JPH02177340A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH02177340A
JPH02177340A JP63331393A JP33139388A JPH02177340A JP H02177340 A JPH02177340 A JP H02177340A JP 63331393 A JP63331393 A JP 63331393A JP 33139388 A JP33139388 A JP 33139388A JP H02177340 A JPH02177340 A JP H02177340A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
bonding pad
semiconductor device
chip surface
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63331393A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuji Nagamatsu
永松　達司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63331393A priority Critical patent/JPH02177340A/ja
Publication of JPH02177340A publication Critical patent/JPH02177340A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔横梁上の利用分野〕 この発明は半導体装置のチップの構造に関し。
持てチップ表面上のボンディングパッド部分が内部領域
よりも旺くした半導体構造を提供するものである。
〔従来の技術〕
左８図は従来の半導体装置のワイヤポンディング部の部
分断面図で１図ＶＣ示すように、チップはダイパラ１′
、５１の上にはんだ等で固定され。
チップ表面ｉｌ＋と同一平面上に設けられ九ボンディン
グパッド１３１　／（金線等のワイヤ（２（で外部り一
ド鴻子（図示せず）とのζ気的導通を取るようになって
いる。
次ＶＣ作用について説明する。従来の半導体装置は第８
図の状態でプラスチック樹脂（図示せず）等で封止され
るため、チップ面積が大きい場合等は封止樹脂からのチ
ップ表面…へのに５力は・浅大になシ、その応力によっ
てチップ表面：１１が歪み、チップ表面上の配線がずれ
たりして。
半導体装置が正常に動作しなくなることがある。
これは、半導体装置の果槓度が上がりチップ面積が大き
くなるに従い、より顕著になる傾向がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置は以上のように構成されていたので、
チップ面積をあ１９大さくできず。
またダイパラＦの下面からワイヤの最も旨いところまで
の距離が大きいため、パッケージの厚さ？薄くできない
という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、全体のチップ面積が太き〈ても実質的なチッ
プ面積は小さくできるとともに、パンケージの厚さを薄
くできる半導体装ｔｉｔｆｒ：得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置・１ボンディングバンド部分
をチップ表面よりも低くし実質ｒ句なチップ面積を小さ
くすると七もに、パッケージの１早さ全従来まゆ薄くで
きるようにしたものである。
〔作用〕
この発明における半導体装置はポンデインパッド部分？
チップ表面よりも低くすることにより、実質的なチップ
面積が小さくなり封止樹脂からの応力が緩和され、信頼
性が向上し、また。
ダイパッド下面からワイヤの最も高いところまでの距離
が小さくなることにより従来より薄いフイツケージカ；
得られる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。８１
図において、　＋ｌｌはチップ表［ｆｒ％（２）はチッ
プとパンケージ外部リード端子との１通を取るためのワ
イヤ、（３１はチップ表面＋ｌｌよりも低く設けられた
ボンディングパッド、１４１μチップ六面＋ｌｌからの
角度、−６１はダイパッドである。
また、第２図は第１図の他の実施列を示す部分断面図で
ある。
この実施例において全体のチップｒｋＩ積は従来質的な
チップ面積は小さくなる。したがって。
その分封上樹脂からの応力が緩和されることになり、半
導体装置の信頼性が向上する。
また、ボンディングパッド１３１がチップ表面中よりも
低いため、ダイパッド・ｆ１１下面からワイヤ（２）の
最も高いところまでの距離が小さくなり、このためパッ
ケージの厚さヲ薄くできる。
なお、上記実−Ｅ例では衣ＩＭＴからの角度１４１は９
０゜および４６°ぐらいの２通りを示したが、表面から
の角度；４１は何度でもよい。
筐た、段差部分の形状は多角でもまた曲線であってもよ
い。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ボンディングバラ）″
をチップ表面より低く構成し九ので実質的なチップ面積
が小さくなり、封止樹脂からの応力が緩和されその信頼
性が向上するとともニ／セツケージを薄くできる幼果が
ろる・
【図面の簡単な説明】
・シー１図はこの発明の一実施例ＶＣよる半導体装ｖＩ
／ｌを示す部分断面図、第２図けこの発明の他の実施−
１−示す部分断面図、第８図は従来の半導体装置を示す
部分断面図である。 図において、］１１はチップ表面、・２）はワイヤ、３
１ｔ：ｆ、ボンディングパッド、　＋４１汀チップ表面
からの角度１．Ｉｉｌはダイパッドを示Ｔ。 なお１図中、同一符号は同一　または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. チップ表面の最も外側にチップを囲むように配置されて
    いるボンディングパッド部分だけがトランジスタの存在
    する内部領域より低くしたことを特徴とする半導体装置
    。
JP63331393A 1988-12-27 1988-12-27 半導体装置 Pending JPH02177340A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63331393A JPH02177340A (ja) 1988-12-27 1988-12-27 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63331393A JPH02177340A (ja) 1988-12-27 1988-12-27 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02177340A true JPH02177340A (ja) 1990-07-10

Family

ID=18243193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63331393A Pending JPH02177340A (ja) 1988-12-27 1988-12-27 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02177340A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934403A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 埃赛力达加拿大有限公司 厚度减小且封装空间减小的半导体封装

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934403A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 埃赛力达加拿大有限公司 厚度减小且封装空间减小的半导体封装
EP2924728A3 (en) * 2014-03-20 2016-07-20 Excelitas Canada Inc. Bond pad for a semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4684975A (en) Molded semiconductor package having improved heat dissipation
US7535085B2 (en) Semiconductor package having improved adhesiveness and ground bonding
JPH08116016A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JP2569939B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04302164A (ja) 半導体装置
JPH08213614A (ja) Ｍｏｓ技術電力デバイスチィップ及びパッケージ組立体
JPH02177340A (ja) 半導体装置
US6147410A (en) Electronic component and method of manufacture
JPH11111750A (ja) 半導体装置
JPS63283053A (ja) 半導体装置のリ−ドフレ−ム
JPS62296528A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2587722Y2 (ja) 半導体装置
KR100258605B1 (ko) 반도체 l.o.c 패키지 구조
KR0141945B1 (ko) 방열판을 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지
JPS6384143A (ja) 半導体装置
JPH02166743A (ja) 半導体集積回路装置
JPS6138193Y2 (ja)
JP2520612Y2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2986983B2 (ja) 半導体装置
KR100370480B1 (ko) 반도체 패키지용 리드 프레임
JPH062713U (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH03105957A (ja) 半導体集積回路装置
JPS62185340A (ja) 半導体装置
KR200159002Y1 (ko) 적층내부 리드리드 프레임
JPH06132475A (ja) 半導体パッケージ