JPH02185020A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH02185020A JPH02185020A JP515389A JP515389A JPH02185020A JP H02185020 A JPH02185020 A JP H02185020A JP 515389 A JP515389 A JP 515389A JP 515389 A JP515389 A JP 515389A JP H02185020 A JPH02185020 A JP H02185020A
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- Japan
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- exhaust port
- growth chamber
- exhaust
- raw material
- substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長装置、特に、複数の成長室を有する気
相成長装置に関する。
相成長装置に関する。
従来の気相成長装置について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第２図は従来の気相成長装置の一例を示す模式反応管１
は２つの成長室１１．１１−を有しており、それぞれに
は原料ソース６．６゛が載置されている。キャリアガス
導入口２，２°より水素ガスを導入した上で、加熱炉９
により反応管１内のソース６．６°と基板８を加熱する
。
は２つの成長室１１．１１−を有しており、それぞれに
は原料ソース６．６゛が載置されている。キャリアガス
導入口２，２°より水素ガスを導入した上で、加熱炉９
により反応管１内のソース６．６°と基板８を加熱する
。
基板８は、フランジ部１０と支持部２０との調整によっ
てアーム７を移動して所定の位置に設置される。
てアーム７を移動して所定の位置に設置される。
１、Ｐの基板８が成長室１１に設置される場合、ソース
６に工。、原料ガス導入口３からＰＨ３が導入され、基
板８上にＩｆｉＰ層結晶成長させることができる。
６に工。、原料ガス導入口３からＰＨ３が導入され、基
板８上にＩｆｉＰ層結晶成長させることができる。
次に、基板８が成長室１１“に設置された場合、ソース
６°にＧ、原料ガス導入口３−からはＡＳＨ３が導入さ
れ、基板８上には１．Ｇ、Ａ５層を結晶成長させるこの
ができる。
６°にＧ、原料ガス導入口３−からはＡＳＨ３が導入さ
れ、基板８上には１．Ｇ、Ａ５層を結晶成長させるこの
ができる。
上述した従来の気相成長装置は、排気口４が基板８より
も下流側にのみ配置されているので、原料ガスの混在す
る領域が存在し、基板８の移動の際にはその領域を通過
しなければならず、結晶組成が不安定になるという欠点
があった。
も下流側にのみ配置されているので、原料ガスの混在す
る領域が存在し、基板８の移動の際にはその領域を通過
しなければならず、結晶組成が不安定になるという欠点
があった。
本発明の気相成長装置は、ソースの載置された複数の成
長室を有する反応管を備え結晶成長される基板が前記成
長室間を移動する気相成長装置において、前記成長室の
各々で前記ソースと前記基板との中間位置に排気口が設
置される 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
長室を有する反応管を備え結晶成長される基板が前記成
長室間を移動する気相成長装置において、前記成長室の
各々で前記ソースと前記基板との中間位置に排気口が設
置される 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第１図に示す気相成長装置は、成長室１１．１１°の下
流側で、ソース６．６“の下流側かつ基板８の上流側に
設置された排気口５，５゛を含んで構成される。
流側で、ソース６．６“の下流側かつ基板８の上流側に
設置された排気口５，５゛を含んで構成される。
成長窓１１においてＩｎＰ層の成長を行なっている際は
、排気口４からの排気とともに排気口５°からの排気を
行なう。（この時、排気口５からの排気は行なわれない
） これにより、成長室１１−からの原料ガスは下流の排気
口４に達する以前に排気口５゛から排気されるので、成
長室１１゛から成長室１１への原料ガスの混入は抑制さ
れる。
、排気口４からの排気とともに排気口５°からの排気を
行なう。（この時、排気口５からの排気は行なわれない
） これにより、成長室１１−からの原料ガスは下流の排気
口４に達する以前に排気口５゛から排気されるので、成
長室１１゛から成長室１１への原料ガスの混入は抑制さ
れる。
次に、アーム７を操作して、基板８を成長室１１°に移
動し、工。ＧＡＡｓ層の成長を行なう際は、排気口４か
らの排気とともに排気口５からの排気を行なう、（この
時、排気口５−からの排気は行なわない） これにより、成長室１１からの原料ガスは下流の排気口
４に達する以前に排気口５から排気されるので、成長室
１１から成長室１１−への原料ガスの混入は抑制される
。
動し、工。ＧＡＡｓ層の成長を行なう際は、排気口４か
らの排気とともに排気口５からの排気を行なう、（この
時、排気口５−からの排気は行なわない） これにより、成長室１１からの原料ガスは下流の排気口
４に達する以前に排気口５から排気されるので、成長室
１１から成長室１１−への原料ガスの混入は抑制される
。
基板８が移動を開始した時点で上述の操作を行なうと、
２つの成長室１１．１１“の原料ガスが混在する領域は
減少する。
２つの成長室１１．１１“の原料ガスが混在する領域は
減少する。
本発明の気相成長装置は、各々の成長室のソースと基板
の中間位置に排気口を追加することにより、結晶成長に
関与しない成長室の排気口から排気することができりた
め、他の成長室へのガスの混入を抑制し、原料ガスの混
在領域を減少させることができるので、基板上に成長さ
れた半導体層の結晶組成を安定化できるという効果があ
る。
の中間位置に排気口を追加することにより、結晶成長に
関与しない成長室の排気口から排気することができりた
め、他の成長室へのガスの混入を抑制し、原料ガスの混
在領域を減少させることができるので、基板上に成長さ
れた半導体層の結晶組成を安定化できるという効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図、第２図従来の
一例を示す模式図である。 １・・・・・・反応管、２・・・・・・キャリアガス導
入管、３・・・・・・原料ガス導入口、４・・・・・・
排気口、５・・・・・・排気口、６・・・・・・ソース
、７・・・・・・アーム、８・・・・・・基板、９・・
・・・・加熱炉、１０・・・・・・フランジ部、１１・
旧・・成長室、２０・・・・・・支持部。 夷 １ ３ ； 原シトずス榊入奮 ６ ； ゛ノース 代理人 弁理士 内 原 晋 第 ′ｌ 品
一例を示す模式図である。 １・・・・・・反応管、２・・・・・・キャリアガス導
入管、３・・・・・・原料ガス導入口、４・・・・・・
排気口、５・・・・・・排気口、６・・・・・・ソース
、７・・・・・・アーム、８・・・・・・基板、９・・
・・・・加熱炉、１０・・・・・・フランジ部、１１・
旧・・成長室、２０・・・・・・支持部。 夷 １ ３ ； 原シトずス榊入奮 ６ ； ゛ノース 代理人 弁理士 内 原 晋 第 ′ｌ 品
Claims (1)
- ソースの載置された複数の成長室を有する反応管を備え
結晶成長される基板が前記成長室間を移動する気相成長
装置において、前記成長室の各々で前記ソースと前記基
板との中間位置に排気口が設置されることを特徴とする
気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP515389A JPH02185020A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP515389A JPH02185020A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02185020A true JPH02185020A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11603324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP515389A Pending JPH02185020A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02185020A (ja) |
-
1989
- 1989-01-11 JP JP515389A patent/JPH02185020A/ja active Pending
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