JPH02281932A - 光メモリ用スタンパの製造方法 - Google Patents
光メモリ用スタンパの製造方法Info
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- JPH02281932A JPH02281932A JP10372089A JP10372089A JPH02281932A JP H02281932 A JPH02281932 A JP H02281932A JP 10372089 A JP10372089 A JP 10372089A JP 10372089 A JP10372089 A JP 10372089A JP H02281932 A JPH02281932 A JP H02281932A
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- Japan
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- development
- optical memory
- glass substrate
- stamper
- film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/70—Maintenance
- B29C33/72—Cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
- B29C45/2632—Stampers; Mountings thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野）
本発明は光メモリ用ディスク基板の製造の際に使用され
る金型であるスタンバの製造工程において使用されるガ
ラス基板の洗浄方法に関する。
る金型であるスタンバの製造工程において使用されるガ
ラス基板の洗浄方法に関する。
［従来の技術１
従来の光メモリ用スタンパの製造工程は以下に述べると
おりである。
おりである。
まずガラス基板の表面（スタンパ形成面）に光学研究次
いで水あるいは有機溶剤を用いた精密洗浄を施す０次に
ガラス基板上にフォトレジストを所定の厚みに塗布、プ
リベータを行い、冷却後、所定の変調を施されたレーザ
ビームにより露光を行い、現像、ボストベーク後、微細
なレジストパターンを得る。このレジストパターンに導
体化処理を施し、電鋳膜を形成してレジストパターンを
電鋳膜表面に転写し、この電鋳膜を整形することにより
スタンバを得る。
いで水あるいは有機溶剤を用いた精密洗浄を施す０次に
ガラス基板上にフォトレジストを所定の厚みに塗布、プ
リベータを行い、冷却後、所定の変調を施されたレーザ
ビームにより露光を行い、現像、ボストベーク後、微細
なレジストパターンを得る。このレジストパターンに導
体化処理を施し、電鋳膜を形成してレジストパターンを
電鋳膜表面に転写し、この電鋳膜を整形することにより
スタンバを得る。
Ｅ発明が解決しようとする課題〕
しかし、前述の従来技術であるスタンバ製造工程では、
約０．１ｕｍ程度の極端に薄いレジスト膜を用いてフォ
トリングラフィを行うため、現像工程においてレジスト
全面を均一に現像するのが非常に困難であり、結果とし
て現像ムラが生じることがあり、その場合これがそのま
ま電鋳膜表面に転写され、即ち、スタンバ表面の外観不
良による歩留り低下という問題点を有していた。特に、
案内溝としてＶ型溝を形成する場合は、現像がレジスト
膜の途中までしか行われない、いわゆるハーフトーン現
像であるためさらに現像ムラが生じ易くなる。この課題
を解決するための一つのアプローチとして現像装置での
改良がある。即ち、現像液等の薬液を吐出するノズルの
形状やノズルのガラス基板に対する配置などを工夫する
ことにより現像の均一性を向上させ、現像ムラを解消し
ようというものであるが、しかし、現像工程における現
像を時間的・空間的に細分化して見ていった場合、レジ
スト全面が全く同一条件で現像されるということはない
、即ち、現像装置側からのアプローチにはおのずと限界
があり、光メモリ用スタンバの製造工程の現像工程は、
特にハーフトーン現像を行う場合、前述の微視的な現像
処理の不均一性が大きく影響するレベルにあり、現像ム
ラによる不良率が高かった。そこで本発明はこのような
課題を解決するものでその目的とするところは光メモリ
用スタンバの製造工程における歩留まりを向上させると
ころにある。
約０．１ｕｍ程度の極端に薄いレジスト膜を用いてフォ
トリングラフィを行うため、現像工程においてレジスト
全面を均一に現像するのが非常に困難であり、結果とし
て現像ムラが生じることがあり、その場合これがそのま
ま電鋳膜表面に転写され、即ち、スタンバ表面の外観不
良による歩留り低下という問題点を有していた。特に、
案内溝としてＶ型溝を形成する場合は、現像がレジスト
膜の途中までしか行われない、いわゆるハーフトーン現
像であるためさらに現像ムラが生じ易くなる。この課題
を解決するための一つのアプローチとして現像装置での
改良がある。即ち、現像液等の薬液を吐出するノズルの
形状やノズルのガラス基板に対する配置などを工夫する
ことにより現像の均一性を向上させ、現像ムラを解消し
ようというものであるが、しかし、現像工程における現
像を時間的・空間的に細分化して見ていった場合、レジ
スト全面が全く同一条件で現像されるということはない
、即ち、現像装置側からのアプローチにはおのずと限界
があり、光メモリ用スタンバの製造工程の現像工程は、
特にハーフトーン現像を行う場合、前述の微視的な現像
処理の不均一性が大きく影響するレベルにあり、現像ム
ラによる不良率が高かった。そこで本発明はこのような
課題を解決するものでその目的とするところは光メモリ
用スタンバの製造工程における歩留まりを向上させると
ころにある。
本発明の光メモリ用スタンバの製造方法は、ガラス基板
上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜に
露光・現像処理を施して得られるレジストパターン上に
導体化・電鋳処理を施して電鋳膜を得、該電鋳膜を整形
することによりスタンバを製造する光メモリ用スタンバ
の製造工程において、該フォトレジスト膜の形成工程の
前工程としてガラス基板表面の遠紫外線照射工程を行う
ことを特徴とする。
上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜に
露光・現像処理を施して得られるレジストパターン上に
導体化・電鋳処理を施して電鋳膜を得、該電鋳膜を整形
することによりスタンバを製造する光メモリ用スタンバ
の製造工程において、該フォトレジスト膜の形成工程の
前工程としてガラス基板表面の遠紫外線照射工程を行う
ことを特徴とする。
［作 用］
遠紫外線照射処理は一般的に基板表面の有機質の汚染を
除去する目的で行う０機構的には、遠紫外線のエネルギ
ーと、遠紫外線により発生するオゾンの酸化力により有
機質が分解されるものである。
除去する目的で行う０機構的には、遠紫外線のエネルギ
ーと、遠紫外線により発生するオゾンの酸化力により有
機質が分解されるものである。
［実 施 例］
以下に本発明について実施例に基づき説明する。
ガラス基板の表面を湿式研究し、次いで研究砥粒を除去
するため純水を用いたこすり洗浄を行う。次にガラス基
板を純水超音波洗浄の後、スピン乾燥、ベーキング（１
５０℃）により乾燥するか、又は、イソプロピルアルコ
ールを用いる蒸気洗浄の後、同様にベーキングにより乾
燥する０次に、遠紫外線照射による乾式洗浄を行う、洗
浄装置には三井物産エレクトロニクス販売のＭＵＳ−２
００Ｈ型を使用した。ガラス基板と水銀ランプ間の距離
は１０ｍｍとした。処理時間と放置時間（遠紫外線処理
からレジスト塗布まで及びレジスト塗布から現像まで）
は遠紫外線照射の効果と密接に関係があるが第１表に示
すような各条件により実験を行った。ただし実験数が厖
大になるためレジスト塗布から現像までの放置時間につ
いては常識的な時間として３時間に固定した。遠紫外線
照射による洗浄工程の後は従来と同一の工程を行いスタ
ンバを作製した。得られたスタンバの現像筒 １
表 ムラに関する歩留まりは第２表に示すとおりであった。
するため純水を用いたこすり洗浄を行う。次にガラス基
板を純水超音波洗浄の後、スピン乾燥、ベーキング（１
５０℃）により乾燥するか、又は、イソプロピルアルコ
ールを用いる蒸気洗浄の後、同様にベーキングにより乾
燥する０次に、遠紫外線照射による乾式洗浄を行う、洗
浄装置には三井物産エレクトロニクス販売のＭＵＳ−２
００Ｈ型を使用した。ガラス基板と水銀ランプ間の距離
は１０ｍｍとした。処理時間と放置時間（遠紫外線処理
からレジスト塗布まで及びレジスト塗布から現像まで）
は遠紫外線照射の効果と密接に関係があるが第１表に示
すような各条件により実験を行った。ただし実験数が厖
大になるためレジスト塗布から現像までの放置時間につ
いては常識的な時間として３時間に固定した。遠紫外線
照射による洗浄工程の後は従来と同一の工程を行いスタ
ンバを作製した。得られたスタンバの現像筒 １
表 ムラに関する歩留まりは第２表に示すとおりであった。
又、従来の光デイスク用スタンバの製造筒 ２ 表
工程、即ち遠紫外線照射を行わない場合の歩留まりは５
０％である。第２表に示した結果から遠紫外線照射が現
像ムラに対して効果があることがわかる。ただし、放置
時間が長くなるとその効果は低減する。遠紫外線照射の
効果が充分現れるようにするには放置時間は１時間以内
にすることが望ましい、又、処理時間としては１分では
その効果が充分には発揮されず３分以上とすることが望
ましい。第２表の結果は、レジスト塗布から現像までの
放置時間を３時間に固定した場合の結果であるが、実際
にはこの時間は変動する。しかしその場合も第２表に準
じて考えればよく、放置時間としては極力短くすること
が望ましい０本発明における遠紫外線照射はガラス基板
の表面に施されるもので、現像が行われるフォトレジス
ト表面に施されるものではないが、結果として現像ムラ
が解消されているということは、遠紫外線照射によりガ
ラス基板表面が洗浄されたことが、フォトレジスト表面
の現像の均一性をもたらしたことになる。これはフォト
レジストの膜厚が約０．１μｍと極端に薄いため、ガラ
ス基板表面性状がフォトレジスト表面に影響を与えるも
のと考えられる。
０％である。第２表に示した結果から遠紫外線照射が現
像ムラに対して効果があることがわかる。ただし、放置
時間が長くなるとその効果は低減する。遠紫外線照射の
効果が充分現れるようにするには放置時間は１時間以内
にすることが望ましい、又、処理時間としては１分では
その効果が充分には発揮されず３分以上とすることが望
ましい。第２表の結果は、レジスト塗布から現像までの
放置時間を３時間に固定した場合の結果であるが、実際
にはこの時間は変動する。しかしその場合も第２表に準
じて考えればよく、放置時間としては極力短くすること
が望ましい０本発明における遠紫外線照射はガラス基板
の表面に施されるもので、現像が行われるフォトレジス
ト表面に施されるものではないが、結果として現像ムラ
が解消されているということは、遠紫外線照射によりガ
ラス基板表面が洗浄されたことが、フォトレジスト表面
の現像の均一性をもたらしたことになる。これはフォト
レジストの膜厚が約０．１μｍと極端に薄いため、ガラ
ス基板表面性状がフォトレジスト表面に影響を与えるも
のと考えられる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば光メモリ用スタンパの
製造工程において、フォトレジスト膜の形成工程の前工
程としてガラス基板表面の遠紫外線照射工程を行うこと
で、現像ムラの発生が抑えられ、従って外観不良が生じ
なくなるため現像工程での歩留まりが向上するという効
果を有する。
製造工程において、フォトレジスト膜の形成工程の前工
程としてガラス基板表面の遠紫外線照射工程を行うこと
で、現像ムラの発生が抑えられ、従って外観不良が生じ
なくなるため現像工程での歩留まりが向上するという効
果を有する。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- ガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し、該フォト
レジスト膜に露光・現像処理を施して得られるレジスト
パターン上に導体化・電鋳処理を施して電鋳膜を得、該
電鋳膜を整形することによりスタンパを製造する光メモ
リ用スタンパの製造工程において、該フォトレジスト膜
の形成工程の前工程としてガラス基板表面の遠紫外線照
射工程を行うことを特徴とする光メモリ用スタンパの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10372089A JPH02281932A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 光メモリ用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10372089A JPH02281932A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 光メモリ用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281932A true JPH02281932A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14361523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10372089A Pending JPH02281932A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 光メモリ用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281932A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09106584A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Nec Corp | 光ディスク用記録原盤の製造方法 |
| EP1609575A4 (en) * | 2003-03-31 | 2007-03-21 | Seiko Epson Corp | Lens casting mold assembly device, lens casting mold washing method and lens casting mold mounting method |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP10372089A patent/JPH02281932A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09106584A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Nec Corp | 光ディスク用記録原盤の製造方法 |
| US6228562B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-08 | Nec Corporation | Method for manufacturing recording original disc for optical information recording media |
| EP1609575A4 (en) * | 2003-03-31 | 2007-03-21 | Seiko Epson Corp | Lens casting mold assembly device, lens casting mold washing method and lens casting mold mounting method |
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