタリングにより１．６龍ｍの厚さのクロム膜
２を付け、その−トにスピンナを用いてポジ型ホトレジ
ストＡＺ−１３５０（ヘキストジャパン製）３を１２０
ｎｍの膜厚となるように塗、布し８０℃にて２０分プリ
ベータを行った後、レーザカッティングマシンによって
信号を露光記録し、現像液ＡＺデベロッパー（ヘキスト
ジャパン製）を用いて現像処理を行ないホトレジスｌ−
膜面に信号ピット８を形成させる。
次に未露光部ＩＱのホトレジスト面にハロゲンランプの
光を４０ｍｊ／ｃｆｆｉ２以上の光量となるよう照射し
た後９０℃のオーブン中で３０分間熱処理を行った後、
ニッケル導電Ｗｉ４をスパッタリングにより６５ｎｍの
厚さ付けて、ニッケルメッキ？容中で電鋳を行いニッケ
ル電鋳層９を形成し７コンパクトディスク用スタンパを
製造する。
光を４０ｍｊ／ｃｆｆｉ２以上の光量となるよう照射し
た後９０℃のオーブン中で３０分間熱処理を行った後、
ニッケル導電Ｗｉ４をスパッタリングにより６５ｎｍの
厚さ付けて、ニッケルメッキ？容中で電鋳を行いニッケ
ル電鋳層９を形成し７コンパクトディスク用スタンパを
製造する。
実施例（２）
鏡面研磨洗浄した直径３６０ ＋ｕ厚さ８１１のガラス
原盤にスピンナを用いてＨＭｒ）Ｓ （ヘキサメケルジ
シラサン）１２を塗布した後、ポジ型ホトレジストＡＺ
−１３５０をｒＰｉＰｌ １１０ ｎｍとなるよう塗布
３した後９０°、３０分オーブン中でブリベータを行い
、レーザカッティングマシンにより信号を露光記録した
後、ＡＺデベロパッーを用いて現像処理を行い、ホトレ
ジスト膜に信号ピットを形成した後、水銀ランプの光を
照射した後、オーブンを使って９０℃、２０分間熱処理
を行い、次にスパッタリングにより７０ｎｍの厚さニッ
ケル導電膜４を付けてニッケルメッキ溶中で電鋳を行い
ニッケル電鋳層９を形成しガラス原盤１から剥離しビデ
オディスク用スタンパを製造する。
原盤にスピンナを用いてＨＭｒ）Ｓ （ヘキサメケルジ
シラサン）１２を塗布した後、ポジ型ホトレジストＡＺ
−１３５０をｒＰｉＰｌ １１０ ｎｍとなるよう塗布
３した後９０°、３０分オーブン中でブリベータを行い
、レーザカッティングマシンにより信号を露光記録した
後、ＡＺデベロパッーを用いて現像処理を行い、ホトレ
ジスト膜に信号ピットを形成した後、水銀ランプの光を
照射した後、オーブンを使って９０℃、２０分間熱処理
を行い、次にスパッタリングにより７０ｎｍの厚さニッ
ケル導電膜４を付けてニッケルメッキ溶中で電鋳を行い
ニッケル電鋳層９を形成しガラス原盤１から剥離しビデ
オディスク用スタンパを製造する。
以上実施例の如く、現像後に未露光ホトレジスト面を光
を照射して露光感光させた後熱処理を施してニッケル導
電膜を付けてニッケル電鋳を行えば、ホトレジスト膜中
より気体の発生がないため電鋳時の発熱によってもホト
レジスト膜及びニッケル導電膜の変形が起こらず良好な
スタンパを製造することができる。
を照射して露光感光させた後熱処理を施してニッケル導
電膜を付けてニッケル電鋳を行えば、ホトレジスト膜中
より気体の発生がないため電鋳時の発熱によってもホト
レジスト膜及びニッケル導電膜の変形が起こらず良好な
スタンパを製造することができる。
第１図は本発明の一実施例の工程図、第２図は本発明の
装置によって成るスタンパの模型図、第３図はホトレジ
ストの分光感度曲線を示す図、第４図は各光源の発光ス
ペクトラムで、第５図（Ａ）。 （Ｂ）及び第６図（Ａ） 、 （８）は従来技術を説明
するための図である。 １・・・ガラス原盤 ２・・・クロムＩＩ＋、！
３・・・ホトレジスト ４・・・ニッケル窩電１１
り８・・・信号ピット ９・・・ニッケル電鋳層
り’ＩＪ ｃ７Ｌｔｗ） 矛 ５ ｊニー＋
装置によって成るスタンパの模型図、第３図はホトレジ
ストの分光感度曲線を示す図、第４図は各光源の発光ス
ペクトラムで、第５図（Ａ）。 （Ｂ）及び第６図（Ａ） 、 （８）は従来技術を説明
するための図である。 １・・・ガラス原盤 ２・・・クロムＩＩ＋、！
３・・・ホトレジスト ４・・・ニッケル窩電１１
り８・・・信号ピット ９・・・ニッケル電鋳層
り’ＩＪ ｃ７Ｌｔｗ） 矛 ５ ｊニー＋
Claims (1)
- 鏡面研磨洗浄したガラス原盤にホトレジストを塗布した
後、信号で変調したレーザ光により露光記録し、現像処
理を行い、ホトレジスト膜面に信号ピットを形成し、導
電膜を付けた後、ニッケル電鋳を行ってスタンパ製造す
るスタンパ製造方法において、信号ピットの形成された
ニッケル電鋳前の状態でホトレジスト膜面全面に光照射
して全面を露光感光させ、次に加熱処理を行った後、信
号ピットの形成されたホトレジスト膜面に導電膜を付け
てニッケル電鋳を行うことを特徴とするスタンパの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32674288A JPH02173285A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32674288A JPH02173285A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02173285A true JPH02173285A (ja) | 1990-07-04 |
Family
ID=18191175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32674288A Pending JPH02173285A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02173285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423477B1 (en) * | 1997-10-07 | 2002-07-23 | Odme International B.V. | Method of manufacturing a stamper for producing optical discs, a stamper thus obtained and an optical disc obtained by using such a stamper |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103194A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | Hitachi Ltd | スタンパとその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-24 JP JP32674288A patent/JPH02173285A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103194A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | Hitachi Ltd | スタンパとその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423477B1 (en) * | 1997-10-07 | 2002-07-23 | Odme International B.V. | Method of manufacturing a stamper for producing optical discs, a stamper thus obtained and an optical disc obtained by using such a stamper |
| USRE39434E1 (en) * | 1997-10-07 | 2006-12-19 | Otb Group B.V. | Method of manufacturing a stamper for producing optical discs, a stamper thus obtained and an optical disc obtained by using such a stamper |
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