JPS6222249A - 光学式記録担体およびその製造方法 - Google Patents
光学式記録担体およびその製造方法Info
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- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザー光を細くしぼり込みこれによって情
報信号を記録材料上に記録するいわゆる光学記録担体と
その製造方法に関する。
報信号を記録材料上に記録するいわゆる光学記録担体と
その製造方法に関する。
従来の技術
最近、レーザー光束をレンズ等で細くしぼり込み、これ
によって情報信号を記録材料上に記録するいわゆる光学
式記録担体の研究が各所でおこなわれている。特に記録
材料に関しては、光学磁気材料、 Ｔｏ系材料、有機材
料等が発表されているがＴｅ系記録材料がもっとも実用
段階に近く、すでに実用化されているものもある。
によって情報信号を記録材料上に記録するいわゆる光学
式記録担体の研究が各所でおこなわれている。特に記録
材料に関しては、光学磁気材料、 Ｔｏ系材料、有機材
料等が発表されているがＴｅ系記録材料がもっとも実用
段階に近く、すでに実用化されているものもある。
このＴｅ系記録材料はさらに２種類に分離される。−ツ
は、Ｔｅ−Ｃ、Ｔｅ−８ｅ等のレーザー光束による熱で
穴をあけ信号を記録するもの、もう一つは、ＴｅＯｘ
、 Ｔｅ −Ｓｂ −Ｓｓ等のアモルファス相膜がレー
ザー光束の熱により結晶相膜に変化することを用い信号
を記録するものである。
は、Ｔｅ−Ｃ、Ｔｅ−８ｅ等のレーザー光束による熱で
穴をあけ信号を記録するもの、もう一つは、ＴｅＯｘ
、 Ｔｅ −Ｓｂ −Ｓｓ等のアモルファス相膜がレー
ザー光束の熱により結晶相膜に変化することを用い信号
を記録するものである。
発明が解決しようとする問題点
このうち、熱で穴をあける穴あき形記録方式のものは、
昇華したＴｅ金属を逃すため、エアーギャップ方式でな
ければならず、ディスク構造が複雑となり、組立てにく
いという欠点が存在する。
昇華したＴｅ金属を逃すため、エアーギャップ方式でな
ければならず、ディスク構造が複雑となり、組立てにく
いという欠点が存在する。
他方、相変化形記録方式のものは、昇華物質がないので
第３図に示すごとく貼υ合わせの構造が可能となり、デ
ィスク構造が簡単となる長所を有する。
第３図に示すごとく貼υ合わせの構造が可能となり、デ
ィスク構造が簡単となる長所を有する。
しかし、との相変化形記録方式を用いる場合、現在すで
に一部実用化されているＴｅＯｘ 、 Ｔｅ −３ｂ
−Ｓｅ 等は前述したごとく、アモルファス相から結
晶相への相変化利用記録であるから、本質的に最終の安
定記録済状態（すなわち、安定な結晶相状態）に到るま
でかなりの時間を要するという欠点が存在する。これは
アモルファス物質が熱エネルギーを受は結晶状態に移行
する際、たねとなる結晶核を中心として有限速度で結晶
化が進むということに起因する。
に一部実用化されているＴｅＯｘ 、 Ｔｅ −３ｂ
−Ｓｅ 等は前述したごとく、アモルファス相から結
晶相への相変化利用記録であるから、本質的に最終の安
定記録済状態（すなわち、安定な結晶相状態）に到るま
でかなりの時間を要するという欠点が存在する。これは
アモルファス物質が熱エネルギーを受は結晶状態に移行
する際、たねとなる結晶核を中心として有限速度で結晶
化が進むということに起因する。
今、例として、第４図ｅ）に示すごと（Ｔｅ、ｌｉ％ア
モルファス記録膜３に１μｍφ程度に絞られたレーザー
光束を短時間（１μｓ程度）照射した場合を考える。こ
の場合記録直後は第３図（ｂ）に示すごとく領域１２の
みが結晶化されているが約２分後にはこの領域が広がっ
て領域１３内が結晶化される。本現象は円盤基板上にＴ
ｅ系アモルファス膜がつけられた光学式記録担体を高速
回転させなからレーザ光束により信号を記録し、直後か
ら再生してゆく場合、再生信号が徐々に大きくなりそれ
と共にａ７Ｈも増加する現象として現われる。（第５図
内実線）。これは本現象を増感現象と呼ばれている。こ
の増感現象はむろん、記録レーザーパワーによっても変
化する。当然パワーを増加すれば増感現象は短かくなる
が、最終ピット径が大きくなりすぎ正確な信号が記録さ
れない。又、 Ｔｅ０ｘ（ｏ＜ｘ＜２ ）等の材料では
ＴｏリッチすなわちＸ値を小さくすれば増感時間は短か
くなるが、膜の耐侯性が劣化する。
モルファス記録膜３に１μｍφ程度に絞られたレーザー
光束を短時間（１μｓ程度）照射した場合を考える。こ
の場合記録直後は第３図（ｂ）に示すごとく領域１２の
みが結晶化されているが約２分後にはこの領域が広がっ
て領域１３内が結晶化される。本現象は円盤基板上にＴ
ｅ系アモルファス膜がつけられた光学式記録担体を高速
回転させなからレーザ光束により信号を記録し、直後か
ら再生してゆく場合、再生信号が徐々に大きくなりそれ
と共にａ７Ｈも増加する現象として現われる。（第５図
内実線）。これは本現象を増感現象と呼ばれている。こ
の増感現象はむろん、記録レーザーパワーによっても変
化する。当然パワーを増加すれば増感現象は短かくなる
が、最終ピット径が大きくなりすぎ正確な信号が記録さ
れない。又、 Ｔｅ０ｘ（ｏ＜ｘ＜２ ）等の材料では
ＴｏリッチすなわちＸ値を小さくすれば増感時間は短か
くなるが、膜の耐侯性が劣化する。
Ｔｅ 系アモルファス記録膜を有する記録担体を用いて
光学記録再生をおこなった場合には再生信号に増感現象
があられれ、高速で信号、直読み出しを必要とする用途
にとって大きな問題である。
光学記録再生をおこなった場合には再生信号に増感現象
があられれ、高速で信号、直読み出しを必要とする用途
にとって大きな問題である。
本発明はこの問題点を解決するものである。
問題点を解決するための手段
本発明においては、基板上にＴｅＯｘやＴｏ−８ｂ−５
ｅ等のアモルファス記録膜を形成する前に、まず基板上
にＴｏ単一金属からなる結晶Ｔｏ金属層を５０〜３００
人の厚みで形成する。しかる後アモルファス記録膜を必
要な厚味で形成する。
ｅ等のアモルファス記録膜を形成する前に、まず基板上
にＴｏ単一金属からなる結晶Ｔｏ金属層を５０〜３００
人の厚みで形成する。しかる後アモルファス記録膜を必
要な厚味で形成する。
作用
Ｔｅ系記録膜の形成方法を検討して分析・解析を加えた
結果前述したごとくの増感現象モデルを得ることが出来
た。そこで、従来のＴｅＯｘ膜やＴｏ −Ｓｂ −Ｓｅ
膜を形成する前に基板上に結晶化したＴｏを強制的に付
けるという方法を考案した。
結果前述したごとくの増感現象モデルを得ることが出来
た。そこで、従来のＴｅＯｘ膜やＴｏ −Ｓｂ −Ｓｅ
膜を形成する前に基板上に結晶化したＴｏを強制的に付
けるという方法を考案した。
本発明の特徴は従来記録膜は純アモルファス膜が良いと
されていた所に、強制的に結晶核を挿入した所にある。
されていた所に、強制的に結晶核を挿入した所にある。
従来から本発明と一見類似してまったく原理的に異なる
方法として、記録膜の感度を上げるためにうすいＴｅ層
を設け、その後、アモルファス膜を形成するというもの
が数多くある。
方法として、記録膜の感度を上げるためにうすいＴｅ層
を設け、その後、アモルファス膜を形成するというもの
が数多くある。
本発明とこれ等との違いを述べつつ本発明の詳細な説明
らかにする。
らかにする。
まず記録膜の感度を上昇させる目的で形成されるＴｅ層
膜はアモルファス膜でなくてはならない。
膜はアモルファス膜でなくてはならない。
しかし、本発明によるＴｅ層膜は結晶膜であるから感度
の上昇にはまったく寄与しない。ゆえにＴｏ 層がアモ
ルファス膜であればこの層の膜厚が増加すれば増加する
ほど感度は上昇するが結晶膜の場合、少しもアモルファ
ス相・結晶相間の相転位記録メカニズムに寄与しないか
ら、膜厚が増加すれば感度は低下する。
の上昇にはまったく寄与しない。ゆえにＴｏ 層がアモ
ルファス膜であればこの層の膜厚が増加すれば増加する
ほど感度は上昇するが結晶膜の場合、少しもアモルファ
ス相・結晶相間の相転位記録メカニズムに寄与しないか
ら、膜厚が増加すれば感度は低下する。
しかし逆に、前述の発明のとと（Ｔｅ層がアモルファス
相膜であれば結晶成長の核にはなりえないから、増感時
間の短縮という効果はまったく現われない。
相膜であれば結晶成長の核にはなりえないから、増感時
間の短縮という効果はまったく現われない。
又、このＴｏ金属層の膜形成方法にも当然大きなちがい
が発生する。Ｔｅアモルファス膜を形成する目的であれ
ば、成膜方式がスパッタ一方式であろうと、蒸着方式で
あろうと、出来るだけ成膜レイトを上げる方が望ましく
、かつ膜形成時の基板湿度は低い方が望ましい。本発明
では逆に結晶化膜を形成するのが目的であるから膜形成
速度をおそくし、かつスパッターガス圧は通常よシも高
く取ることが望ましい。又膜形成後でも６０°Ｃ程度の
Ｎ２ガス中で数時間放置することが望ましい。
が発生する。Ｔｅアモルファス膜を形成する目的であれ
ば、成膜方式がスパッタ一方式であろうと、蒸着方式で
あろうと、出来るだけ成膜レイトを上げる方が望ましく
、かつ膜形成時の基板湿度は低い方が望ましい。本発明
では逆に結晶化膜を形成するのが目的であるから膜形成
速度をおそくし、かつスパッターガス圧は通常よシも高
く取ることが望ましい。又膜形成後でも６０°Ｃ程度の
Ｎ２ガス中で数時間放置することが望ましい。
これは前述の方法で作成した結晶化膜でも膜中のＴｅ金
属すべてが結晶化されてはいないので、さらに結晶化を
進めるためにおこなわれる。
属すべてが結晶化されてはいないので、さらに結晶化を
進めるためにおこなわれる。
実施例
第１図は本発明にかかる原理図である。前述の従来例も
同一の構造なる。しかし、Ｔｅ単一金属層２の厚みが既
知の場合、ディスク基板１側からの反射率を測定するこ
とにより、本発明にかかわるＴｏ 層か否かはただちに
判別することが可能である。すなわち、本発明にかかる
Ｔｅ層は、アモルファスＴｅ層よりはるかに反射率が高
い。−例として、Ｔｅ、１％アモルファス記録膜３とし
ては１２ｏＯ人厚さのＴｅＯｘ膜（Ｘ ？０．８ ）で
あって、ディスク基板１の屈折率が約１．６である場合
、約１８０人のＴｅ層膜２がアモルファス膜であれば光
学反射率は２２％程度でありＴｅ層膜２が結晶層の場合
２９％にも達し、大きな反射率の差があられれる。（ち
なみに、Ｔｅ層が存在しない場合、反射率は１９〜２０
％である。） 以上のごとく本発明と、前述の従来例には種々の根本的
相違があるが、さらに決定的な差異は透過電顕像や電子
線回折像に現われる。第６図（２Ｌ）はＴｅ 層がアモ
ルファス像の場合、（ｂ）はＴｅ層が本発明による結晶
相の場合を示す。本回折像によりＴｏ 層が本発明にか
かるものかどうかをはつきυ識別することが可能となる
。
同一の構造なる。しかし、Ｔｅ単一金属層２の厚みが既
知の場合、ディスク基板１側からの反射率を測定するこ
とにより、本発明にかかわるＴｏ 層か否かはただちに
判別することが可能である。すなわち、本発明にかかる
Ｔｅ層は、アモルファスＴｅ層よりはるかに反射率が高
い。−例として、Ｔｅ、１％アモルファス記録膜３とし
ては１２ｏＯ人厚さのＴｅＯｘ膜（Ｘ ？０．８ ）で
あって、ディスク基板１の屈折率が約１．６である場合
、約１８０人のＴｅ層膜２がアモルファス膜であれば光
学反射率は２２％程度でありＴｅ層膜２が結晶層の場合
２９％にも達し、大きな反射率の差があられれる。（ち
なみに、Ｔｅ層が存在しない場合、反射率は１９〜２０
％である。） 以上のごとく本発明と、前述の従来例には種々の根本的
相違があるが、さらに決定的な差異は透過電顕像や電子
線回折像に現われる。第６図（２Ｌ）はＴｅ 層がアモ
ルファス像の場合、（ｂ）はＴｅ層が本発明による結晶
相の場合を示す。本回折像によりＴｏ 層が本発明にか
かるものかどうかをはつきυ識別することが可能となる
。
さて、第６図（ｂ）にもとづき本発明の作用をさらに詳
細に述べる。この像から判別されるごとく、Ｔｏ金属層
１が２００人程度であればまだ均一連続金属膜になって
いないことが結論づけられる。
細に述べる。この像から判別されるごとく、Ｔｏ金属層
１が２００人程度であればまだ均一連続金属膜になって
いないことが結論づけられる。
したがってこの場合、まさに有効な種結晶として作用す
ることが出来、したがって増感時間を短縮することが可
能となる。しかし、７０層１が３００Å以上をこすとも
はや連続金属膜となり結晶核として作用しにくくなると
同時に、結晶グレインが現われ、急速に記録・再生信号
のＣ／Ｎ 低下をもたらす。一方このＴｅ層１が６０
Å以下であれば有効な核となりにくく、ヌケ数も少ない
から十分な増感時間短縮とならない。
ることが出来、したがって増感時間を短縮することが可
能となる。しかし、７０層１が３００Å以上をこすとも
はや連続金属膜となり結晶核として作用しにくくなると
同時に、結晶グレインが現われ、急速に記録・再生信号
のＣ／Ｎ 低下をもたらす。一方このＴｅ層１が６０
Å以下であれば有効な核となりにくく、ヌケ数も少ない
から十分な増感時間短縮とならない。
第６図中点線の曲線は本発明を用いた場合の増感特性を
示す。この図から本発明のごとく、従来のアモルファス
記録膜と基板との間にＴｅ結晶層をもうけることにより
増感現象を２０／＋ｚｏ ＝ ’／６に短縮出来ること
がわかる。
示す。この図から本発明のごとく、従来のアモルファス
記録膜と基板との間にＴｅ結晶層をもうけることにより
増感現象を２０／＋ｚｏ ＝ ’／６に短縮出来ること
がわかる。
第２図のごとくスパッター装置を用いて、本発明の構造
を有する記録担体を用いた。ディスク基板３が第１チヤ
ンバ６に設定される。通常ディスク基板３はチャンバー
内で膜厚を均一とするために自転される。第１チヤンバ
ー内にはＴｅ単体金属からなるターゲットが設置されて
いる。この第１チヤンバー内は人ｒのスパッターガスで
満たされており、この圧は３Ｘ１ｏＴｏｒｒに設定され
る。
を有する記録担体を用いた。ディスク基板３が第１チヤ
ンバ６に設定される。通常ディスク基板３はチャンバー
内で膜厚を均一とするために自転される。第１チヤンバ
ー内にはＴｅ単体金属からなるターゲットが設置されて
いる。この第１チヤンバー内は人ｒのスパッターガスで
満たされており、この圧は３Ｘ１ｏＴｏｒｒに設定され
る。
ターゲット４にはり、Ｃ電源より約３０Ｗ程度の電力が
供給されている。このパワーで’ｒｅ１ａ。
供給されている。このパワーで’ｒｅ１ａ。
層膜を形成するには一枚当シ約２０秒程度で可能であり
、このような低パワーで長時間スパック−された場合、
Ｔｅ単一層は結晶化されてしまう。さて、この第１チヤ
ンバー６でＴｅ結晶層の成膜が終ればシャッター６が開
いて、ディスク基板３は第２チヤンバー７に送り込まれ
る。第２チヤンバー内ではＡｒガス圧３ＸＩＱ Ｔｏ
ｒｒに０２ガス圧了Ｘ １０ ＴＯｒｒ の酸素ガス
が添加されている。
、このような低パワーで長時間スパック−された場合、
Ｔｅ単一層は結晶化されてしまう。さて、この第１チヤ
ンバー６でＴｅ結晶層の成膜が終ればシャッター６が開
いて、ディスク基板３は第２チヤンバー７に送り込まれ
る。第２チヤンバー内ではＡｒガス圧３ＸＩＱ Ｔｏ
ｒｒに０２ガス圧了Ｘ １０ ＴＯｒｒ の酸素ガス
が添加されている。
Ｔｅ 単一金属からなるターゲット８にはり、Ｃパワー
１２０Ｗ加えられている。したがって本チャンバー内で
１２００人程度０膜厚を形成するのに一枚当り５０秒は
どで成膜可能となる。このようにして形成された膜を用
い円盤記録担体を作成し増感特性を測定したところ第５
図点線に示されるととくの電気特性を得た。
１２０Ｗ加えられている。したがって本チャンバー内で
１２００人程度０膜厚を形成するのに一枚当り５０秒は
どで成膜可能となる。このようにして形成された膜を用
い円盤記録担体を作成し増感特性を測定したところ第５
図点線に示されるととくの電気特性を得た。
また、実施例１と同様の装置を用い、ターゲット８には
Ｔｏ −３ｂ −Ｓｅ の合金ターゲットを設置した
。第１チヤンバー６では実施例１と同様の条件で約１８
０人のＴｅ結晶層を結成した。第２チヤンバー７では、
ＡｒガスのみでスパッターをおこないＴｅ −Ｓｂ −
Ｓｓ アモルファス膜を形成した。このように形成さ
れた膜を用い円盤記録担体を作成し、増感特性を測定し
、第６図点線に示されるととくの電気特性を得た。
Ｔｏ −３ｂ −Ｓｅ の合金ターゲットを設置した
。第１チヤンバー６では実施例１と同様の条件で約１８
０人のＴｅ結晶層を結成した。第２チヤンバー７では、
ＡｒガスのみでスパッターをおこないＴｅ −Ｓｂ −
Ｓｓ アモルファス膜を形成した。このように形成さ
れた膜を用い円盤記録担体を作成し、増感特性を測定し
、第６図点線に示されるととくの電気特性を得た。
発明の効果
このように、本発明によりＴｅ結晶層を加えることによ
り、壜感時間を約１／６にすることが出来、ディスクの
耐侯性にはまったく影響がなく 、 Ｃ／Ｎは約１ｄｂ
上昇することが出来た。
り、壜感時間を約１／６にすることが出来、ディスクの
耐侯性にはまったく影響がなく 、 Ｃ／Ｎは約１ｄｂ
上昇することが出来た。
録担体の記録・再生特性図、第６図はその透過電顕像及
び電子線回折像の平面図である。
び電子線回折像の平面図である。
１・・・・・・ディスク基板、２・・・・・・Ｔ８結晶
化層、３・・・・・・Ｔｅ系アモルファス記録膜、４・
・・・・・Ｔｅ単体ターゲット、５・・・・・・第１チ
ヤンバー、６・・・・・・シャッター、７・・・・・・
第２チヤンバー、８・・・・・・記録材形成用ターゲッ
ト、９・・・・・・貼り合わせ層、１０・・・・・・記
録溝、１１・・・・・・結晶核。
化層、３・・・・・・Ｔｅ系アモルファス記録膜、４・
・・・・・Ｔｅ単体ターゲット、５・・・・・・第１チ
ヤンバー、６・・・・・・シャッター、７・・・・・・
第２チヤンバー、８・・・・・・記録材形成用ターゲッ
ト、９・・・・・・貼り合わせ層、１０・・・・・・記
録溝、１１・・・・・・結晶核。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ｆ−−ディスク１１表 ２−−−Ｔｅｉｎ晶ｆとン１ ３−一石ゑア乏ルア部ｄｐ鍼７１Ｌ 第２図 仔−ｒ６継イトター≠・卜５−〜− 第
１＋ヤンハー Ｃ−一゛シＶプヅー ７−−一すｅｈンノ［− ８−−一訪＠矛Ｆ唇Ａ（肩ターゲント 第３図 ９−−一類す名シク也す會 ！５・−ｆ定社晶杖飯傾成 ”’−”ｆ３
図 ｆ−−ディスク１１表 ２−−−Ｔｅｉｎ晶ｆとン１ ３−一石ゑア乏ルア部ｄｐ鍼７１Ｌ 第２図 仔−ｒ６継イトター≠・卜５−〜− 第
１＋ヤンハー Ｃ−一゛シＶプヅー ７−−一すｅｈンノ［− ８−−一訪＠矛Ｆ唇Ａ（肩ターゲント 第３図 ９−−一類す名シク也す會 ！５・−ｆ定社晶杖飯傾成 ”’−”ｆ３
Claims (6)
- （１）Ｔｅ金属を主成分とし、Ｏ＿２、Ｓｅ、Ｃ、Ｓｂ
、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓ、Ｓｉ、Ｎｉのう
ちの少くとも１つを含有する光学記録材料を用い、前記
光学記録材料と基板との間に５０〜３００ÅのＴｅ単一
元素層を設けたことを特徴とする光学式記録担体。 - （２）光学記録材料がアモルファスであり、結晶相へ相
転位をおこすことにより信号が記録されることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光学式記録担体 - （３）Ｔｅ単一元素層内のＴｅ金属が結晶状態であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学式記録
担体 - （４）Ｔｅ単一金属蒸発源と、Ｔｅ合金蒸発源を有する
装置を用い、前記Ｔｅ単一金属蒸発源からＴｅ単一金属
を蒸発させ金属薄膜結晶層を基板上に形成し、つぎに合
金蒸発源からＴｅ合金を蒸発させることを特徴とする光
学式記録担体の製造方法。 - （５）Ｔｅ単一金属からなるスパッターターゲットを用
い、Ａｒガス雰囲気中でスパッターをおこなうことによ
り、円盤基板上に５０〜３００ÅのＴｅ結晶層を形成し
、しかる後、別のＴｅ単一金属もしくはＴｅ合金からな
るスパッターターゲットを用い、酸素、Ａｒ混合ガス雰
囲気中でスパッターをおこなうことによりＴｅＯｘ（０
＜ｘ＜２）アモルファス記録膜を形成することを特徴と
する光学式記録担体の製造方法。 - （６）Ｔｅ結晶層形成とＴｅＯｘ記録膜形成とを同一の
Ｔｅ単一金属もしくは、Ｔｅ合金ターゲットを用いてお
こなうことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の光
学式記録担体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160573A JPS6222249A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光学式記録担体およびその製造方法 |
| KR8605782A KR900003002B1 (en) | 1985-07-19 | 1986-07-16 | Optical recording carrier and the method of manufacturing the same |
| DE8686109903T DE3670920D1 (de) | 1985-07-19 | 1986-07-18 | Optischer aufzeichnungstraeger und verfahren zur herstellung desselben. |
| EP86109903A EP0213358B1 (en) | 1985-07-19 | 1986-07-18 | Optical recording carrier and method of producing the same |
| US07/177,901 US4788561A (en) | 1985-07-19 | 1988-04-01 | Optical recording carrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160573A JPS6222249A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光学式記録担体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222249A true JPS6222249A (ja) | 1987-01-30 |
| JPH0439134B2 JPH0439134B2 (ja) | 1992-06-26 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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- 1986-07-18 EP EP86109903A patent/EP0213358B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-04-01 US US07/177,901 patent/US4788561A/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0213358A1 (en) | 1987-03-11 |
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