JPH0217483Y2 - - Google Patents
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- JPH0217483Y2 JPH0217483Y2 JP10557984U JP10557984U JPH0217483Y2 JP H0217483 Y2 JPH0217483 Y2 JP H0217483Y2 JP 10557984 U JP10557984 U JP 10557984U JP 10557984 U JP10557984 U JP 10557984U JP H0217483 Y2 JPH0217483 Y2 JP H0217483Y2
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)(Cl)Cl PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の属する技術分野〕
本考案は沸騰冷媒の気液の相変化を伴なう循環
を利用して冷却を行なう沸騰冷媒式冷却装置の密
閉容器内に収納され、該密閉容器に接合される気
密端子を介して外部電路に接続される半導体スタ
ツクの支持装置に関する。この種の半導体スタツ
クは通常その支持フレームを介して前記気密端子
のベースに結合されるが、その際該結合部は前記
密閉容器内に完全に封入されるから、長期間にわ
たつて保守の必要がない如くに熱的にも機械的に
も耐久性を有するよう配慮することが要求され
る。
を利用して冷却を行なう沸騰冷媒式冷却装置の密
閉容器内に収納され、該密閉容器に接合される気
密端子を介して外部電路に接続される半導体スタ
ツクの支持装置に関する。この種の半導体スタツ
クは通常その支持フレームを介して前記気密端子
のベースに結合されるが、その際該結合部は前記
密閉容器内に完全に封入されるから、長期間にわ
たつて保守の必要がない如くに熱的にも機械的に
も耐久性を有するよう配慮することが要求され
る。
一般に半導体スタツクを収納した沸騰冷媒式冷
却装置においては第2図に示す如く、密閉容器1
1の内部に前記半導体スタツク1が完全に浸る程
度に冷媒12が貯留され、密閉容器11の上部は
その周囲に多数の放熱フイン14を備えた前記冷
媒12の気相部分13が流入する凝縮室15を形
成している。
却装置においては第2図に示す如く、密閉容器1
1の内部に前記半導体スタツク1が完全に浸る程
度に冷媒12が貯留され、密閉容器11の上部は
その周囲に多数の放熱フイン14を備えた前記冷
媒12の気相部分13が流入する凝縮室15を形
成している。
前記の如く構成された冷却装置において、半導
体スタツク1の損失熱を吸収して沸騰気化した前
記冷媒12の気相部分13が密閉容器1の内部の
圧力差により上昇して前記凝縮室15に移動し、
放熱フイン14を備えた凝縮室15の壁の内面に
接触して熱を奪われ凝縮液化して重力の作用によ
り下部の冷媒12の液相部分に還流する。前記の
如き気液の相変化を伴なう冷媒12の循環により
半導体スタツク1は冷却される。
体スタツク1の損失熱を吸収して沸騰気化した前
記冷媒12の気相部分13が密閉容器1の内部の
圧力差により上昇して前記凝縮室15に移動し、
放熱フイン14を備えた凝縮室15の壁の内面に
接触して熱を奪われ凝縮液化して重力の作用によ
り下部の冷媒12の液相部分に還流する。前記の
如き気液の相変化を伴なう冷媒12の循環により
半導体スタツク1は冷却される。
その場合前記密閉容器11の内部に半導体スタ
ツク1を支持する手段として従来は第3図に示す
如く、密閉容器11の側面に形成された開口部に
気密に接合されかつ前記半導体スタツク1の接続
導体6を外部に導びく如くにされた気密端子3と
半導体スタツク支持フレーム2とを結合するのが
一般である。その際通常は外部において前記支持
フレーム2の両端にそれぞれ気密端子3を直接結
合固定した上密閉容器11の内部に前記開口部を
通して挿入し、前記気密端子3のベース4を密閉
容器11の前記開口部に気密に溶接する如くにし
ている。この場合作業を容易にするため気密容器
11の前記開口部も、これに気密溶接される気密
端子3のベース4も共に断面形状が円形に形成さ
れかつ相互に適合する如くになつているから、前
記気密端子3に結合された前記支持フレーム2を
前記開口部をくぐらせて密閉容器11の内部に挿
入するためには、前記支持フレーム2の外径が円
筒形をなす気密端子3のベース4の外径に等しい
かあるいはより小でかつ前記支持フレーム2と前
記ベース4との結合手段がベース4の外周より外
に突出していないことが必要である。
ツク1を支持する手段として従来は第3図に示す
如く、密閉容器11の側面に形成された開口部に
気密に接合されかつ前記半導体スタツク1の接続
導体6を外部に導びく如くにされた気密端子3と
半導体スタツク支持フレーム2とを結合するのが
一般である。その際通常は外部において前記支持
フレーム2の両端にそれぞれ気密端子3を直接結
合固定した上密閉容器11の内部に前記開口部を
通して挿入し、前記気密端子3のベース4を密閉
容器11の前記開口部に気密に溶接する如くにし
ている。この場合作業を容易にするため気密容器
11の前記開口部も、これに気密溶接される気密
端子3のベース4も共に断面形状が円形に形成さ
れかつ相互に適合する如くになつているから、前
記気密端子3に結合された前記支持フレーム2を
前記開口部をくぐらせて密閉容器11の内部に挿
入するためには、前記支持フレーム2の外径が円
筒形をなす気密端子3のベース4の外径に等しい
かあるいはより小でかつ前記支持フレーム2と前
記ベース4との結合手段がベース4の外周より外
に突出していないことが必要である。
前記の条件を満たすために従来は第3図に示す
如く、前記支持フレーム2の外径寸法を前記ベー
ス4の外径寸法に等しくし、前記ベース4の軸方
向に内側の外周に沿つて一段外径の小さい取付座
4aを形成して前記支持フレーム2の端部に形成
された結合部2aを前記取付座4aにはめ込むと
ともに、相互を表面に頭の出ない皿ねじ5によつ
て結合固定する如くにする。しかしこの場合前記
支持フレーム2と気密端子3のベース4との結合
部はスペース的に窮屈である上に前記皿ねじ5に
完全な緩み止めを施すことは困難であるから、前
記の如き半導体スタツクの支持手段では車両など
の振動の大きい用途に対しては信頼を置き難く、
更に前記結合部は皿ねじによつて軸方向に完全に
固定されているから、半導体スタツク1の運転に
よつて生ずる密閉容器11内の温度変化にもとづ
き前記支持フレーム2に反覆生ずる軸方向の膨脹
収縮を吸収することができず、半導体スタツク支
持フレーム2に応力が生じ易い欠点がある。
如く、前記支持フレーム2の外径寸法を前記ベー
ス4の外径寸法に等しくし、前記ベース4の軸方
向に内側の外周に沿つて一段外径の小さい取付座
4aを形成して前記支持フレーム2の端部に形成
された結合部2aを前記取付座4aにはめ込むと
ともに、相互を表面に頭の出ない皿ねじ5によつ
て結合固定する如くにする。しかしこの場合前記
支持フレーム2と気密端子3のベース4との結合
部はスペース的に窮屈である上に前記皿ねじ5に
完全な緩み止めを施すことは困難であるから、前
記の如き半導体スタツクの支持手段では車両など
の振動の大きい用途に対しては信頼を置き難く、
更に前記結合部は皿ねじによつて軸方向に完全に
固定されているから、半導体スタツク1の運転に
よつて生ずる密閉容器11内の温度変化にもとづ
き前記支持フレーム2に反覆生ずる軸方向の膨脹
収縮を吸収することができず、半導体スタツク支
持フレーム2に応力が生じ易い欠点がある。
本考案は沸騰冷媒式冷却装置の密閉容器内の従
来の半導体スタツクの支持手段が有する前記の如
き欠点に鑑み、極めて簡単な構成で振動によりち
緩を生ずる虞れがなく、かつ前記密閉容器内の温
度変化にもとづく軸方向の膨脹収縮を吸収し得る
半導体スタツクの支持装置を提供することを目的
とする。
来の半導体スタツクの支持手段が有する前記の如
き欠点に鑑み、極めて簡単な構成で振動によりち
緩を生ずる虞れがなく、かつ前記密閉容器内の温
度変化にもとづく軸方向の膨脹収縮を吸収し得る
半導体スタツクの支持装置を提供することを目的
とする。
前記の目的を達成するために本考案では首記の
支持装置において、前記半導体スタツクの支持フ
レーム、前記半導体スタツクの接続用気密端子並
びに前記支持フレームと前記気密端子との間に介
在するアダプタからなり、前記支持フレーム、前
記気密端子並びに前記アダプタが同一外径寸法を
有するとともに、前記アダプタと前記気密端子と
を機械的に強固な結合手段により一体に結合し、
かつ前記アダプタと前記支持フレームとを相互に
軸方向に適宜の滑りを許し得る如き結合手段によ
り結合することにより、前記半導体スタツクを前
記密閉容器内で安定して支持する如くにするもの
である。
支持装置において、前記半導体スタツクの支持フ
レーム、前記半導体スタツクの接続用気密端子並
びに前記支持フレームと前記気密端子との間に介
在するアダプタからなり、前記支持フレーム、前
記気密端子並びに前記アダプタが同一外径寸法を
有するとともに、前記アダプタと前記気密端子と
を機械的に強固な結合手段により一体に結合し、
かつ前記アダプタと前記支持フレームとを相互に
軸方向に適宜の滑りを許し得る如き結合手段によ
り結合することにより、前記半導体スタツクを前
記密閉容器内で安定して支持する如くにするもの
である。
次に図面に表わされた実施例にもとづいて本考
案の詳細を説明する。
案の詳細を説明する。
第2図において沸騰冷媒式冷却装置の密閉容器
11の内部に貯留された冷媒12中に浸された半
導体スタツク1が前記冷媒12の気液の相変化を
伴なう循環を利用して冷却されることは既に説明
した通りである。その際密閉容器11内に収納さ
れた半導体スタツク1がその支持フレーム2を介
し、前記スタツク1の接続導体を外部に導びく気
密端子に結合固定されることは従来の沸騰冷媒式
冷却装置の場合と同様であるが、本考案の場合は
第1図に示す如く半導体スタツク1の支持フレー
ム2が固定用アダプタ7を介して気密端子3に間
接的に結合される。即ち気密端子3の円筒状をな
すベース4の軸方向に内側の外周に沿つて一段外
径の小さい取付座4aを形成し、該取付座4aを
前記気密端子のベース4と外径の等しいリング状
のアダプタ7の一方の突出部7aの内周面に圧入
するとともに、該突出部7aと前記ベース4とを
強固なピン8により結合しかつ該ピン8の頭部を
前記アダプタ7に表面に突出しないように溶接ど
めを行ない気密端子3とアダプタ7とを機械的に
強固に一体化する。
11の内部に貯留された冷媒12中に浸された半
導体スタツク1が前記冷媒12の気液の相変化を
伴なう循環を利用して冷却されることは既に説明
した通りである。その際密閉容器11内に収納さ
れた半導体スタツク1がその支持フレーム2を介
し、前記スタツク1の接続導体を外部に導びく気
密端子に結合固定されることは従来の沸騰冷媒式
冷却装置の場合と同様であるが、本考案の場合は
第1図に示す如く半導体スタツク1の支持フレー
ム2が固定用アダプタ7を介して気密端子3に間
接的に結合される。即ち気密端子3の円筒状をな
すベース4の軸方向に内側の外周に沿つて一段外
径の小さい取付座4aを形成し、該取付座4aを
前記気密端子のベース4と外径の等しいリング状
のアダプタ7の一方の突出部7aの内周面に圧入
するとともに、該突出部7aと前記ベース4とを
強固なピン8により結合しかつ該ピン8の頭部を
前記アダプタ7に表面に突出しないように溶接ど
めを行ない気密端子3とアダプタ7とを機械的に
強固に一体化する。
次に前記アダプタ7の他方の突出部7bの内周
面に半導体スタツク1の支持フレーム2の結合部
2aを挿入し、ボルト9で支持フレーム2の内周
側から両者を結合した上折り座金の如き通常の手
段で前記ボルト9の緩みどめを行なう。その際前
記支持フレーム2の結合部2aに設けるボルト9
用の穴は長穴に形成する。
面に半導体スタツク1の支持フレーム2の結合部
2aを挿入し、ボルト9で支持フレーム2の内周
側から両者を結合した上折り座金の如き通常の手
段で前記ボルト9の緩みどめを行なう。その際前
記支持フレーム2の結合部2aに設けるボルト9
用の穴は長穴に形成する。
半導体スタツク1の支持装置をを前記の如くに
構成することにより、スペース的に窮屈な気密端
子のベース4とアダプタ7との結合をピン8の溶
接どめで行い、また半導体スタツクの支持フレー
ム2とアダプタ7との結合を緩み止め手段付きで
ボルト9により軸方向に適宜の滑りを許し得るよ
うな締め具合で行つているから、振動によりそれ
ぞれの結合部分がち緩する虞れがなく、かつ前記
半導体スタツクの支持フレーム2の前記アダプタ
7に対する結合部分のボルト穴を長穴に形成して
いるから、密閉容器内の温度変化にもとづいて反
覆して生ずる前記支持フレームの軸方向の膨脹収
縮を前記結合部分の滑りによつて吸収することが
でき、前記支持フレーム2あるいはアダプタ7に
応力を生ずることはない。
構成することにより、スペース的に窮屈な気密端
子のベース4とアダプタ7との結合をピン8の溶
接どめで行い、また半導体スタツクの支持フレー
ム2とアダプタ7との結合を緩み止め手段付きで
ボルト9により軸方向に適宜の滑りを許し得るよ
うな締め具合で行つているから、振動によりそれ
ぞれの結合部分がち緩する虞れがなく、かつ前記
半導体スタツクの支持フレーム2の前記アダプタ
7に対する結合部分のボルト穴を長穴に形成して
いるから、密閉容器内の温度変化にもとづいて反
覆して生ずる前記支持フレームの軸方向の膨脹収
縮を前記結合部分の滑りによつて吸収することが
でき、前記支持フレーム2あるいはアダプタ7に
応力を生ずることはない。
本考案は以上に説明した如く沸騰冷媒の気液の
相変化を伴なう循環を利用して冷却を行なう沸騰
冷媒式冷却装置の密閉容器内に収納され、該密閉
容器に接合される気密端子を介して外部電路に接
続される半導体スタツクの支持装置において、前
記半導体スタツクの支持フレーム、前記半導体ス
タツクの接続用気密端子並びに前記支持フレーム
と前記気密端子との間に介在するアダプタからな
り、前記支持フレーム、前記気密端子並びに前記
アダプタが同一外径寸法を有するとともに、前記
アダプタと前記気密端子とを機械的な強固な結合
手段により一体に結合し、かつ前記アダプタと前
記支持フレームとを相互に軸方向に適宜の滑りを
許し得る如き結合手段により結合することによ
り、振動によりそれぞれの結合部にち緩を生ずる
ことがなく、かつ前記密閉容器内の温度変化にも
とづいて反覆して生じる前記支持フレームの軸方
向の膨脹収縮を吸収して前記支持フレームあるい
はアダプタに生じ得る応力を防止できる効果があ
る。
相変化を伴なう循環を利用して冷却を行なう沸騰
冷媒式冷却装置の密閉容器内に収納され、該密閉
容器に接合される気密端子を介して外部電路に接
続される半導体スタツクの支持装置において、前
記半導体スタツクの支持フレーム、前記半導体ス
タツクの接続用気密端子並びに前記支持フレーム
と前記気密端子との間に介在するアダプタからな
り、前記支持フレーム、前記気密端子並びに前記
アダプタが同一外径寸法を有するとともに、前記
アダプタと前記気密端子とを機械的な強固な結合
手段により一体に結合し、かつ前記アダプタと前
記支持フレームとを相互に軸方向に適宜の滑りを
許し得る如き結合手段により結合することによ
り、振動によりそれぞれの結合部にち緩を生ずる
ことがなく、かつ前記密閉容器内の温度変化にも
とづいて反覆して生じる前記支持フレームの軸方
向の膨脹収縮を吸収して前記支持フレームあるい
はアダプタに生じ得る応力を防止できる効果があ
る。
第1図は本考案の半導体スタツク支持装置の構
成を示す部分縦断面の概略図、第2図は沸騰冷媒
式冷却装置の縦断面概略図、第3図は従来の半導
体スタツク支持手段を示す部分縦断面の概略図を
それぞれに表わす。 1……半導体スタツク、2……支持フレーム、
3……気密端子、4……気密端子のベース、6…
…接続導体、7……アダプタ、8……ピン、9…
…ボルト、11……密閉容器、12……沸騰冷
媒。
成を示す部分縦断面の概略図、第2図は沸騰冷媒
式冷却装置の縦断面概略図、第3図は従来の半導
体スタツク支持手段を示す部分縦断面の概略図を
それぞれに表わす。 1……半導体スタツク、2……支持フレーム、
3……気密端子、4……気密端子のベース、6…
…接続導体、7……アダプタ、8……ピン、9…
…ボルト、11……密閉容器、12……沸騰冷
媒。
Claims (1)
- 沸騰冷媒の気液の相変化を伴なう循環を利用し
て冷却を行なう沸騰冷媒式冷却装置の密閉容器内
に収納され、該密閉容器に接合されるベース付き
気密端子を介して外部電路に接続される半導体ス
タツクの支持装置において、前記半導体スタツク
の支持フレーム、前記半導体スタツクの接続用気
密端子並びに前記支持フレームと前記気密端子と
の間に介在するアダプタからなり、前記支持フレ
ーム、前記気密端子のベース並びに前記アダプタ
が同一外径寸法を有するとともに、前記アダプタ
と前記気密端子のベースとを機械的に強固な結合
手段により一体に結合し、かつ前記アダプタと前
記支持フレームとを相互に軸方向に適宜の滑りを
許し得る如き結合手段により結合してなることを
特徴とする半導体スタツクの支持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10557984U JPS6122357U (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 半導体スタツクの支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10557984U JPS6122357U (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 半導体スタツクの支持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122357U JPS6122357U (ja) | 1986-02-08 |
| JPH0217483Y2 true JPH0217483Y2 (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=30664894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10557984U Granted JPS6122357U (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 半導体スタツクの支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122357U (ja) |
-
1984
- 1984-07-12 JP JP10557984U patent/JPS6122357U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6122357U (ja) | 1986-02-08 |
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