JPH02181510A - 面実装部品で構成された電圧比較回路 - Google Patents

面実装部品で構成された電圧比較回路

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JPH02181510A
JPH02181510A JP47489A JP47489A JPH02181510A JP H02181510 A JPH02181510 A JP H02181510A JP 47489 A JP47489 A JP 47489A JP 47489 A JP47489 A JP 47489A JP H02181510 A JPH02181510 A JP H02181510A
Authority
JP
Japan
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transistor
voltage
collector
trs
transistors
Prior art date
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Pending
Application number
JP47489A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumi Nagano
克己 長野
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH02181510A publication Critical patent/JPH02181510A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、例えばチップ部品や超小型外囲器によって
パッケージされたトランジスタ等の面実装部品で構成さ
れた電圧比較回路に関する。
(従来の技術) 従来の電圧比較回路は、全てが集積回路によって構成さ
れているか、ディスクリートのトランジスタによって構
成されており、この電圧比較回路が配設される回路基板
を小型化したり、回路基板上の狭いスペースに電圧比較
回路を配設する場合は、集積回路によって構成された電
圧比較回路が使用されている。
しかし、集積回路によって構成された電圧比較回路も、
これを回路基板上に配設する場合は、集積回路外囲器の
大きさに対応したスペースを必要とするものである。
しかも、この集積回路外囲器は、長方形あるいは正方形
とされており、回路基板上に長方形あるいは正方形のス
ペースを確保しなければならないため、他の回路に制約
を与えることがあり、必ずしも回路基板の実装密度を向
上し得ないものであった。
(発明が解決しようとする課題) この発明は、集積回路によって構成された論理回路を使
用しても、配設スペースの形状によっては、必ずしも回
路基板の実装密度を向上することが困難であるという課
題を解決するものであり、その目的とするところは、配
設スペースの形状に影響を受けることなく、実装密度を
向上することが可能な面実装部品で構成された電圧比較
回路を提供しようとするものである。
[発明の構成] (課題を解決しようとする手段) この発明は、上記課題を解決するために、差動対を構成
し、ベースに入力電圧が供給される第1のトランジスタ
、およびベースに基準電圧が供給される第2のトランジ
スタが収容された第1の超小型外囲器部品と、前記第2
のトランジスタのコレクタ出力に応じて出力電圧を生成
する第3のトランジスタが収容された第2の超小型外囲
器部品と、前記出力電圧が反転する入力電圧の近傍で、
前記第1、第2のトランジスタのコレクタ電流がほぼ等
しくなるように第1、第2のトランジスタのエミッタ電
流を決定する第1のチップ抵抗、および第2のトランジ
スタのコレクタ電流を決定する第2のチップ抵抗とを設
けている。
(作用) すなわち、この発明は、第1の超小型外囲器部品に収容
され差動対を構成する第1のトランジスタのベースに入
力電圧を供給し、第2のトランジスタのベースに基準電
圧を供給し、第2の超小型外囲器部品に収容された第3
のトランジスタによって、第2のトランジスタのコレク
タ出力に応じて出力電圧を生成し、この出力電圧が反転
する入力電圧の近傍で、前記第1、第2のトランジスタ
のコレクタ電流がほぼ等しくなるように第1、第2のト
ランジスタのエミッタ電流と第2のトランジスタのコレ
クタ電流を決定する第1、第2のチップ抵抗を設けるこ
とにより、集積回路と同等のスペースによって電圧比較
回路を構成することができるとともに、集積回路のよう
に定形のスペースを必要とすることなく、任意の形状の
スペースに回路を配設することができ、−層実装密度を
向上可能としている。
(実施例) 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。
第1図は、電圧比較回路を示すものであり、この電圧比
較回路は、回路基板PCB上に配設された面実装部品と
しての第1、第2の超小型外囲器トランジスタ(以下、
ミニモールド・トランジスタと称す)Ml、M2と、チ
ップ抵抗R1〜R5、電源パターンCP、EP、入出カ
バターンIP、OPlこれらパターンCP、EP、IP
、OPと前記第1、第2のミニモールド・トランジスタ
M1、M2およびチップ抵抗R1〜R5を接続する複数
のリード・パターンLP、およびランド・パターンLA
Pとから構成されている。
前記チップ抵抗R1〜R5としては、例えば2125形
チツプ抵抗があり、このチップ抵抗の大きさは、2.0
ma X 1.25mm程度である。
第2図は、上記第1のミニモールド・トランジスタM1
の構成を示すものである。この第1のミニモールド・ト
ランジスタM1は5ピンのミニモールド・トランジスタ
であり、この第1のミニモールド・トランジスタM1に
は、差動対を構成するPNP型の第1、第2のトランジ
スタQ1、Q2が収容されている。
第3図は、上記第2のミニモールド・トランジスタM2
の構成を示すものである。この第2のミニモールド−ト
ランジスタM2は3ピンのミニモールド・トランジスタ
であり、このm2のミニモールド壷トランジスタM2に
は、NPN型の第3のトランジスタQ3が収容されてい
る。この第2のミニモールド壷トランジスタM2のモー
ルド部の外形寸法は、第2図に示す第1のミニモールド
・トランジスタM1と同様である。
・第4図は、第1図の等価回路を示すものであり、第1
図と同一部分には、同一符号を付す。
第1のトランジスタQ1のベースは、入カバターンIP
に接続され、この第1のトランジスタQ1のコレクタは
、電源パターンEPに接続され、エミッタはチップ抵抗
R3を介して電源パターンCPに接続されるとともに、
第2のトランジスタQ2のエミッタに接続されている。
この第2のトランジスタQ2のベースは、電源パターン
CP。
EP間に直列接続され、基準電圧を発生するチップ抵抗
R1、R2の接続点に接続されている。この第2のトラ
ンジスタQ2のコレクタは、チップ抵抗R4を介して電
源パターンEPに接続されるとともに、第3のトランジ
スタQ3のベースに接続されている。この第3のトラン
ジスタQ3のエミッタは、電源パターンEPに接続され
、コレクタは、チップ抵抗R5を介して電源パターンC
Pに接続されるとともに、出カバターンOPに接続され
ている。
上記構成において、出カバターンOPには、第5図に示
す如く、入カバターンIPに供給された入力電圧Vin
が反転されて、出力電圧Voutとして出力される。
同図には、ディジタル回路でよく使用される電源電圧を
5Vとした電圧比較回路の回路定数を示している。ここ
で、チップ抵抗R3、R4は、出力電圧Voutが反転
する入力電圧Vinの近傍で、第1、第2のトランジス
タQl、Q2のコレクタ電流がほぼ等しくなるように第
1、第2のトランジスタQ1、Q2のエミッタ電流と第
2のトランジスタQ2のコレクタ電流を決定している。
第1図に示す電圧比較回路の各パターンおよび部品は、
l/10インチの格子点に配設している。
即ち、同図中“+“印の相互間距離が1/10インチ(
2,54mm)となっている。この電圧比較回路は、1
0.16m■X 15.24■−154,81!1ff
i2の面積に配設されている。この面積は、フラットパ
ッケージ集積回路による電圧比較回路とほぼ同等のもの
である。
次に、第1図に示す電圧比較回路の製造方法について説
明する。
、回路基板の製造方法としては、リフロー半田方式と、
フロー半田方式等がある。
先ず、リフロー半田方式について説明する。この場合、 (1) 予めパターンが形成された回路基板を用意する
(2) 回路パターンのランド・パターンにクリーム半
田を塗布する。
(3) クリーム半田上に部品のリード(電極)が乗る
ように、ミニモールド・トランジスタ、およびチップ部
品を配設する。
(4)リフロー炉内でクリーム半田を溶融、固化し、ミ
ニモールド・トランジスタ、およびチップ部品をパター
ンに固着する。
次に、フロー半田方式について説明する。
(1) 予めパターンが形成された回路基板を用意する
(2) 部品の装着位置に部品を仮止めする接着剤を塗
布する。
(3) 接着剤上にミニモールド・トランジスタ、およ
びチップ部品を配設する。
(4) 紫外線硬化炉において、接着剤を硬化し、ミニ
モールド・トランジスタ、およびチップ部品を基板上に
固着する。
(5) フロー半田漕に回路基板を浸し、ランド・パタ
ーンとミニモールド・トランジスタ、およびチップ部品
とを半田によって固着する。
上記フロー半田方式においては、ミニモールド・トラン
ジスタMl、M2は、第1図に示す如く、長手方向に沿
って配設し、ミニモールド・トランジスタM1、M2の
各リード電圧が互いに隣接しないように配設するほうが
よい。即ち、第6図に示す如く、ミニモールド・トラン
ジスタM1、M2の各リード電圧を互いに隣接して配設
した場合、半田SLDが表面張力によってミニモールド
・トランジスタM1、M2の相互間に侵入せず、リード
電圧およびランド・パターンに付着しないことがあるか
らである。
上記実施例によれば、ミニモールド・トランジスタMl
、M2、およびチップ抵抗R1〜R5を用いて電圧比較
回路を構成することにより、集積回路によって構成され
た電圧比較回路を配設する場合と同等の面積によって電
圧比較回路を構成することができるものである。
しかも、ミニモールド・トランジスタM1、M2、およ
びチップ抵抗R1〜R5を使用することにより、回路基
板の空きスペースに電圧比較回路を配設することができ
るため、集積回路によって構成された電圧比較回路を配
設する場合のように、正方形あるいは長方形状のスペー
スを確保する必要がなく、任意の形状のスペースに電圧
比較回路を配設することができ、従来に比べて一層、実
装密度を向上することができるものである。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、
この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施
可能なことは勿論である。
[発明の効果] 以上、詳述したようにこの発明によれば、第1の超小型
外囲器部品に収容され差動対を構成する第1のトランジ
スタのベースに入力電圧を供給し、第2のトランジスタ
のベースに基準電圧を供給し、第2の超小型外囲器部品
に収容された第3のトランジスタによって、第2のトラ
ンジスタのコレクタ出力に応じて出力電圧を生成し、こ
の出力電圧が反転する入力電圧の近傍で、前記第1、第
2のトランジスタのコレクタ電流がほぼ等しくなるよう
に第1、第2のトランジスタのエミッタ電流と第2のト
ランジスタのコレクタ電流を決定する第1、第2のチッ
プ抵抗を設けることにより、集積回路と同等のスペース
によって電圧比較回路を構成することができるとともに
、集積回路のように定形のスペースを必要とすることな
く、任意の形状のスペースに回路を配設することができ
、−層実装密度を向上することが可能な面実装部品で構
成された電圧比較回路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す構成図、第2図、第
3図はそれぞれ第1図の要部を取出して示す構成図、第
4図は第1図の等価回路図、第5図は第4図の動作を説
明するために示す図、第6図は部品の配役方向と半田の
関係を説明するために示す図である。 PCB・・・回路基板、11・・・入力電圧、12・・
・出力電圧、Ml、M2・・・ミニモールド・トランジ
スタ、R1−R5・・・チップ抵抗、CPSEP・・・
電源パターン、LP・・・リード・パターン、LAP・
・・ランド・パターン。 PCB 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  差動対を構成し、ベースに入力電圧が供給される第1
    のトランジスタ、およびベースに基準電圧が供給される
    第2のトランジスタが収容された第1の超小型外囲器部
    品と、 前記第2のトランジスタのコレクタ出力に応じて出力電
    圧を生成する第3のトランジスタが収容された第2の超
    小型外囲器部品と、 前記出力電圧が反転する入力電圧の近傍で、前記第1、
    第2のトランジスタのコレクタ電流がほぼ等しくなるよ
    うに第1、第2のトランジスタのエミッタ電流を決定す
    る第1のチップ抵抗、および第2のトランジスタのコレ
    クタ電流を決定する第2のチップ抵抗と、 を具備したことを特徴とする面実装部品で構成された電
    圧比較回路。
JP47489A 1989-01-06 1989-01-06 面実装部品で構成された電圧比較回路 Pending JPH02181510A (ja)

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