JPH02178258A - ２―ハロゲン置換カルボン酸誘導体 - Google Patents
２―ハロゲン置換カルボン酸誘導体Info
- Publication number
- JPH02178258A JPH02178258A JP63329200A JP32920088A JPH02178258A JP H02178258 A JPH02178258 A JP H02178258A JP 63329200 A JP63329200 A JP 63329200A JP 32920088 A JP32920088 A JP 32920088A JP H02178258 A JPH02178258 A JP H02178258A
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- Pending
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皇栗上至程几分顆
本発明は、室温を含む広い温度範囲でμｓｅｃ単ン置換
カルボン酸誘導体に関するものである。
カルボン酸誘導体に関するものである。
が解゛ しようとする課
最初の実用的強誘電性液晶化合物として確認されている
ものにはいわゆるＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−デシルオキシベ
ンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルケイ皮酸
エステル）に代表されるシッフ塩基系のアルコキシベン
ジリデンアルキルアニリン同族液晶化合物があり、多く
の研究がおこなわれＪ高特性の改善がおこなわれてきた
が、熱および化学的安定性の点では充分ではなかった。
ものにはいわゆるＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−デシルオキシベ
ンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルケイ皮酸
エステル）に代表されるシッフ塩基系のアルコキシベン
ジリデンアルキルアニリン同族液晶化合物があり、多く
の研究がおこなわれＪ高特性の改善がおこなわれてきた
が、熱および化学的安定性の点では充分ではなかった。
又特開昭６０−３２７４８には、一般式（式中Ｒは炭素
数２０以下のアルキル基もしくはアルコキシ基である）
で表わされる液晶化合物が開示されているが、強誘電性
を示すスメクチックＣ′″相の温度範囲が狭かったり、
等労相への転移点が高い傾向があり、さらに応答性がお
そいという欠点がある。
数２０以下のアルキル基もしくはアルコキシ基である）
で表わされる液晶化合物が開示されているが、強誘電性
を示すスメクチックＣ′″相の温度範囲が狭かったり、
等労相への転移点が高い傾向があり、さらに応答性がお
そいという欠点がある。
最近フェニル安息香酸系の強誘電性液晶が多数開発され
、これらの液晶化合物は化学的安定性が比較的良好で、
種類が豊富なことからこれらの化合物を混合した混合液
晶やこれらの化合物と他種の液晶化合物との混合液晶が
広く用いられている。
、これらの液晶化合物は化学的安定性が比較的良好で、
種類が豊富なことからこれらの化合物を混合した混合液
晶やこれらの化合物と他種の液晶化合物との混合液晶が
広く用いられている。
本発明は熱的および化学的安定性にすぐれ、しかも相転
移温度を拡大した強誘電性液晶化合物を提供することに
ある。
移温度を拡大した強誘電性液晶化合物を提供することに
ある。
本発明は、弐
式
［式中、Ｒ１は炭素数１〜１８のアルキル基、アルキル
オキシ基、アルカノイル基アルキルオキシカルボニル基
又はアルキルカルボニルオキシ基；または−ＣＨ＝Ｎ−
単結合、 −ＯＣＨ，−Ｃゆ−Ｒ２− Ｒ３ で表わされる２−ハロゲン置換カルボン酸残基（式中、
Ｒ２は炭素数１〜ｔＡルキル基、Ｚは水素原子、ハロゲ
ン原子また低級ハロアルキル基、Ｒ３は水素原子または
低級アルキル基である）］で表わされる２−ハロゲン置
換カルボン酸誘導体に関するものである。
オキシ基、アルカノイル基アルキルオキシカルボニル基
又はアルキルカルボニルオキシ基；または−ＣＨ＝Ｎ−
単結合、 −ＯＣＨ，−Ｃゆ−Ｒ２− Ｒ３ で表わされる２−ハロゲン置換カルボン酸残基（式中、
Ｒ２は炭素数１〜ｔＡルキル基、Ｚは水素原子、ハロゲ
ン原子また低級ハロアルキル基、Ｒ３は水素原子または
低級アルキル基である）］で表わされる２−ハロゲン置
換カルボン酸誘導体に関するものである。
上記一般式において、Ｒ＋基は、炭素数１〜１８の直鎖
上アルキル基で、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ
−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、
ｎ−ドデシル、ｎ−）リゾシル、およびｎ−テトラデシ
ル基などである。
上アルキル基で、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ
−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、
ｎ−ドデシル、ｎ−）リゾシル、およびｎ−テトラデシ
ル基などである。
また、Ｒ，は炭素数１〜１８の分枝状アルキル基で、好
ましくは、ｉ−プロピル、■−メチルブチル、２−メチ
ルブチル、３−メチルブチル、１メチルペンチル、２−
エチルヘキシルおよび１−メチルヘプチル基などである
。
ましくは、ｉ−プロピル、■−メチルブチル、２−メチ
ルブチル、３−メチルブチル、１メチルペンチル、２−
エチルヘキシルおよび１−メチルヘプチル基などである
。
Ｒ２は炭素数１〜１６のアルキル基またはその置換誘導
体で、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロビル、イ
ソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｎ−ペンチル、
イソアミル、ベンジンおよびフェネチル基などである。
体で、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロビル、イ
ソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｎ−ペンチル、
イソアミル、ベンジンおよびフェネチル基などである。
Ｒ３は水素原子または低級アルキル基で、低級アルキル
基は、好ましくは水素原子、メチル基およびエチル基な
どである。
基は、好ましくは水素原子、メチル基およびエチル基な
どである。
Ｚはハロゲン原子および低級ハロアルキル基であり、好
ましくは、Ｆ、 Ｃ１，Ｂｒ、 ＣＦ：ｌ 、 Ｃｚ
Ｆ。
ましくは、Ｆ、 Ｃ１，Ｂｒ、 ＣＦ：ｌ 、 Ｃｚ
Ｆ。
Ｃ：ｌＦ？、 ＣＣＡ’ＦＺ、 ＣＣＩ ｚＦ 、およ
びＣＦ：ＩＣＣＩ！ ｚ基などである。
びＣＦ：ＩＣＣＩ！ ｚ基などである。
次に、本発明に係る化合物の製造！衣の一例を示す。
ル基およびＲ３が低級アルキル基の場合。
２−ハロゲノ−２−アルキルマロン酸エステルの酸クロ
リッド体とベンジルオキシフェノールとを反応させ、エ
ステル化合物を合成した後、パラジウム−炭素などの触
媒を用いて水添処理し、２−ハロゲノ−２−アルキルマ
ロン酸エステルのフェノールエステルＣＩ）を合成した
。
リッド体とベンジルオキシフェノールとを反応させ、エ
ステル化合物を合成した後、パラジウム−炭素などの触
媒を用いて水添処理し、２−ハロゲノ−２−アルキルマ
ロン酸エステルのフェノールエステルＣＩ）を合成した
。
などの不活性溶媒中で反応させて、目的化合物である２
−ハロゲノ−２−アルキルマロン酸エステルの４ （４
′−アルコキシビフェニルカルボキシ）安息香酸エステ
ルを製造することができる。
−ハロゲノ−２−アルキルマロン酸エステルの４ （４
′−アルコキシビフェニルカルボキシ）安息香酸エステ
ルを製造することができる。
上記のフェノールエステル（１）と一般式また、別法と
して、 本発明の化合物は２−ハロゲノ−２ マロン酸フエノールエステル アルキル （Ｒ＋、ＲｇおよびＲ３は上記と同意義を有する）で表
わされるカルボン酸誘導体（ＩＩ）の酸クロライド体と
をピリジンなどの塩基の存在下、塩化メチレン、テトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテルと一般式 で表わされる４′−アルコキシビフェニルカルボン酸と
をジシクロヘキシルカルボジイミドなどの脱水縮合剤を
用いてエステル化することによって製造することができ
る。
して、 本発明の化合物は２−ハロゲノ−２ マロン酸フエノールエステル アルキル （Ｒ＋、ＲｇおよびＲ３は上記と同意義を有する）で表
わされるカルボン酸誘導体（ＩＩ）の酸クロライド体と
をピリジンなどの塩基の存在下、塩化メチレン、テトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテルと一般式 で表わされる４′−アルコキシビフェニルカルボン酸と
をジシクロヘキシルカルボジイミドなどの脱水縮合剤を
用いてエステル化することによって製造することができ
る。
上記のカルボン酸誘導体（ＩＩ）に代えて、などを用い
ることができる。
ることができる。
更に、上記の２−ハロゲノ−２−アルキルマロン酸フェ
ノールエステル（１）の代りに、などを用いることがで
きる。
ノールエステル（１）の代りに、などを用いることがで
きる。
（式中Ｒ，，Ｙは上記と同一意義を有する）本発明に係
る化合物の製造経路を示すと次のようである。
る化合物の製造経路を示すと次のようである。
〔式中Ｒ８はアルキル基〕
〔■ ′〕
１′＋３
次に実施例を掲げて本発明を説゛明するがこれに限定さ
れるものではない。
れるものではない。
実施例
４−ベンジルオキシフェノール２２ｇと２−メチルー２
−フルオロマロン酸モノエチルエステルの酸クロリド体
１８ｇおよびトリエチルアミン１１ｇを塩化メチレン溶
媒に加え、室温にて１昼夜反応した。反応液を水中に注
ぎ、塩化メチルにて抽出した後、ＩＮ塩酸、水、ＩＮ炭
酸水素すｌ−ＩＪウム、水の順に有機層を洗浄し、中性
にした後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加え、乾燥
し、減圧上溶媒を留去し、得られた粗生成物をトルエン
−シリカゲルクロマト処理し、２−フルオロ−２〜メチ
ルマロン酸−４−ベンジルオキシフェニルエステルＬｏ
ｇを得た。
−フルオロマロン酸モノエチルエステルの酸クロリド体
１８ｇおよびトリエチルアミン１１ｇを塩化メチレン溶
媒に加え、室温にて１昼夜反応した。反応液を水中に注
ぎ、塩化メチルにて抽出した後、ＩＮ塩酸、水、ＩＮ炭
酸水素すｌ−ＩＪウム、水の順に有機層を洗浄し、中性
にした後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加え、乾燥
し、減圧上溶媒を留去し、得られた粗生成物をトルエン
−シリカゲルクロマト処理し、２−フルオロ−２〜メチ
ルマロン酸−４−ベンジルオキシフェニルエステルＬｏ
ｇを得た。
次に上記化合物と１０％パラジウム炭素１．０ｇとをメ
タノールに加え、水素加圧下で１０時間反応させた。反
応液を決過して１０％パラジウム炭素を除いた後、エタ
ノールを減圧上留去して、目的化合物７．２ｇを得た。
タノールに加え、水素加圧下で１０時間反応させた。反
応液を決過して１０％パラジウム炭素を除いた後、エタ
ノールを減圧上留去して、目的化合物７．２ｇを得た。
企底・
前項〔１〕で得られた４−ヒドロキシフェニル−エチル
−２−メチル−２−フルオロマロン酸７．２ｇと触媒量
のジメチルアミノピリジンとをピリジン３５ｍ＆に溶解
し、氷水中にて冷却しながら塩化メチレン３０ｎｉｆに
溶解した４−オクチルオキシビフェニルカルボン酸クロ
リド１０．７ ｇを滴下した後、室温にて一昼夜反応し
た。
−２−メチル−２−フルオロマロン酸７．２ｇと触媒量
のジメチルアミノピリジンとをピリジン３５ｍ＆に溶解
し、氷水中にて冷却しながら塩化メチレン３０ｎｉｆに
溶解した４−オクチルオキシビフェニルカルボン酸クロ
リド１０．７ ｇを滴下した後、室温にて一昼夜反応し
た。
反応液を水に注ぎ分液炉斗にて有機層を分離した後、希
塩酸、水、ＩＮ炭酸水素ナトリウム、水の順にて有機層
を洗浄後有機層を回収し、これに無水硫酸マグネシウム
を加えて乾燥した後、減圧上溶媒を留去して得られた粗
生成物をｎ−ヘキサンと酢酸エチルの混合物を展開液と
してシリカゲルクロマト処理し、さらにエタノールにて
再結晶を（り返して目的化合物１．２ｇを得た。
塩酸、水、ＩＮ炭酸水素ナトリウム、水の順にて有機層
を洗浄後有機層を回収し、これに無水硫酸マグネシウム
を加えて乾燥した後、減圧上溶媒を留去して得られた粗
生成物をｎ−ヘキサンと酢酸エチルの混合物を展開液と
してシリカゲルクロマト処理し、さらにエタノールにて
再結晶を（り返して目的化合物１．２ｇを得た。
本発明の目的化合物は液晶性を示し、強誘電性であるス
メクチックＣ０相を７６〜１２０℃の範囲で示した。実
施例に示した本発明の目的化合物の赤外吸収スペクトル
線図を第１図に示した。
メクチックＣ０相を７６〜１２０℃の範囲で示した。実
施例に示した本発明の目的化合物の赤外吸収スペクトル
線図を第１図に示した。
主皿■四困
（１）本発明の目的化合物は広い温度範囲のカイラルス
メクチック相を示す強誘電性液晶材料である。
メクチック相を示す強誘電性液晶材料である。
（２） 本発明の目的化合物はスメクチックＡ相にお
いてエレクトロクリニック効果を示す。
いてエレクトロクリニック効果を示す。
（３）本発明の目的化合物に数種の液晶化合物を配合し
てカイラルスメクチック液晶組成物を構成する場合、カ
イラルスメクチック相の温度範囲を拡張する有用な構成
成分となる化合物である。
てカイラルスメクチック液晶組成物を構成する場合、カ
イラルスメクチック相の温度範囲を拡張する有用な構成
成分となる化合物である。
実施例に示す本発明の目的化合物（ＩＩＩ）の赤外吸収
スペクトル線図は第１図に示した。
スペクトル線図は第１図に示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中Ｒ＿１は炭素数１〜１８のアルキル基、アルキル
オキシ基、アルカノイル基、アルキルオキシカルビニル
基又はアルキルカルボニルオキシ基；▲数式、化学式、
表等があります▼は▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 または▲数式、化学式、表等があります▼単結合、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 または▲数式、化学式、表等があります▼単結合、 Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または−ＣＨ＝Ｎ−単結合、 Ｙは▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる２−ハロゲン置換カルボン酸残基（式中、
Ｒ＿２は炭素数１−１６のアルキル基、Ｚは水素原子、
ハロゲン原子または低級ハロアルキル基、Ｒ＿３は水素
原子または低級アルキル基である）］ で表わされる２−ハロゲン置換カルボン酸誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63329200A JPH02178258A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | ２―ハロゲン置換カルボン酸誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63329200A JPH02178258A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | ２―ハロゲン置換カルボン酸誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178258A true JPH02178258A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18218769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63329200A Pending JPH02178258A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | ２―ハロゲン置換カルボン酸誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02178258A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03112944A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-14 | Nippon Mining Co Ltd | 新規な含フッ素化合物、これを含む液晶組成物及び光スイッチング素子 |
| DE10232670A1 (de) * | 2002-07-18 | 2004-02-05 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Läppscheiben |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307837A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-12-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学活性化合物 |
| JPH01197459A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学活性化合物及び液晶組成物 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63329200A patent/JPH02178258A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307837A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-12-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学活性化合物 |
| JPH01197459A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学活性化合物及び液晶組成物 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03112944A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-14 | Nippon Mining Co Ltd | 新規な含フッ素化合物、これを含む液晶組成物及び光スイッチング素子 |
| DE10232670A1 (de) * | 2002-07-18 | 2004-02-05 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Läppscheiben |
| DE10232670B4 (de) * | 2002-07-18 | 2004-05-13 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Läppscheiben |
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