JPH02183625A - トランジスタ論理回路 - Google Patents

トランジスタ論理回路

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JPH02183625A
JPH02183625A JP893114A JP311489A JPH02183625A JP H02183625 A JPH02183625 A JP H02183625A JP 893114 A JP893114 A JP 893114A JP 311489 A JP311489 A JP 311489A JP H02183625 A JPH02183625 A JP H02183625A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
channel
logic circuit
mos transistor
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP893114A
Other languages
English (en)
Inventor
Etsuro Aono
悦郎 青野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はMOS トランジスタで構成されたトランジス
タ論理回路に関するものである。
従来の技術 第2図は従来のトランジスタ論理回路の回路図であり、
11.12はPチャネルMOSトランジスタ、13.1
4はNチャネルMOSトランジスタ、15.16は入力
端子、17は出力端子であり、2人力のCMO8型O8
R回路を構成している。また、PチャネルMOSトラン
ジスタ11゜12のチャネル幅は等しく設定され、Nチ
ャネルMOSトランジスタ13.14のチャネル幅も等
しく設定されている。
上記従来の回路構成では、入力端子15.16と、これ
に接続されているPチャネルMO8トランジスタ11.
12の接続が、入力端子15は電源端子側のPチャネル
MOSトランジスタ11に接続され、入力端子16は出
力端子側のPチャネルMOSトランジスタ12に接続さ
れているため、これを入力端子15から見るとPチャネ
ルMOSトランジスタ11と出力端子の間にPチャネル
MOSトランジスタ12による抵抗が接続され、入力端
子16から見るとPチャネルMOSトランジスタ12と
電源端子の間にPチャネルMOSトランジスタ11によ
る抵抗が接続されていることになり、入力端子15.1
6は回路的に等価ではない。このために、各入力端子の
入力スイッチングレベルが異なってしまうと同時に、各
入力端子からの出力遅延時間ら異なってしまうという問
題があった。一般にNOR回路では、各入力端子の入力
スイッチングレベルは、入力端子が電源端子に近いPチ
ャネルMOSトランジスタに接続されているほど小さく
、実験によればこれらの入力端子間の人力スイッチレベ
ルの差は約0.2〜0.4V程度になり、各入力端子か
らの出力遅延時間は、入力端子が電源端子に近いPチャ
ネルMOSトランジスタに接続されているほど大きく、
実験によればこれらの入力端子間の出力遅延時間の差は
、出力遅延時間の平均(平均出力遅延時間)の約10〜
40%程度になる。これらの点は従来のようにあまり高
速でないトランジスタ論理回路では問題にならないが、
高速なトランジスタ論理回路で問題になってくる。
第3図は高速化に対応した従来のトランジスタ論理回路
の回路図であり、18.19,20.21はPチャネル
MO3トランジスタ、22.23はNチャネルMOS 
トランジスタ、24.25は入力端子、26は出力端子
であり、第2図と同様2人力のCMO8型NO型口OR
回路している。また、PチャネルMOSトランジスタ1
8,19゜20.21のチャネル幅は等しく設定され、
NチャネルMOSトランジスタ22.23のチャネル幅
も等しく設定されている。第3図の回路構成では、直列
に接続されたPチャネルMO8トランジスタを2組並列
に接続し、入力端子24をPチャネルMOSトランジス
タ18.21に、入力端子25をPチャネルMO3トラ
ンジスタ19゜20に接続することにより、入力端子2
4.25は回路的に完全に等価となるため、各入力端子
の入力スイッチングレベルは等しくなり、また入力端子
間の出力遅延時間の差も生じない。しかし、この構成で
はMOSトランジスタの数が増加してしまうため、レイ
アウト面積が大きくなってしまうという問題点があった
。第3図に示すような2人力のNOR回路であれば、レ
イアウト面積の増加はそれほど太き(ないが、入力数が
増加するほどレイアウト面積の増加は大きくなり、レイ
アウト面積を大きくすることが難しいメモリ装置等では
使用することが困難であった。
発明が解決しようとする課題 本発明は、レイアウト面積をあまり太き(増加させずに
入力端子間の出力遅延時間の差が小さなトランジスタ論
理回路を実現することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明のトランジスタ論理
回路は、電源端子あるいは接地端子と出力端子の間に接
続された、MOSトランジスタのチャネル幅を電源ある
いは接地端子側から順次大きくした、ドレイン、ソース
端子を直列に接続したMOS トランジスタ群と、上記
直列に接続されたMOSトランジスタ群と相補的に動作
する、接地あるいは電源端子と出力端子との間に接続さ
れた、MOSトランジスタのチャネル幅をゲートが共通
に接続されている上記直列に接続されたMOSトランジ
スタ群のチャネル幅が大きいほど小さ(した、ドレイン
、ソース端子を並列に接続したMOSトランジスタ群で
構成されている・。
作用 この構成によれば、レイアウト面積をあまり大きく増加
させずに各入力端子間の入力スイッチングレベルを変化
させ、入力端子間の出力遅延時間の差か小さなトランジ
スタ論理回路を実現することができる。
実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
第1図は本発明の一実施例におけるトランジスタ論理回
路の回路−図を示すものである。第1図において1.2
.3はPチャネルMO3トランジスタ、4.5.6はN
チャネルMOSトランジスタ、?、8.9は入力端子、
10は出力端子であり、3人力のCMO8型NO型口O
R回路している。PチャネルMOSトランジスタ1,2
.3のチャネル幅Wは電源側から順次大きくなっており
、例えばそれぞれW=46.50.54 (μm)に設
定されている。NチャネルMOSトランジスタ4.5.
6のチャネル幅Wは、ゲートが共通に接続されているP
チャネルMOSトランジスタのチャネル幅が大きいほど
小さくなっており、例えば、それぞれW=11.10.
9 (μm)に設定されている。CMO3回路の入力ス
イッチングレベルは入力端子に接続されたPチャネルM
OSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタのチ
ャネル幅Wp、WNの比で決定され、WP/WNの大き
さが大きいほど入力スイッチングレベルは高くなるため
、この構成により、トランジスタのチャネル幅が等しい
従来の場合に比べて、入力端子7の入力スイッチングレ
ベルは上り、入力端子9の入力スイッチングレベルは下
がることになる。本発明では、上記のように入力スイッ
チングレベルを変化させることにより、各入力端子間の
入力スイッチングレベルの差を小さくしているが、各入
力端子の入力スイッチングレベルは等しくない。これは
、各入力端子間の出力遅延時間の差は入力スイッチング
レベルによって大きく影響されるが、直列に接続された
MOSトランジスタのドレイン、ソース端子のインピー
ダンスが各入力端子により異なっているため、入力スイ
ッチングレベルをすべて等しくするより少しずらしてお
(方が出力遅延時間の差を小さ(することができるため
である。本実施例では、このように各入力端子のスイッ
チングレベルを変化させることにより、入力端子7,9
間の出力遅延時間の差δTは0.04nsecとなり、
従来の構成にした場合の0、15nsecの約27%と
なり、問題とならない・レベルにまで小さくすることが
できる。本実施例の回路の各入力端子からの平均出力遅
延時間Tは0、49nsecであるので、従来の構成で
は出力遅延時間の差δTは平均出力遅延時間Tの約31
%であったものを、本実施例では約8%にまで小さくす
ることができたことになる。
また、本実施例によるレイアウト面積の増加は、MOS
トランジスタのチャネル幅の増加分だけであるので約5
%と小さく、レイアウト面積を太き(することが困難な
メモリ装置でも十分使用可能である。
以上のように本実施例によれば、PチャネルMO8トラ
ンジスタ1,2.3のチャネル幅を電源側から順次大き
くし、NチャネルMOSトランジスタ4.5.6のチャ
ネル幅を、ゲートが共通に接続されているPチャネルM
OSトランジスタのチャネル幅が大きいほど小さ(する
ことにより、入力端子7,9の入力スイッチングレベル
を変化させ、レイアウト面積の大きな増加なしに、各入
力端子間の出力遅延時間の差が小さなトランジスタ論理
回路を実現することができる。
なお、本実施例はNOR回路であるが、これはNAND
回路でもよ<、NAND回路の場合には、直列に接続し
たNチャネルMOSトランジスタ群のチャネル幅を接地
端子側から順次大きくし、ゲートが共通に接続されてい
るNチャネルMOSトランジスタのゲート幅が大きいほ
ど並列に接続したPチャネルMOSトランジスタのチャ
ネル幅を小さくすることにより、NOR回路と同様、レ
イアウト面積の大きな増加なしに入力端子間の出力遅延
時間の差が小さなトランジスタ論理回路が実現できる。
また、本実施例では並列に接続されたトランジスタ群の
チャネル幅をすべて変えているが、これは従来のように
同じチャネル幅でもよい。
入力信号数も本実施例では3人力であるが、さらに多入
力でもよい。
発明の効果 本発明によれば、電源端子あるいは接地端子と出力端子
の間に接続された、MOSトランジスタのチャネル幅を
電源あるいは接地端子側から順次大きくした、ドレイン
、ソース端子を直列に接続したMOSトランジスタ群と
、上記直列に接続されたMOSトランジスタ群と相補的
に動作する、接地あるいは電源端子と出力端子との間に
接続され、MOSトランジスタのチャネル幅をゲートが
共通に接続されている上記直列に接続されたMOSトラ
ンジスタ群のチャネル幅が大きいほど小さくした、ドレ
イン、ソース端子を並列に接続したMoSトランジスタ
群とで構成することにより、]・ランシスタ論理回路の
各入力端子の入力スイッチングレベルを変化させ、レイ
アウト面積の大きな増加なしに、各入力端子間の出力遅
延時間の差か小さな優れたトランジスタ論理回路を実現
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例におけるトランジス論理回路
の回路図、第2図は従来のトランジスタ論理回路の回路
図、第3図は従来の改良されたトランジスタ論理回路の
回路図である。 1.2,3,11,12.18,19,20゜21、・
・・・・・PチャネルMOSトランジスタ、4゜5.6
,13,14.22.23・・・・・・NチャネルMO
3トランジスタ、7,8.9,15,16゜24.25
・・・・・・入力端子1.10,17.26・・・・・
・出力端子。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか16第 2 図 1〜3−m−p=、>ル間う5トラシシズタto−出り
沼シ 第3図 W+j=W陣 W+> W5ンWe Wn−%コ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電源端子あるいは接地端子と出力端子との間に接
    続された、MOSトランジスタのチャネル幅を電源ある
    いは接地端子側から順次大きくした、ドレイン、ソース
    端子を直列に接続した第1のMOSトランジスタ群と、
    上記第1のMOSトランジスタ群と相補的に動作する、
    接地あるいは電源端子と出力端子との間に接続された、
    ドレイン、ソース端子を並列に接続した第2のMOSト
    ランジスタ群とで構成されたことを特徴とするトランジ
    スタ論理回路。
  2. (2)上記第1のMOSトランジスタ群のチャネル幅が
    大きいほど、上記第1のMOSトランジスタ群とゲート
    が共通に接続されている上記第2のMOSトランジスタ
    群のMOSトランジスタのチャネル幅を小さくしたこと
    を特徴とする、請求項(1)記載のトランジスタ論理回
    路。
  3. (3)電源端子あるいは接地端子と出力端子との間に直
    列に接続された第1のMOSトランジスタ群が3個以上
    のMOSトランジスタで構成されている事を特徴とする
    請求項(1)または(2)記載のトランジスタ論理回路
JP893114A 1989-01-10 1989-01-10 トランジスタ論理回路 Pending JPH02183625A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03247117A (ja) * 1990-02-26 1991-11-05 Nec Corp Cmos論理回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03247117A (ja) * 1990-02-26 1991-11-05 Nec Corp Cmos論理回路

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