JPS6363125A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPS6363125A JPS6363125A JP20689786A JP20689786A JPS6363125A JP S6363125 A JPS6363125 A JP S6363125A JP 20689786 A JP20689786 A JP 20689786A JP 20689786 A JP20689786 A JP 20689786A JP S6363125 A JPS6363125 A JP S6363125A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テープ等の
磁気記録媒体に関するものである。
磁気記録媒体に関するものである。
従来、磁気記録媒体は金属の酸化物あるいは合金の磁性
材料を有機物バインダー中に分散させたものを基体に塗
布して得られるものが知られている。しかし、記録密度
の向上のために、鉄、コバルト、ニッケル又はこれらの
合金からなる強磁性金属の薄膜を電解めっき、無電解め
っき、真空蒸着、スパッタリング等の手段で形成する方
法が注目されている。
材料を有機物バインダー中に分散させたものを基体に塗
布して得られるものが知られている。しかし、記録密度
の向上のために、鉄、コバルト、ニッケル又はこれらの
合金からなる強磁性金属の薄膜を電解めっき、無電解め
っき、真空蒸着、スパッタリング等の手段で形成する方
法が注目されている。
とくに、これらの方法により得られるコバルト合金磁性
媒体は高抗磁力、高残留磁気密度を有し、高密度記録に
適している。しかし、更に高記録密度を達成するために
は第1に抗磁力角型比(以下、これをS”と記す)を高
くすること、第2に高出方化および低ノイズ化の要求を
満足させる必要がある。
媒体は高抗磁力、高残留磁気密度を有し、高密度記録に
適している。しかし、更に高記録密度を達成するために
は第1に抗磁力角型比(以下、これをS”と記す)を高
くすること、第2に高出方化および低ノイズ化の要求を
満足させる必要がある。
本発明の目的は、これらの技術課題を解決して、Sが高
く、高出力かつ低ノイズの磁気記録媒体を提供すること
にある。
く、高出力かつ低ノイズの磁気記録媒体を提供すること
にある。
本発明者らは上記目的を達成するために磁性体の組成忙
ついて遣々検肘を行なったところ、コバルト合金中にス
ズを加えることによってS”が向上すること、さらにス
ズとともに周期律表第■族bK属する一種以上の元素を
加えることにより、S”を高く維持したまま出力が高く
なり、かつノイズが低くなることを見出した。本発明は
これらの知見に基づいてなされたものである。
ついて遣々検肘を行なったところ、コバルト合金中にス
ズを加えることによってS”が向上すること、さらにス
ズとともに周期律表第■族bK属する一種以上の元素を
加えることにより、S”を高く維持したまま出力が高く
なり、かつノイズが低くなることを見出した。本発明は
これらの知見に基づいてなされたものである。
すなわち、本発明の第1はコバルト、リンおよびスズの
合金から遷る磁性体を基体上に設けたことを特徴とする
磁気記録媒体であり、本発明の第2はコバルト、リン、
スズおよび周期律表第■族bに属する一種以上の元素の
合金からなる磁性体を基体上に設けたことを特徴とする
磁気記録媒体である。
合金から遷る磁性体を基体上に設けたことを特徴とする
磁気記録媒体であり、本発明の第2はコバルト、リン、
スズおよび周期律表第■族bに属する一種以上の元素の
合金からなる磁性体を基体上に設けたことを特徴とする
磁気記録媒体である。
以下、本発明による磁気記録媒体について詳しく説明す
る。
る。
ネ
本発明に用いられる基本は無機物質または有機物質の非
磁性材料が用いられる。無機物質の具体例としては、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、銅、シリコンなどの非
磁性金属または合金などであり、そのほかガラス、アル
ミナ、シリカなどのセラミックスでもよい。有機物質と
してはAB8樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステ
ル樹脂などの合成樹脂である。
磁性材料が用いられる。無機物質の具体例としては、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、銅、シリコンなどの非
磁性金属または合金などであり、そのほかガラス、アル
ミナ、シリカなどのセラミックスでもよい。有機物質と
してはAB8樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステ
ル樹脂などの合成樹脂である。
基体表面には下地層を設げてもよい。下地層は例えば無
電解めっきによる非磁性ニッケル・リン層である。基体
または下地層を鏡面研摩し、更に必要に応じてテクスチ
ャーリング処理(表面に同心円状の微細で均一な溝をつ
ける)を行なった後、磁性体を設ける。
電解めっきによる非磁性ニッケル・リン層である。基体
または下地層を鏡面研摩し、更に必要に応じてテクスチ
ャーリング処理(表面に同心円状の微細で均一な溝をつ
ける)を行なった後、磁性体を設ける。
磁性体はコバルト、リン、スズおよび周期律表第■族す
に属する一種以上の元素の合金からなるものであるが、
飽和磁束密度を調整するためにニッケルを加えてもよい
。周期律表第■族bK属する元素は亜鉛、カドミウムま
たは水銀であり、これらのうち前2者がとく忙好ましい
。
に属する一種以上の元素の合金からなるものであるが、
飽和磁束密度を調整するためにニッケルを加えてもよい
。周期律表第■族bK属する元素は亜鉛、カドミウムま
たは水銀であり、これらのうち前2者がとく忙好ましい
。
これらの元素の配合割合はとくに限定はない力ζ好まし
くはコバルトは70〜95原子チ、リンは5〜20原子
チ、スズは0.5〜5原子チ、周期律表第■族すに属す
る一種以上の元素は痕跡量である。また、前記目的でニ
ッケルを加える場合にはニッケルは5〜20原子チが好
ましい。
くはコバルトは70〜95原子チ、リンは5〜20原子
チ、スズは0.5〜5原子チ、周期律表第■族すに属す
る一種以上の元素は痕跡量である。また、前記目的でニ
ッケルを加える場合にはニッケルは5〜20原子チが好
ましい。
、コバルトの配合割合が70原子−未満であると飽和磁
束密度が小さくなり出力が低下する。リンの配合割合は
無電解めっき法で火皿リン酸す)1ウムを還元剤として
使用した場合には必然的に−5原子チ以上になる。
束密度が小さくなり出力が低下する。リンの配合割合は
無電解めっき法で火皿リン酸す)1ウムを還元剤として
使用した場合には必然的に−5原子チ以上になる。
スズが0.5原子チ未満であるとS”および出力の向上
が期待できず、またノイズ低下も望めない。
が期待できず、またノイズ低下も望めない。
スズが5原子チを越えるとノイズが大きくなる。
周期律表第■族すに属する元素は痕跡量含まれておれば
充分である。磁性体は無電解めっき法などにより形成す
る。無電解めっき法の場合、無電解めっき液の組成はコ
バルトイオンとしては硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化合物
、酢酸塩等であり、濃度は通常0.001〜0−5 m
ol/21’ s好ましくは0.01〜0.06 mo
l/Jの範囲である。
充分である。磁性体は無電解めっき法などにより形成す
る。無電解めっき法の場合、無電解めっき液の組成はコ
バルトイオンとしては硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化合物
、酢酸塩等であり、濃度は通常0.001〜0−5 m
ol/21’ s好ましくは0.01〜0.06 mo
l/Jの範囲である。
ニッケルイオンは硫酸塩、硝酸塩、へロrン化物、酢酸
塩等が適当であり、ニッケルイオンの濃度は通常0.0
002〜0.3 mol/Jの範囲で用いられるが、よ
り好ましくは0.001〜0.1 mol/Jである。
塩等が適当であり、ニッケルイオンの濃度は通常0.0
002〜0.3 mol/Jの範囲で用いられるが、よ
り好ましくは0.001〜0.1 mol/Jである。
スズイオンはスズ酸塩、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化合
物等が適当である。スズイオン濃度は通常0.001〜
0.6 mol/Jであるが、より好ましくハo、o
o s〜0.1 molAの範囲である。これ以下の濃
度ではSlの向上が期待できず、これ以上ではめつき液
の反応性が低下するので好ましくない。
物等が適当である。スズイオン濃度は通常0.001〜
0.6 mol/Jであるが、より好ましくハo、o
o s〜0.1 molAの範囲である。これ以下の濃
度ではSlの向上が期待できず、これ以上ではめつき液
の反応性が低下するので好ましくない。
周期律表第■族すに属する元素のイオンとしては硫酸塩
、硝酸塩、ハロゲン化合物等が適当である。そのイオン
濃度は通常0.002810−3〜2゜X 10−3m
ol/Jの範囲であるが、より好ましくは0.01 X
10−3〜5 X 10−3mol/lの範囲である
。
、硝酸塩、ハロゲン化合物等が適当である。そのイオン
濃度は通常0.002810−3〜2゜X 10−3m
ol/Jの範囲であるが、より好ましくは0.01 X
10−3〜5 X 10−3mol/lの範囲である
。
これ以下の範囲では高出力、低ノイズの効果がなく、こ
れ以上ではめつき液の反応性が低下するので好ましくな
い。
れ以上ではめつき液の反応性が低下するので好ましくな
い。
無電解めっき法の場合、上記各イオンの外に錯化剤、緩
衝剤、還元剤およびpH調整剤を加える必要がある。錯
化剤としては、分子中にカルボキシル基、アミノ基、水
酸基を持った化合物が知られている。その具体例として
はα−ア2ニンやセリン等のアミノ酸か、またはマロン
酸、コハク酸等のジカルボン酸が適しており、そのほか
グルコン酸、酒石酸、ムチン酸、クエン酸等のオキシカ
ルボン酸でもよい。その濃度は0.01〜2.0mol
/7の範囲である。
衝剤、還元剤およびpH調整剤を加える必要がある。錯
化剤としては、分子中にカルボキシル基、アミノ基、水
酸基を持った化合物が知られている。その具体例として
はα−ア2ニンやセリン等のアミノ酸か、またはマロン
酸、コハク酸等のジカルボン酸が適しており、そのほか
グルコン酸、酒石酸、ムチン酸、クエン酸等のオキシカ
ルボン酸でもよい。その濃度は0.01〜2.0mol
/7の範囲である。
緩衝剤は、アンモニウム塩、炭酸塩、ホウ酸塩、リン酸
塩、有機酸塩等が用いられ、その濃度は0.05〜2.
0 mol/lの範囲である。
塩、有機酸塩等が用いられ、その濃度は0.05〜2.
0 mol/lの範囲である。
還元剤としては、ジメチルアミノボラン、水素化ホウ素
化合物、とVマシン塩類、次亜リン酸ナトリウム等があ
るが、めっき液の安定性を考慮すると、次亜リン酸ナト
リウムを0.01〜2.Qmol/ノの範囲で用いるこ
とがより望ましい。
化合物、とVマシン塩類、次亜リン酸ナトリウム等があ
るが、めっき液の安定性を考慮すると、次亜リン酸ナト
リウムを0.01〜2.Qmol/ノの範囲で用いるこ
とがより望ましい。
PH調整剤は、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、炭酸ナトリウム等でよい。めっき液の…は7
.5〜11.0の範囲が望ましい。
カリウム、炭酸ナトリウム等でよい。めっき液の…は7
.5〜11.0の範囲が望ましい。
めっき液の温度は通常55〜90℃の範囲が好ましい。
以上のような組成のめっき液およびめっき条件で基体上
て磁性体を形成し、その上に保護膜を形成する。保護膜
としてはスfンコート法によるシリカ膜、スパッタリン
グ法による炭素膜等が知られている。
て磁性体を形成し、その上に保護膜を形成する。保護膜
としてはスfンコート法によるシリカ膜、スパッタリン
グ法による炭素膜等が知られている。
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例1〜6
直径90n、内径32B、厚さ1.27111のアルミ
ニウム円盤を旋盤加工により製作した。この円盤に無電
解めっき法で厚さ20μmのニッケル・リン下地層を形
成させた。この表面をポリッシングマシンにより鏡面研
摩し、表面粗さくRma工)を0.04μmに仕上げた
。そして、テクスチャーリングマシンにより同心円状の
微細な溝を入れた。
ニウム円盤を旋盤加工により製作した。この円盤に無電
解めっき法で厚さ20μmのニッケル・リン下地層を形
成させた。この表面をポリッシングマシンにより鏡面研
摩し、表面粗さくRma工)を0.04μmに仕上げた
。そして、テクスチャーリングマシンにより同心円状の
微細な溝を入れた。
表面粗さくR工。工)は0.04μmf保った。
このようくして得られたアルミニウム円盤(以下、これ
をN1・P基板という)を温度40°C1濃度2 mo
l/lの水酸化ナトリウム溶液に5分間浸漬することに
よって脱脂処理を行なった。表1に示す組成のめっき液
101に水酸化ナトリウムを添加してpHt−8,6に
調整し、温度を75℃にした。
をN1・P基板という)を温度40°C1濃度2 mo
l/lの水酸化ナトリウム溶液に5分間浸漬することに
よって脱脂処理を行なった。表1に示す組成のめっき液
101に水酸化ナトリウムを添加してpHt−8,6に
調整し、温度を75℃にした。
このめっき液に前記脱脂処理後の円盤を浸すことによっ
て膜厚0.08μmの磁性体を形成した。この磁性体上
にスパッタリング法により500人の厚さの炭素膜全形
成した。このようにして得られたアルミニウム円盤につ
いて、S”、出力およびノイズを測定した。S”の測定
は7mx14mmの試料片を取り出し、振動試料型磁力
計により外部磁場10キロエルステツドの条件で測定し
た。
て膜厚0.08μmの磁性体を形成した。この磁性体上
にスパッタリング法により500人の厚さの炭素膜全形
成した。このようにして得られたアルミニウム円盤につ
いて、S”、出力およびノイズを測定した。S”の測定
は7mx14mmの試料片を取り出し、振動試料型磁力
計により外部磁場10キロエルステツドの条件で測定し
た。
出力の測定はトラック密度が9 Q Q TM用のヘラ
Vを用い、1F周波数1.25MH2,2F周波数2.
5 MHz 、相対速度9.6m/seaの条件で行な
った。
Vを用い、1F周波数1.25MH2,2F周波数2.
5 MHz 、相対速度9.6m/seaの条件で行な
った。
ノイズの測定はスペクトラム・アナライデーにより行な
った。
った。
その結果、表1に示すように、S”、出力、ノイズとも
改善され、実用上、高密度の記録媒体に使用できること
がわかった。
改善され、実用上、高密度の記録媒体に使用できること
がわかった。
得られた磁性体’i ESCAにより分析したところ、
表2に示すとおり1.5〜1.8原子チのスズが検出さ
れた。また、実施例6および4では痕跡量のカドミウム
が検出され、実施例5および6では痕跡量の亜鉛が検出
された。
表2に示すとおり1.5〜1.8原子チのスズが検出さ
れた。また、実施例6および4では痕跡量のカドミウム
が検出され、実施例5および6では痕跡量の亜鉛が検出
された。
この結果より、磁性体中にスズを含有させること釦より
S*、出力およびノイズが改善され、とくにスズの含有
とともに、周期律表第■族すの元素を含有させることに
より出力およびノイズの改善効果が顕著になることが明
らかである。
S*、出力およびノイズが改善され、とくにスズの含有
とともに、周期律表第■族すの元素を含有させることに
より出力およびノイズの改善効果が顕著になることが明
らかである。
比較例1,2
実施例1〜6のめっき液成分からスズ酸す)IJウムを
取り除いた場合について実験した。条件、紙 操作方法は実施例1′〜乙に準拠してN1・P暴言上に
磁性体を形成した。
取り除いた場合について実験した。条件、紙 操作方法は実施例1′〜乙に準拠してN1・P暴言上に
磁性体を形成した。
その結果は表1に示すとおりであり、スズを磁性体(コ
バルト・リン皮膜)中に含有させないとS”および出力
が低くなりノイズが高くなった。
バルト・リン皮膜)中に含有させないとS”および出力
が低くなりノイズが高くなった。
実施例7
めっき液中の周期律表第■族すに属する元素の濃度によ
る出力、ノイズの変化について検討を行なった。めっき
液中の硫酸コバルトは0.03molA。
る出力、ノイズの変化について検討を行なった。めっき
液中の硫酸コバルトは0.03molA。
スズ酸ナトリウムは0.08 molA、ムチン酸は0
.2 molA、ホウ酸は肌4 zolAおよび次亜リ
ン酸ナトリウムはQ、3 mol/Jでいずれも一定と
し、周期律表第■族すに属する元素の化合物の濃度のみ
を表3に示すとおりに変えて磁性体のめつ@を行なった
。
.2 molA、ホウ酸は肌4 zolAおよび次亜リ
ン酸ナトリウムはQ、3 mol/Jでいずれも一定と
し、周期律表第■族すに属する元素の化合物の濃度のみ
を表3に示すとおりに変えて磁性体のめつ@を行なった
。
その結果、表3に示すとおり、周期律表第■族bKJi
iする元素がカドミウムの場合には0.04 Xl 0
弓mol/J以上であれば、また亜鉛の場合忙は0−5
X 10−3mol/ノ以上であれば高出力、低ノイ
ズの目標が達成できることがわかった。
iする元素がカドミウムの場合には0.04 Xl 0
弓mol/J以上であれば、また亜鉛の場合忙は0−5
X 10−3mol/ノ以上であれば高出力、低ノイ
ズの目標が達成できることがわかった。
実施例8
本発明者らはめつき液中のスズ濃度による抗磁力の変化
についても実験を行なった。めっき液中のスズ酸ナトリ
ウムのみを表4に示すとお9に種々変え、その他の成分
は硫酸;パル) 0.03mol/A!、ムチン酸0−
2mol/J、ホウ酸0.4 mol/1%次亜リン酸
ナトリウム0.39/11で各実験とも一定にした。
についても実験を行なった。めっき液中のスズ酸ナトリ
ウムのみを表4に示すとお9に種々変え、その他の成分
は硫酸;パル) 0.03mol/A!、ムチン酸0−
2mol/J、ホウ酸0.4 mol/1%次亜リン酸
ナトリウム0.39/11で各実験とも一定にした。
なお、めっき液の−は水酸化ナトリウムを加えることK
より8.6に調製した。
より8.6に調製した。
その結果、表4に示すようにスズ酸ナトリウムの濃度が
増加するに従い、抗磁力は低下していくことがわかった
。S”はスズ酸ナトリウムの濃度が0.02 mol/
J以上で0.90以上の高い値を示している。
増加するに従い、抗磁力は低下していくことがわかった
。S”はスズ酸ナトリウムの濃度が0.02 mol/
J以上で0.90以上の高い値を示している。
この結果より、めっき液中のスズ酸ナトリウム濃度をm
*することにより、高s’mを維持したまま抗磁力をコ
ントロールできることがわかった。
*することにより、高s’mを維持したまま抗磁力をコ
ントロールできることがわかった。
表4
〔発明の効果〕
以上の結果、本発明によりつぎの効果が得られることが
明らかである。すなわち、(1)コバルト合金中にスズ
を含有させることにより、高S”値を有し、かつ高出力
、低ノイズの磁気記録媒体が得られる。(2)コバルト
合金中にスズと周期律表第■族すに属する元素を同時に
含有させることにより、高84)値を維持し、かつ、出
力、ノイズが著しく向上した高記録密度に適した媒体が
得られる。
明らかである。すなわち、(1)コバルト合金中にスズ
を含有させることにより、高S”値を有し、かつ高出力
、低ノイズの磁気記録媒体が得られる。(2)コバルト
合金中にスズと周期律表第■族すに属する元素を同時に
含有させることにより、高84)値を維持し、かつ、出
力、ノイズが著しく向上した高記録密度に適した媒体が
得られる。
特許出願人 電気化学工業株式会社
手 続 補 正 書
昭和61年11月4日
1、事件の表示
昭和61年特許願第206897号
2、発明の名称
磁気記録媒体
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 ■100 東京都千代田区有楽町1丁目4番1
号明細書の発明の詳細な説明の欄 5、補正の内容 (1)明細書第2頁第5行の「高残留磁気密度」を「高
残留磁束密度」と訂正する。
号明細書の発明の詳細な説明の欄 5、補正の内容 (1)明細書第2頁第5行の「高残留磁気密度」を「高
残留磁束密度」と訂正する。
Claims (2)
- (1)コバルト、リンおよびスズの合金からなる磁性体
を基体上に設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)コバルト、リン、スズおよび周期律表第II族bに
属する一種以上の元素の合金からなる磁性体を基体上に
設けたことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20689786A JPS6363125A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20689786A JPS6363125A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6363125A true JPS6363125A (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=16530868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20689786A Pending JPS6363125A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6363125A (ja) |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP20689786A patent/JPS6363125A/ja active Pending
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