JPH0451882B2 - - Google Patents
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- JPH0451882B2 JPH0451882B2 JP61206898A JP20689886A JPH0451882B2 JP H0451882 B2 JPH0451882 B2 JP H0451882B2 JP 61206898 A JP61206898 A JP 61206898A JP 20689886 A JP20689886 A JP 20689886A JP H0451882 B2 JPH0451882 B2 JP H0451882B2
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気デイスク、磁気ドラム、磁気テ
ープ等の磁気記録媒体に関するものである。 〔従来の技術および問題点〕 従来、磁気記録媒体は金属の酸化物あるいは合
金の磁性材料を有機物バインダー中に分散させた
ものを基体に塗布して得られるものが知られてい
る。しかし、記録密度の向上のために、鉄、コバ
ルト、ニツケル又はこれらの合金からなる強磁性
金属の薄膜を電解めつき、無電解めつき、真空蒸
着、スパツタリング等の手段で形成する方法が注
目されている。 とくに、これらの方法により得られるコバルト
合金磁性媒体は高抗磁力、高残留磁束密度を有
し、高密度記録に適している。しかし、更に高記
録密度を達成するためには第１に抗磁力角型比
（以下、これをS*と記す）を高くすること、第２
に高出力化および低ノイズ化の要求を満足させる
必要がある。 本発明の目的は、これらの技術課題を解決し
て、S*が高く、高出力かつ低ノイズの磁気記録
媒体及びこの磁気記録媒体を安定して量産できる
製造方法を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは上記目的を達成するために磁性体
の組成について種々検討を行なつたところ、コバ
ルト、リン並びに、ヒ素、アンチモンおよびビス
マスの群から選ばれた一種以上の元素を含む合金
からなる磁性体にすることによつてS*が向上す
ること、さらに上述した元素の他に亜鉛を含む磁
性体とすることによつて、S*を高く維持したま
ま出力が高くなり、かつノイズが低くなることを
見出した。又その製造方法として、錯化剤として
ジカルボン酸又はオキシカルボン酸を使用した無
電解めつき法が磁性膜の均質性、量産性、経済性
の面で最も安定して、高品質のものを量産できる
方法であることを見出した。本発明はこれらの知
見に基いてなされたものである。 すなわち、本発明の第１は、コバルト、リン並
びにヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から選
ばれた一種以上の元素を含む合金からなる磁性体
を基体上に設けたことを特徴とする磁気記録媒体
であり、本発明の第２はコバルト、リン、亜鉛並
びに、ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から
選ばれた一種以上の元素を含む合金からなる磁性
体を基体上に設けたことを特徴とする磁気記録媒
体であり、本発明の第３はコバルト、リン並び
に、ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から選
ばれた一種以上の元素を含む合金、またはコバル
ト、リン、亜鉛並びにヒ素、アンチモンおよびビ
スマスの群から選ばれた一種以上の元素を含む合
金からなる磁性体を、錯化剤としてジカルボン酸
を使用して無電解めつき法で形成することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法である。 以下、本発明による磁気記録媒体及びその製造
方法について詳しく説明する。 本発明に用いられる基体は無機物質または有機
物質の非磁性材料が用いられる。無機物質の具体
例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、
銅、シリコンなどの非磁性金属または合金などで
あり、そのほかガラス、アルミナ、シリカなどの
セラミツクスでもよい。有機物質としてはABS
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂
などの合成樹脂である。 基体表面には下地層を設けてもよい。下地層は
例えば無電解めつきによる非磁性ニツケル・リン
層である。基体または下地層を鏡面研摩し、更に
必要に応じてテクスチヤーリング処理（表面に同
心円状の微細で均一な溝をつける）を行なつた
後、磁性体を設ける。 磁性体はコバルト、リン並びに、ヒ素、アンチ
モンおよびビスマスの群から選ばれた一種以上の
元素を含む合金または前述の元素の他にさらに亜
鉛を含む合金からなるものであるが、飽和磁束密
度を調整するためにこれらの外にニツケルを加え
てもよい。 磁性体の合金成分の一部であるヒ素、アンチモ
ンおよびビスマスの群のうち、ヒ素およびビスマ
スは特に好ましい。 これらの元素の配合割合はとくに限定はない
が、好ましくはコバルトは70〜95原子％、リンは
５〜20原子％、ヒ素、アンチモンおよびビスマス
の群から選ばれる一種以上の元素は0.5〜５原子
％、亜鉛は痕跡量である。 また、前記目的でニツケルを加える場合にはニ
ツケルは５〜20原子％が好ましい。 コバルトの配合割合が70原子％未満であると飽
和磁束密度が小さくなり、出力が低下する。リン
の配合割合は無電解めつき法で次亜リン酸ナトリ
ウムを還元剤として使用した場合には、必然的に
５原子％以上になる。 ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から選ば
れる一種以上の元素が0.5原子％未満であるとS*
が十分には向上しない。逆に５原子％を越えると
ノイズが大きくなる。亜鉛は痕跡量含まれておれ
ば十分である。磁性体は無電解めつき法などによ
り形成する。無電解めつき法の場合、無電解めつ
き液の組成はコバルトイオンとしては硫酸塩、硝
酸塩、ハロゲン化合物、酢酸塩等であり、濃度は
通常0.001〜0.5mol／、好ましくは0.01〜
0.06mol／の範囲である。 ニツケルイオンは硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化
物、酢酸塩等が適当であり、ニツケルイオンの濃
度は通常0.0002〜0.3mol／の範囲で用いられる
が、より好ましくは0.001〜0.1mol／である。 ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から選ば
れる一種以上の元素がヒ素の場合にはヒ酸塩、亜
ヒ酸塩が適当であり、通常７×10-5〜３×
10-2mol／の濃度で使用するが、より好ましく
は１×10-4〜1.3×10-2mol／の範囲である。ヒ
素、アンチモンおよびビスマスの群から選ばれる
一種以上の元素がビスマスの場合には硫酸塩、硝
酸塩、ハロゲン化物等が適当であり、その濃度は
通常１×10-4〜１×10-2mol／の範囲で使用す
るが、より好ましくは２×10-4〜５×10-3mol／
の範囲である。周期律表第族ｂに属する元素
が上記以下の濃度ではS*の向上が期待できず、
これ以上ではめつき液の反応性が低下するので好
ましくない。 亜鉛イオンとしては硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン
化合物等が適当である。亜鉛イオン濃度は通常２
×10-6〜0.02mol／の範囲であるが、より好ま
しくは0.5〜10-3〜５×10-3mol／の範囲であ
る。これ以下の範囲では高出力、低ノイズの効果
がなく、これ以上ではめつき液の反応性が低下す
るので好ましくない。 無電解めつき法の場合、上記各イオンの外に錯
化剤、緩衝剤、還元剤およびPH調整剤を加える必
要がある。 錯化剤としては、分子中にカルボキシル基、ア
ミノ基、水酸基を持つた化合物が知られている。
その具体例としてはα−アラニンやセリン等のア
ミノ酸か、またはマロン酸、コハク酸等のジカル
ボン酸が適しており、そのほかグルコン酸、酒石
酸、ムチン酸、クエン酸等のオキシカルボン酸で
もよい。その濃度は0.01〜2.0mol／の範囲であ
る。 緩衝剤は、アンモニウム塩、炭酸塩、ホウ酸
塩、リン酸塩、有機酸塩等が用いられ、その濃度
は．0.05〜2.0mol／の範囲である。 還元剤としては、ジメチルアミノボラン、水素
化ホウ素化合物、ヒドラジン塩類、次亜リン酸ナ
トリウム等があるが、めつき液の安定性を考慮す
ると、次亜リン酸ナトリウムを0.01〜2.0mol／
の範囲で用いることがより望ましい。 PH調整剤は、アンモニア、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等でよい。めつ
き液のPHは7.5〜11.0の範囲が望ましい。 めつき液の温度は通常55〜90℃の範囲が好まし
い。 以上のような組成のめつき液およびめつき条件
で基体上に磁性体を形成し、その上に保護膜を形
成する。保護膜としてはスピンコート法によるシ
リカ膜、スパツタリンング法による炭素膜等が知
られている。 〔実施例〕 以下、実施例及び比較例により本発明を具体的
に説明する。 実施例 １〜12 直径90mm、内径32mm、厚さ1.27mmのアルミニウ
ム円盤を旋盤加工により製作した。この円盤に無
電解めつき法で厚さ20μｍのニツケル・リン下地
層を形成させた。この表面をポリツシングマシン
により鏡面研摩し、表面粗さ（Rnax）を0.04μｍ
に仕上げた。そして、テクスチヤーリングマシン
により同心円状の微細な溝を入れた。表面粗さ
（Rnax）は0.04μｍを保つた。 このようにして得られたアルミニウム円盤（以
下、これをNi・Ｐ基板という）を温度40℃、濃
度2mol／の水酸化ナトリウム溶液に５分間浸
漬することによつて脱脂処理を行なつた。表１に
示す組成のめつき液10に水酸化ナトリウムを添
加してPHを8.6に調整し、温度を75℃にした。こ
のめつき液に前記脱脂処理後の円盤を浸すことに
よつて膜厚0.08μｍの磁性体を形成した。この磁
性体上にスパツタリング法により500Åの厚さの
炭素膜を形成した。このようにして得られたアル
ミニウム円盤について、S*、出力およびノイズ
を測定した。S*の測定は７mm×14mmの試料片を
取り出し、振動試料型磁力計により外部磁場10キ
ロエルステツドの条件で測定した。 出力の測定はトラツク密度が900TPI用のヘツ
ドを用い、1F周波数1.25MHz、2F周波数2.5MHz、
相対速度9.6ｍ／secの条件で行なつた。ノイズの
測定はスペクトラム・アナライザーにより行なつ
た。 その結果、表１に示すように、S*、出力、ノ
イズとも改善され、実用上、高密度の記録媒体に
使用できることがわかつた。 得られた磁性体をESCAにより分析したとこ
ろ、表２に示すとおり１〜２原子％のヒ素または
ビスマスが検出された。また、実施例３、４、７
および８、11、12については痕跡量の亜鉛が検出
された。この結果より、磁性体中にヒ素、アンチ
モンおよびビスマスの群から選ばれる一種以上の
元素を含有させることによりS*、出力およびノ
イズが改善され、とくに上記元素の含有ととも
に、亜鉛を含有させることによりその改善効果が
顕著になることが明らかである。 比較例 １，２ めつき液中にヒ素、アンチモンおよびビスマス
の群から選ばれる一種以上の元素を加えない場合
について実験した。条件、操作方法は実施例１〜
８に準拠してアルミニウム円盤上に磁性体を形成
した。 その結果は表１に示すとおりであり、S*およ
び出力が低くなりノイズが高くなつた。 比較例 ３〜５ 実施例と同様に準備したテクスチヤリング加工
した3.5インチのＮ−Ｐめつきしたアルミニウム
基板をバツチ式のDCマグネトロンスパツタ機に
セツトして、１×10-7Torrまで真空排気したの
ち、基板を200℃に加熱し、２ｍTorrのAr雰囲
気において、Cr下地層を500A形成した。同一装
置内において異なる組成を有するCo合金ターゲ
ツトを変えて磁性層を800Å、10W／cm2の定電力
で成膜して、比較例３〜５の３種類の組成を持つ
磁気記録媒体を得、その磁気特性を評価した。電
磁変換特性は更に500Åの炭素膜をスパツタリン
グ法で形成した後、めつき法で作成した磁気記録
媒体と同様の方法で評価した。評価結果を表１
に、組成を表２に示すとおり、S*及び出力が低
くなりノイズが高くなつた。 実施例 ９ めつき液中の亜鉛の濃度によるS*、出力およ
びノイズの変化について検討を行なつた。実験は
ヒ素添加系の場合（実験No.１〜６）とビスマス添
加系の場合（実験No.７〜12）について行なつた。
めつき液のその他の成分は各実験とも同一であ
り、硫酸コバルトは0.03mol／、ムチン酸は
0.2mol／、ホウ酸は0.4mol／および次亜リ
ン酸ナトリウムは0.3mol／にした。 その結果、表３に示すとおり、ヒ素添加系の場
合およびビスマス添加系の場合とも亜鉛の濃度が
0.5×10-3mol／以上の濃度であれば高出力、低
ノイズの目標が達成されることがわかつた。 実施例 10 本発明者らはめつき液中のヒ素、アンチモンお
よびビスマスの群から選ばれる一種以上の元素を
含む化合物の濃度による抗磁力の変化についても
実験を行なつた。めつき液中の前記化合物の濃度
のみを表４に示すとおりに種々変え、その他の成
分は硫酸コバルト0.03mol／、ムチン酸
0.2mol／、ホウ酸0.4mol／、次亜リン酸ナ
トリウム0.3mol／で各実験とも一定にした。
なお、めつき液のPHは水酸化ナトリウムを加える
ことにより8.6に調製した。 その結果、表４に示すようにヒ素またはビスマ
スの濃度が増加するに従い、抗磁力は低下してい
くことがわかつた。ヒ素の場合３×10-3mol／
以上、また、ビスマスの場合0.5×10-3mol／以
上の濃度で、S*は0.90以上の高い値となつた。 これらの結果より、めつき液中のヒ素、アンチ
モンおよびビスマスの群から選ばれる一種以上の
元素の濃度を調整することにより、高S*値を維
持したまま抗磁力をコントロールできることがわ
かつた。
ープ等の磁気記録媒体に関するものである。 〔従来の技術および問題点〕 従来、磁気記録媒体は金属の酸化物あるいは合
金の磁性材料を有機物バインダー中に分散させた
ものを基体に塗布して得られるものが知られてい
る。しかし、記録密度の向上のために、鉄、コバ
ルト、ニツケル又はこれらの合金からなる強磁性
金属の薄膜を電解めつき、無電解めつき、真空蒸
着、スパツタリング等の手段で形成する方法が注
目されている。 とくに、これらの方法により得られるコバルト
合金磁性媒体は高抗磁力、高残留磁束密度を有
し、高密度記録に適している。しかし、更に高記
録密度を達成するためには第１に抗磁力角型比
（以下、これをS*と記す）を高くすること、第２
に高出力化および低ノイズ化の要求を満足させる
必要がある。 本発明の目的は、これらの技術課題を解決し
て、S*が高く、高出力かつ低ノイズの磁気記録
媒体及びこの磁気記録媒体を安定して量産できる
製造方法を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは上記目的を達成するために磁性体
の組成について種々検討を行なつたところ、コバ
ルト、リン並びに、ヒ素、アンチモンおよびビス
マスの群から選ばれた一種以上の元素を含む合金
からなる磁性体にすることによつてS*が向上す
ること、さらに上述した元素の他に亜鉛を含む磁
性体とすることによつて、S*を高く維持したま
ま出力が高くなり、かつノイズが低くなることを
見出した。又その製造方法として、錯化剤として
ジカルボン酸又はオキシカルボン酸を使用した無
電解めつき法が磁性膜の均質性、量産性、経済性
の面で最も安定して、高品質のものを量産できる
方法であることを見出した。本発明はこれらの知
見に基いてなされたものである。 すなわち、本発明の第１は、コバルト、リン並
びにヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から選
ばれた一種以上の元素を含む合金からなる磁性体
を基体上に設けたことを特徴とする磁気記録媒体
であり、本発明の第２はコバルト、リン、亜鉛並
びに、ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から
選ばれた一種以上の元素を含む合金からなる磁性
体を基体上に設けたことを特徴とする磁気記録媒
体であり、本発明の第３はコバルト、リン並び
に、ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から選
ばれた一種以上の元素を含む合金、またはコバル
ト、リン、亜鉛並びにヒ素、アンチモンおよびビ
スマスの群から選ばれた一種以上の元素を含む合
金からなる磁性体を、錯化剤としてジカルボン酸
を使用して無電解めつき法で形成することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法である。 以下、本発明による磁気記録媒体及びその製造
方法について詳しく説明する。 本発明に用いられる基体は無機物質または有機
物質の非磁性材料が用いられる。無機物質の具体
例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、
銅、シリコンなどの非磁性金属または合金などで
あり、そのほかガラス、アルミナ、シリカなどの
セラミツクスでもよい。有機物質としてはABS
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂
などの合成樹脂である。 基体表面には下地層を設けてもよい。下地層は
例えば無電解めつきによる非磁性ニツケル・リン
層である。基体または下地層を鏡面研摩し、更に
必要に応じてテクスチヤーリング処理（表面に同
心円状の微細で均一な溝をつける）を行なつた
後、磁性体を設ける。 磁性体はコバルト、リン並びに、ヒ素、アンチ
モンおよびビスマスの群から選ばれた一種以上の
元素を含む合金または前述の元素の他にさらに亜
鉛を含む合金からなるものであるが、飽和磁束密
度を調整するためにこれらの外にニツケルを加え
てもよい。 磁性体の合金成分の一部であるヒ素、アンチモ
ンおよびビスマスの群のうち、ヒ素およびビスマ
スは特に好ましい。 これらの元素の配合割合はとくに限定はない
が、好ましくはコバルトは70〜95原子％、リンは
５〜20原子％、ヒ素、アンチモンおよびビスマス
の群から選ばれる一種以上の元素は0.5〜５原子
％、亜鉛は痕跡量である。 また、前記目的でニツケルを加える場合にはニ
ツケルは５〜20原子％が好ましい。 コバルトの配合割合が70原子％未満であると飽
和磁束密度が小さくなり、出力が低下する。リン
の配合割合は無電解めつき法で次亜リン酸ナトリ
ウムを還元剤として使用した場合には、必然的に
５原子％以上になる。 ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から選ば
れる一種以上の元素が0.5原子％未満であるとS*
が十分には向上しない。逆に５原子％を越えると
ノイズが大きくなる。亜鉛は痕跡量含まれておれ
ば十分である。磁性体は無電解めつき法などによ
り形成する。無電解めつき法の場合、無電解めつ
き液の組成はコバルトイオンとしては硫酸塩、硝
酸塩、ハロゲン化合物、酢酸塩等であり、濃度は
通常0.001〜0.5mol／、好ましくは0.01〜
0.06mol／の範囲である。 ニツケルイオンは硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化
物、酢酸塩等が適当であり、ニツケルイオンの濃
度は通常0.0002〜0.3mol／の範囲で用いられる
が、より好ましくは0.001〜0.1mol／である。 ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から選ば
れる一種以上の元素がヒ素の場合にはヒ酸塩、亜
ヒ酸塩が適当であり、通常７×10-5〜３×
10-2mol／の濃度で使用するが、より好ましく
は１×10-4〜1.3×10-2mol／の範囲である。ヒ
素、アンチモンおよびビスマスの群から選ばれる
一種以上の元素がビスマスの場合には硫酸塩、硝
酸塩、ハロゲン化物等が適当であり、その濃度は
通常１×10-4〜１×10-2mol／の範囲で使用す
るが、より好ましくは２×10-4〜５×10-3mol／
の範囲である。周期律表第族ｂに属する元素
が上記以下の濃度ではS*の向上が期待できず、
これ以上ではめつき液の反応性が低下するので好
ましくない。 亜鉛イオンとしては硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン
化合物等が適当である。亜鉛イオン濃度は通常２
×10-6〜0.02mol／の範囲であるが、より好ま
しくは0.5〜10-3〜５×10-3mol／の範囲であ
る。これ以下の範囲では高出力、低ノイズの効果
がなく、これ以上ではめつき液の反応性が低下す
るので好ましくない。 無電解めつき法の場合、上記各イオンの外に錯
化剤、緩衝剤、還元剤およびPH調整剤を加える必
要がある。 錯化剤としては、分子中にカルボキシル基、ア
ミノ基、水酸基を持つた化合物が知られている。
その具体例としてはα−アラニンやセリン等のア
ミノ酸か、またはマロン酸、コハク酸等のジカル
ボン酸が適しており、そのほかグルコン酸、酒石
酸、ムチン酸、クエン酸等のオキシカルボン酸で
もよい。その濃度は0.01〜2.0mol／の範囲であ
る。 緩衝剤は、アンモニウム塩、炭酸塩、ホウ酸
塩、リン酸塩、有機酸塩等が用いられ、その濃度
は．0.05〜2.0mol／の範囲である。 還元剤としては、ジメチルアミノボラン、水素
化ホウ素化合物、ヒドラジン塩類、次亜リン酸ナ
トリウム等があるが、めつき液の安定性を考慮す
ると、次亜リン酸ナトリウムを0.01〜2.0mol／
の範囲で用いることがより望ましい。 PH調整剤は、アンモニア、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等でよい。めつ
き液のPHは7.5〜11.0の範囲が望ましい。 めつき液の温度は通常55〜90℃の範囲が好まし
い。 以上のような組成のめつき液およびめつき条件
で基体上に磁性体を形成し、その上に保護膜を形
成する。保護膜としてはスピンコート法によるシ
リカ膜、スパツタリンング法による炭素膜等が知
られている。 〔実施例〕 以下、実施例及び比較例により本発明を具体的
に説明する。 実施例 １〜12 直径90mm、内径32mm、厚さ1.27mmのアルミニウ
ム円盤を旋盤加工により製作した。この円盤に無
電解めつき法で厚さ20μｍのニツケル・リン下地
層を形成させた。この表面をポリツシングマシン
により鏡面研摩し、表面粗さ（Rnax）を0.04μｍ
に仕上げた。そして、テクスチヤーリングマシン
により同心円状の微細な溝を入れた。表面粗さ
（Rnax）は0.04μｍを保つた。 このようにして得られたアルミニウム円盤（以
下、これをNi・Ｐ基板という）を温度40℃、濃
度2mol／の水酸化ナトリウム溶液に５分間浸
漬することによつて脱脂処理を行なつた。表１に
示す組成のめつき液10に水酸化ナトリウムを添
加してPHを8.6に調整し、温度を75℃にした。こ
のめつき液に前記脱脂処理後の円盤を浸すことに
よつて膜厚0.08μｍの磁性体を形成した。この磁
性体上にスパツタリング法により500Åの厚さの
炭素膜を形成した。このようにして得られたアル
ミニウム円盤について、S*、出力およびノイズ
を測定した。S*の測定は７mm×14mmの試料片を
取り出し、振動試料型磁力計により外部磁場10キ
ロエルステツドの条件で測定した。 出力の測定はトラツク密度が900TPI用のヘツ
ドを用い、1F周波数1.25MHz、2F周波数2.5MHz、
相対速度9.6ｍ／secの条件で行なつた。ノイズの
測定はスペクトラム・アナライザーにより行なつ
た。 その結果、表１に示すように、S*、出力、ノ
イズとも改善され、実用上、高密度の記録媒体に
使用できることがわかつた。 得られた磁性体をESCAにより分析したとこ
ろ、表２に示すとおり１〜２原子％のヒ素または
ビスマスが検出された。また、実施例３、４、７
および８、11、12については痕跡量の亜鉛が検出
された。この結果より、磁性体中にヒ素、アンチ
モンおよびビスマスの群から選ばれる一種以上の
元素を含有させることによりS*、出力およびノ
イズが改善され、とくに上記元素の含有ととも
に、亜鉛を含有させることによりその改善効果が
顕著になることが明らかである。 比較例 １，２ めつき液中にヒ素、アンチモンおよびビスマス
の群から選ばれる一種以上の元素を加えない場合
について実験した。条件、操作方法は実施例１〜
８に準拠してアルミニウム円盤上に磁性体を形成
した。 その結果は表１に示すとおりであり、S*およ
び出力が低くなりノイズが高くなつた。 比較例 ３〜５ 実施例と同様に準備したテクスチヤリング加工
した3.5インチのＮ−Ｐめつきしたアルミニウム
基板をバツチ式のDCマグネトロンスパツタ機に
セツトして、１×10-7Torrまで真空排気したの
ち、基板を200℃に加熱し、２ｍTorrのAr雰囲
気において、Cr下地層を500A形成した。同一装
置内において異なる組成を有するCo合金ターゲ
ツトを変えて磁性層を800Å、10W／cm2の定電力
で成膜して、比較例３〜５の３種類の組成を持つ
磁気記録媒体を得、その磁気特性を評価した。電
磁変換特性は更に500Åの炭素膜をスパツタリン
グ法で形成した後、めつき法で作成した磁気記録
媒体と同様の方法で評価した。評価結果を表１
に、組成を表２に示すとおり、S*及び出力が低
くなりノイズが高くなつた。 実施例 ９ めつき液中の亜鉛の濃度によるS*、出力およ
びノイズの変化について検討を行なつた。実験は
ヒ素添加系の場合（実験No.１〜６）とビスマス添
加系の場合（実験No.７〜12）について行なつた。
めつき液のその他の成分は各実験とも同一であ
り、硫酸コバルトは0.03mol／、ムチン酸は
0.2mol／、ホウ酸は0.4mol／および次亜リ
ン酸ナトリウムは0.3mol／にした。 その結果、表３に示すとおり、ヒ素添加系の場
合およびビスマス添加系の場合とも亜鉛の濃度が
0.5×10-3mol／以上の濃度であれば高出力、低
ノイズの目標が達成されることがわかつた。 実施例 10 本発明者らはめつき液中のヒ素、アンチモンお
よびビスマスの群から選ばれる一種以上の元素を
含む化合物の濃度による抗磁力の変化についても
実験を行なつた。めつき液中の前記化合物の濃度
のみを表４に示すとおりに種々変え、その他の成
分は硫酸コバルト0.03mol／、ムチン酸
0.2mol／、ホウ酸0.4mol／、次亜リン酸ナ
トリウム0.3mol／で各実験とも一定にした。
なお、めつき液のPHは水酸化ナトリウムを加える
ことにより8.6に調製した。 その結果、表４に示すようにヒ素またはビスマ
スの濃度が増加するに従い、抗磁力は低下してい
くことがわかつた。ヒ素の場合３×10-3mol／
以上、また、ビスマスの場合0.5×10-3mol／以
上の濃度で、S*は0.90以上の高い値となつた。 これらの結果より、めつき液中のヒ素、アンチ
モンおよびビスマスの群から選ばれる一種以上の
元素の濃度を調整することにより、高S*値を維
持したまま抗磁力をコントロールできることがわ
かつた。
【表】
【表】
注２ 比較例３〜５はスパツタ法によつて作成したも
のを示す。
のを示す。
【表】
【表】
【表】
以上の結果、本発明によりつぎの効果が得られ
ることが明らかである。すなわち、(1)コバルト、
リン並びに、ヒ素、アンチモンおよびビスマスの
群から選ばれた一種以上の元素を含有させること
により、高S*値を有し、かつ高出力、抵ノイズ
の磁気記録媒体が得られる。(2)コバルト、リン並
びに、ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から
選ばれた元素と亜鉛を同時に含有させることによ
り、高S*値を維持し、かつ、出力、ノイズが著
しく向上した高記録密度に適した媒体が得られ
る。
ることが明らかである。すなわち、(1)コバルト、
リン並びに、ヒ素、アンチモンおよびビスマスの
群から選ばれた一種以上の元素を含有させること
により、高S*値を有し、かつ高出力、抵ノイズ
の磁気記録媒体が得られる。(2)コバルト、リン並
びに、ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から
選ばれた元素と亜鉛を同時に含有させることによ
り、高S*値を維持し、かつ、出力、ノイズが著
しく向上した高記録密度に適した媒体が得られ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ コバルト、リン並びに、ヒ素、アンチモンお
よびビスマスの群から選ばれた一種以上の元素を
含む合金からなる磁性体を基体上に設けたことを
特徴とする磁気記録媒体。 ２ コバルト、リン、亜鉛並びに、ヒ素、アンチ
モンおよびビスマスの群から選ばれた一種以上の
元素を含む合金からなる磁性体を基体上に設けた
ことを特徴とする磁気記録媒体。 ３ コバルト、リン並びに、ヒ素、アンチモンお
よびビスマスの群から選ばれた一種以上の元素を
含む合金、またはコバルト、リン、亜鉛並びに、
ヒ素、アンチモンおよびビスマスの群から選ばれ
た一種以上の元素を含む合金からなる磁性体を、
錯化剤としてジカルボン酸又はオキシカルボン酸
を使用して無電解めつき法で形成することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20689886A JPS6364621A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| KR870005193A KR870011582A (ko) | 1986-05-27 | 1987-05-26 | 자기 기록 매체 |
| DE8787304665T DE3778424D1 (de) | 1986-05-27 | 1987-05-27 | Magnetischer aufzeichnungstraeger. |
| EP87304665A EP0247839B1 (en) | 1986-05-27 | 1987-05-27 | Magnetic recording medium |
| US07/294,998 US4950555A (en) | 1986-05-27 | 1989-01-09 | Magnetic recording medium |
| SG822/92A SG82292G (en) | 1986-05-27 | 1992-08-15 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20689886A JPS6364621A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364621A JPS6364621A (ja) | 1988-03-23 |
| JPH0451882B2 true JPH0451882B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=16530884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20689886A Granted JPS6364621A (ja) | 1986-05-27 | 1986-09-04 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364621A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58212116A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-09 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62273629A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP20689886A patent/JPS6364621A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6364621A (ja) | 1988-03-23 |
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