JPH02177319A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH02177319A JPH02177319A JP25351888A JP25351888A JPH02177319A JP H02177319 A JPH02177319 A JP H02177319A JP 25351888 A JP25351888 A JP 25351888A JP 25351888 A JP25351888 A JP 25351888A JP H02177319 A JPH02177319 A JP H02177319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- exhaust port
- gas introduction
- tube reactor
- reaction gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
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- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長装置に関する。
従来、この種の気相成長装置は、第３図に示す様に、炉
芯管リアクター３の一方例のガス導入口２から反応ガス
を流し、対向する位置にある排気口８から処理済ガスを
排気する様になっていた。
芯管リアクター３の一方例のガス導入口２から反応ガス
を流し、対向する位置にある排気口８から処理済ガスを
排気する様になっていた。
１はガス供給機構、９は排気機構であり、ポート４に搭
載された多数の半導体ウェハー−５がリアクター３内で
熱処理されて所定の膜が気相成長される。
載された多数の半導体ウェハー−５がリアクター３内で
熱処理されて所定の膜が気相成長される。
上述した従来の炉芯管での反応ガスは一方から反応ガス
を流している為にガス導入口のガス組成と排気口でのガ
ス組成とでは違っており、この為にそれぞれの位置に於
ける半導体ウェハーの膜質も違っているという欠点があ
る。
を流している為にガス導入口のガス組成と排気口でのガ
ス組成とでは違っており、この為にそれぞれの位置に於
ける半導体ウェハーの膜質も違っているという欠点があ
る。
上述した従来の炉芯管リアクターに対し、本発明はガス
導入口と排気口の間に膜質補正用のガス導入口を有する
という相違点を有する。
導入口と排気口の間に膜質補正用のガス導入口を有する
という相違点を有する。
本発明の気相成長装置は、炉芯管リアクター内の一方か
ら反応ガスを流す為のガス導入口と反応法ガスを排気す
る為の排気口を有し、ガス導入口と排気口の間で反応ガ
スを供給する為のガス導入口を有している。
ら反応ガスを流す為のガス導入口と反応法ガスを排気す
る為の排気口を有し、ガス導入口と排気口の間で反応ガ
スを供給する為のガス導入口を有している。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
反応ガスはガス供給機構１よりガス導入口２から炉芯管
リアクター３内に流れ、ボート４上に立てられた多数の
半導体ウェハー５上で気相成長膜として堆積する。−力
変化した反応ガス組成を補正する為に補正用のガス供給
機構６からガス導入ロアを通して反応ガスをリアクター
３内に流して行き、排気口８を通して排気機構９で排気
する。
リアクター３内に流れ、ボート４上に立てられた多数の
半導体ウェハー５上で気相成長膜として堆積する。−力
変化した反応ガス組成を補正する為に補正用のガス供給
機構６からガス導入ロアを通して反応ガスをリアクター
３内に流して行き、排気口８を通して排気機構９で排気
する。
第２図は本発明の他の実施例の縦断面図である。
第１図の構成にかえて炉芯管リアクター３内で反応した
反応ガスを組成を分析する為の分析装置１０を有し、炉
芯管す７クター３内の反応ガスの組成を分析し、それに
応じて補正用のガス供給機構６より所定量のガスを炉芯
管リアクター３内に供給する様にする。この実施例では
分析装置を追加することにより正確に組成を判断し、そ
れに応じて補正用のガス導入口より反応ガスを供給する
ことにより、より均一な膜質が得られるという利点があ
る。
反応ガスを組成を分析する為の分析装置１０を有し、炉
芯管す７クター３内の反応ガスの組成を分析し、それに
応じて補正用のガス供給機構６より所定量のガスを炉芯
管リアクター３内に供給する様にする。この実施例では
分析装置を追加することにより正確に組成を判断し、そ
れに応じて補正用のガス導入口より反応ガスを供給する
ことにより、より均一な膜質が得られるという利点があ
る。
以上説明した様に本発明は、炉芯管リアクター内の反応
ガス組成を補正することにより、ガス導入口から排気口
までのウエノ＼−の膜質を均一にできるという効果があ
る。
ガス組成を補正することにより、ガス導入口から排気口
までのウエノ＼−の膜質を均一にできるという効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例の気相成長装置の縦断面図、
第２図は他の実施例の気相成長装置の縦断面図、第３図
は従来の気相成長装置の縦断面図。 １・・・・・・ガス供給機構、２・・・・・・ガス導入
口、３・・・・・・炉芯管リアクター ４・・・・・・
ボート、５・・・・・・ウェハー ６・・・・・・ガス
組成補正用のガス供給機構、７・・・・・・ガス組成補
正用のガス導入口、８・・・・・・排気口、９・・・・
・・排気機構、１０・・・・・・分析装置。 代理人 弁理士 内 原 晋
第２図は他の実施例の気相成長装置の縦断面図、第３図
は従来の気相成長装置の縦断面図。 １・・・・・・ガス供給機構、２・・・・・・ガス導入
口、３・・・・・・炉芯管リアクター ４・・・・・・
ボート、５・・・・・・ウェハー ６・・・・・・ガス
組成補正用のガス供給機構、７・・・・・・ガス組成補
正用のガス導入口、８・・・・・・排気口、９・・・・
・・排気機構、１０・・・・・・分析装置。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 炉芯管リアクター内で気相成長を行うウェハー処理室に
反応ガスを導入する為のガス導入口と、処理済反応ガス
を排気する為の排気口とを有する気相成長装置に於いて
、前記ガス導入口と前記排気口の間に膜質補正用のガス
導入口を有することを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25351888A JPH02177319A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25351888A JPH02177319A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177319A true JPH02177319A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=17252483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25351888A Pending JPH02177319A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177319A (ja) |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP25351888A patent/JPH02177319A/ja active Pending
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