JPH02181340A - ドットアレイ蛍光管形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、蛍光表示管やバーコード表示管として好適
なドツトアレイ蛍光管の形成方法に関する。

（従来の技術） ドツトアレイ蛍光管の構造を第９図および第１０図にお
いて説明する。これらの図において、符号１は板状のガ
ラスやセラミックスからなる基板を示している。この基
板１の表面には、その長手方向に隔置してセグメント電
極２が列設されている。

基板１の長手方向両側縁には、絶縁層３，３が形成され
、その上面にグリッド電極４，４が設けられている。グ
リッド電極４，４の上にはフェイスガラス５が固着され
、基板、絶縁層、フェイスガラスで真空空間を構成して
いる。この空間には、フィラメント６．６が張設され、
セグメント電極２には蛍光面７が形成されている。従っ
て、フェイスガラス５を透かして管内部を覗くと、蛍光
面７がドツト状に並んでいるのが１１０できる。

かかるドツトアレイ蛍光管の形成方法を第１１図および
第１２図に基づいて説明する。電極形成工程において、
ガラスプレートからなる基板１の表面にアルミニウムな
どの導電性材料からなるセグメント電極２をフォトエツ
チング法により列設形成する。絶縁層形成工程において
、セグメント電極１の基板幅方向側縁がわを覆うように
、換言すると、電極２の中央部が露出するように厚膜用
絶縁ガラス例えば鉛ガラスとカーボンとからなる厚さ１
０〜２０μｍ程度の絶縁層３で基板の両側縁を被覆する
。絶縁層３は、スクリーン印刷法で形成されたのち焼成
される。フォトレジスト層形成工程において、第１２図
（ａ）に示すように、絶縁層２．セグメント電極２をス
ピンナーやディッピングによってフォトレジスト層８で
全面被覆する。次いで、第１２図（ｂ）に示すように、
マスク９を介してフォトレジスト層８を露光したのち現
像し、第１２図（Ｃ）に示すように、セグメント電極２
の中央部の蛍光面形成位［２ａを露出させる。蛍光面形
成位Ｉ！！２ａを露出させられた基板１は、次の蛍光面
形成工程において、第１２図（ｄ）に示すように、上記
位［２ａに蛍光面７を形成される。蛍光面の形成は、第
１３図に示すように、セグメント電極１とスクリュー１
２と基板との間に配置した対向電極１３を電源に接続し
ておいて、タンク１０に貯溜された蛍光体粒子を分散さ
せた溶媒１１中に基板１を浸漬する。セグメント電極と
対向電極間に電界を印加しておいてスクリュー１２を回
転させて分散液を攪拌すると、液中の蛍光体粒子は電気
泳動して蛍光面形成位Ｉｉ！！２ａに付着堆積して蛍光
面７を形成する。

攪拌される分散液１１は、対向電極１３と基板１との間
を流通するとき、第１４図に示すように、露出している
セグメント電極２の蛍光面形成位置２ａに付着する。蛍
光面形成後これを乾燥定着したのち。

フォトレジスト層除去工程において、例えば酸素プラズ
マでフォトレジスト層８を焼成し、第１２図（ａ）に示
すように核層８を除去する。次に、組立工程において、
絶縁層３の上に適宜の手段でグリッド電極４，４を設け
、図示しない部材を用いてフィラメント６を張ったのち
、基板１にフェイスガラス５を固定する。封止工程にお
いて、基板１とフェイスガラス５とを封止したのち、排
気工程において、ドツトアレイ管内部を排気する。排気
完了後に点灯確認等の検査工程に進む。グリッド電極４
は、フィラメント６から放出された電子をアノードとし
てのセグメント電極２が効率良く捕獲するために設けら
れるものであって、ハニカム状のメツシュ構造を呈する
ものであり、低融点ガラスのような導電ペーストを用い
て絶縁層上に設置固定される。

（発明が解決しようとする課題） 従来のドツトアレイ蛍光管の形成において、絶縁層８の
形成を含む工程では、クリーンな雰囲気で製作されたも
のをラフな雰囲気に置き、再度クリーンな環境下レニ戻
すという過程を経るので、基板の洗浄が必要となり、コ
スト高につながる。また、スクリーン印刷時に使用する
バインダーのにじみ出しがセグメント電極形成・蛍光面
形成工程や１．、Ｃ，のボンディングなどに悪影響を与
え、管の品質の信頼性を損なう。また、スクリーン印刷
法で絶縁層８を形成してセグメント電極２の一部を露出
させようとすると、そのスリット幅に限界がある。その
ために、蛍光面形成に当っては、フォトレジスト層のパ
ターンニングで形成したセグメント電極の露出部（２ａ
）に蛍光体を付着させざるを得ない。従って、蛍光面を
形成した後のフォトレジスト層をプラズマで除去するフ
ォト！ノジスト層除去工程が必須となり、蛍光体の発光
寿命に影響を及ぼす熱処理工程を省略できない。また、
フォトレジストの残りかすによる発光特性の不安定も問
題となる。更に、蛍光体粒子がセグメント電極の蛍光面
形成位置２ａに付着するとき、当該位置をはみだして蛍
光面が形成されることがある。

このはみだしが、セグメント電極の配列方向と平行なエ
ツジに発生する分には余り大きな影響はないのであるが
、セグメント電極の配列方向と直交するドツトのエツジ
に発生すると、相隣る蛍光面同士が掻く近接若しくは連
結してしまうことになり、精度の高い発光特性が失われ
てしまう。この「はみだし」は、タンク内の攪拌流によ
る掻き取り効果（スキャベジング効果）に頼っているの
が実情であり、精度の高いドツトサイズを得るのは至難
の技術である。

次に、従来のスクリーン印刷された絶縁層３の表面は、
これをミクロ的に見ると凹凸が激しい、また、蛍光面形
成後に、別箇に形成されたグリッド電極を低融点ガラス
等のペーストを用いて絶縁層上に後付けするので、グリ
ッド電極の取付は精度が低いと、基板長手方向の輝度ば
らつきが生じて、均−且つ安定した管品質が得られない
、という問題がある。

また、電気泳動法による蛍光面形成工程では、セグメン
ト電極と間隔を置いて対向電極を配置している。この対
向電極は、蛍光体粒子の付着条件を電界の面から見ると
、蛍光面形成位置に可及的近接している方が良いのであ
るが、分散液の流動性による電着条件から見るとあまり
近接させると。

蛍光体粒子が所望厚さまで電着する時間が長くなり効率
的でない。従って、従来は蛍光体粒子の付着条件の設定
が難しく、管品質にばらつきが多い、という問題があっ
た。

本発明の第１の目的は、電極形成工程から蛍光面形成の
前工程までをクリーンな一体環境下で実行させるように
工程を設定することでコストを下げ、しかも蛍光面のド
ツトサイズの均一化と発光輝度の安定化を図れるドツト
アレイ蛍光管形成方法の提供にある。

本発明の第２の目的は、グリッド電極の設置位置の精度
向上を図り且つ輝度ばらつきのないドツトアレイ蛍光管
形成方法の提供にある。

本発明の第３の目的は、セグメント電極の蛍光面形成位
置への蛍光体粒子の付着状態を向上させることのできる
ドツトアレイ蛍光管形成方法の提供にある。

（ｉｌ１題を解決するための手段） 上記第１の目的は、電極形成工程において、基板の表面
を、その長平方向に沿って断続的に侵食させて凹部を列
設し、これら各凹部にそれぞれ導電性材料を付着させて
セグメント電極を形成し、絶縁層形成工程において、上
記セグメント電極を含む基板表面に絶縁層を形成したの
ち、蛍光体を付着すべき蛍光面形成位置のセグメント電
極をドツト状に露出させてセグメント電極列を形成し、
蛍光面形成工程において、露出しているセグメント電極
の蛍光面形成位置に蛍光体粒子を付着させて蛍光面を形
成し、組立工程において、上記絶縁層上にグリッド電極
を設置することを特徴とするドツトアレイ蛍光管形成方
法によって達成される。

上記第２の目的は、上記電極形成工程、絶縁層形成工程
を経たのち、グリッド電極形成工程において、相隣るセ
グメント電極間に位置する上記絶縁層上に導電性材料を
付着させてグリッド電極列を形成し、蛍光面形成工程に
おいて、露出しているセグメント電極の蛍光面形成位置
に蛍光体粒子を付着させて蛍光面を形成することを特徴
とするドツトアレイ蛍光管形成方法によって達成される
。

上記第３の目的は、上記電極形成工程、絶縁層形成工程
、グリッド電極形成工程を経たのち、蛍光面形成工程に
おいて、上記基板を蛍光体粒子を分散させた溶媒に浸漬
し、上記グリッド電極を上記セグメント電極の対向電極
とした電気泳動法により、上記セグメント電極の蛍光面
形成位置に蛍光体粒子を付着させて蛍光面を形成させる
ことを特徴とするドツトアレイ蛍光管形成方法によって
達成される。

（作　　用） 電極形成工程において、基板の表面に凹部を列設し、こ
れら各凹部にそれぞれ導電性材料を付着させてセグメン
ト電極を形成し、絶縁層形成工程において、基板表面に
絶縁層を形成したのち、蛍光体を付着すべき蛍光面形成
位置のセグメント電極をドツト状に露出させてセグメン
ト電極列を形成し、蛍光面形成工程において、露出して
いるセグメント電極の蛍光面形成位置に蛍光体粒子を付
着させ、組立工程において上記絶縁層上にグリッド電極
を設置する。

電極形成工程において、基板の表面に凹部を列設し、こ
れら各凹部にそれぞれ導電性材料を付着させてセグメン
ト電極を形成し、絶縁層形成工程において、基板表面に
絶縁層を形成したのち、蛍光体を付着すべき蛍光面形成
位置のセグメント電極をドツト状に露出させてセグメン
ト電極列を形成し、グリッド電極形成工程において、相
隣るセグメント電極間に位置する上記絶縁層上に導電性
材料を付着させてグリッド電極列を形成し、蛍光面形成
工程において、露出しているセグメント電極の蛍光面形
成位置に蛍光体粒子を付着させて蛍光面を形成する。

電極形成工程において、基板の表面に凹部を列設し、こ
れら各凹部にそれぞれ導電性材料を付着させてセグメン
ト電極を形成し、絶縁層形成工程において、基板表面に
絶縁層を形成したのち、蛍光体を付着すべき蛍光面形成
位置のセグメント電極をドツト状に露出させてセグメン
ト電極列を形成し、グリッド電極形成工程において、相
隣るセグメント電極間にグリッド電極列を形成し、蛍光
面形成工程において、上記基板を蛍光体粒子を分散させ
た溶媒に浸漬し、上記グリッド電極を上記セグメント電
極の対向電極とした電気泳動法により、上記セグメント
電極の蛍光面形成位置に蛍光体粒子を付着させて蛍光面
を形成させる。

（実施例） 以下、図示の実施例に基づいて本発明の詳細な説明する
。

第１の発明を第１図及び第２図に基づいて工程順に説明
する。

電極形成工程 第２＠（ａ）に示すように、所定の形状に切断された板
ガラスからなる基板２０の幅方向に、セグメント電極を
形成する部分を露出させたレジストパターン２１を形成
したのち、第２図（ｂ）に示すように、基板２０をエツ
チング法により、侵食して凹部２２を形成する。エツチ
ング法によれば、１０μｍ程度の深さの凹部の形成が可
能である。第２図（ｃ）に示すように、スパッタにより
基板表面にアルミニウム膜を付着させて、凹部２１にア
ノード電極としてのセグメント電極２３を形成する６次
いで、同図（ｄ）に示すように、レジスト２１を除去す
ると、基板２０には、凹部に形成されたセグメント電極
２３のみが残る。

絶縁層形成工程 第２図（ｅ）に示すように、絶縁層２４としてのＳｉｏ
２膜をＣＶＤ（なるべくならアルミニウムに対して熱ダ
メージの少ない光ＣＶＤなどが良い）などの方法により
できるだけ厚めに基板表面に形成する。このとき、第２
図（ｆ）に示すように、セグメント電極２３の表面にも
絶縁層２４が形成される。

第２図（ｆ）は、同図（ｅ）の凹部２２の長手方向（基
板幅方向のｆ−ｆ線断面を示している０次に、第２図（
ｇ）に示すように、基板長手方向に沿って絶縁層２４の
中央部２４ａをライン状に露出させるように、絶縁層２
４の両側にフォトリソグラフ法によってレジスト層２５
をパターン形成する。次いで、第２図（ｈ）に示すよう
に、露出している絶縁層の中央部２４ａをエツチングに
より除去して、セグメント電極２３の蛍光面形成位置２
３ａを露出させる。こののち、レジスト層２５を除去す
る。この状態を平面的に見ると、第２図（ｉ）に示すよ
うになっている。第２図（ｉ）に示す基板２０を、線ｊ
−ｊで長手方向において絶縁層２４．２４の部分で切断
すると、同図（ｊ）に示すような断面構造となっている
。また、第２図（ｉ）に示す基板２０をその幅方向に切
断すると、セグメント電極２３を設けられた部分は、同
図（ｋ）に示すように、蛍光面形成位［２３ａが露出さ
せられ、電極２２が設けられていない部分は侵食前の基
板の厚さ部分の上に絶縁層２４が形成されている。換言
すると、個々の蛍光面形成位置２３ａは、基板表面から
一段低い位置に存在していることになる。

蛍光面形成工程 第２図（ｉ）〜（Ｑ）に示すように、絶縁層２４　、２
４でマスキングされて電極の蛍光面形成位置２３ａを露
出された基板２０を、第１３図に符号１で示すように、
蛍光体粒子を分散させたタンク内に浸漬すると、分散液
中の蛍光体粒子が電気泳動法により蛍光面形成位［２３
ａに付着して、第２図（ｍ）に示すように蛍光面２６を
形成する。この蛍光面２６の形成に当り、蛍光面形成位
１ｉ２３ａは、第４図（第２図（ｋ）、（Ｑ）参照）に
示すように、基板表面において周囲より一段低い位置す
なわち周りを壁で囲まれた状態にあるから、当該位［２
３ａに付着する蛍光面のドツトサイズは均−且つ精度の
良いものとなる。

組立工程 第２図（ｍ）に示すように蛍光面２６を形成した基板２
０の絶縁層２４．２４上にグリッド電極２７を設ける。

このグリッド電極２７は、従来と同様に、導電性材料を
ハニカム状のメツシュ構造にしたものを第３図及び第４
図に示すように、蛍光面２６を覆わないように位置させ
て設置する０次に、フィラメントサポート（図示せず）
を設置してフィラメントを張り、フェイスガラスを基板
上に設置し固定する。

なお、この組立工程においては、グリッドやフィラメン
トの設置に先立つ導電ペーストの塗布とこれら設置後の
乾燥・焼成等の周知の工程が含まれるのであるが、これ
らは省いである。

封止工程・排気工程・検査工程 組立工程が終了したのち、基板とフェイスガラスとを密
に固定したのち、排気工程において管内部の空気を排気
する。排気完了後、点灯確認等の検査工程を経てドツト
アレイ蛍光管が完成する。

なお、組立工程から製品完成に至る過程には適宜の工程
が含まれるのであるが、これらは省略して示しである。

第２の発明を第５図ないし第７図に基づいて説明する。

電極形成工程・絶縁層形成工程 この発明を前述した第１の発明と比べたとき。

電極形成から絶縁層形成に至る工程は同じであるから、
第５図の電極形成工程と絶縁層形成工程及びこれに対応
する第６図（ａ）乃至（ｅ）の説明については、同一符
号を付すことによりその説明を割愛することとする。

グリッド電極形成工程 絶縁層２４を形成された基板２０は、第６図（ｆ）に示
すように、グリッド電極となる導電性材料例えばＩＴＯ
層２８をスパッタなどの適宜の手段により全面被覆し製
膜する。全面塗膜形成がなされたのち、グリッド電極と
なるべき部分すなわち凹部２２の形成時に残された基板
部分２０ａが残るように。

換言すると、第６図（ｇ）に示すように電極２８が残る
ように、フォトリングラフ法によって、ＩＴＯ層２８を
エツチングして、セグメント電極２３上位のＩＴＯ層２
８を除去しパターンニングする。このパターンニングは
、基板全面にレジストを塗布してからマスクを密着させ
、露光・現像の工程を経ても良いが、ポジタイプのレジ
ストを用いる場合、そのアライメントが困難であるから
、ネガティブタイプのレジストを用いる方が精度が高く
なる。

酸化インジウムに錫をドーピングしたＩＴＯ層２８は、
ネガティブタイプのレジストであって、第６図（ｆ）に
示すように、基板２０の下面から露光すると、セグメン
ト電極２３がマスクとして機能し、５ｉ０２からなる絶
縁層２４が透光性を有するから、露光後現像すると、Ｉ
ＴＯ層２８はセグメント電極２３に対応する部分を除い
て第６図（ｇ）に示すように残留する。ＩＴＯ層２８は
、第７図に示すように、基板２０の一側縁に位置する共
通ライン２８Ａで互いに連結されていて、グリッド電極
として機能する。

以下、ＩＴＯ層２８をグリッド電極２８と称する。

蛍光面形成工程 グリッド電極２８を形成した基板の表面全面に、第６図
（ｈ）に示すように、フォトレジスト層２９を塗布した
のち、フォトリソグラフ法によって同図（ｉ）に示すよ
うに、核層２９を基板長手方向にライン状に除去してレ
ジストのパターンニングを行い、斜線を付した部分の絶
縁層２４（蛍光面形成位置２３ａ）を露出させる。この
とき、グリッド電極２８の一部も露出させられる６次に
、ドライエツチングによって、第６図（ｉ）に斜線を付
して示す蛍光面形成位置２３ａを被覆している部分の絶
縁層２４を除去して、同図（ｊ）に示すように、蛍光面
形載位［２３ａを露出させる。蛍光面形載位１１２３ａ
を露出させたのち、フォトレジスト層２９．２９を酸素
プラズマなどにより除去する。なお、第６図（ｉ）と同
図（ｊ）は基板を平面的に見たものである。蛍光面形成
位置２３ａを露出させられた基板は、第１３図に示すよ
うに、蛍光体粒子を分散させた液中に浸漬され、セグメ
ント電極２３を電源の一方の端子に接続されて対向電極
１３との間に電界を形成され、液を攪拌されることで液
中の蛍光体粒子を電気泳動により蛍光面形成位置２３ａ
に付着させられて。

第６図（ｋ）に示すように、蛍光面２６を形成される。

第７図に蛍光面形成時における分散液の流れを矢印で示
している。攪拌される分散液は、基板２０のＷ１２２（
第６図（ｂ）参照）に沿って流れ、しかも四方を壁で囲
まれた蛍光面形成位置２３ａに所定サイズのドツト状に
付着する。第７図において、蛍光面２６は、一方の蛍光
面形成位置２３ａにのみ形成された状態を示しているが
、これは説明の都合であって、各蛍光面形載位１１２３
ａには均一に蛍光体粒子が付着させられる。蛍光面２６
を形成された基板を平面的に見たのが第６図（１２）で
ある、なお、蛍光面形成時に、既に形成されているグリ
ッド電極２８を対向電極として用いることができるので
あるが。

この点については第３の発明の項で説明する。

組立工程 蛍光面２６を形成された基板にフィラメントを張り、フ
ェイスガラスを設置する。この工程は、第１図において
説明した工程中のグリッド電極設置の工程を除いたもの
であるから、詳細な説明は割愛する。

封止工程・排気工程・検査工程 これらの工程は、第１図に基づいて説明したものと同じ
であるから、重複を避けるためにその説明は省略する。

第３の発明を説明する。

この発明は、第５図において説明した第２の発明におけ
る蛍光面形成工程の実施に特徴があるので、この工程を
詳細に説明するにとどめ、電極形成工程、絶縁層形成工
程、グリッド電極形成工程。

組立工程及びこれ以降の工程の説明は割愛する。

第６図（ｊ）に示すように、蛍光面形成位置２３ａを露
出させられた状態の基板は、蛍光体粒子を分散された液
中に浸漬されるのである。このとき、セグメント電極２
３は、第８図に示すように、電源３１の一方の極に接続
され、グリッド電極２８はその共通ライン２８Ａの一端
で電源の他方の極（分散液の極性と同極性）に接続され
ている。そして、分散液を攪拌すると、この液は第７図
に矢印で示すように、凹部２２（第６図（ｂ）参照）に
沿って流通させられる。このとき、スイッチ３２をオン
にすると、分散液中の蛍光体粒子は、セグメント電極２
３とグリッド電極２８とで形成される電界に従って電気
泳動して蛍光面形載位［２３ａに付着させられる。この
場合、グリッド電極２８は、対向電極としての機能を果
たしており、該電極２８は相隣るセグメント電極２３相
互間に位置させられているので、分散液の流通を何ら妨
げないことになる。しかも、蛍光面形成位置２３ａは、
グリッド電極２８から一段低い位置にあるから、蛍光体
粒子は上記位置２３ａのエツジのみならずその全面に付
着させられる。なお。

第８図に示す基板の個々のセグメント電極２３は、共通
ライン２３Ａで互いに連結されているが、このラインは
、電極形成工程において形成されるが、導電性ブラシを
各セグメント電極に接触させて電（発明の効果） 以上のように、第１の発明によれば、基板の電極形成工
程から蛍光面形成の前工程までを＝つの環境条件下で製
作し、絶縁層を蛍光面形成に利用しているから、製作工
程の信頼性が向上し、安定した品質を得ることができる
。また、セグメント電極を基板の凹部に設けたので、蛍
光面形成位置の周囲が壁で囲まれた状態となり、蛍光面
のドツトサイズが均−且つ精度良く形成される。蛍光面
形成後にレジスト除去工程がないので、熱による蛍光体
の劣化や、発光輝度へ悪影響を及ぼす特性変化も抑止さ
れると共に熱処理による基板の反り等の変形もなくなる
。

第２の発明によれば、蛍光面の形成に先立ちグリッド電
極を薄膜で形成するので、蛍光面に対する位置精度が向
上し且つ蛍光面の輝度ばらつきがなくなり、安定した品
質の蛍光管が得られる。

第３の発明によれば、蛍光面形成時には既に形成されて
いるグリッド電極を対向を極として利用するので、ドツ
トのはみだしやバッキングがなくなり、対向電極とセグ
メント電極の相対位置がデバイス毎に異なることがなく
、また、蛍光体粒子の流動を妨げないから、電着時間等
の蛍光体粒子付着条件を常に一定に作出でき、安定した
蛍光面が形成できる。また、対向電極が不要になるので
、蛍光面形成装置の構造が簡単になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１の発明を説明するドツトアレイ蛍光管形成
方法の工程図、第２図は同上の工程を示す基板の断面図
、第３図はグリッド電極形成工程終了後の基板を示す断
面図、第４図は蛍光面形成工程終了後の基板を容部のみ
示す斜視図、第５図は第２・第３の発明を説明する工程
図、第６図は同上の工程を示す基板の断面図と平面図、
第７図は蛍光面形成後の基板を要部のみ示す斜視図、第
８図は第３の発明における蛍光面形成工程時の基板を示
す要部斜視図、第９図は従来のドツトアレイ蛍光管の一
例を示す要部分解斜視図、第１０図は同上の断面図、第
Ｕ図は従来のドツトアレイ蛍光管の形成工程を示す工程
図、第１２図は同上の工程を示す断面図、第１３図は蛍
光面形成装置の一例を示す断面図、第１４図は蛍光面形
成位置に対する分散液の流れを示す断面図である。 １１・・・溶媒、１３・・・対向電極、２０・・・基板
、２２・・・凹部、２３・・・セグメント電極、２３ａ
・・・蛍光面形成位置、２４・・・絶縁層、２６・・・
蛍光面、２７．２８・・・グリッド電極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電極形成工程において、基板の表面を、その長手方
   向に沿って断続的に侵食させて凹部を列設し、これら各
   凹部にそれぞれ導電性材料を付着させてセグメント電極
   を形成し、 絶縁層形成工程において、上記セグメント電極を含む基
   板表面に絶縁層を形成したのち、蛍光体を付着すべき蛍
   光面形成位置のセグメント電極をドット状に露出させて
   セグメント電極列を形成し、 蛍光面形成工程において、露出しているセグメント電極
   の蛍光面形成位置に蛍光体粒子を付着させて蛍光面を形
   成し、 組立工程において、上記絶縁層上にグリッド電極を設置
   することを特徴とするドットアレイ蛍光管形成方法。 ２、電極形成工程において、基板の表面を、その長手方
   向に沿って断続的に侵食させて凹部を列設し、これら各
   凹部にそれぞれ導電性材料を付着させてセグメント電極
   を形成し、 絶縁層形成工程において、上記セグメント電極を含む基
   板表面に絶縁層を形成したのち、蛍光体を付着すべき蛍
   光面形成位置のセグメント電極をドット状に露出させて
   セグメント電極列を形成し、 グリッド電極形成工程において、相隣るセグメント電極
   間に位置する上記絶縁層上に導電性材料を付着させてグ
   リッド電極列を形成し、蛍光面形成工程において、露出
   しているセグメント電極の蛍光面形成位置に蛍光体粒子
   を付着させて蛍光面を形成することを特徴とするドット
   アレイ蛍光管形成方法。 ３、電極形成工程において、基板の表面を、その長手方
   向に沿って断続的に侵食させて凹部を列設し、これら各
   凹部にそれぞれ導電性材料を付着させてセグメント電極
   を形成し、 絶縁層形成工程において、上記セグメント電極を含む基
   板表面に絶縁層を形成したのち、蛍光体を付着すべき蛍
   光面形成位置のセグメント電極をドット状に露出させて
   セグメント電極列を形成し、 グリッド電極形成工程において、相隣るセグメント電極
   間に位置する上記絶縁層上に導電性材料を付着させてグ
   リッド電極列を形成し、蛍光面形成工程において、上記
   基板を蛍光体粒子を分散させた溶媒に浸漬し、上記グリ
   ッド電極を上記セグメント電極の対向電極とした電気泳
   動法により、上記セグメント電極の蛍光面形成位置に蛍
   光体粒子を付着させて蛍光面を形成させることを特徴と
   するドットアレイ蛍光管形成方法。