JPH02182485A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPH02182485A
JPH02182485A JP1003412A JP341289A JPH02182485A JP H02182485 A JPH02182485 A JP H02182485A JP 1003412 A JP1003412 A JP 1003412A JP 341289 A JP341289 A JP 341289A JP H02182485 A JPH02182485 A JP H02182485A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光等の光を用いて情報を記録、再生ま
たは消去を行なう光記録媒体に関する。
［従来の技術］ 従来の光記録媒体は、光学的な変化を利用して情報を記
録、再生または消去を行なうための記録層が、空気中の
水分や酸素、あるいは熱によって酸化腐食を受け、保存
、運搬中に記録層の光学特性が劣化するばかりでなく、
繰り返し記録消去可能な光記録媒体の場合は記録消去の
繰り返しによって記録消去特性が劣化するために使用で
きなくなるという欠点を有していた。そこで特開昭　５
９−１１００５２号公報、特開昭　６０−１３１６５９
号公報のように保護膜として、アルミニウムの窒化物、
珪素の窒化物、ＭｇＦ２、　ＺｎＳ、　　ＡｌＦ３、な
どの非酸化物、特開昭　５８−２１５７４４号公報のよ
うに５ｉ０２、　　Ｓｉｎ、Ａｌ１０３、ＺｒＯ２、Ｔ
ｉＯ２などの酸化物や、さらに特開昭　６３−１０３４
５３号公報のようにＺｎＳなどのカルコゲン化物と５ｉ
０２などの酸化物を混合した保護層を蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング、ＣｖＤなどの真空成膜法
によって成膜して使用していた。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来技術の場合、次のような問題が
あった。
すなわち、酸化物や窒化物の場合、記録消去の繰り返し
によって酸化物中の酸素や窒化物中の窒素が記録層に拡
散して記録消去特性を劣化させるという欠点を有してお
り、さらに記録層保護特性も十分ではない。ＭｇＦ２、
ＺｎＳおよびＡｌＦ３などの非酸化物の場合もやはり記
録層保護特性が十分ではない。またＺｎＳなどのカルコ
ゲン化物と５ｉ０２などの酸化物を混合した保護層につ
いては、蒸着による成膜ではＺｎ５ＳＳｉＯ２いずれも
膜内に発生する内部応力が圧縮応力となるため、この組
み合わせではこの応力が緩和されずに膜が剥離したり、
クラックが発生したりすることがあり、さらに記録消去
の繰り返しによって酸化物中の酸素が記録層に拡散して
記録消去特性を劣化させるという欠点を有している。
本発明は、かかる従来技術の諸欠点に鑑み創案されたも
ので、その目的は良好な記録層保護特性と記録消去特性
および記録消去の繰り返し性、すなわち記録層の膜質変
化や性能劣化を抑制し、しかも記録層との接着力の優れ
た、膜の剥離、クラックの発生などがない誘電体層を備
えた光記録媒体を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に記録層と誘電体層を備
えた光記録媒体において、上記誘電体層がカルコゲン化
合物と弗化物を含む複合物であることを特徴とする光記
録媒体により達成される。
本発明の光記録媒体は少なくとも基板と該基板上に形成
された記録層と誘電体層とを備えて成るものである。誘
電体層は記録層の片面または両面に隣接して設けること
ができる。
誘電体層はカルコゲン化合物と弗化物を含む複合物から
なる。カルコゲン化合物としては公知のカルコゲン化合
物がいずれも使用できるが、５１Ｓｅ、Ｔｅを含む化合
物が好ましく、たとえばＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、
ＰｂＳ、Ｐｂ５ｅおよびＰｂＴｅなどが挙げられる。弗
化物としては、たとえばＭ　ｇ　Ｆ　２　、Ｃｅ　Ｆ　
３　、Ｔ　ｈ　Ｆ　４、Ｌ　ｉ　Ｆ　％Ｌ　ａ　Ｆ　３
　、Ｎ　ｄ　Ｆ　３．５　Ｎ　ａ　・３　Ａ　Ｉ　Ｆ　
３およびＮａ３ＡｌＦ６などが挙げられる。
カルコゲン化合物と弗化物の組成比は特に限定されない
が、モル比で１００　：　１〜１：２０が好ましく、よ
り好ましくは７０：１〜１：５、最も好ましくは５０：
１〜１：２である。カルコゲン化合物と弗化物の組成比
において弗化物の比が１００＝１未満の場合は剥離が発
生し易くなる場合があり、１：２０より大きい場合には
クラックが発生し易くなる。
カルコゲン化合物と弗化物を含む複合物よりなる誘電体
層の形成方法としては、蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティング、ＣｖＤなどの公知の薄膜形成法が使用
できる。
蒸着等により成膜したＺｎＳなどのカルコゲン化合物は
一般に膜内に圧縮応力が発生し、一方、ＭｇＦ２　、Ｃ
ｅＦ３などの弗化物は膜内に引っ張り応力が発生する。
このためカルコゲン化合物と弗化物を含む混合物である
該誘電体層はお互いの内部応力が緩和されるため、膜が
剥離したりクラックが生じることを抑制することができ
る。
さらに、該誘電体層は屈折率が例えばＺｎＳの２．３あ
るいはＺｎＴｅの２．７のように大きな屈折率を有する
カルコゲン化合物と、例えばＭｇＦ２の１．３７あるい
はＣｅＦ３の１．６ノように小さな屈折率を有する弗化
物を含む複合物となすことができるために、カルコゲン
化合物と弗化物の組成比によってカルコゲン化合物と弗
化物の中間の任意の屈折率とすることができる。これは
、誘電体層の屈折率が光記録媒体の記録消去の感度に大
きな影響を及ぼすために、光記録媒体の光学的な設計を
行なう際に設計の自由度が飛躍的に向上することを意味
する。
また、該誘電体層に内部応力を緩和したり屈折率を調整
するために、記録消去の繰り返し性を劣化させない範囲
で酸化物、窒化物、炭化物等が含まれていてもかまわな
い。
誘電体の膜厚は３ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましく、
より好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍである。３ｎｍ未
満では十分な記録層保護特性を得ることが難しく、５０
０　ｎｍより大きいとクラックが発生し易くなる。
本発明における記録層としては公知の光学的記録層が使
用可能である。例えば記録層に集光したレーザ光を照射
することにより記録層の結晶構造を変化させる（例えば
結晶から非晶質またはその逆、あるいは六方晶から立方
晶またはその逆等）つまり相変態により情報を記録でき
る材料として５ｂＴｅＧｅあるいはＩｎＳｅなどを挙げ
ることができ、また磁気記録層に集光したレーザ光を照
射することにより磁化反転を起こさせ情報を記録する材
料としてＴｂＦｅＣｏなどが挙げられる。
本発明に用いられる基板としては、プラスチック、ガラ
ス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なものでよ
い。収束光により基板側から記録、再生あるいは消去す
ることによって記録媒体に付着したごみなどの影響を避
ける場合には、基板として透明材料を用いることが好ま
しい。上記のような材料としては、ポリエステル樹脂、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂、ガラスなどが挙
げられる。好ましくは、複屈折が小さいこと、形成が容
易であることから、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネート、エポキシ樹脂がよい。
基板の厚さは、特に限定するものではないが、１０μｍ
〜５ｍｍの範囲が実用的である。１０μｍ未満では収束
光により基板側から記録、再生あるいは消去する場合で
もごみの影響を受は易くなり、５ｍｍを越える場合には
、収束光により記録、再生あるいは消去する場合対物レ
ンズの開口数を太き（することができなくなり、ピット
サイズが大きくなるため記録密度を上げることが困難に
なる。
基板はフレキシブルなものであっても良いし、リジッド
なものであっても良い。フレキシブルな基板は、テープ
状、あるいはカード型または円形などのシート状で用い
ることができる。リジッドな基板は、カード状、あるい
は円形ディスク状で用いることができる。
本発明の光記録媒体の記録、再生あるいは消去に用いる
光としては、レーザ光やストロボ光のごとき光であり、
とりわけ、半導体レーザを用いることは、光源が小型で
かつ消費電力が小さく、変調が容易であることから好ま
しい。
本発明における光記録媒体は基板上に記録層を形成し、
該記録層上に本発明における誘電体層を形成した構造、
あるいは基板上に誘電体層、記録層および誘電体層をこ
の順に積層した構造として用いられるものである。
さらに記録層の反射率の変化で信号を読み取る場合には
、記録層の光の入射面と反対側の片面に金属、例えば、
ＡＩ、Ａｕ、ＮｉＣｒなどからなる反射層を設けてもよ
く、さらに記録層と反射層の間に中間層を設けることも
でき、この中間層としては本発明の誘電体層を用いるこ
ともできる。
基板に記録層、誘電体層および必要に応じて設けた反射
層などを形成した光記録媒体は、さらに核層の形成面の
上に、樹脂層、たとえば放射線硬化樹脂などの層を設け
て単板として使用することができるし、また、エアーサ
ンドイッチ構造、エアーインシデント構造、密着はりあ
わせ構造などとして、他の部材もしくは同種の基板と２
枚はりあわせて使用することもできる。
本発明において、記録層、誘電体層および必要に応じて
設ける反射層などの形成には、蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング、ＣＶＤなどの公知の薄膜形成技
術を用いることができる。
カルコゲン化合物と弗化物を含む複合物よりなる誘電体
層の形成には、たとえば蒸着の場合、カルコゲン化合物
材料と弗化物を含む材料を別々の蒸発源から同時に蒸発
させたり、あるいはカルコゲン化合物材料と弗化物を含
む材料をあらかじめ所定の割合で混合して１つの蒸発源
から蒸発させたりすることによる得ることができる。ま
た、スパッタリングの場合、カルコゲン化合物材料より
なるターゲットと弗化物を含む材料よりなるターゲット
を同時にスパッタリングを行なったり、あるいはカルコ
ゲン化合物材料と弗化物を含む材料をあらかじめ所定の
割合で混合して作製したターゲットをスパッタリングす
ることにより得られる。
以下−例として基板、誘電体層、記録層および誘電体層
の構成から成る本発明の光記録媒体を形成する方法につ
いて説明する。
基板としてポリカーボネート製ディスクを用いて、まず
、例えばＺｎＳターゲットとＭｇＦ２、ＣｅＦ３などの
弗化物の少な（とも一種が含有されたターゲットを用い
て同時スパッタリングを行なうことにより基板上に誘電
体層を形成する。次いで該誘電体層上に記録層形成材料
のターゲットを用いてスパッタリングを行なうことによ
り記録層を形成し、さらにこの記録層上に前記と同様に
して誘電体層を形成すればよい。
スパッタリング方法としては特に限定されず、例えばＡ
ｒ雰囲気中でのＲＦマグネトロンスパッタリング等の慣
用手段を用いることができ、また基板上の組成および膜
厚を均一化するために基板を回転させることは有効であ
る。
上述の製法において誘電体層の組成比は、各ターゲット
からの蒸発量により制御される。具体的には、あらかじ
め各ターゲットへの供給電力と蒸発量との関係を検討し
ておき、所望の蒸発量に見合った電力を供給してもよい
し、または蒸発量を例えば水晶式膜厚モニタでモニタし
ながら供給電力を制御するようにしてもよい。
誘電体層の膜厚は、各ターゲットからの単位時間あたり
の蒸発量と時間の積の和、または各ターゲットからの蒸
発量を水晶式膜厚モニタでモニタし、このモニタ値の和
で知ることができる。また記録層の膜厚は、記録層材料
のターゲットからの単位時間あたりの蒸発量と時間の積
、または蒸発量を水晶式膜厚モニタすることにより知る
ことができる。スパッタリング中の真空度は特に限定さ
れるものではないが、たとえば５Ｘ１０′！ＰａからＩ
Ｐａ程度である。
［実施例コ 以下、本発明を実施例にもとづいて説明する。
なお実施例中の特性は以下の方法で評価したものである
。
（１）記録層保護特性 光記録媒体を６０℃、９０％ＲＨの環境下において保管
した後、光記録媒体を目視および光学顕微鏡により膜の
剥離、クラックの発生、ピンホールの発生等を観察評価
を行なう。
（２）記録消去特性（動特性） ディスク基板使いの光記録媒体を回転させ、基板側から
開口数０．５の対物レンズで集光した波長８３０ｎｍの
半導体レーザ光を連続照射しながら記録層を結晶化（初
期化）した。その後、線速度６ｍ／秒の条件で先と同一
の光学系を使用して、周波数２．５ＭＨｚ、デユーティ
−比５０％に変調した１０〜１５ｍＷの半導体レーザ光
により記録（非晶化）を行なった。
記録後、半導体レーザ光の強度を０．７ｍＷとして記録
部分を走査し記録の再生を行なった。さらに、記録部分
を線速度２ｍ／秒の条件で３〜６ｍＷの半導体レーザ光
を一回照射して記録信号の消去（結晶化）を行なった後
、先と同一の条件で再生を行なった。記録後および消去
後の再生信号をそれぞれスペクトラム・アナライザによ
りキャリア強度およびノイズレベルを測定し、バンド幅
３０ｋＨｚの条件でキャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）を
求め、さらに記録時のキャリア強度と消去時のキャリア
強度の差として消去率を求めた。
（３）記録消去繰り返し性（静特性） 光記録媒体を予め通風オーブン中で２５０℃に加熱して
記録層を結晶化させた後、基板側から、開口数０．５の
光学系で集光した波長８３０　ｎｍの半導体レーザ光を
パルス変調して照射し記録（非晶化）、消去（結晶化）
を行ない、記録（非晶化）時と消去（結晶化）時の反射
率の差をレーザ光によって読み取った。記録時の光パル
スは、レーザパワー１５ｍｗ、パルス幅１１０〜４００
ｎ　Ｓ　％　消去時の光パルスは、レーザパワー２゜８
〜３．５ｍｗ、パルス幅１μｓとした。再生時のレーザ
パワーは０．５ｍｗである。
実施例１ スパッタ装置のチャンバー内に、下面中央に３個の基板
取り付は用装着部を有する回転可能な円盤を備え、該円
盤を回転することにより上記基板も回転するようにした
装置と、該円盤の下方で回転中心から等配の放射線上で
、かつ同一円周上にターゲット中心が位置するように配
した３つのターゲット取り付は部を有し、各々のターゲ
ットの蒸発量をモニタするための水晶式膜厚モニタ（Ｉ
ＮＦ　Ｉ　ＣＯＭ社製　ＸＴＣ）を設置したスパッタ装
置を使用した。
上記３箇所の基板装着部にそれぞれディスク基板（ポリ
カーボネイト製、厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．
６μｍピッチのスパイラル状グルーｒ付き）、パイレッ
クスガラス基板（コーニング７０５９、厚さ１．２ｍｍ
、　３２ｍｍＸ　３２ｍｍ）、ポリカーボネイト基板（
厚さ１．２ｍｍ。
３２ｍｍＸ３２ｍｍ）を取り付け、また３つのターゲッ
ト取り付は部に各々ＺｎＳ１ＭｇＦ２、および相変化型
光記録材であるＳ　ｂ　５５Ｔ　ｅ　４０Ｇ　ｅ　５タ
ーゲツトを取り付けた。
チャンバー内部を２Ｘ１０’Ｐａまで真空排気したのち
、Ａｒガスを５Ｘ１０−’Ｐａとなるように導入した。
次に、上記円盤を３Ｏｒｐｍで回転させ、ＺｎＳが９０
モル％、ＭｇＦ、２が１０モル％の蒸発量となるように
ＺｎＳターゲットとＭｇＦ２ターゲットへの供給電力を
それぞれ制御しながら２つのターゲットを同時にＲＦマ
グネトロンスパッタ法によりスパッタして、それぞれの
膜厚モニタ値の和が１５０ｎｍとなるまでスパッタを行
ない各基板上にそれぞれ誘電体層を形成した。
次いでＳ　ｂ　５５Ｔ　ｅ　４０Ｇ　ｅ　５ターゲツト
をＲＦ７グネトロンスバツタ法によりスパッタして、膜
厚モニタ値が９０ｎｍとなるまでスパッタを行ない前記
誘電体層上に記録層を形成した。
さらに該記録層の上に前述と同様にして誘電体層を１５
０ｎｍ積層して基板の異なる３個の光記録媒体を得た。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録層
保護特性を前記した評価方法により評価した結果、１０
００時間経過後も膜の剥離、クラックの発生、ピンホー
ルの発生等は全く観察されず良好な記録層保護特性が得
られた。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消去
特性を前記した評価方法により評価した。
初期化条件は線速度２．０ｍ／秒、レーザ光強度３．５
ｍＷ、記録条件は線速度６．Ｏｍ／秒、レーザ光強度１
２．０ｍＷ、消去条件は線速度２゜０ｍ／秒およびレー
ザ光強度５．ＯｍＷで行なった。記録時のＣ／Ｎ比は５
１．２ｄＢ、消去率は４５．６ｄＢと極めて良好な記録
消去特性が得られた。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を用
いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評価
した結果、記録時の光パルス１５ｍ　ｗ、　　１５０　
ｎ　Ｓ　ｚ消去時の光パルス３．０ｍｗ。
１μｓの条件で５０万回以上の記録消去が安定して行な
えた。
実施例２．３ 実施例１のＭｇＦ２に代わり、ＣｅＦ３またはＬｉＦタ
ーゲットをそれぞれ用いた以外は基板、スパッタ圧力条
件、層構成、誘電体層および記録層の膜厚等は実施例１
と同様にして光記録媒体を作製した。このときの誘電体
層形成時の蒸発量はＣｅＦ３を用いた場合はＺｎＳ　　
９５、ＣｅＦ３５（数字はモル％を示す。以下同様）、
ＬｉＦを用いた場合はＺｎＳ　　８０、ＬｉＦ　　２０
とした。
それぞれを実施例２と実施例３とする。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録層
保護特性を前記した評価方法により評価した結果、１０
００時間経過後もいずれも膜の剥離、クラックの発生、
ピンホールの発生等は全く観察されず良好な記録層保護
特性が得られた。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消去
特性を前記した評価方法により評価した。
実施例２の初期化条件は線速度２．Ｏｍ／秒、レーザ光
強度２．５ｍＷ、記録条件は線速度６．　０ｍ／秒、レ
ーザ光強度１１．０ｍＷ、消去条件は線速度２、Ｏｍ／
秒、レーザ光強度４．０ｍＷであり、記録時のＣ／Ｎ比
は５０．４ｄＢ、消去率は４０．６ｄＢであった。実施
例３の初期化条件は線速度２．Ｏｍ／秒、レーザ光強度
３．５ｍＷ。
記録条件は線速度６．０ｍ／秒、レーザ光強度１３．０
ｍＷ、消去条件は線速度２．０ｍ／秒、レーザ光強度５
．５ｍＷであり、記録時のＣ／Ｎ比は５０．８ｄＢ、消
去率は４２．２ｄＢである。
実施例２および実施例３ともに極めて良好な記録消去特
性が得られた。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を用
いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評価
した結果、実施例２は記録時の光パルス１５ｍｗ、１４
０ｎｓ、消去時の光パルス３．５ｍｗ、１μｓの条件、
実施例３は記録時の光パルス１５ｍｗ、１６０ｎｓ、消
去時の光パルス３．７ｍｗ、１μｓの条件でいずれも５
０Ｔ回以上の記録消去が安定して行なえた。
実施例４ 実施例１のＺｎＳに代わりＺｎＳｅターゲツトを用いた
以外は基板、スパッタ圧力条件、層構成、誘電体層およ
び記録層の膜厚等は実施例１と同様にして光記録媒体を
作製した。このときの誘電体層形成時の蒸発量はＺｎＳ
ｅ　　８０、ＭｇＦ２２０とした。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録層
保護特性を前記した評価方法により評価した結果、１０
００時間経過後も膜の剥離、クラックの発生、ピンホー
ルの発生等は全く観察されず良好な記録層保護特性が得
られた。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消去
特性を同様の方法により評価した。初期化条件は線速度
２．Ｏｍ／秒、レーザ光強度２゜３ｍＷ、記録条件は線
速度６．０ｍ／秒、レーザ光強度１０．５ｍＷ、消去条
件は線速度２．０ｍ／秒、レーザ光強度４゜ＯｍＷで行
なった。記録時のＣ／Ｎ比は５１．８ｄＢ、消去率は４
１．９ｄＢと極めて良好な記録消去特性が得られた。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を用
いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評価
した結果、記録時の光パルス１５ｍｗ、　　ｌ　５　Ｑ
　ｎｓ、消去時の光パルス２．８ｍｗ。
１μｓの条件で５０Ｔ回以上の記録消去が安定して行な
えた。
比較例１ 実施例１で使用したスパッタ装置の３つのターゲット取
り付は部のうち２つに各々ＺｎＳおよび５ｂ５５Ｔｅ４
０Ｇｅ５ターゲツトを取り付けた。基板、スパッタ圧力
条件等は実施例１と同様にしてＺｎＳターゲットをＲＦ
マグネトロンスパッタ法によりスパッタして膜厚モニタ
値が１５０ｎｍとなるまでスパッタを行ない誘電体層を
形成した。
次いでＳ　ｂ　５５Ｔ　ｅ　４０Ｇ　ｅ　５ターゲツト
をＲＦ？グネトロンスバッタ法によりスパッタして、膜
厚モニタ値が９０ｎｍとなるまでスパッタを行ない誘電
体層上に記録層を形成した。さらに該記録層の上に前述
と同様にして誘電体層を１５０ｎｍ積層して基板の異な
る２個の光記録媒体を得た。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録層
保護特性を前記した評価方法により評価した結果、１０
０時間経過後に最表面の誘電体層と記録層の界面に剥離
が発生しており、この剥離部において記録層の腐蝕が観
察された。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消去
特性を前記した評価方法により評価した。
初期化条件は線速度０．５ｍ／秒、レーザ光強度１．３
ｍＷ、記録条件は線速度６．０ｍ／秒、レーザ光強度１
０、ＱｍＷ、消去条件は線速度２゜Ｏｍ／秒、レーザ光
強度３．８ｍＷで行なった。
記録時のＣ／Ｎ比は５０．０ｄＢ、消去率は３０゜２ｄ
Ｂであり、十分な消去率が得られない。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を用
いて記録消去繰り返し性を同様の方法により評価した結
果、記録時の光パルス１５ｍｗ。
１３０ｎｓ、消去時の光パルス３．０ｍｗ、ｌ　μＳの
条件で２０Ｔ回の記録消去繰り返しにおいて、記録層が
破壊し記録消去が行なえなくなった。
比較例２ 比較例１のＺｎＳに代わり、ＭｇＦ２ターゲットを用い
た以外は、基板、スパッタ圧力条件、層構成、誘電体層
および記録層の膜厚等は比較例１と同様にして光記録媒
体を作製した。
ポリカーボネイト基板光記録媒体を用いて記録層保護特
性を前記した評価方法により評価した結果、７２時間経
過後に誘電体層および記録層にクラックが発生している
のが観察された。
次に、ディスク基板光記録媒体を用いて記録消去特性を
前記した評価方法により評価した。初期化は線速度１．
０ｍ／秒、レーザ光強度３．５ｍＷの条件で行なえたが
、記録はＭｇＦ２の屈折率が１．３７と小さいために記
録感度が低く、線速度６．０ｍ／秒ではレーザ光強度を
１５．０ｍＷまで大きくしたが記録が全く行なえなかっ
た。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を用
いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評価
した結果、やはり記録感度が低く１５ｍｗのレーザパワ
ーではパルス幅を４００ｎＳとしても記録が行なえなか
った。
比較例３ 実施例１のＭｇＦ２に代わり、５ｉ０２ターゲツトを用
いた以外は基板、スパッタ圧力条件、層構成、誘電体層
および記録層の膜厚等は実施例１と同様にして光記録媒
体を作製した。このときの誘電体層形成時の蒸発量はＺ
ｎＳ　　８０、ＳｉＯ２２０とした。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録層
保護特性を同様の方法により評価した結果、５００時間
経過後に最表面の誘電体層と記録層の界面に剥離が発生
しているのが観察された。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消去
特性を前記した評価方法により評価した。
初期化条件は線速度０．５ｍ／秒、レーザ光強度１．３
ｍＷ、記録条件は線速度６．０ｍ／秒、レーザ光強度１
０．５ｍＷ、消去条件は線速度２゜０ｍ／秒、レーザ光
強度４．５ｍＷで行なった。
記録時のＣ／Ｎ比は５１．５ｄＢ、消去率は３５゜４ｄ
Ｂである。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を用
いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評価
した結果、記録時の光パルス１５ｍｗ、１１０ｎｂ １μＳの条件で３０万回の記録消去繰り返しにおいて、
消去（結晶化）時の反射率が低下したために記録（非晶
化）時の反射率との差が初期値に比べて低下し良好な記
録消去が行なえなくなった。
以上の結果を表１にまとめて示す。
これらの結果から明らかなように、誘電体層としてカル
コゲン化合物と弗化物を含む複合物を用いたものは、極
めて優れた記録層保護特性と記録消去特性および記録消
去の繰り返し性を有していることがわかる。
［発明の効果］ 本発明の光記録媒体は、上述のごとく誘電体層をカルコ
ゲン化合物と弗化物を含む複合物で形成しために、次の
ごとき優れた効果を奏するものである。
（１）膜内に圧縮応力が発生するカルコゲン化合物と膜
内に引っ張り応力が発生する弗化物を含む混合物である
誘電体層は、お互いの内部応力が緩和されるため記録層
との接着力が優れており膜が剥離したりクラックが生じ
ることがなく、記録層保護特性に優れている。
（２）記録消去特性において、５０ｄＢ以上の良好なＣ
／Ｎ比と４０ｄＢ以上の極めて大きな消去率が得られる
。
（３）記録層との接着力が優れており、さらに誘電体層
内に酸化物を含んでいる場合に発生する記録層への酸素
の拡散がないため、優れた記録消去の繰り返し性が得ら
れる。
（４）カルコゲン化合物と弗化物の組成比によって誘電
体層の屈折率をカルコゲン化合物と弗化物の中間の任意
の値とすることができ、光記録媒体の光学的な設計を行
なう際の設計の自由度が飛躍的に向上する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　基板上に記録層と誘電体層を備えた光記録媒体にお
    いて、上記誘電体層がカルコゲン化合物と弗化物を含む
    複合物であることを特徴とする光記録媒体。 ２　カルコゲン化合物がＺｎＳ、ＺｎＳｅおよびＺｎＴ
    ｅから選ばれた少なくとも一種であり、弗化物がＭｇＦ
    ＿２、ＣｅＦ＿３、ＴｈＦ＿４、ＬｉＦおよびＮａ＿３
    ＡｌＦ＿６から選ばれた少なくとも一種である請求項１
    記載の光記録媒体。
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