JPH0446321A - 活性マトリックス電子光学ディスプレー装置及びこれを用いたカラー投射装置 - Google Patents
活性マトリックス電子光学ディスプレー装置及びこれを用いたカラー投射装置Info
- Publication number
- JPH0446321A JPH0446321A JP2411973A JP41197390A JPH0446321A JP H0446321 A JPH0446321 A JP H0446321A JP 2411973 A JP2411973 A JP 2411973A JP 41197390 A JP41197390 A JP 41197390A JP H0446321 A JPH0446321 A JP H0446321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- array
- thin film
- active matrix
- electro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 45
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/104—Materials and properties semiconductor poly-Si
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
本発明は活性マトリックス電子光学ディスプレー装置に
関するものであり、より詳細にはマトリックスの各画素
に付随するキャパシティブな素子を有するような装置に
関するもので、またこれらの装置を組み込んだカラー投
射装置にも関連している。 ［０００２］
関するものであり、より詳細にはマトリックスの各画素
に付随するキャパシティブな素子を有するような装置に
関するもので、またこれらの装置を組み込んだカラー投
射装置にも関連している。 ［０００２］
今日広汎に用いられているカラー投射テレビジョン（Ｐ
ＴＶ）の一つの形態において、完全カラーディスプレー
は三つの異なる（赤、青及び緑）単色映像を投射スクリ
ーン上に重ねることにより形成されている。これらの単
色映像は一般に陰極線管（ＣＲＴ）を用いて形成されて
いるけれども、これらの映像を発生するために陰極線管
（ＣＲＴ）の代わりに、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）に
より切り換えられるねじれネマチック液晶ディスプレー
（ＴＮ ＬＣＤ）のような活性マトリックス電子光学デ
ィスプレーを用いることも提案されていた。 ［０００３］
ＴＶ）の一つの形態において、完全カラーディスプレー
は三つの異なる（赤、青及び緑）単色映像を投射スクリ
ーン上に重ねることにより形成されている。これらの単
色映像は一般に陰極線管（ＣＲＴ）を用いて形成されて
いるけれども、これらの映像を発生するために陰極線管
（ＣＲＴ）の代わりに、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）に
より切り換えられるねじれネマチック液晶ディスプレー
（ＴＮ ＬＣＤ）のような活性マトリックス電子光学デ
ィスプレーを用いることも提案されていた。 ［０００３］
伝送モード（しばしば「光弁」と呼ばれる）において動
作している液晶ディスプレー（ＬＣＤ）においては、液
晶（ＬＣ）材料が二つの光学的に透明な壁の間に挟まれ
ており、その壁の内面が各々その層に隣接する液晶分子
の選択的な配列を助長するために、その液晶（ＬＣ）と
接触している配向層を保持している。液晶（ＬＣ）分子
も配向層と同様に互いに整列する傾向があるので、これ
らの層の非平行な配向によってその素子を組み立てるこ
とにより、ねじりが液晶（ＬＣ）に対して与えられ得る
。例えば、互いに直角なそれらの整列方向によりその層
を配置することにより、一方の面から他方の面までネマ
チック液晶（ＬＣ）の９０°ねじりを作り出す。このね
じりがその液晶（ＬＣ）を９０°だけ線型に偏光された
光を回すことができるので、その装置により伝送される
光の量が検光子と呼ばれる出口偏光子により制御され得
る。更にその上、この液晶（ＬＣ）は電圧の印加により
ねじられなくなり得るので、例えば、入口偏光子の偏光
方向と平行に向けられた検光子の偏光方向を有する検光
子により阻止された光が、その液晶（ＬＣ）素子への適
当な電圧の印加により通され得る。 ［０００４］ 列電極と行電極とのマトリックスを通じて、各素子が個
別にアドレスできるような素子の二次元配列は、ビデオ
映像のようなディスプレーを作り上げるために用いられ
得て、そこでは各素子が情報の画素を構成する。画素列
の反復する「走査」 （連続したアドレシング）の間に
、例えば、ビデオ信号に応答して、各面素用の個別のス
イッチを設けることにより、画素の間のクロストーク（
漏話）を効果的に減少することが見出された。体系をア
ドレスするこのいわゆる「活性マトリックス」は、それ
の成功については、それらが再アドレスされるまで、そ
れらの固有のキャパシタンスのおかげで、アドレスして
いる間に受は取られたそれらの電荷を保持する各画素の
能力に依存している。 ［０００５］ しかしながら、例えば、液晶材料を通って又はスイッチ
を通って、電荷は画素を漏れ出し得る。従って、画素の
電荷貯蔵能力を改善するために特別キャパシタンスを付
加することがこの画素の設計においては普通である。実
用されてきた特別キャパシタンスを作り出す一つの方法
は、列電極と行電極との間の交差する誘電体上に隣接す
る列電極を重ね合わせるように、透明画素電極を延ばす
ことである。列電極はアドレスされた場合を除いて固定
電位に留まっているので、それは特別コンデンサに対す
る便利な基礎板となる。 ［０００６］ 図１は活性マトリックス薄膜トランジスタ切り換え液晶
ディスプレー光弁の面素用のそのような従来技術装置を
示しており、それにはここではインジウム酸化錫（ＩＴ
Ｏ）の薄い透明画素電極１０が、ここでは化学的気相析
出された（ＣＶＤ）酸化物の交差誘電体１６により分離
された列電極１２と行電極１４とのマトリックス内に配
設されている。各画素１０は（そのうち一つだけが回内
に示しである）薄膜トランジスタ１８のようなスイッチ
を通してアクセスされる。そのスイッチは多結晶珪素相
２０と、多結晶珪素相２０内のチャネル領域（図示せず
）の上にあり且つ多結晶珪素列電極（ゲート線として知
られる）１２へ接続されている１個またはそれ以上のゲ
ート電極２２及び２４と、ゲート電極の下のゲート誘電
体（図示せず）と、及びそれぞれアルミニウム行電極（
ソース線として知られる）１４と画素電極１０とへ接続
されているソース領域２６とドレイン領域２８とを含ん
でいる。 ［０００７］ 特別コンデンサ２９は、隣接するゲート線を越えてイン
ジウム酸化錫の透明画素電極１０を延ばすことにより形
成されている。交差誘電体１６は、特別コンデンサに対
して便利な誘電体を与える。しかしながら、この化学的
気相析出（ＣＶＤ）相の交差誘電体層１６は普通は比較
的厚い（約１ミクロン）。このせいで、この方法で得る
ことができる特別キャパシタンスの量は液晶画素のキャ
パシタンスとほぼ同じである。投射テレビジョンでは、
例えば、その画素が典型的に非常に小さく（例えば２５
００００画素が２平方インチ範囲内に配置され得る）
且つ従ってそのような各画素の液晶（ＬＣ）キャパシタ
ンスであるから、これでは十分ではない。 ［０００８］ セイコーエプソンは薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）に対し
てチャネル多結晶珪素２０が形成されると同時に薄い多
結晶珪素領域３０（図２参照）を形成することにより、
且つ薄膜トランジスタ１８に対してゲート誘電体が形成
されると同時にその薄い多結晶珪素を酸化することによ
り、この問題を取り上げた。もう一つの厚い多結晶珪素
線３２がそのときゲート線１２が形成されると同時に形
成されて、特別コンデンサ４０を形成するための薄い多
結晶珪素領域３０を越えて延びる。特別コンデンサ用の
誘電体３４は約１０００オングストローム厚さの比較的
薄い熱酸化された層である。 かくして与えられるそのキャパシタンスは従って画素キ
ャパシタンスの約５〜７倍である。特別線である厚い多
結晶珪素線３２が、コンデンサに印加されるべきバイア
ス電圧を許容するために、全部の配列と交差して延びる
ので、この特別線の下にある非ドープの薄い多結晶珪素
領域がその薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）のすべての動作
条件の下でそれを導通させるように充電される。この設
計から生じる幾つかの不利益は、この特別線が２５％あ
るいはそれ以上画素の幾何学的透明性を減少させること
である。 ［０００９］
作している液晶ディスプレー（ＬＣＤ）においては、液
晶（ＬＣ）材料が二つの光学的に透明な壁の間に挟まれ
ており、その壁の内面が各々その層に隣接する液晶分子
の選択的な配列を助長するために、その液晶（ＬＣ）と
接触している配向層を保持している。液晶（ＬＣ）分子
も配向層と同様に互いに整列する傾向があるので、これ
らの層の非平行な配向によってその素子を組み立てるこ
とにより、ねじりが液晶（ＬＣ）に対して与えられ得る
。例えば、互いに直角なそれらの整列方向によりその層
を配置することにより、一方の面から他方の面までネマ
チック液晶（ＬＣ）の９０°ねじりを作り出す。このね
じりがその液晶（ＬＣ）を９０°だけ線型に偏光された
光を回すことができるので、その装置により伝送される
光の量が検光子と呼ばれる出口偏光子により制御され得
る。更にその上、この液晶（ＬＣ）は電圧の印加により
ねじられなくなり得るので、例えば、入口偏光子の偏光
方向と平行に向けられた検光子の偏光方向を有する検光
子により阻止された光が、その液晶（ＬＣ）素子への適
当な電圧の印加により通され得る。 ［０００４］ 列電極と行電極とのマトリックスを通じて、各素子が個
別にアドレスできるような素子の二次元配列は、ビデオ
映像のようなディスプレーを作り上げるために用いられ
得て、そこでは各素子が情報の画素を構成する。画素列
の反復する「走査」 （連続したアドレシング）の間に
、例えば、ビデオ信号に応答して、各面素用の個別のス
イッチを設けることにより、画素の間のクロストーク（
漏話）を効果的に減少することが見出された。体系をア
ドレスするこのいわゆる「活性マトリックス」は、それ
の成功については、それらが再アドレスされるまで、そ
れらの固有のキャパシタンスのおかげで、アドレスして
いる間に受は取られたそれらの電荷を保持する各画素の
能力に依存している。 ［０００５］ しかしながら、例えば、液晶材料を通って又はスイッチ
を通って、電荷は画素を漏れ出し得る。従って、画素の
電荷貯蔵能力を改善するために特別キャパシタンスを付
加することがこの画素の設計においては普通である。実
用されてきた特別キャパシタンスを作り出す一つの方法
は、列電極と行電極との間の交差する誘電体上に隣接す
る列電極を重ね合わせるように、透明画素電極を延ばす
ことである。列電極はアドレスされた場合を除いて固定
電位に留まっているので、それは特別コンデンサに対す
る便利な基礎板となる。 ［０００６］ 図１は活性マトリックス薄膜トランジスタ切り換え液晶
ディスプレー光弁の面素用のそのような従来技術装置を
示しており、それにはここではインジウム酸化錫（ＩＴ
Ｏ）の薄い透明画素電極１０が、ここでは化学的気相析
出された（ＣＶＤ）酸化物の交差誘電体１６により分離
された列電極１２と行電極１４とのマトリックス内に配
設されている。各画素１０は（そのうち一つだけが回内
に示しである）薄膜トランジスタ１８のようなスイッチ
を通してアクセスされる。そのスイッチは多結晶珪素相
２０と、多結晶珪素相２０内のチャネル領域（図示せず
）の上にあり且つ多結晶珪素列電極（ゲート線として知
られる）１２へ接続されている１個またはそれ以上のゲ
ート電極２２及び２４と、ゲート電極の下のゲート誘電
体（図示せず）と、及びそれぞれアルミニウム行電極（
ソース線として知られる）１４と画素電極１０とへ接続
されているソース領域２６とドレイン領域２８とを含ん
でいる。 ［０００７］ 特別コンデンサ２９は、隣接するゲート線を越えてイン
ジウム酸化錫の透明画素電極１０を延ばすことにより形
成されている。交差誘電体１６は、特別コンデンサに対
して便利な誘電体を与える。しかしながら、この化学的
気相析出（ＣＶＤ）相の交差誘電体層１６は普通は比較
的厚い（約１ミクロン）。このせいで、この方法で得る
ことができる特別キャパシタンスの量は液晶画素のキャ
パシタンスとほぼ同じである。投射テレビジョンでは、
例えば、その画素が典型的に非常に小さく（例えば２５
００００画素が２平方インチ範囲内に配置され得る）
且つ従ってそのような各画素の液晶（ＬＣ）キャパシタ
ンスであるから、これでは十分ではない。 ［０００８］ セイコーエプソンは薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）に対し
てチャネル多結晶珪素２０が形成されると同時に薄い多
結晶珪素領域３０（図２参照）を形成することにより、
且つ薄膜トランジスタ１８に対してゲート誘電体が形成
されると同時にその薄い多結晶珪素を酸化することによ
り、この問題を取り上げた。もう一つの厚い多結晶珪素
線３２がそのときゲート線１２が形成されると同時に形
成されて、特別コンデンサ４０を形成するための薄い多
結晶珪素領域３０を越えて延びる。特別コンデンサ用の
誘電体３４は約１０００オングストローム厚さの比較的
薄い熱酸化された層である。 かくして与えられるそのキャパシタンスは従って画素キ
ャパシタンスの約５〜７倍である。特別線である厚い多
結晶珪素線３２が、コンデンサに印加されるべきバイア
ス電圧を許容するために、全部の配列と交差して延びる
ので、この特別線の下にある非ドープの薄い多結晶珪素
領域がその薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）のすべての動作
条件の下でそれを導通させるように充電される。この設
計から生じる幾つかの不利益は、この特別線が２５％あ
るいはそれ以上画素の幾何学的透明性を減少させること
である。 ［０００９］
増大されたキャパシタンスを有する活性マトリックス電
子光学ディスプレー装置を提供することが本発明の目的
である。 ［００１０］ ディスプレーの光学的伝送を実質的に低減することなく
増大したキャパシタンスを有するそのようなディスプレ
ー装置を提供することも、本発明のもう一つの目的であ
る。 ［００１１］ １個またはそれ以上のそのような活性マトリックス電子
光学装置を組み込んだカラー投射装置を提供することも
、本発明のもう一つの目的である。 ［００１２］
子光学ディスプレー装置を提供することが本発明の目的
である。 ［００１０］ ディスプレーの光学的伝送を実質的に低減することなく
増大したキャパシタンスを有するそのようなディスプレ
ー装置を提供することも、本発明のもう一つの目的であ
る。 ［００１１］ １個またはそれ以上のそのような活性マトリックス電子
光学装置を組み込んだカラー投射装置を提供することも
、本発明のもう一つの目的である。 ［００１２］
本発明に従って、活性マトリックス電子光学ディスプレ
ー装置の画素のキャパシタンスは、画素電極の伝送がそ
れにより実質的に影響されないように、画素電極の全周
の外側にコンデンサを形成するために、画素に隣接する
列電極の下にある導電性の島であり、画素へ電気的に接
続されているこの導電性の島と、その導電性の島と上に
ある列電極との間の薄い誘電体層とを有する構造で増大
される。 ［００１３］ 本発明の好適な実施例によると、この誘電体はその導電
性の島の上面領域を具え、この領域は、例えば熱酸化に
よるこの島の表面処理により誘電体状態に変換される。 ［００１４］ 本発明の特に好適な実施例によると、その活性マトリッ
クス電子光学装置は薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）切り換
え液晶ディスプレー（ＬＣＤ）であり、そのディスプレ
−においては、インジウム酸化錫（ＩＴＯ）のような透
明導電材料の電極により限定された画素素子の配列カミ
ソースが行電極へ接続され、ゲートが直角に関連する列
電極へ接続され、且つドレインが画素電極へ接続された
薄膜トランジスタスイッチの配列に伴われている。 ［００１５］ 本発明のもう一つの態様によると、活性マトリックス電
子光学ディスプレー装置の画素のキャパシタンスが以下
の工程、すなわち、ａ）画素に隣接する列電極の下に導
電性の島を設ける工程と、ｂ）その導電性島と上にある
列電極との間に誘電体層を設ける工程と、及びＣ）その
導電性島を画素電極へ電気的に接続する工程と、の工程
を具えている方法により増大される。 ［００１６］ 本発明のこの方法の好適な一実施例によると、誘電体層
が導電性島の表面を処理することにより、例えばその層
の熱酸化により設けられる。 ［００１７］ 本発明のこの方法のもう一つの好適な実施例によると、
その活性マトリックス電子光学ディスプレー装置は薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）切り換え液晶ディスプレー（Ｌ
ＣＤ））であり、導電性の島が最初に多結晶珪素を堆積
し、それからそれをｎ型又はｐ型のいずれかの不純物で
縮退的にドープすることにより設けられ、且つ誘電体層
がドープされた多結晶珪素の島の表面を酸化珪素層へ変
換するように熱酸化することにより設けられる。 ［００１８］ 本発明のもう一つの態様によると、カラー投射装置が増
大されたキャパシタンスを有する、１個またはそれ以上
のそのようなディスプレー装置を組み込んでいる。好適
には、その装置はテレビジョンであり、一つのディスプ
レー装置がテレビジョン信号の個別の赤、青及び緑の各
チャネルに対して設けられ、それにより全カラーディス
プレーが投射スクリーン上に得られる三つの個別の映像
を重ねることにより形成される。 ［００１９］
ー装置の画素のキャパシタンスは、画素電極の伝送がそ
れにより実質的に影響されないように、画素電極の全周
の外側にコンデンサを形成するために、画素に隣接する
列電極の下にある導電性の島であり、画素へ電気的に接
続されているこの導電性の島と、その導電性の島と上に
ある列電極との間の薄い誘電体層とを有する構造で増大
される。 ［００１３］ 本発明の好適な実施例によると、この誘電体はその導電
性の島の上面領域を具え、この領域は、例えば熱酸化に
よるこの島の表面処理により誘電体状態に変換される。 ［００１４］ 本発明の特に好適な実施例によると、その活性マトリッ
クス電子光学装置は薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）切り換
え液晶ディスプレー（ＬＣＤ）であり、そのディスプレ
−においては、インジウム酸化錫（ＩＴＯ）のような透
明導電材料の電極により限定された画素素子の配列カミ
ソースが行電極へ接続され、ゲートが直角に関連する列
電極へ接続され、且つドレインが画素電極へ接続された
薄膜トランジスタスイッチの配列に伴われている。 ［００１５］ 本発明のもう一つの態様によると、活性マトリックス電
子光学ディスプレー装置の画素のキャパシタンスが以下
の工程、すなわち、ａ）画素に隣接する列電極の下に導
電性の島を設ける工程と、ｂ）その導電性島と上にある
列電極との間に誘電体層を設ける工程と、及びＣ）その
導電性島を画素電極へ電気的に接続する工程と、の工程
を具えている方法により増大される。 ［００１６］ 本発明のこの方法の好適な一実施例によると、誘電体層
が導電性島の表面を処理することにより、例えばその層
の熱酸化により設けられる。 ［００１７］ 本発明のこの方法のもう一つの好適な実施例によると、
その活性マトリックス電子光学ディスプレー装置は薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）切り換え液晶ディスプレー（Ｌ
ＣＤ））であり、導電性の島が最初に多結晶珪素を堆積
し、それからそれをｎ型又はｐ型のいずれかの不純物で
縮退的にドープすることにより設けられ、且つ誘電体層
がドープされた多結晶珪素の島の表面を酸化珪素層へ変
換するように熱酸化することにより設けられる。 ［００１８］ 本発明のもう一つの態様によると、カラー投射装置が増
大されたキャパシタンスを有する、１個またはそれ以上
のそのようなディスプレー装置を組み込んでいる。好適
には、その装置はテレビジョンであり、一つのディスプ
レー装置がテレビジョン信号の個別の赤、青及び緑の各
チャネルに対して設けられ、それにより全カラーディス
プレーが投射スクリーン上に得られる三つの個別の映像
を重ねることにより形成される。 ［００１９］
図１と図２とは、活性マトリックス薄膜トランジスタ（
ＴＰＴ）切り換え液晶ディスプレー（ＬＣＤ）の画素の
キャパシタンスを増大させるための、二つの異なる従来
技術装置を説明するために、従来の技術の項目で既に参
照した。 ［００２０］ 図３は本発明によってそのような画素へ付加されたキャ
パシタンスを与えるための装置を示している。そのよう
な電極１０の配列の行内のｎ番目の画素電極が、多結晶
珪素層のドレイン領域２８へのその画素電極の電気的接
続によって、薄膜トランジスタ１８を通してアドレスさ
れる。この面素用のコンデンサ３００が、隣接するゲー
ト電極１２の下へ導電性島３０１を設け、且つゲート電
極の下の導電層３０１の表面上へ薄い誘電体層３０２を
設けることにより形成される。このコンデンサ３００へ
のｎ番目の画素電極１０の電気的接続は、普通の手段に
より範囲３０３において設けられる。好適には、導電性
島３０１は多結晶珪素チャネル領域２０が薄膜トランジ
スタ１８のなめに堆積されると同時に、下にある基板上
に堆積される多結晶珪素の薄い層である。動作中の画素
内の電圧の極性は薄い多結晶珪素の島３０１を枯渇に保
ち、且つだから非導通となるように維持するようになる
から、この島をあらゆる条件の下で導通させるために、
この島はｎ型又はｐ型のいずれかで縮退的にドープされ
ている。 ［００２１］ そのような多結晶珪素の島３０１を用いることの主要な
利点は、多結晶珪素チャネル領域２０の表面が薄膜トラ
ンジスタ１８用のゲート誘電体を形成するために熱酸・
化されるのと同時に、コンデンサのための誘電体がこの
島３０１の表面の熱酸化により形成され得ることである
。周知のように、この島３０１のための添加不純物は熱
酸化が実施される前か又は後に拡散あるいは注入され得
る。 ［００２２］ 所望の構造を達成するための一つの方法は、全基板にわ
たって一様に薄い多結晶珪素層を堆積し、この薄い多結
晶珪素層の上に厚いフォトレジスト層を堆積して、薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）が形成されるべき領域を覆うよ
うにこのフォトレジスト層をパターン化し、且つ縮退的
ドープを達成するために多結晶珪素の露出した範囲に注
入することであり、そこでフォトレジストは薄膜トラン
ジスタ領域に対する注入マスクとして働く。このレジス
トはそれから取り除かれ、多結晶珪素層が薄膜トランジ
スタ用のチャネル領域２０とコンデンサ用の導電性の島
３０１とを限定するためにエツチングされる。この限定
の後に、残っている多結晶珪素構造は熱酸化され、その
間に島３０１の注入が活性化される。 ［００２３］ このコンデンサ３００用の薄い多結晶珪素の島３０１は
縮退的にドープされているので、それは動作中に枯渇へ
バイアスされ得す、従ってコンデンサ電極としで機能す
ることができる。多結晶珪素でできていてもよいゲート
線の列電極１２が、それからコンデンサ３００を完成す
るために誘電体層３０２の上に形成される。この構造に
おいては、画素電極１０の全周により限定されるその画
素の正常には透明な如何なる領域をも占有せず、且つそ
れ故に画素の透明性に影響しない。 ［００２４］ 図１〜３に示される種類のこの装置の断面を図４に示す
。２個のガラス支持板４１と４２との内の支持板４１が
、その支持板の内面上に列電極と行電極とのパターン及
び層４３として略図的に図解されている画素電極と付随
する薄膜トランジスタとの配列を支えている。支持板４
２が透明な対向電極４４を支えている。配向層４５と４
６とが層４３と対向電極４４との内面上に存在し、これ
らの配向層は表面への垂線に対して傾斜した角で酸化珪
素（Ｓ１０２）の例えば気相堆積により形成される。例
えばｎシアノ−４’ −（２−メチル）−イソブチル−
ビフェニル（英国プールのＤＢＨＣｈｅｍ ｉ ｃａ
ｌ ｓ社からＣＢ１５として得られる）のキラル添加物
を含んでいるドイツ国ドルムスタットのＥ、 Ｍｅｒｃ
ｋ社により製造されているＺＬＩ ８４−４６０として
知られている特許配合物のような、ネマチック液晶材料
４７が支持板間に存在している。これら支持板間の空間
は典型的には約６〜８ミクロンであり、且つ各板の表面
上に整然と分布している間隔ビーズにより維持されてい
るが、図には示されていない。密封縁部４８が支持板の
境界線で両支持板を一緒に結合している。傾斜して気相
堆積された酸化珪素層の結果として、液晶分子がこの素
子厚さにわたって、約９０°の回転を受ける。キラル添
加物が液晶分子のねじりの方向を決定し、ＣＢ１５は反
時計方向のねじりを与える。 ［００２５］ 支持板４１と４２との外面は更にその上各々線型偏光子
を支えている。偏光子４９は図で矢印により示される入
射光を阻止し、偏光子５０はこの装置により伝送される
光を阻止する。 ［００２６］ このディスプレー素子は第１安定状態から、適当な既知
の方法で電極を駆動することにより、第１安定状態と光
学的に異なっている第２安定状態へ切り換えられ得る。 偏光子と検光子との平行な配向により、オフ状態（電圧
が印加されない）において、選択されたディスプレー素
子即ち画素が暗く （光を吸収する）なり得る。偏光子
の一方を他方に対して９０°だけ回転することにより、
（交差した配向）白い（光を透過する）オフ状態が達成
され得る。 ［００２７］ さて、図５を参照すると、前方投射スクリーンを使用し
ている液晶ディスプレー （ＬＣＤ）カラー投射テレビ
ジョン（ＰＴＶ）の図式的表現が示されている。図示の
装置では、タングステンハロゲンランプ５１からの光が
、ダイクロイックミラ・−５２の交差対と隣接する鏡５
３とを通して、３個の活性マトリックス薄膜トランジス
タ切り換え液晶ディスプレー５４．５５及び５６を通過
するように、いろいろに伝送及び反射される。伝送モー
ドにおいて光弁として動作するこれら３個の液晶ディス
プレーが、テレビジョン画像の赤、青及び緑の部分を作
り出すように３個のチャネルを調節する。ダイクロイッ
クミラー５２が光源５１からの白色光をスペクトルの赤
。 青及び縁部分に分解する。これらの三つの色の部分がそ
れからダイクロイックプリズム５７によって再結合され
る。再結合された光は投射スクリーン５９への投射軸Ｐ
に沿って投射レンズ５８により投射される。 ［００２８］ この装置は、集光レンズ６０と反射器６１とから構成さ
れる装置る。集光レンズ６０は＋Ｘ方向に放射された光
を集めるように最大集光効率用に設計されている。球面
反射器６１がーＸ方向に放射された光を集めて、それ自
身の後部へランプの光を作像する。 ［００２９］ 本発明が限定された数の実施例によって説明されたが、
本発明及び添付の特許請求の範囲の範囲内でその他の態
様が予想される。例えば、特別コンデンサの誘電体層は
導電性の島の上に形成された、例えば化学的気相堆積に
よる窒化珪素であってもよい。配列内の画素は薄膜トラ
ンジスタのような３端子装置により切り換えられる必要
はなく、２端子装置、例えばダイオードあるいはＭＩＭ
のような非線型スイッチにより切り換えられてもよい。 それに加えて、電子光学媒体はネマチック液晶である必
要はなく、超ねじり液晶（ｓｕｐｅｒ ｔｗｉｓｔ １
ｉｑｕｉｄ ｃｒｙｃｔａｌ）材料のようなその他の液
晶材料、あるいは強誘電体材料又はエレクトロルミネッ
センス材料のようなその他の電子光学材料であってもよ
い。更にその上、ディスプレー装置は伝送可能モードで
動作する光弁である必要はなく、反射モードでも動作し
得る。
ＴＰＴ）切り換え液晶ディスプレー（ＬＣＤ）の画素の
キャパシタンスを増大させるための、二つの異なる従来
技術装置を説明するために、従来の技術の項目で既に参
照した。 ［００２０］ 図３は本発明によってそのような画素へ付加されたキャ
パシタンスを与えるための装置を示している。そのよう
な電極１０の配列の行内のｎ番目の画素電極が、多結晶
珪素層のドレイン領域２８へのその画素電極の電気的接
続によって、薄膜トランジスタ１８を通してアドレスさ
れる。この面素用のコンデンサ３００が、隣接するゲー
ト電極１２の下へ導電性島３０１を設け、且つゲート電
極の下の導電層３０１の表面上へ薄い誘電体層３０２を
設けることにより形成される。このコンデンサ３００へ
のｎ番目の画素電極１０の電気的接続は、普通の手段に
より範囲３０３において設けられる。好適には、導電性
島３０１は多結晶珪素チャネル領域２０が薄膜トランジ
スタ１８のなめに堆積されると同時に、下にある基板上
に堆積される多結晶珪素の薄い層である。動作中の画素
内の電圧の極性は薄い多結晶珪素の島３０１を枯渇に保
ち、且つだから非導通となるように維持するようになる
から、この島をあらゆる条件の下で導通させるために、
この島はｎ型又はｐ型のいずれかで縮退的にドープされ
ている。 ［００２１］ そのような多結晶珪素の島３０１を用いることの主要な
利点は、多結晶珪素チャネル領域２０の表面が薄膜トラ
ンジスタ１８用のゲート誘電体を形成するために熱酸・
化されるのと同時に、コンデンサのための誘電体がこの
島３０１の表面の熱酸化により形成され得ることである
。周知のように、この島３０１のための添加不純物は熱
酸化が実施される前か又は後に拡散あるいは注入され得
る。 ［００２２］ 所望の構造を達成するための一つの方法は、全基板にわ
たって一様に薄い多結晶珪素層を堆積し、この薄い多結
晶珪素層の上に厚いフォトレジスト層を堆積して、薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）が形成されるべき領域を覆うよ
うにこのフォトレジスト層をパターン化し、且つ縮退的
ドープを達成するために多結晶珪素の露出した範囲に注
入することであり、そこでフォトレジストは薄膜トラン
ジスタ領域に対する注入マスクとして働く。このレジス
トはそれから取り除かれ、多結晶珪素層が薄膜トランジ
スタ用のチャネル領域２０とコンデンサ用の導電性の島
３０１とを限定するためにエツチングされる。この限定
の後に、残っている多結晶珪素構造は熱酸化され、その
間に島３０１の注入が活性化される。 ［００２３］ このコンデンサ３００用の薄い多結晶珪素の島３０１は
縮退的にドープされているので、それは動作中に枯渇へ
バイアスされ得す、従ってコンデンサ電極としで機能す
ることができる。多結晶珪素でできていてもよいゲート
線の列電極１２が、それからコンデンサ３００を完成す
るために誘電体層３０２の上に形成される。この構造に
おいては、画素電極１０の全周により限定されるその画
素の正常には透明な如何なる領域をも占有せず、且つそ
れ故に画素の透明性に影響しない。 ［００２４］ 図１〜３に示される種類のこの装置の断面を図４に示す
。２個のガラス支持板４１と４２との内の支持板４１が
、その支持板の内面上に列電極と行電極とのパターン及
び層４３として略図的に図解されている画素電極と付随
する薄膜トランジスタとの配列を支えている。支持板４
２が透明な対向電極４４を支えている。配向層４５と４
６とが層４３と対向電極４４との内面上に存在し、これ
らの配向層は表面への垂線に対して傾斜した角で酸化珪
素（Ｓ１０２）の例えば気相堆積により形成される。例
えばｎシアノ−４’ −（２−メチル）−イソブチル−
ビフェニル（英国プールのＤＢＨＣｈｅｍ ｉ ｃａ
ｌ ｓ社からＣＢ１５として得られる）のキラル添加物
を含んでいるドイツ国ドルムスタットのＥ、 Ｍｅｒｃ
ｋ社により製造されているＺＬＩ ８４−４６０として
知られている特許配合物のような、ネマチック液晶材料
４７が支持板間に存在している。これら支持板間の空間
は典型的には約６〜８ミクロンであり、且つ各板の表面
上に整然と分布している間隔ビーズにより維持されてい
るが、図には示されていない。密封縁部４８が支持板の
境界線で両支持板を一緒に結合している。傾斜して気相
堆積された酸化珪素層の結果として、液晶分子がこの素
子厚さにわたって、約９０°の回転を受ける。キラル添
加物が液晶分子のねじりの方向を決定し、ＣＢ１５は反
時計方向のねじりを与える。 ［００２５］ 支持板４１と４２との外面は更にその上各々線型偏光子
を支えている。偏光子４９は図で矢印により示される入
射光を阻止し、偏光子５０はこの装置により伝送される
光を阻止する。 ［００２６］ このディスプレー素子は第１安定状態から、適当な既知
の方法で電極を駆動することにより、第１安定状態と光
学的に異なっている第２安定状態へ切り換えられ得る。 偏光子と検光子との平行な配向により、オフ状態（電圧
が印加されない）において、選択されたディスプレー素
子即ち画素が暗く （光を吸収する）なり得る。偏光子
の一方を他方に対して９０°だけ回転することにより、
（交差した配向）白い（光を透過する）オフ状態が達成
され得る。 ［００２７］ さて、図５を参照すると、前方投射スクリーンを使用し
ている液晶ディスプレー （ＬＣＤ）カラー投射テレビ
ジョン（ＰＴＶ）の図式的表現が示されている。図示の
装置では、タングステンハロゲンランプ５１からの光が
、ダイクロイックミラ・−５２の交差対と隣接する鏡５
３とを通して、３個の活性マトリックス薄膜トランジス
タ切り換え液晶ディスプレー５４．５５及び５６を通過
するように、いろいろに伝送及び反射される。伝送モー
ドにおいて光弁として動作するこれら３個の液晶ディス
プレーが、テレビジョン画像の赤、青及び緑の部分を作
り出すように３個のチャネルを調節する。ダイクロイッ
クミラー５２が光源５１からの白色光をスペクトルの赤
。 青及び縁部分に分解する。これらの三つの色の部分がそ
れからダイクロイックプリズム５７によって再結合され
る。再結合された光は投射スクリーン５９への投射軸Ｐ
に沿って投射レンズ５８により投射される。 ［００２８］ この装置は、集光レンズ６０と反射器６１とから構成さ
れる装置る。集光レンズ６０は＋Ｘ方向に放射された光
を集めるように最大集光効率用に設計されている。球面
反射器６１がーＸ方向に放射された光を集めて、それ自
身の後部へランプの光を作像する。 ［００２９］ 本発明が限定された数の実施例によって説明されたが、
本発明及び添付の特許請求の範囲の範囲内でその他の態
様が予想される。例えば、特別コンデンサの誘電体層は
導電性の島の上に形成された、例えば化学的気相堆積に
よる窒化珪素であってもよい。配列内の画素は薄膜トラ
ンジスタのような３端子装置により切り換えられる必要
はなく、２端子装置、例えばダイオードあるいはＭＩＭ
のような非線型スイッチにより切り換えられてもよい。 それに加えて、電子光学媒体はネマチック液晶である必
要はなく、超ねじり液晶（ｓｕｐｅｒ ｔｗｉｓｔ １
ｉｑｕｉｄ ｃｒｙｃｔａｌ）材料のようなその他の液
晶材料、あるいは強誘電体材料又はエレクトロルミネッ
センス材料のようなその他の電子光学材料であってもよ
い。更にその上、ディスプレー装置は伝送可能モードで
動作する光弁である必要はなく、反射モードでも動作し
得る。
【図１】
図１は従来技術の活性マトリックス薄膜トランジスタ切
り換え液晶ディスプレーの画素へ増加されたキャパシタ
ンスを与えるための一つの装置の図式的斜視図である。
り換え液晶ディスプレーの画素へ増加されたキャパシタ
ンスを与えるための一つの装置の図式的斜視図である。
【図２】
図２は図１の斜視図に似た従来技術の活性マトリックス
薄膜トランジスタ切り換え液晶ディスプレーの画素へ増
加されたキャパシタンスを与えるためのもう一つの装置
を示すの図式的斜視図である。
薄膜トランジスタ切り換え液晶ディスプレーの画素へ増
加されたキャパシタンスを与えるためのもう一つの装置
を示すの図式的斜視図である。
【図３】
図３は図１と図２の斜視図に似た本発明による活性マト
リックス薄膜トランジスタ切り換え液晶ディスプレーの
画素へ増加されたキャパシタンスを与えるための装置の
一実施例を示す図式的斜視図である。 ［図４］ 図４は図１〜３に示した種類の液晶ディスプレーの図式
的断面図である。
リックス薄膜トランジスタ切り換え液晶ディスプレーの
画素へ増加されたキャパシタンスを与えるための装置の
一実施例を示す図式的斜視図である。 ［図４］ 図４は図１〜３に示した種類の液晶ディスプレーの図式
的断面図である。
【図５】
図５は本発明の３個の液晶ディスプレーを使用している
液晶ディスプレーカラー投射テレビジョンの一実施例の
図式的平面図である。
液晶ディスプレーカラー投射テレビジョンの一実施例の
図式的平面図である。
１０ 薄い透明画素電極
１２ 列電極
１４ 行電極
１６ 交差誘電体
１８ 薄膜トランジスタ
２０ 多結晶珪素層
２２ ゲート電極
２４ ゲート電極
２６ ソース電極
２８ ドレイン電極
２９ 特別コンデンサ
３０ 薄い多結晶珪素領域
３２ 厚い多結晶珪素層
３４ 誘電体
４０ 特別コンデンサ
４１ ガラス支持板
４２ ガラス支持板
４３層
４４ 透明な対向電極
４５ 配向層
４６ 配向層
４７ ネマチック液晶材料
４８ 密封縁部
４９ 偏光子
５０ 検光子
５１ タングステンハロゲンランプ
５２ ダイクロイックミラー
５３鏡
活性マトリックス薄膜トランジスタ液晶ディスプレー活
性マトリックス薄膜トランジスタ液晶ディスプレー活性
マトリックス薄膜トランジスタ液晶ディスプレーダイク
ロイックプリズム 投射レンズ 投射スクリーン 集光レンズ 反射器 コンデンサ 導電性の島 誘電体層 電気的接続範囲
性マトリックス薄膜トランジスタ液晶ディスプレー活性
マトリックス薄膜トランジスタ液晶ディスプレーダイク
ロイックプリズム 投射レンズ 投射スクリーン 集光レンズ 反射器 コンデンサ 導電性の島 誘電体層 電気的接続範囲
図面
【図４】
Claims (16)
- 【請求項１】少なくともその一方が光学的に透明な壁の
対と、画素電極の配列と、その画素電極に付随するスイ
ッチの配列と、スイッチと画素電極との配列を相互接続
している直交して関連する列電極と行電極との配列と、
一方の壁の内面上に配設された配列と、他方の壁の内面
上の対向電極と、壁上のその配列と対向電極との上に横
たわっている配向層と、及び両壁間の空間を満たし且つ
その配向層と接触している電子光学材料とを具えている
活性マトリックス電子光学ディスプレー装置において、 該ディスプレーが各々が画素電極と電気的に接触してい
る導電性材料の島から成る貯蔵コンデンサの配列を含み
、その島は画素に隣接する列電極と、導電性材料の島と
上に横たわる列電極との間の誘電体材料の層との下にあ
ることを特徴とする活性マトリックス電子光学ディスプ
レー装置。 - 【請求項２】前記スイッチが薄膜トランジスタであり、
列電極が薄膜トランジスタゲート電極を相互接続し、行
電極が薄膜トランジスタのソース電極を相互接続し、且
つ画素電極が付随する薄膜トランジスタのドレイン電極
へ各々接続されたことを特徴とする請求項１記載の活性
マトリックス電子光学ディスプレー装置。 - 【請求項３】前記電子光学材料が液晶材料であることを
特徴とする請求項２記載の活性マトリックス電子光学デ
ィスプレー装置。 - 【請求項４】前記導電性材料が縮退的にドープされた多
結晶珪素であることを特徴とする請求項２記載の活性マ
トリックス電子光学ディスプレー装置。 - 【請求項５】前記誘電体層が導電性材料の表面領域の熱
酸化により形成されることを特徴とする請求項４記載の
活性マトリックス電子光学ディスプレー装置。 - 【請求項６】少なくともその一方が光学的に透明な壁の
対と、画素電極の配列と、その画素電極に付随するスイ
ッチの配列と、スイッチと画素電極との配列を相互接続
している直交して関連する列電極と行電極との配列と、
壁の一方の内面上に配設された配列と、他方の壁の内面
上の対向電極と、壁上のその配列と対向電極との上に横
たわっている配向層と、及び両壁間の空間を満たし且つ
その配向層と接触している電子光学媒体とを具えている
活性マトリックス電子光学ディスプレー装置を形成する
方法において、 ａ）列電極の下に導電性材料の島を形成する工程と、ｂ
）その導電性島上に誘電体材料の層を形成する工程と、
ｃ）その誘電体層の上に列電極を形成する工程と、及び
ｄ）導電性島を隣接する画素電極へ電気的に接続する工
程と、の工程を具えており、それによりその配列の各面
素用の特別貯蔵コンデンサを形成することを特徴とする
活性マトリックス電子光学ディスプレー装置を形成する
方法。 - 【請求項７】スイッチが薄膜トランジスタであり、列電
極がこの薄膜トランジスタのゲート電極を相互接続し、
行電極がこの薄膜トランジスタのソース電極を相互接続
し、且つ画素電極が薄膜トランジスタのドレイン電極へ
各々接続されることを特徴とする請求項６記載の活性マ
トリックス電子光学ディスプレー装置を形成する方法。 - 【請求項８】前記電子光学材料が液晶材料であることを
特徴とする請求項７記載の活性マトリックス電子光学デ
ィスプレー装置を形成する方法。 - 【請求項９】前記導電性の島が縮退的にドープされた多
結晶珪素を具えることを特徴とする請求項８記載の活性
マトリックス電子光学ディスプレー装置を形成する方法
。 - 【請求項１０】導電性材料の島が、前記壁の一方を多結
晶珪素の層により一様に覆うこと、薄膜トランジスタが
形成されるべき領域をフォオレジストによりマスクする
こと、多結晶珪素の露出した部分を縮退的にドープする
こと、そのフォトレジストを取り除くこと、及び薄膜ト
ランジスタのチャネルに相当するドープされていない多
結晶珪素領域と特別コンデンサに相当するドープされた
多結晶珪素の島とを残すようにその多結晶珪素を選択的
にエッチングすることにより、形成されることを特徴と
する請求項９記載の活性マトリックス電子光学ディスプ
レー装置を形成する方法。 - 【請求項１１】チャネル領域とドープされた島領域とが
薄膜トランジスタ用のゲート誘電体と特別コンデンサ用
のコンデンサ誘電体とに相当する薄い酸化層を形成する
ように同時に熱酸化されることを特徴とする請求項９記
載の活性マトリックス電子光学ディスプレー装置を形成
する方法。 - 【請求項１２】カラー投射装置であって、 各々その内の一つが光学的に透明な壁の対と、画素電極
の配列と、その画素電極に付随するスイッチの配列と、
スイッチと画素電極との配列を相互接続している直交し
て関連する列電極と行電極との配列と、一方の壁の内面
上に配設された配列と、他方の壁の内面上の対向電極と
、壁上のその配列と対向電極との上に横たわっている配
向層と、及び両壁間の空間を満たし且つその配向層と接
触している電子光学材料とを具えている３個の活性マト
リックス電子光学ディスプレー装置と、 そのディスプレー装置上で、赤，青及び緑の三原色の一
つに各々相当するカラー映像の個別の単色要素を作り出
す手段と、投射スクリーンと、 及び全色ディスプレーを形成するようにスクリーン上へ
それら映像要素を投射する手段と、 を含むカラー投射装置において、 ディスプレー装置のうちの少なくとも一つが、各々画素
電極と電気的に接触している導電性材料の島から成る貯
蔵コンデンサの配列を含んでおり、その島は画素に隣接
する列電極、及び導電性材料の島と上に置かれた列電極
との間の誘電体材料の層の下にあることを特徴とするカ
ラー投射装置。 - 【請求項１３】スイッチは薄膜トランジスタであり、列
電極が薄膜トランジスタのゲート電極を相互接続し、行
電極が薄膜トランジスタのソース電極を相互接続し、且
つ画素電極が各々付随する薄膜トランジスタのドレイン
電極へ接続されていることを特徴とする請求項１２記載
のカラー投射装置。 - 【請求項１４】電子光学材料が液晶材料であることを特
徴とする請求項１３記載のカラー投射装置。 - 【請求項１５】導電性材料が縮退的にドープされた多結
晶珪素であることを特徴とする請求項１３記載のカラー
投射装置。 - 【請求項１６】誘電体層が導電性材料の表面領域の熱酸
化により形成されることを特徴とする請求項１５記載の
カラー投射装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US45602689A | 1989-12-22 | 1989-12-22 | |
| US07/456026 | 1989-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0446321A true JPH0446321A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=23811144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2411973A Pending JPH0446321A (ja) | 1989-12-22 | 1990-12-20 | 活性マトリックス電子光学ディスプレー装置及びこれを用いたカラー投射装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6235546B1 (ja) |
| EP (1) | EP0434161B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0446321A (ja) |
| DE (1) | DE69022010T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011107697A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子書籍 |
| JP2013152468A (ja) * | 2000-01-26 | 2013-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2924506B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2081018B (en) * | 1980-07-31 | 1985-06-26 | Suwa Seikosha Kk | Active matrix assembly for display device |
| JPS58106860A (ja) | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06100745B2 (ja) | 1982-07-02 | 1994-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JPS61151516A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Ｍｉｓ型アクテイプマトリクス表示装置用基板 |
| JPS61170724A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Seiko Instr & Electronics Ltd | アクテイブマトリクス表示装置用基板 |
| JPS6210619A (ja) | 1985-07-09 | 1987-01-19 | Seiko Epson Corp | アクテイブマトリクスパネル |
| FR2593632B1 (fr) * | 1986-01-27 | 1988-03-18 | Maurice Francois | Ecran d'affichage a matrice active et procedes de realisation de cet ecran |
| FR2593630B1 (fr) * | 1986-01-27 | 1988-03-18 | Maurice Francois | Ecran d'affichage a matrice active a resistance de drain et procedes de fabrication de cet ecran |
| FR2593631B1 (fr) * | 1986-01-27 | 1989-02-17 | Maurice Francois | Ecran d'affichage a matrice active a resistance de grille et procedes de fabrication de cet ecran |
| US4861142A (en) | 1986-05-12 | 1989-08-29 | Seikosha Co., Ltd. | Projection type liquid crystal displaying device |
| JPS62285464A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
| US4864390A (en) | 1986-08-22 | 1989-09-05 | North American Philips Corporation | Display system with equal path lengths |
| JPH0823640B2 (ja) | 1986-09-12 | 1996-03-06 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2523587B2 (ja) | 1987-02-27 | 1996-08-14 | 株式会社東芝 | アクテイブマトリツクス型液晶表示素子 |
| EP0287034B1 (en) | 1987-04-14 | 1995-01-18 | Seiko Epson Corporation | Projection-type color display device |
| EP0288011A3 (en) * | 1987-04-20 | 1991-02-20 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
| JP2599276B2 (ja) | 1987-11-30 | 1997-04-09 | 株式会社日立製作所 | 光集積回路 |
| JPH01219824A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Seikosha Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板 |
| KR940005124B1 (ko) * | 1989-10-04 | 1994-06-11 | 호시덴 가부시기가이샤 | 액정표시소자 |
| FR2662290B1 (fr) * | 1990-05-15 | 1992-07-24 | France Telecom | Procede de realisation d'un ecran d'affichage a matrice active et a condensateurs de stockage et ecran obtenu par ce procede. |
-
1990
- 1990-12-17 DE DE69022010T patent/DE69022010T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-17 EP EP90203363A patent/EP0434161B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-20 JP JP2411973A patent/JPH0446321A/ja active Pending
-
1994
- 1994-10-14 US US08/323,311 patent/US6235546B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013152468A (ja) * | 2000-01-26 | 2013-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2011107697A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子書籍 |
| US9245484B2 (en) | 2009-10-21 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | E-book reader |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0434161A2 (en) | 1991-06-26 |
| EP0434161B1 (en) | 1995-08-30 |
| EP0434161A3 (en) | 1992-05-06 |
| US6235546B1 (en) | 2001-05-22 |
| DE69022010T2 (de) | 1996-04-18 |
| DE69022010D1 (de) | 1995-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1174757B1 (en) | Reflective type liquid crystal display device | |
| US5305128A (en) | Active matrix electro-optic display device with storage capacitors and projection color apparatus employing same | |
| US5056895A (en) | Active matrix liquid crystal liquid crystal light valve including a dielectric mirror upon a leveling layer and having fringing fields | |
| US7339567B2 (en) | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same | |
| US6100947A (en) | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel and electronic apparatus using the same | |
| JP3201990B2 (ja) | ちらつきのない反射性液晶セル | |
| JPH08248425A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US6788372B1 (en) | Liquid, crystal panel, liquid crystal panel manufacturing method, liquid crystal display, and liquid crystal projector | |
| US7388633B2 (en) | Reflective liquid crystal display | |
| KR100242147B1 (ko) | 웨이퍼 배치 액티브 매트릭스 | |
| US5237436A (en) | Active matrix electro-optic display device with light shielding layer and projection and color employing same | |
| US7847889B2 (en) | Panel for display device with light blocking on blue color filter and liquid crystal display | |
| US5982461A (en) | Light valve device | |
| JPH021816A (ja) | 投影型表示装置 | |
| JPH0446321A (ja) | 活性マトリックス電子光学ディスプレー装置及びこれを用いたカラー投射装置 | |
| JPS6328308B2 (ja) | ||
| JP3663825B2 (ja) | 液晶パネルおよび液晶パネル用基板および電子機器並びに投写型表示装置 | |
| JP3812068B2 (ja) | 液晶パネルおよび液晶パネル用基板および電子機器並びに投写型表示装置 | |
| JPH0225A (ja) | 駆動装置 | |
| JPH10197859A (ja) | カラー液晶表示装置 | |
| JPH0370209B2 (ja) | ||
| JPH02230126A (ja) | 反射型液晶表示デバイス | |
| JP5103705B2 (ja) | 液晶表示素子および投射型表示装置 | |
| JPS6261154B2 (ja) | ||
| JPH02165123A (ja) | 反射型液晶表示デバイス |