JPH02177123A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH02177123A JPH02177123A JP33235988A JP33235988A JPH02177123A JP H02177123 A JPH02177123 A JP H02177123A JP 33235988 A JP33235988 A JP 33235988A JP 33235988 A JP33235988 A JP 33235988A JP H02177123 A JPH02177123 A JP H02177123A
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置等に用いられる磁気記録媒
体に関し、詳しくは、高密度記録に適した磁気記録媒体
に存する。
体に関し、詳しくは、高密度記録に適した磁気記録媒体
に存する。
磁気ディスク装置は、高記憶容量と高速アクセス性を特
徴としてコンピュータの外部記憶装置に用いられている
。また、磁気ディスク装置に用いられている磁気記録媒
体としては、従来塗布型媒体が用いられてきた。
徴としてコンピュータの外部記憶装置に用いられている
。また、磁気ディスク装置に用いられている磁気記録媒
体としては、従来塗布型媒体が用いられてきた。
しかし、近年、磁気ディスク装置の高容量化傾向のため
に、鉄、コバルト、ニッケル又はこれらの合金からなる
強磁性金属の薄膜を電解めっき、無電解めっき、真空蒸
着、スパッタリング等の手段で形成する方法が注目され
ている。
に、鉄、コバルト、ニッケル又はこれらの合金からなる
強磁性金属の薄膜を電解めっき、無電解めっき、真空蒸
着、スパッタリング等の手段で形成する方法が注目され
ている。
特に、これらの方法により得られるコバルト合金磁性膜
は、高保礁力、高残留磁束密度を有し、高密度記録忙適
している。しかし、更に高記録密度を達成するためには
、高出力化および低ノイズ化の要求を満足させる必要が
ある。
は、高保礁力、高残留磁束密度を有し、高密度記録忙適
している。しかし、更に高記録密度を達成するためには
、高出力化および低ノイズ化の要求を満足させる必要が
ある。
本発明の目的は、これらの技術課題を解決して、角形比
が高く、高出力かつ低ノイズの磁気記録媒体を提供する
ことKある。
が高く、高出力かつ低ノイズの磁気記録媒体を提供する
ことKある。
本発明者らは上記目的を達成するために磁性膜の組成に
ついて種々検討を行なったところ、磁性膜中に亜鉛を含
有させる場合、磁性膜中の亜鉛の存在状態(原子価)を
調節することにより、角形比を高く維持したまま出力が
高(なり、かつノイズが低(なることを見出した。本発
明はこれらの知見に基づいてなされたものである。
ついて種々検討を行なったところ、磁性膜中に亜鉛を含
有させる場合、磁性膜中の亜鉛の存在状態(原子価)を
調節することにより、角形比を高く維持したまま出力が
高(なり、かつノイズが低(なることを見出した。本発
明はこれらの知見に基づいてなされたものである。
すなわち、本発明は、基体上、にコバルトを主成分とし
亜鉛を含有する磁性膜を有する磁気記録媒体において磁
性膜中の零価の亜鉛と2価の亜鉛の割合が40〜60:
6O−1IOであることを特徴とする磁気記録媒体であ
る。
亜鉛を含有する磁性膜を有する磁気記録媒体において磁
性膜中の零価の亜鉛と2価の亜鉛の割合が40〜60:
6O−1IOであることを特徴とする磁気記録媒体であ
る。
以下、本発明の磁気記録媒体について詳しく説明する。
本発明に用いられる基体は、無機物質または有機物質の
非磁性材料が用いられる。無機物質の具体例としては、
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、シリコン等の非
磁性金属または合金等が挙げられ、その他ガラス、アル
ミナ、シリカなどのセラミックスでもよい。有機物質と
しては、例えば、ABS樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリエステル樹脂等の合成樹脂が挙げられる。
非磁性材料が用いられる。無機物質の具体例としては、
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、シリコン等の非
磁性金属または合金等が挙げられ、その他ガラス、アル
ミナ、シリカなどのセラミックスでもよい。有機物質と
しては、例えば、ABS樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリエステル樹脂等の合成樹脂が挙げられる。
基体表面には下地層として、例えば、無電解めっき法に
より非磁性ニッケル・リン層を設けてもよい。
より非磁性ニッケル・リン層を設けてもよい。
基体または下地層を鏡面研摩し、更に必要に応じてテク
スチャーリング処理(表面忙同心円状の微細で均一な溝
をつける)を行なった後。
スチャーリング処理(表面忙同心円状の微細で均一な溝
をつける)を行なった後。
コバルトを主成分とし、亜鉛を含有する磁性層を無電解
めっき法、真空蒸着法、スパッタリング法等により形成
する。
めっき法、真空蒸着法、スパッタリング法等により形成
する。
例えば、無電解めっき法の場合は、上記基体または下地
層を設けた基体を、無電解めっき浴中に浸漬し、30〜
90℃の温度においてめっき処理を施す。
層を設けた基体を、無電解めっき浴中に浸漬し、30〜
90℃の温度においてめっき処理を施す。
無電解めっき浴中には、コバルトイオン、亜鉛イオン、
錯化剤、還元剤、PH調整剤、ニッケルイオン、マンガ
ンイオン、タングステンイオン等の金属イオンおよび緩
衝剤等を含有する。
錯化剤、還元剤、PH調整剤、ニッケルイオン、マンガ
ンイオン、タングステンイオン等の金属イオンおよび緩
衝剤等を含有する。
コバルトイオンは、コバル) ノ硫酸t3m、スルファ
ミノ酸塩、硝酸塩、ハロゲン化合物、酢酸塩等を無電解
めっき浴中に溶解させることにより供給され、濃度は通
常0.00 / 〜0. !; mol/E、好ましく
は0.o o s−0,2mol/lの範囲である。
ミノ酸塩、硝酸塩、ハロゲン化合物、酢酸塩等を無電解
めっき浴中に溶解させることにより供給され、濃度は通
常0.00 / 〜0. !; mol/E、好ましく
は0.o o s−0,2mol/lの範囲である。
亜鉛イオンは、亜鉛の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化合物
等を無電解めっき浴中に溶解させることにより供給され
る。亜鉛イオン濃度は、通常0.0OOO/〜0.2m
ol/lの範囲であるが、より好ましくは0.o o
o y −o、θ!r mol / lの範囲である。
等を無電解めっき浴中に溶解させることにより供給され
る。亜鉛イオン濃度は、通常0.0OOO/〜0.2m
ol/lの範囲であるが、より好ましくは0.o o
o y −o、θ!r mol / lの範囲である。
o、oooo1mol/lより低い濃度では高出力、低
ノイズの効果がなく、0.コmol/lより高い濃度で
はめっき液の反応性の低下と共に著しい磁気特性の悪化
(保磁力の低下、角形比の低下等)をもたらすので好ま
しくない。
ノイズの効果がなく、0.コmol/lより高い濃度で
はめっき液の反応性の低下と共に著しい磁気特性の悪化
(保磁力の低下、角形比の低下等)をもたらすので好ま
しくない。
また、ニッケルイオン等の金属イオンは、ニッケル等の
金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物、酢酸塩等を無電
解めっき浴中に溶解させることにより供給され、ニッケ
ルイオン等の金属イオンの濃度は通常0.0OO/〜0
.3m01/lの範囲であり、より好ましくはaθθ/
〜o、/mol / lの範囲である。
金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物、酢酸塩等を無電
解めっき浴中に溶解させることにより供給され、ニッケ
ルイオン等の金属イオンの濃度は通常0.0OO/〜0
.3m01/lの範囲であり、より好ましくはaθθ/
〜o、/mol / lの範囲である。
錯化剤としては、分子中にカルボキシル基、アミノ基、
水酸基を有する化合物が用いられる。
水酸基を有する化合物が用いられる。
具体例としては酒石酸、クエン酸、リンゴ酸等のオキシ
カルボン酸またはグリシン、DL−α−アラニン、グル
タミン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸が好適
であり、その他マロン酸、コハク酸等のジカルボン酸で
もよい。通常、これら錯化剤は混合して使用されるが、
その濃度は0.0 /−コ、Omol / lの範囲が
好ましくゝ。
カルボン酸またはグリシン、DL−α−アラニン、グル
タミン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸が好適
であり、その他マロン酸、コハク酸等のジカルボン酸で
もよい。通常、これら錯化剤は混合して使用されるが、
その濃度は0.0 /−コ、Omol / lの範囲が
好ましくゝ。
還元剤としては、ジメチルアミノボラン、水素化ホウ素
化合物、ヒドラジン塩類1欠亜リン酸塩が用いられるが
、めっき液の安定性から次亜リン酸ナトリウムが好まし
く、その濃度は0.00 !r 〜2,0m0L/lが
好ましい。
化合物、ヒドラジン塩類1欠亜リン酸塩が用いられるが
、めっき液の安定性から次亜リン酸ナトリウムが好まし
く、その濃度は0.00 !r 〜2,0m0L/lが
好ましい。
pH調整剤としては、pHの上昇には、アンモニア、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリが用いられ、
pHの降下には硫酸、塩酸などの酸が用いられる。めっ
き液のpHtiざ、5〜70.0の範囲が好ましい。p
Hがt、Sより低いと磁性膜中の亜鉛含有量が少なくな
り、かつ零価の亜鉛の割合が多くなりすぎる傾向があり
、pHfJ′−10より高いと磁性膜中のコ価の亜鉛の
割合が高くなりすぎる傾向があるため、あまり好ましく
ない。
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリが用いられ、
pHの降下には硫酸、塩酸などの酸が用いられる。めっ
き液のpHtiざ、5〜70.0の範囲が好ましい。p
Hがt、Sより低いと磁性膜中の亜鉛含有量が少なくな
り、かつ零価の亜鉛の割合が多くなりすぎる傾向があり
、pHfJ′−10より高いと磁性膜中のコ価の亜鉛の
割合が高くなりすぎる傾向があるため、あまり好ましく
ない。
緩衝剤は、アンモニウム塩、炭酸塩、ホウ酸塩、リン酸
塩、有機酸塩等が用いられ、その濃度は0.Oj−λ、
o mol / lの範囲が好ましい。
塩、有機酸塩等が用いられ、その濃度は0.Oj−λ、
o mol / lの範囲が好ましい。
以上のような組成のめっき浴およびめっき条件で、基体
上にフパルトを主成分とし亜鉛を含有する磁性膜を形成
する。さら忙、保護膜として、スピンコード法による二
酸化ケイ素膜、スパッタリング法による炭素膜等を形成
してもよ(ゝ。
上にフパルトを主成分とし亜鉛を含有する磁性膜を形成
する。さら忙、保護膜として、スピンコード法による二
酸化ケイ素膜、スパッタリング法による炭素膜等を形成
してもよ(ゝ。
本発明の磁気記録媒体は、磁性膜中の亜鉛が、原子価が
零価のものと2価のものとの割合が’I OS−60z
6θ〜p o 、好ましくはlI5〜3;!;:!;!
−’I!rであることを特徴とする。磁性膜中の零価の
亜鉛の割合がaO%より少ないと、磁気記録媒体の角形
比が低くなり高出力が得られない。一方、磁性膜中の零
価の亜鉛の割合が60%より多過ぎると、磁気記録媒体
の角形比は高(なり高出力となるが、コ価の亜鉛の割合
が相対的に低くなるため、媒体ノイズが増加し、SN比
が悪くなる。
零価のものと2価のものとの割合が’I OS−60z
6θ〜p o 、好ましくはlI5〜3;!;:!;!
−’I!rであることを特徴とする。磁性膜中の零価の
亜鉛の割合がaO%より少ないと、磁気記録媒体の角形
比が低くなり高出力が得られない。一方、磁性膜中の零
価の亜鉛の割合が60%より多過ぎると、磁気記録媒体
の角形比は高(なり高出力となるが、コ価の亜鉛の割合
が相対的に低くなるため、媒体ノイズが増加し、SN比
が悪くなる。
また、磁性膜中の亜鉛の含有量は、通常、0.5重量%
以上好ましくは/〜J重t%の範囲である。
以上好ましくは/〜J重t%の範囲である。
さもに、磁性膜中には、ニッケル、リン等を含有させる
ことが好ましく、特にニッケルを5〜3θ重f%、リン
を41〜6重f%含有させることが好ましい。
ことが好ましく、特にニッケルを5〜3θ重f%、リン
を41〜6重f%含有させることが好ましい。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り、実施例により限定さ
れるものではない。
本発明はその要旨を越えない限り、実施例により限定さ
れるものではない。
実施例/
直径3.5インチの磁気ディスク用アルミニウム基板に
無電解めっき法で厚さ、25μmのニッケル・リン磁性
体を形成した。表面をポリッシングマシンにより鏡面研
摩し、洗浄後テクスチャー処理を施した。次に75℃で
3分間脱脂処理を行ない、さらに活性化処理を施した。
無電解めっき法で厚さ、25μmのニッケル・リン磁性
体を形成した。表面をポリッシングマシンにより鏡面研
摩し、洗浄後テクスチャー処理を施した。次に75℃で
3分間脱脂処理を行ない、さらに活性化処理を施した。
第2表に示した組成のめっき液slに水酸化す) IJ
ウムを添加してpHを9.ざりに調整し、温度をgo℃
にした。このめっき液に前記活性化処理後の基板を浸漬
し、膜厚0.θjμmの磁性膜を形成した。この磁性膜
上忙スパッタリング法によりeooAの厚さの炭素膜を
形成した。
ウムを添加してpHを9.ざりに調整し、温度をgo℃
にした。このめっき液に前記活性化処理後の基板を浸漬
し、膜厚0.θjμmの磁性膜を形成した。この磁性膜
上忙スパッタリング法によりeooAの厚さの炭素膜を
形成した。
このようにして得られた磁気記録媒体について磁気特性
、電磁変換特性、磁性膜組成及び磁性膜中の亜鉛の存在
形態(原子価)を調べた。
、電磁変換特性、磁性膜組成及び磁性膜中の亜鉛の存在
形態(原子価)を調べた。
磁気特性は振動試料型磁力計により外部磁場Sキロエル
ステッドの条件で測定した。
ステッドの条件で測定した。
屈力の測定はトラック密度が/θり0TPI用のヘッド
を用い/F周波数/、25MHz、2F周波数j、JJ
MHz、相対速度9. g m/ secの条件で行な
った。
を用い/F周波数/、25MHz、2F周波数j、JJ
MHz、相対速度9. g m/ secの条件で行な
った。
ノイズの測定はスペクトラム・アナライザーにより行な
った。
った。
磁性膜中の亜鉛の存在状態の分析はKRATO8社製X
線光電子分光分析装置(XSAMgθθンを用(・、以
下の測定条件により行なった。
線光電子分光分析装置(XSAMgθθンを用(・、以
下の測定条件により行なった。
■ 測定条件
真空度 s x t o−8Torr
励起XII!源 AIKα(/ 4tKV x 20
mA )X線のエネルギー /ダgb、beV 分光モード FRR=F 1xed Retardi
ngRatio (Retarding Rati。
mA )X線のエネルギー /ダgb、beV 分光モード FRR=F 1xed Retardi
ngRatio (Retarding Rati。
=53)
分析領域 Hi−magnification=311
×lI′ll1IL 分解能 Hi −resolution走 査 幅 狭
域走査 20 eV コンピューター(DEC PDP//10.)L)により自動 測定 Ar+エッチ Arガス圧 /X/θ−’Torr
ング条件 加速室FE、7.5え。、 エツチング速度 約、?A/min ■ ZnO,Zn”の量比決定 試料表面の汚れを除去するために約30秒間Ar+エツ
チングを施した後、 Znt、MM領領域スペクトルを
測定した(エネルギーは運動エネルギー(K、 F、
)表示)。
×lI′ll1IL 分解能 Hi −resolution走 査 幅 狭
域走査 20 eV コンピューター(DEC PDP//10.)L)により自動 測定 Ar+エッチ Arガス圧 /X/θ−’Torr
ング条件 加速室FE、7.5え。、 エツチング速度 約、?A/min ■ ZnO,Zn”の量比決定 試料表面の汚れを除去するために約30秒間Ar+エツ
チングを施した後、 Znt、MM領領域スペクトルを
測定した(エネルギーは運動エネルギー(K、 F、
)表示)。
測定幅 ???eVS−999eV(20eV幅)ベー
スライン補正 約9g/eVと約99 g eVを直線
で結ぶ。
スライン補正 約9g/eVと約99 g eVを直線
で結ぶ。
ZnO及びZn2+のピーク高さを読みだし量比を求め
た。
た。
(Zn’?9コ、g eV付近、Zn”9gg、?eV
eV付 近られた磁性膜の分析結果を第1表に示した。
eV付 近られた磁性膜の分析結果を第1表に示した。
磁性膜中の亜鉛の含有量は1重量%であった。
磁性膜中の零価の亜鉛とコ価の亜鉛の割合はso :
soであった。得られた磁気記録媒体は角形比が高(、
高出力、低ノイズであり、実用上、高密度の磁気記録媒
体として使用できる。
soであった。得られた磁気記録媒体は角形比が高(、
高出力、低ノイズであり、実用上、高密度の磁気記録媒
体として使用できる。
実施例コ
めっき液の組成及びめっき条件を第−表に示したように
変更したこと以外は実施例/と同条件、同操作で磁気記
録媒体を製造した。
変更したこと以外は実施例/と同条件、同操作で磁気記
録媒体を製造した。
結果を第1表に示した。
実施例3
めっき液の組成及びめっき条件を第2表に示したように
変更したこと以外は実施例1と同条件、同操作で磁気記
録媒体を製造した。
変更したこと以外は実施例1と同条件、同操作で磁気記
録媒体を製造した。
結果を第1表に示した。
実施例弘
めっき液の組成及び条件を第2表に示したように変更し
たこと以外は実施例1と同条件、同操作で磁気記録媒体
を製造した。
たこと以外は実施例1と同条件、同操作で磁気記録媒体
を製造した。
結果を第7表に示した。
比較例/
めっき液の組成及びめっき条件を第2表に示したように
変更したこと以外は実施例/と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
変更したこと以外は実施例/と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
結果を第7表に示した。得られた磁気記録媒体は、出力
分解能バランスが不良であり、高密度記録には不適当で
ある。
分解能バランスが不良であり、高密度記録には不適当で
ある。
比較例コ
めっき液の組成及びめっき条件を第2表に示したように
変更したこと以外は実施例/と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
変更したこと以外は実施例/と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
結果を第1表に示した。得られた磁気記録媒体は、出力
分解能バランスが不良であり、高密度記録には不適当で
ある。
分解能バランスが不良であり、高密度記録には不適当で
ある。
比較例3
めっき液の組成及びめっき条件を第2表に示したように
変更したこと以外は実施例/と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
変更したこと以外は実施例/と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
結果を第1表に示した。得られた磁気記録媒体はノイズ
が高<SN比が悪いため、高密度記録には不適当である
。
が高<SN比が悪いため、高密度記録には不適当である
。
比較例グ
めっき液の組成及びめっき条件を第2表に示したように
変更したこと以外は実施例/と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
変更したこと以外は実施例/と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
結果を第1表に示した。得られた磁気記録媒体は、角形
比が悪化し、高出力が得られないため、高密度記録には
不適当である。
比が悪化し、高出力が得られないため、高密度記録には
不適当である。
本発明によると、角形比が高(、高出力力・つ低ノイズ
の高密度記録に適した磁気記録媒体力を得られるため工
業的に有用である。
の高密度記録に適した磁気記録媒体力を得られるため工
業的に有用である。
Claims (1)
- (1)基体上に、コバルトを主成分とし亜鉛を含有する
磁性膜を有する磁気記録媒体において、磁性膜中の零価
の亜鉛と2価の亜鉛の割合が40〜60:60〜40で
あることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33235988A JPH02177123A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33235988A JPH02177123A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177123A true JPH02177123A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18254078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33235988A Pending JPH02177123A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177123A (ja) |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP33235988A patent/JPH02177123A/ja active Pending
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